TLP160J TLP260J TLP525G双向可控硅晶片的光耦基本原理及应用实例

TLP160J  TLP260J  TLP525G双向可控硅晶片的光耦基本原理及应用实例
TLP160J  TLP260J  TLP525G双向可控硅晶片的光耦基本原理及应用实例

TLP160J TLP260J TLP525G

TLP160J TLP260J TLP525G是输出端采用双向可控硅晶片的光耦,此3款光耦采用的是非过零触发导通形式,因此应用在交流电的情况下,在交流电的任意相位,只要收到输入的的触发信号,输出端就会开始导通,故可以改变交流电的导通角。

TLP160J和TLP260J,采用的是SOP-4的小封装,而TLP525则是采用DIP-4的封装,因此他们比传统的DIP-6体积更小,能有效的节省PCB空间,减小客户产品尺寸,产品尺寸小了,但耐压能力却没有缩水,TLP525G耐压达到400V,而TLP160J,TLP260J耐压更是达到600V。

TLP525 TLP160J TLP260J

型号

基本参数

封装DIP-4 SOP-4 SOP-4

触发电流IFT 10 mA 10 mA 10 mA

耐压VDRM 400 V 600 V 600 V

输出电流IT 100 mA 70 mA 70 mA

开管时压降VTM 3.0 V 2.8 V 2.8 V

基本原理

从他的基本原理图可以看出,输入端为一个LED,一般为940nm的红外线LED,而输出端为一个双向可控硅,门极由光电模块取代,因此,双向可控硅的导通,由LED进行控制。

可控硅的I/V曲线如下图所示,图中横轴为电压,纵轴为电流,横轴最远的地方为他的耐压值VDRM,就算IF不给他信号,如果他的电压超过VDEM,可控硅照样会导通,IF的作用是降低VDRM的值。

值得要注意的是,IFT实际上表达的意思是使VDRM将到3V以下的电流值。

因此当我们给LED一定电流时,可控硅的VDRM会降低,比如本来耐压是600V,而现在可能变成100V,如果可控硅两端的电压是220V,就算此时IF的电流并未达到datasheet上上IFT的值,光耦的输出端照样会被导通。

所以在使用可控硅输出光耦时,当输出端两端的电压越是大时,尤其要注意防止输入端的杂讯,防止因为杂讯的出现造成在不需要的时候导通。

应用实例

可使用双向可控硅光耦去控制双向可控硅的导通,用以驱动电机,灯源等负载,并且可实现调速调光等功能。在控制与驱动领域,双向可控硅光耦应用非常广泛。

光耦的作用

光耦 光耦全称是光耦合器,英文名字是:optical coupler,英文缩写为OC,亦称光电隔离器,简称光耦。 光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。 发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出,由于没有直接的电气连接,这样既耦合传输了信号,又有隔离干扰的作用。 只要光耦合器质量好,电路参数设计合理,一般故障少见。如果系统中出现异常,使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压,就会使之被击穿损坏。 光耦的参数都有哪些?是什么含义? 1、CTR:电流传输比 2、Isolation Voltage:隔离电压 3、Collector-Emitter Voltage:集电极-发射极电压 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值 隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值 集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值 光耦什么时候导通?什么时候截至? ------------------------------------- 关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告 要求: 3.5v~24v 认为是高电平,0v~1.5v认为是低电平 思路: 1、0v~1.5v认为是低电平,利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降,吃掉1.4V 左右; 2、24V是最高电压,不能在最高电压的时候,光耦通过的电流太大;所以选用2K的电阻;光耦工作在大概10mA的电流,可以保证稳定可靠工作n年以上; 3、3.5V以上是高电平,为了尽快进入光敏三极管的饱和区,要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大;因此选用10K;同时要考虑到ctr最小为50%; 电路: 1、发光管端: 实验室电源(0~24V)->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd1 2、光敏三极管: 实验室电源(DC5V)->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd2

