CTP磁控溅射镀膜生产线详细方案书

第 1 页 共 6 页 CTP磁控溅射镀膜生产线方案书
1.1立式磁控溅射镀膜生产线整体结构说明
制造厂家湖南湘潭宏大真空技术股份有限公司
生产型号HD-ILS-2011-X
立式磁控溅射镀膜生产线设计为七室结构第一部分为进口室第二部分为
进口缓冲室第三部分为进口传送室第四部分为工艺室(根据加工和安装条件
再确定分为几段)第五部分为出口传送室第六部分为出口缓冲室第七部分
为出口室第四部分工艺室配置可以实现SiO2+ITO和MoA lMo镀膜产品
其配置有3对中频平面阴极靶SiO2采用压电阀闭环控制形成高质量的SiO2
膜层8个平面阴极阴极位安装6个平面阴极预留2个阴极位采用DC电
源实现高质量的MoA lMo或ITO透明导电膜设备设计加工尺寸4片550mm
×670mm×0.3-3mm的平面玻璃基板材料生产机械节拍为≤75 s生产线
采用分子泵抽气形成气氛隔离的先进设计生产线共配有18台日本岛津的
TMP-V2304LM磁悬浮分子泵以获得高效的稳定的抽速和均匀的气体分布。
1设备设计尺寸
真空腔体主体总长度27m以实际设计为准
工艺室13500mmL×2200mmH×500W×1个实际设计为准
非镀膜室1750mmL×2200mmH×500W×6个实际设计为准
插板阀150mmL×2200mmH×500W×4个实际设计为准
翻板阀150mmL×2200mmH×500W×2个实际设计为准
装卸架1750mmL×1900mmH×6个实际设计为准
平移架1750mmL×1900mmH×2个实际设计为准
回架实际设计为准
2生产线设计技术指标
产品尺寸 4片550mm×670mm
基片架尺寸 1500L×1730mmH以实际设计为准最大沉积区域
为1350mm×1100mm
镀膜材料要求ITO 90±10Ω(膜厚180±20?Metal(MoALMo)<0.4Ω(膜厚
3000±500?
生产节拍≤75s架

1.2立式磁控溅射镀膜生产线详细配置说明
1.2.1真空腔体部分
1第一部分进口室
进口室是低真空抽气室完成低真空抽气过程并将基架自动传送到高真
空抽气室
真空腔体部分尺寸1750mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准设计成异型结构尽量减小箱体的内空间。
真空抽气部分配置
旋片泵SV630BF 1台 莱宝
罗茨泵WAU2001 1台 莱宝
抽气口安装在底板上抽气口径为DN150 第 2 页 共 6 页 放气进气装置进口室放气干燥无油的压缩空气是通过带消音器的气体
过滤器实现的并由电磁阀控制放气口口径为DN40共4个先实行软放

气,
气体隔离装置与大气之间采用独立翻板阀隔离动作简单有效
工作效力真空度达到5-8×100Pa
2第二部分进口缓冲室
进口缓冲室是高真空抽气室完成高真空抽气过程并将基架自动传送到
传送室内内装一台低温铺集泵TH-135-15P除水气。
真空腔体部分尺寸1750mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准
真空抽气部分配置
分子泵TMP-V2304LM 2台日本岛津
气氛隔离装置与第一部分之间采用先进的插板阀隔离可以稳定有效的隔
离低真空与高真空环境通过流量计控制充平衡气体Ar
加热后侧板安装三段加热装置前侧板安装五段加热装置对基片和基片
架进行初步加热不锈钢加热器与箱体之间安装四层不锈钢镜面板隔热。
分子泵安装在门板上分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现
自动密封和自动打开开关门时不用人工拆卸抽气管道。
工作效力Ar平衡后真空度达到25×101Pa正常镀膜工艺真空度
3第三部分进口传送室
进口传送室在此腔室基片架由高真空抽气室传送到镀膜室基架传送速度
由传送速度转变成镀膜传送速度
真空腔体部分尺寸1750mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准
高真空抽气前级部分配置第二部分、第三部分、第四部分、第五部分、第
六部分共用
旋片泵SV630BF 1台 莱宝
罗茨泵 (WSU2001 1台 莱宝
高真空抽气维持部分配置
分子泵TMP-V2304LM 2台日本岛津
气氛隔离装置与第二部分采用先进的插板阀隔离可以有效的分离抽气气
氛与工艺气氛
加热后侧板安装三段加热装置前侧板安装五段加热装置对基片和基片
架进行高温加热不锈钢加热器与箱体之间安装四层不锈钢镜面板隔热。
分子泵安装在门板上分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现
自动密封和自动打开开关门时不用人工拆卸抽气管道。
4第四部分工艺室
真空腔体部分尺寸13500mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准
第四部分工艺室配置可以实现SiO2+ITO或MoA lMo镀膜产品其配
置有3对中频平面阴极靶SiO2形成高质量的SiO2膜层6个平面阴极采
用DC电源实现高质量的MoA lMo复合膜层或通过更换后2个阴极位的靶
材后形成ITO透明导电膜具体靶位配置见方案图。
加热所有镀膜腔室底板安装有三段加热装置非靶位侧板安装五段加热装
置保证镀膜时玻璃的温度稳定

