2DB1184Q_11中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
50V PNP 表面贴装晶体管TO252-3L
特征
外延平面小片建设
低集电极发射极饱和电压非常适合于自动装配程序
适用于中等功率开关和放大应用"无铅",符合RoHS （注1）
卤素和无锑. "绿色"设备（注2）符合AE C-Q101标准高可靠性
机械数据
案例：TO252-3L
外壳材料：模压塑料,"绿色"模塑料.UL 可燃性分类额定值94V -0湿度敏感度：每J-STD-020 1级
码头：完成 - 雾锡退火铜线引线框架（无铅电镀）.每M IL-STD-202,方法208重量0.34克数（近似值）
TO252-3L
C
B
E
顶视图
设备原理图
引脚输出配置
顶视图
订购信息
（注3）
产品
2DB1184Q-13
打标
2DB1184Q 卷盘尺寸（英寸）
13胶带宽度（mm ）
16每卷数量
2,500
Notes :
1. No purpos efully added lead
标识信息
2DB1184Q =产品型号标识代码
=制造商代码标识Y Y WW =日期代码标
Y Y =最后位数年,（例如：08 = 2008）WW =周码01-52
Y Y WW
2DB1184Q
2011年6月
最大额定值
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压发射基电压
连续集电极电流
峰值脉冲集电极电流
@T A= 25°C除非另有说明
符号
V CBO
V CEO
V EBO
I C
I CM
Value
-60
-50
-5
-3
-4.5
Unit
V
V
V
A
A 特性
热特性@T A= 25°C除非另有说明
特性
功耗
热阻,结到外壳
功率耗散（注4）
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
Notes: 4. Device mounted on FR-4 PCB with minimum pad s ize recommended.符号
P D
RθJC
P D
RθJA
T J, T ST G
Value
15
8.3
1.2
104
-55到+150
Unit
W
°C/W
W
°C/W
°C
电气特性
特性开关特性（注5）
集电极基击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征（注5）
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
DC电流增益
小信号特性
电流增益带宽产品
输出电容
Notes:@T A= 25°C除非另有说明
符号
BV CBO
BV CEO
BV EBO
I CBO
I EBO
V CE(sat)
V BE(sat)
h FE
f T
C obo
Min
-60
-50
-5
120
Typ
110
26
Max
-1
-1
-1
-1.2
270
Unit
V
V
V
A
A
V
V
M Hz
pF
测试条件
I C= -50μA, I E= 0
I C= -1mA, I B= 0
I E= -50μA, I C= 0
V CB= -40V, I E= 0
V EB= - 4V, I C= 0
I C= -2A, I B= -0.2A
I C= -1.5A, I B= -0.15A
V CE= -3V, I C= -0.5A
V CE= -5V, I C= -0.1A,
f = 30M Hz
V CB= -10V, f = 1M Hz
5. Meas ured under puls ed conditions. Puls e width = 300μs. Duty cycle 2%.
2011年6月
2DB1184Q
1,000
400350
-I
,集电极电流（mA ）800
h ,直流电流增益300600
250200
400
150100
20050
00.001
0.010.1110
-I ,集电极电流（A ）
图. 2典型DC 电流增益与集电极电流
1
10
-V
,集电极 - 发射极电压（V ）
图. 1典型集电极电流与集电极 - 发射极电压
00.1
0.4
I /I = 10
-V
BE(ON),基极 - 发射导通电压（V ）
1.2V
= -3V
-V
CE(SAT ),集电极 - 发射极
饱和电压（V ）
1.0
0.3
0.8
T = -55°C
0.2T = 150°C
T = 125°C
0.6
T = 25°C 0.4
T = 85°C
T = 125°C
0.1T = 85°C T = 25°C T = -55°C
0.2T = 150°C
00.001
0.010.11
10
-I C ,集电极电流（A ）
图. 3典型集电极 - 发射极饱和电压
主场迎战集电极电流
00.001
0.010.11
10
-I C ,集电极电流（A ）
图. 4典型基射极导通电压
主场迎战集电极电流
-V ,基地发射极饱和电压（V ）
1.21,000
1.00.8
电容（pF ）
0.6100
0.40.2
00.001100.1
0.010.1110
-I ,集电极电流（A ）
图. 5典型基地发射极饱和电压
主场迎战集电极电流
1
10100
V ,反向电压（V ）
图. 6典型电容特性
2011年6月
140f
,增益带宽产品（兆赫）120100806040
20020 30 40 50 60 70 80 90 100I ,集电极电流（mA ）
图. 7典型增益带宽产品主场迎战集电极电流
10
0.010.11
10100
V ,集电极 - 发射极电压（V ）
图. 8安全工作区（注3）
10
I ,集电极电流（A ）1
0.11
R （T ）,瞬态热阻0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.010.1110
t ,脉冲持续时间时间（S ）图. 9瞬态热响应
100
1,000
10,000
2011年6月
? Diodes Incorporated
封装外形尺寸
E
b3
L3
D
b2 b e L4
A1H A
a
L SEATING
PLANE C2
TO252-3L
昏暗最小典型Max
A 2.19 2.29 2.39
A10.97 1.07 1.17
b0.64 0.760.88
b20.76 0.95 1.14
b3 5.21 5.33 5.50
C20.45 0.510.58
D 6.00 6.10 6.20
E 6.45 6.58 6.70
e 2.286典型.
H9.40 9.91 10.41
L 1.40 1.59 1.78
L30.88 1.08 1.27
L40.64 0.83 1.02
a0°-10°
在毫米所有尺寸
建议焊盘布局
X2
Y2
C Y1Z
尺寸
Z
X1
X2
Y1
Y2
C
E1
值（单位mm）
11.6
1.5
7.0
2.5
7.0
6.9
2.3
X1E1
2011年6月
? Diodes Incorporated