可控硅调光原理

3. 双向可控硅调光电路分析 左图是一个典型的双向可控硅 调光器电路,电位器POT1和电阻R1、 R2 与电容C2构成移相触发网络,当 C2的端电压上升到双向触发二极管 D1的阻断电压时,D1击穿,双向可 控硅TRIAC被触发导通,灯泡点亮。 调节POT1可改变C2的充电时间常数,TRAIC的电压导通角随之改变,也就改变了流过灯泡的电流,结果使得白炽灯的亮度随着POT1的调节而变化。POT1上的联动开关SW1在亮度调到最暗时可以关断输入电源,实现调光器的开关控制。 可控硅可控硅一旦被触发导通后,将持续导通到交流电压过零时才会截止。可控硅承担着流过白炽灯的工作电流,由于白炽灯在冷态时的电阻值非常低,再考虑到交流电压的峰值,为避免开机时的大电流冲击,选用可控硅时要留有较大的电流余量。 触发电路触发脉冲应该有足够的幅度和宽度才能使可控硅完全导通,为了保证可控硅在各种条件下均能可靠触发,触发电路所送出的触发电压和电流必须大于可控硅的触发电压UGT与触发电流I GT的最小值,并且触发脉冲的最小宽度要持续到阳极电流上升到维持电流(即擎住电流I L)以上,否则可控硅会因为没有完全导通而重新关断。 保护电阻 R2是保护电阻,用来防止POT1调整到零电阻时,过大的电流造成半导体器件的损坏。R2太大又会造成可调光范围变小,所以应适当选择。 功率调整电阻 R1决定白炽灯可调节到的最小功率,若不接入R1,则在POT1调整到最大值时,白炽灯将完全熄灭,这在家庭应用中会造成一定不便。接入R1后,当POT1调整到最大值时,由于R1的并联分流作用,仍有一定电流给C2充电,实现白炽灯的最小功率可以调节,若将R1换为可变电阻器,则可实现更精确的调节,以确保量产的一致性。同时R1还有改善电位器线性的作用,使灯光变化更适合人眼的感光特性。 电位器小功率调光器一般都选择带开关的电位器,在调光至最小时可以联动切断电源,这种电位器通常分为推动式(PUSH)和旋转式(ROTARY )两种。对于功率较大的调光器,由于开关触点通过的电流太大,一般将电位器和开关分开安装,以节省材料成本。考虑到调光特性曲线的要求,一般都选择线性电位器,这种电位器的电阻带是均匀分布的,单位长度的阻值相等,其阻值变化与滑动距离或转角成直线关系。 滤波网络由于被可控硅斩波后的电压不再呈现正弦波形,由此产生大量谐波干扰,严重污染电网系统,所以要采取有效的滤波措施来降低谐波污染。图中L1和C1构成的滤波网络用来消除可控硅工作时产生的这种干扰,以便使产品符合相关的电磁兼容要求,避免对电视机、收音机等设备的影响。 温度保险丝对于大功率的调光器或用于组群安装的调光器,内部温升比平时要高,在电路中安装一只温度保险,可以在异常温升时切断电路,防止灾害事故的发生。 3.1可控硅的缓冲保护 可控硅在电路中工作时,它的开关状态并不是瞬间完成的。可控硅刚导通时的等效阻抗还很大,这时如果电流上升很快,就会造成很大的开通损耗;同样,在可控硅接近完全关断