不锈钢加热器与箱体之间安装四层不锈钢镜面第 3 页 共 6 页 板隔热加热器与基片架之间安装钛板作为均热及遮挡溅射物。
维持抽气部分配置
分子泵TMP-V2304LM 10台日本岛津
分子泵安装在门板上。分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现
自动密封和自动打开开关门时不用人工拆卸抽气管道。
中频平面磁控溅射靶非平衡磁场靶材利用率≥35
磁铁 永久磁钢
靶长 1450mm以实际设计为准
靶宽 120mm以实际设计为准
注所有单个阴极可装在镀膜线的任何平面靶位具体位置可根据工艺需要
布置。
阴极挡板和气体分配系统
带质量流量控制器的2进制均气供气系统采用压电阀
PCU03闭环控制
气孔的防护和旁边屏蔽
溅射挡板
中频电源
中频电源 SiO2 10KW×3台美国AE
直流平面磁控溅射靶非平衡磁场靶材利用率≥35
磁铁 永久磁钢
靶长 1450mm以实际设计为准
靶宽 120mm以实际设计为准
注所有单个阴极可装在镀膜线的任何平面靶位具体位置可根据工艺需要
布置。
阴极挡板和气体分配系统
带质量流量控制器的3层均气供气系统
气孔的防护和旁边屏蔽
溅射挡板
阴极电源
直流电源 MO 10*10KW×2台美国AE
直流电源 Al 20KW×3台美国AE
阴极屏蔽装置
在阴极位置上安装一副屏蔽罩并多配备一副生产之后在服务期间交换喷砂
后备用包括上部分的防护罩、旁边的挡板和上下屏蔽等
5第五部分出口传送室
出口传送室在此腔室基片架由镀膜室传送到高真空维持室基架传送速度
由镀膜传送速度转变成传送速度
真空腔体部分尺寸1750mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准
高真空抽气维持部分配置
分子泵TMP-V2304LM 2台日本岛津
气氛隔离装置采用先进的插板阀隔离可有效而稳定的隔离抽气气氛和工
艺气氛
加热后侧板安装三段加热装置前侧板安装五段加热装置对基片和基片第 4 页 共 6 页 架进行保温加热不锈钢加热器与箱体之间安装四层不锈钢镜面板隔热。
分子泵安装在门板上。分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现
自动密封和自动打开开关门时不用人工拆卸抽气管道。
6第六部分出口缓冲室
出口缓冲室在此腔室基片架由高真空抽

