辉钼在半导体领域应用前景广阔,但产业化尚需时日(20130312)

半导体行业深度研究报告

半导体行业深度研究报告

内容目录 1.人工智能倒逼芯片底层的真正变革 (4) 2.基于摩尔定律的机器时代的架构——从Wintel到AA (6) 2.1. Intel——PC时代的王者荣耀 (6) 2.1.1. Intel公司简介 (6) 2.1.2. Intel带来的PC行业的市场规模变革和产业变化 (7) 2.2. ARM——开放生态下移动时代的新王加冕 (9) 2.2.1. ARM公司简介 (9) 2.2.2. ARM架构——重新塑造移动智能时代 (10) 2.2.3. 生态的建立和商业模式的转变——ARM重塑了行业 (12) 3.人工智能芯片——新架构的异军突起 (15) 3.1. GPU——旧瓶装新酒 (16) 3.1.1. GPU芯片王者——NVIDIA (17) 3.2. FPGA——紧追GPU的步伐 (19) 3.3. ASIC——定制化的专用人工智能芯片 (21) 3.3.1. VPU——你是我的眼 (22) 3.3.1. TPU——Google的野心 (23) 3.4. 人工神经网络芯片 (24) 3.4.1. 寒武纪——真正的不同 (25) 4.从2个维度测算人工智能芯片空间 (26) 5.重点标的 (29) 图表目录 图1：遵从摩尔定律发展到微处理器发展 (4) 图2：摩尔定律在放缓 (4) 图3：全球智能手机每月产生的数据量（EB）5年提升了13X (4) 图4：单一神经元VS复杂神经元 (5) 图5：2次应用驱动芯片发展 (6) 图6：英特尔x86处理器总市场份额 (6) 图7：使用X86架构的单元 (7) 图8：摩尔定律下推动下的Intel股价上扬 (8) 图9：Intel 2012Q1-2016Q4 各产品线增速 (8) 图10：Intel 总产品收入VS PC端收入 (8) 图11：Intel VS 全球半导体增速 (8) 图12：ARM的商业模式 (9) 图13：ARM架构的发展 (10) 图14：高级消费电子产品正在结合更多的ARM技术 (12) 图15：ARM在智能手机中的成分 (13) 图16：基于ARM芯片的出货量 (13)

厦门半导体照明产业

厦门半导体照明产业化基地 发展规划 本规划以2002年为基期，2006年为近期规划年，2010年为中期规划年。 本规划旨在为厦门发展半导体照明产业明确发展目标与思路，发展重点与措施，并以此作为向科技部申报国家级半导体照明产业化基地的参考资料，是一项具有战略指导性的规划。 厦门发展半导体照明产业的背景 半导体照明技术是21世纪最具发展前景的新兴高技术领域之一。作为新型高效固态光源，半导体照明光源具有寿命长、节能、安全、绿色环保、色彩丰富、微型化等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次标志性飞跃，是世界照明工业的一次全新的革命。半导体照明技术广泛应用于白光通用照明、装饰（景观、家居、休闲、商用装饰）照明、汽车等各类运输工具照明、交通信号显示、背景显示、背光源、大屏幕、特种工作照明、军用照明及旅游、轻工产品等各个领域。半导体照明产业具有巨大的应用市场和发展空间，将产生不可估量的社会和经济效益。世纪之交，面对半导体照明产业所带来的巨大机遇，美国、日本、欧盟、韩国、台湾等国家和地区相继推出了半导体照明国家或地区计划，大力培养和发展本国或本地区的半导体照明产业。以美国GE、荷兰Philip、德国Osram三大世界照明生产巨头为代表的跨国公司，纷纷与上游半导体公司合作组建半导体照明公司，积极创造竞争优势，抢占竞争制高点。 中国是世界照明电器的生产大国。半导体照明技术的出现与发展，也为我国传统照明工业的产业升级和提升国际竞争力，发展成为世界照明强国提供了全新的机遇，同时也面临着巨大的挑战。我国政府高度重视半导体照明产业发展的历史性机遇，于2003年6月成立了国家半导体照明工程协调领导小组，正式启动“国家半导体照明工程”计划。该计划在体现政府引导、企业为主体、市场化运作的原则下，旨在通过支持产业化关键技术和原创技术的创新，通过示范工程和应用推广的拉动，扶持和培育一批高科技公司，发展一批有特色的产业化基地，

2020功率半导体行业现状及前景分析

2020年功率半导体行业现状及前景分析 2020年

目录 1.功率半导体行业概况及市场分析 (5) 1.1功率半导体行业定义及现状介绍 (5) 1.2功率半导体市场规模分析 (6) 1.3功率半导体市场运营情况分析 (7) 2.功率半导体行业发展趋势 (10) 2.1产业龙头重点布局汽车高端运用 (10) 2.2国产厂商崛起，资本助力功率半导体国产化 (10) 2.3用户体验提升成为趋势 (10) 2.4行业协同整合成为趋势 (11) 2.5服务模式多元化 (11) 2.6新的价格战将不可避免 (11) 2.7生态化建设进一步开放 (11) 2.8呈现集群化分布 (12) 3.功率半导体行业存在的问题分析 (13) 3.1行业服务无序化 (13) 3.2供应链整合度低 (13) 3.3基础工作薄弱 (14) 3.4产业结构调整进展缓慢 (14) 3.5供给不足，产业化程度较低 (14) 4.功率半导体行业政策环境分析 (16) 4.1功率半导体行业政策环境分析 (16)