单向双向可控硅触发电路设计原理

单向/双向可控硅触发电路设计原理 1,可以用直流触发可控硅装置。 2,电压有效值等于U等于开方{(电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻)加上(派减去电阻的差除以派)}。 3,电流等于电压除以(电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值)。 4,回答完毕。 触摸式台灯的控制原理 这种台灯的主要优点是没有开关,使用时通过人体触摸,完成开启、调光、关闭动作,给使用带来方便。 一、电路设计原理 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极,使电路导通,并给负载——灯泡或灯管供电,使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作,达到调光的目的。电路见图1,该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。 二、降压稳压电路 由R3、VDl、VD4、C4组成。输出9V直流电,供给BA2101,由③⑦脚引入。 三、触发电路 由触发电极M将人体的感应信号,经c3、R8、R7送至④脚的sP端,经处理后,由⑥脚输出触发信号,经cl、R1加至可控硅VS的G极,VS导通,电灯H点亮。第二次触摸,可改变触发脉冲前沿的到达时间,而使电灯亮度改变。反复触摸,可按弱光、中光、强光和关闭四个动作状态循环,达到调节亮度的目的。可控硅VS在动作中其导通角分别为120度、86度、17度。 四、辅助电路 VD2和vD3为保护集成电路而设。防止触摸信号过大而遭破坏。C3为隔离安全电容。R4为取得同步交流信号而设。R5为外接振荡电阻。 五、使用中经常出现的故障 (1)由震动引发的故障。触摸只需轻轻触及即可。但在家庭使用中触击的强度因人而异,小孩去触摸可能是重重的一拳。性格刚烈的人去触摸,可能引起剧烈震动。因此经常出现灯泡断丝。 (2)集成块焊脚由震动而产生脱焊。如③脚脱焊,使电源切断而停止工作;④、⑥脚脱焊,使触摸信号中断,都会引起灯泡不亮。因此要检查集成块各脚是否脱焊。 (3)可控硅VS一般采用MAC94A4型双向可控硅,由于反复触发,或意外大信号触发,会引起可控硅击穿而停止工作。 触摸式台灯的控制原理 这种台灯的主要优点是没有开关,使用时通过人体触摸,完成开启、调光、关闭动作,给使用带来方便。 一、电路设计原理 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极,使电路导通,并给负载——灯泡或灯管供电,使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作,达到调光的目的。电路见图1,该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。 二、降压稳压电路 由R3、VDl、VD4、C4组成。输出9V直流电,供给BA2101,由③⑦脚引入。 三、触发电路 由触发电极M将人体的感应信号,经c3、R8、R7送至④脚的sP端,经处理后,由⑥脚输出触发信号,

光耦的工作原理

光耦的工作原理 耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。所以,它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。 光耦的优点 光耦合器的主要优点是:信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件,现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。 光耦的种类 光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于开关信号的传输,不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。 线性光耦的电流传输特性曲线接近直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:LP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N2 5 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 光耦的作用

可控硅调光原理

可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。 可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。 可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN 结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E,又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号,BG2将产生基极电流Ib2,经放大,BG2将有一个放大了β2 倍的集电极电流IC2 。因为BG2集电极与BG1基极相连,IC2又是BG1 的基极电流Ib1 。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大,直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的,对可控硅来说,触发信号加到控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2 ,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2),这一电流远大于Ib2,足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态,只有断开电源E或降低E的输出电压,使BG1、BG2 的集电极电流小于维持导通的最小值时,可控硅方可关断。当然,如果E极性反接,BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时,即使输入触发信号,可控硅也不能工作。反过来,E接成正向,而触动发信号是负的,可控硅也不能导通。另外,如果不加触发信号,而正向阳极电压大到超过一定值时,可控硅也会导通,但已属于非正常工作情况了。 可控硅这种通过触发信号(小触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性,正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表1 表1 可控硅导通和关断条件

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。 结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。 反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。 输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持 IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。 电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。 入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 ---------------------------------------------------------------------------------------- 常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。 常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有: TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线

光耦参数及资料

市场常见光耦内部图:

光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 以下是目前市场上常见的高速光藕型号: 100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路) 光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR),其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关,即集电极和发射极之间的电压。 可控硅型光耦 还有一种光耦是可控硅型光耦。 例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号 型号规格性能说明