气室传送到出口室真空状态由高
真空过渡到低真空基架由出口缓冲室自动过渡到出口室。
真空腔体部分尺寸1750mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准
真空抽气部分配置
分子泵TMP-V2304LM 2台日本岛津
气体隔离装置采用先进的插板阀进行初真空与高真空隔离通过流量计控
制充平衡气体Ar
分子泵安装在门板上分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现
自动密封和自动打开开关门时不用人工拆卸抽气管道。
7第七部分出口室
出口室是放气进入大气状态出片完成后重新恢复低真空抽气过程并将
基架自动传送到真空室外进行基片下架工序
真空腔体部分尺寸1750mmL×2200mmH×500W以实际设计
为准设计成异型结构尽量减小箱体的内空间。
真空抽气部分配置
旋片泵SV630BF 1台 莱宝
罗茨泵WAU2001 1台 莱宝
放气进气装置进口室放气干燥无油的压缩空气是通过带消音器的气体
过滤器实现的并由电磁阀控制放气口口径为DN40共4个先实行软放气。
气体隔离装置与大气采用独立翻板阀隔离可以有效而方便的隔离初真空
抽气口安装在底板上抽气口径为DN150。
工作效力真空度达到5-8×100Pa
8第八部分前后装卸台
装卸台与真空室内一样采用先进的磁导向传动能确保制动的平稳和精确定
位。
9第九部分回架系统和平移台
回架系统安装在箱体后侧采用先进的摩擦磁导向传送传动由同步带相连
行程由光电定位整个回架系统和出片平移台用钢化玻璃包装上部安装FFU。

1.3.立式磁控溅射镀膜生产线外围系统说明
1.3.1冷却水系统
阴极靶、箱体冷却、分子泵、电源冷却水使用闭路循环水
冷冻水水温降是ΔT=10~15K
注水的消耗和水温依实际情况定
1闭路循环冷却水系统要求镀膜通用循环冷却水要求标准电阻大于10MΩ
名称
序号
工艺设备名称
设计水流量
m3/h

入口压力
bar
温度
(℃)
进水/出
水管管径
水质要求 第 5 页 共 6 页 1
旋片泵、分子泵、
电源、阴极、箱
体、
40 0.4
18
22

DN100 纯水

1.3.2供气系统
1工艺气体供气系统要求
氩气 99.996%
氧气 99.96%
其它气体根据工艺要求选择由厂方提供工艺气体气瓶和减压阀可直接
采用软管快接。
2压缩空气供气系统要求 2.1用气点压力6ba

r
2.2质量无油、干燥、过滤
2.3用气量40…..60立方/小时,连接管径DN50
3抽气系统排气管
真空泵组排气通过法兰或软管连接排气管直接接到室外排气口内外部压差
≤1.5E4Pa。
1.3.3电气控制系统
1可编程控制系统
设备的动作流程均由PLC系统控制包括真空泵系统传动系统水、气
和电气体流量控制系统和所有相关的互锁控制。
2可视操作系统
操作者可通过工控电脑设置设定值显示实际值实施相关的设定来操作
和控制镀膜线的动作流程系统实现
可视系统
工艺状态显示
工艺数据存储管理
数据采集和报警模块
统计表
工艺参数打印和记录
错误信息提示
自动、手动和调试操作模式
主计算机设有安全防范措施
具有多种工艺流程的储存能力具有在线输入修改参数和开关量的功能。
3 驱动控制系统
所有传动驱动由PLC界面控制
4工件架传送系统
采用先进的摩擦磁导向传送溅射镀膜时基架运行速度为5mm120mm/s
传动由同步带相连内外由磁性流体密封行程由光电定位。 第 6 页 共 6 页 5 压力测量和控制
由多个真空计进行测量和控制。

1.3.4强电系统
三相AC380V±10 50HZ
生产最大耗功400KVA
1.4.立式磁控溅射镀膜生产线性能指标
1设备类型立式单面连续磁控溅射镀膜线采用SUS304不锈钢材料
2镀膜基片架尺寸 4片550mm×670mm
3镀膜设备生产节奏 ≤75s一架
4真空室极限真空要求低真空室≤5Pa高真空室≤5.0×10-4Pa (初次抽极限真
空时间≤24小时恢复工作真空时间≤3小时)系统漏率符合国家相关标准
5阴极结构设计要求采用高效率非平衡磁场平面阴极初步确定靶规格为
120mm×1450mm
6设备传动方式采用先进的摩擦磁导向传动的立式小车装载进片方式
7气氛隔离方式采用先进的插板阀隔离系统工艺室用分子泵进行工艺气氛
隔离
8镀膜温度控制采用不锈钢铠装加热装置最高温度为600℃按照常温
500℃可以任意设定设计控制稳定度为±2℃
9控制系统要求采用三菱Q2的PLC实现对整个生产过程的自动控制手动
控制与自动控制可切换。主计算机设有安全防范措施操作管理密码等并具有
多种工艺流程的储存能力具有在线输入修改参数和开关量的功能。