简单实用的可控硅无级调光器

(1)电路结构与特点 采用双向可控硅制作调光器,可对白炽灯进行无级调光,且调光电路体积可做得很小。目前市售的各种调光台灯大多数都采用这类结构。其电路如图18所示。 当闭合开关S后,在220 v某半个周期内,电源电压经灯泡直接加到双向可控硅vs 的两端。起初飘气管G没有被点燃,所以没有触发电压加到可控硅vs的门板,vs处于关断状态。此时电源电压经电阻R1、R2向电容cl充电,使c1两端电压不断上升,当电压达到氖气管G的启辉电压时,G被点燃发光,这时电容c1通过G、R3向v:的门板放电,双向可控硅vs被触发导通,灯泡就有电流流过。c1放电后电压跌落,且加到v8两端的交流电压过零时,双向可控硅vs就自动关断,电容飘又开始充电。交流电的另半个周期的工作情况与上述类似。如调节Rl的阻值大小,就可改变电容c1的充电速率,因而在任意半个周期里,使v5触发导通时间前移或后退,即改变了可控硅vs的导通角的大小,从而使流过灯泡的平均电流发生变化。由于灯泡两端平均电压也随之变化,所以能达到调光的目的。 电阻R3用于保护双向可控硅,使触发电流不致过大。R4和c3能吸收调光时所产生 的干扰脉冲。如果取消R4和c2,则调光时会对收音机等接收电路产生很大的干扰。氖气管G在这里既能起触发作用,又能发出微弱的红光起指示作用。 (2)元器件选择 在图18中,vs可选用国产TLc221B型1A/400 v小型塑封双向可控硅,也可选用MAC94A4小型进口双向可控硅;氖气管G可用N肋—4L、NH—416、NE—3/16等型号 的氖灯,也可用试电笔里的氖气泡,但日光灯启辉器里的氖气泡不能用;R1最好采用带开关的100kn电位器,如wHl9—l型推拉开关合成碳膜电位器;R2可选用1.2kQ、R3可 选用470 o,闭—1/4W型金属膜电阻器,R4要用470 O R—1/2w型金屑膜电阻器;C1 选用o.1PF、C2选用o.033PF,cJlo—300 v以上金属膜纸介电容器;白炽灯泡应选在15—60 W之间。 (3)电路组装与调试 可控硅调光器印制电路板的设计要按照实际灯具的体积进行,一般不宜太大。将装焊好的印制电路板安装在台灯底座内、电位器安装在台灯面板上,配上大小合适的旋钮,在面板适当位置开一个小圆孔,让氖灯的红光能从里面透出,起装饰和指示作用。

光耦资料总结

型号-引脚功能说明 脚位 内部结构电路图 AQY210 4引脚位,单组 AQY214 4引脚位,单组 AQY210S 4引脚位,单组 AQY214Sx 4引脚位,单组 AQV210 6引脚位,单组器件 AQV212 6引脚位,单组器件 AQV215 6引脚位,单组器件 AQV217 6引脚位,单组器件 AQV214 6引脚位,单组器件 AQV216 6引脚位,单组器件 AQV414 6引脚位,单组器件 HCPL2530 高速光耦 8引脚位 HCPL2531 高速光耦 8引脚位 HCPL4502 高速光耦 8引脚位 HCPL2503 高速光耦 HCPL2533 高速光耦 8引脚位 HCPL2601 高速光耦 8引脚位 HCPL2611 高速光耦 8引脚位8引脚位 HCPL2630 高速光耦 8引脚位 HCPL2631 高速光耦 8引脚位

HCPL2731 高速光耦8引脚位 K1010 三极管输出 4N25 三极管输出6引脚位,单组器件4N26 三极管输出6引脚位,单组器件4N27 三极管输出6引脚位,单组器件4N28 三极管输出6引脚位,单组器件4N29 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N30 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N31 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N32 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N33 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N35 三极管输出6引脚位,单组器件4N36 三极管输出6引脚位,单组器件4N37 三极管输出6引脚位,单组器件4N38 三极管输出6引脚位,单组器件4N38A 三极管输出6引脚位,单组器件4N39 单向晶闸管输出6引脚位,单组器件 4N40 单向晶闸管输出6引脚位,单组器件

PC400光耦资料

s Features s Outline Dimensions PC400 PC400 “In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that occur in equipment using any of SHARP's devices, shown in catalogs,Compact, Surface Mount Type OPIC Photocoupler (Unit :mm ) 查询PC400供应商

0200 100 150100 50 025*********Fig. 2 Power Dissipation vs. Ambient Temperature Ambient temperature T a (?C ) P o w e r d i s s i p a t i o n P O , P t o t (m W ) 1020605040300-25 025******* 85Fig. 1 Forward Current vs. Ambient Temperature F (m A ) Ambient temperature T a (?C ) 0.2R e l a t i v e t h r e s h o l d i n p u t c u r r e n t 0.40.61.451020 151.21.0 0.8Supply voltage V CC (V ) 1251020501002005000.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 F (m A ) Fig. 3 Forward Current vs. Forward Voltage Forward voltage V F (V ) Fig. 4 Relative Threshold Input Current vs. Supply Voltage 0.20.4R e l a t i v e t h r e s h o l d i n p u t c u r r e n t 0.60.8 1.6 25 50 100 -25 75 1.41.21.0Ambient temperature T a (?C ) 0.01 1 0.020.050.1 1.0 2 510100 50 200.20.5 L o w l e v e l o u t p u t v o l t a g e V O L (V ) Low level output current I OL (mA ) Fig. 5 Relative Threshold Input Current vs. Ambient Temperature Fig. 6 Low Level Output Voltage vs. Low Level Output Current F o r w a r d c u r r e n t I F o r w a r d c u r r e n t I -25 P tot P O I FHL I FLH T a =25?C I FHL =1 at V CC =5V I FHL I FLH V CC =5V I FHL =1 at T a =25?C V CC =5V I F =4mA T a =25?C

双向可控硅调光台灯电路实验报告

课程设计 课程名称_____功率电子学课程设计____ 题目名称___双向可控硅调光台灯电路__ 学生学院_______________ 专业班级______ 学号_________________ 学生姓名____________________ 指导教师____________________ 2012年6月8日

目录 第一部分:摘要 (3) 第二部分:方案的选择及改进 (4) 第三部分:电路工作原理及其原理图 (5) 电路工作原理 (5) 电路原理图 (5) 第四部分:主要元件介绍 (6) 第五部分:所用仪器及元件清单 (7) 第六部分:电路波形及数据分析 (8) 电源电压 (8) 负载两端 (9) 可控硅两端 (11) 电容两端 (14) 可控硅门极 (17) 波形处理及分析 (19) 第七部分:总结 (19) 第八部分:参考文献 (20)

一、摘要 交流调压电路是采用相位控制方式的交流电力控制电路,通常是将两个晶闸管反并联后串联在每相交流电源与负载之间。在电源的每半个周期内触发一次晶闸管,使之导通。与相控整流电路一样,通过控制晶闸管开通时所对应的相位,可以方便的调节交流输出电压的有值,从而达到交流调压的目的。其晶闸管可以利用电源自然换相,无需强迫关掉电路,并可实现电压的平滑调节,系统响应速度较快,但它也存在深控时功率因数较低,易产生高次谐波等缺点。单相交流调压电路是对单相交流电的电压进行调节的电路。交流调压电路主要应用在电热控制、交流电动机速度控制、交流稳压器等场合,主要有灯光调节(如调光台灯、舞台灯光控制等),温度调节(如工频加热、感应加热、需控制的家用电器等),泵及风机等异步电动机的软起动,交流电机的调压调速(如纺织、造纸、冶金等领域的调压调速),随电机负载大小自动调压(对于起动机等有较长时间空载或轻载的负荷,自动调压可以节省电能),变压器初级调压(在高压小电流或低压大电流直流电源中,如采用晶闸管相孔整流电路,需要很多晶闸管串联或并联,若采用交流调压电路在变压器初级调压。其电压电流值都比较合理,在变压器次级只要用二极管整流即可,从而达到减少体积、减低成本的目的)。与自耦变压器调压方法相比,交流调压电路控制方便,调节速度快,装置的重量轻、体积小,有色金属消耗也少。

P521光耦详细解答

光耦pc817应用电路 pc817是常用的线性光藕,在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件,具有上下级电路完全隔离的作用,相互不产生影响。 <光耦pc817应用电路图> 当输入端加电信号时,发光器发出光线,照射在受光器上,受光器接受光线后导通,产生光电流从输出端输出,从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件,能够传输连续变化的模拟电压或电流信号,这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号,从而使光敏晶体管的导通程度也不同,输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

\ \当输入端加电信号时,发光器发出光线,照射在受光器上,受光器接受光线后导通,产生光电流从输出端输出,从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件,能够传输连续变化的模拟电压或电流信号,这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号,从而使光敏晶体管的导通程度也不同,输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。 光耦的测量: 用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚,其中仅且仅有一次导通的,红表笔接的为阳极,黑表笔接的为阴极(指针表相反)。且这两脚为低压端,也就是反馈信号引入端。 在正向测试低压端时,再用另一块万用表测试另外高压端两只脚,接通时,红表笔所接为C极,黑表笔接为E极。当断开低压端的表笔时,高压端的所接万用表读数应为无穷大。 同理:只要在反馈端加一定的电压,高压端就应能导通,反之,该器件应为损坏。光耦能否代用,主要看其CTR参数值是否接近。 测量的实质就是:就是分别去测发光二极管和3极管的好坏。 另外一种测量说法: 用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封

双向可控硅原理与应用

[转载] 双向可控硅原理与应用 普通晶闸管(VS)实质上属于直流控制器件。要控制交流负载,必须将两只晶闸管反极性并联,让每只SCR控制一个半波,为此需两套独立的触发电路,使用不够方便。双向晶闸管是在普通晶闸管的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管,而且仅需一个触发电路,是目前比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。 构造原理 尽管从形式上可将双向晶闸管看成两只普通晶闸管的组合,但实 际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率 双向晶闸管一般采用塑料封装,有的还带散热板,外形如图l所 示。典型产品有BCMlAM(1A/600V)、 BCM3AM(3A/600V)、 2N6075(4A/600V),MAC218-10(8A/800V)等。大功率双向晶 闸管大多采用RD91型封装。双向晶闸管的主要参数见附表。 双向晶闸管的结构与符号见图2。它属于NPNPN五层器件,三 个电极分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通,故除门极G 以外的两个电极统称为主端子,用T1、T2。表示,不再划分成阳 极或阴极。其特点是,当G极和T2极相对于T1,的电压均为正 时,T2是阳极,T1是阴极。反之,当G极和T2极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极。双向晶闸管的伏安特性见图3,由于正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方向导通。 检测方法 下面介绍利用万用表RXl档判定双向晶闸管电极的方法,同时还检查触发能力。 1. 判定T2极由图2可见,G极与T1极靠近,距T2极较远。因此,G—T1之间的正、反向电阻 都很小。在用RXl档测任意两脚之间的电阻时,只有在G-T1之间呈现低阻,正、反向电阻仅几 十欧,而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明,如果测出某脚和其他两脚都 不通,就肯定是T2极。,另外,采用TO—220封装的双向晶闸管,T2极通常与小散热板连通, 据此亦可确定T2极 2. 区分G极和T1极 (1)找出T2极之后,首先假定剩下两脚中某一脚为Tl极,另一脚为G极。 (2)把黑表笔接T1极,红表笔接T2极,电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路,给G极加 上负触发信号,电阻值应为十欧左右(参见图4(a)),证明管子已经导通,导通方向为T1一T2。再将 红表笔尖与G极脱开(但仍接T2),若电阻值保持不变,证明管子在触发之后能维持导通状态(见图4(b))。 3)把红表笔接T1极,黑表笔接T2极,然后使T2与G短路,给G极加上正触发信号,电阻值仍为十欧左右,与G极脱开后若阻值不变,则说明管子经触发后, 在T2一T1方向上也能维持导通状态,因此具有双向触 发性质。由此证明上述假定正确。否则是假定与实际不符, 需再作出假定,重复以上测量。显见,在识别G、T1, 的过程中,也就检查了双向晶闸管的触发能力。如果按哪 种假定去测量,都不能使双向晶闸管触发导通,证明管于 巳损坏。对于lA的管子,亦可用RXl0档检测,对于3A 及3A以上的管子,应选RXl档,否则难以维持导通状态。 典型应用 双向晶闸管可广泛用于工业、交通、家用电器等领域,实 现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、 温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能,它还被用于 固态继电器(SSR)和固态接触器电路中。图5是由双向晶 闸管构成的接近开关电路。R为门极限流电阻,JAG为干式舌簧管。平时JAG断开,双向晶闸管TRIAC也关断。仅当小磁铁移近时JAG吸合,使双向晶闸管导通,将负载电源接通。由于通过 干簧管的电流很小,时间仅几微秒,所以开关的寿命很长. 图6是过零触发型交流固态继电器(AC-SSR)的内部电路。主要包括输入电路、光电耦合器、过零触发电路、开关电路(包括双向晶闸管)、保护电路(RC吸收网络)。当加上输入信号VI(一般为高电平)、并且交流负载电源电压通过零点时,双向晶闸管被触发,将负载电源接通。固态继电器具有驱动功率小、无触点、噪音低、抗干扰能力强,吸合、释放时间短、寿命长,能与TTL\CMOS电路兼容,可取代传统的电磁继电器。

光耦参数及资料

光电耦合器(光耦)参数及资料市场常见光耦内部图:

光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。 常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 以下是目前市场上常见的高速光藕型号:

100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路) 光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR),其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关,即集电极和发射极之间的电压。 可控硅型光耦 还有一种光耦是可控硅型光耦。 例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号 型号规格性能说明 4N25 晶体管输出 4N25MC 晶体管输出 4N26 晶体管输出 4N27 晶体管输出 4N28 晶体管输出 4N29 达林顿输出 4N30 达林顿输出 4N31 达林顿输出 4N32 达林顿输出 4N33 达林顿输出 4N33MC 达林顿输出 4N35 达林顿输出 4N36 晶体管输出 4N37 晶体管输出 4N38 晶体管输出 4N39 可控硅输出 6N135 高速光耦晶体管输出 6N136 高速光耦晶体管输出 6N137 高速光耦晶体管输出 6N138 达林顿输出 6N139 达林顿输出 MOC3020 可控硅驱动输出

十二篇可控硅交流调压电路解析

第一篇: 可控硅是一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,目前交流调压器多采用可控硅调压器。这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器,这可用作家用电器的调压装置,进行照明灯调光,电风扇调速、电熨斗调温等控制。这台调压器的输出功率达100W,一般家用电器都能使用。 1:电路原理:电路图如下 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成,其电路原里图如下图所示。从图中可知,二极管D1—D4组成桥式整流电路,双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后,220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压,该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时,整流电压通过R4、W1对电容C充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时,T1管由截止变为导通,于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1V,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时,可控硅自关断。当交流电在负半周时,电容C又从新充电……如此周而复始,便可调整负载RL上的功率了。 2:元器件选择 调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器,这种电位器可以直接焊在电路板上,电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外,其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件,如国产3CT系例。 第二篇: 本例介绍的温度控制器,具有SB260取材方便、性能可靠等特点,可用于种子催芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制,也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。

调光电路图全集

调光电路图全集一.自动调光灯电路图 二.台灯调光器电路图

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光耦使用参考资料

[8]
Explanations
2.
How to Use Photocouplers
2.1
LED Control Circuits
2.1.1
DC Drive
Figure 8.2.1 shows an example of controlling LED drive current by switching the power supply on and off. In this case, the resistor R is R= VIN ? VF IF
IF R IF VIN VF
VIN R IF VF
VF
VIN
Figure 8.2.1 Simple Drive Circuit for an LED
For example, when IF = 10 mA, VF (max) = 1.35 V, and VIN = 5 V, R = (5 ? 1.35) V 10 mA = ? 365
Therefore, the resistor should be selected as R = 360 ?. Assuming that VF = 0.9 V due to its fluctuation or temperature dependence, the value of IF is 11.4 mA.
2.1.2
Reverse Voltage Protection
When a reverse surge voltage may be applied to a light emitting diode, a Si diode (for example, 1SS348) should be connected in reverse parallel with the light emitting diode, so that the reverse surge voltage bypasses the LED.
R Si Diode
Figure 8.2.2 Protection from Reverse Voltage by Silicon Diode
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