4.3功率半导体行业社会环境分析 (16) 4.4功率半导体行业技术环境分析 (17) 5.功率半导体行业竞争分析 (18) 5.1功率半导体行业竞争分析 (18) 5.1.1对上游议价能力分析 (18) 5.1.2对下游议价能力分析 (18) 5.1.3潜在进入者分析 (19) 5.1.4替代品或替代服务分析 (19) 5.2中国功率半导体行业品牌竞争格局分析 (19) 5.3中国功率半导体行业竞争强度分析 (20) 6.功率半导体产业发展前景 (21) 6.1需求开拓 (21) 6.2延伸产业链 (21) 6.3新技术加持 (21) 6.4信息化辅助 (22) 6.5细分化产品将会最具优势 (22) 6.6功率半导体产业与互联网等产业融合发展机遇 (22) 6.7行业发展需突破创新瓶颈 (23) 7.功率半导体产业投资分析 (25) 7.1中国功率半导体技术投资趋势分析 (25) 7.2中国功率半导体行业投资风险 (26)

半导体封测行业发展趋势分析

半导体封测：走向世界舞台，前十占据三家 1 半导体封测发展历程：并购开打国际市场 封测其实包括封装和测试两个步骤，在现在生产中，由于产业规划基本合并在一起。所以封装测试就成为整个集成电路生产环节中最后一个过程。封测整体门槛较低，需要一定资金形成规模效应，对成本较为敏感，需要长期验证建立客户关系，是集成电路产业链中最容易突破的一环，但也是最重要的环节。因为是产品质量最后一关，若没有良好的封测，产品PPM(百万颗失效率)过高，导致客户退回或者赔偿是完全得不偿失的。 图表5一般芯片成本构成 5%

我国封测行业规模继续保持快速增长，近两年增速放缓。根据中国半导体协会数据，2019年我国半导体封测市场达2350亿元，同比增长7.10%。2012年我国封测市场销售额为1036亿元，七年以来我国半导体封测市场年复合增速为12.4%，增速保持较高水平。随着5G应用、AI、IoT等新型领域发展，我国封测行业仍然有望保持高增长。 图表6 我国封测行业年销售额及增速 2019年全球封测业前十市占率超过80%，市场主要被中国台湾、中国大陆、美国占据。中国台湾日月光公司(不含矽品精密)营收达380亿元，居全球半导体封测行业第一名，市场占有率达20.0%。美国安靠、中国长电科技分居二、三位，分别占14.6%、 11.3%。前十大封测厂商中，包含三家中国大陆公司，分别为长电科技、通富微电、华 天科技。

图表7 2019年全球封测前十 2 安靠美国14.6% 3 长电科技中国大陆11.3% 4 矽品精密中国台湾10.5% 5 力成科技中国台湾8.0% 6 通富微电中国大陆 4.4% 7 华天科技中国大陆 4.4% 8 京元电子中国台湾 3.1% 9 联合科技新加坡 2.6% 10 颀邦中国台湾 2.55% 前十大合计81.2% 长电科技在2015年获得大基金支持后，发起对星科金朋的收购，获得了在韩国、新加坡的多个工厂以及全部先进技术，成为世界第三大封装企业。在最近4年研发拥有自主知识产权的Fan-out eWLB、WLCSP、Bump、PoP、fcBGA、SiP、PA等封装技术，以及引线框封装。长电科技近年受惠于SiP、eWLB、TSV、3D封装技术等皆具备世界级实力的先进封装技术，客户认可度和粘性得到较大提高。 通富微电收购AMD苏州和AMD槟城两家工厂后，继续承接了AMD封测订单，具备了对高端CPU、GPU、APU以及游戏主机处理器等芯片进行封装和测试的技术实力，获得了大量海外客户。 华天科技引入产业基金为公司未来发展提供重要的资金保障，对华天西安加大研发投入，优化产品结构，提高市场竞争力和行业地位等方面都起到积极促进作用。并于2018年收购世界知名的马来西亚半导体封测供应商Unisem。Unisem公司主要客户以国际IC设计公司为主，包括Broadcom、Qorvo、Skyworks等公司，其中近六成收入来自欧美地区。 3.2.2 半导体封测展望：十四五政策支持先进封装技术突破 半导体封测从20世纪80年代至今，封装技术不断进步，经历了插装式封测、表面贴片封装、面积阵列式封测和先进封装。芯片封装技术分为传统封装和先进封装。传统封装和先进封装的主要区别在于有无外延引脚。传统封装分为三个时期，第一时期是20世纪80年代以前的插孔式封装，主要类型有SIP、DIP、LGA、PGA等；第二时期是20世纪80年代中期的表面贴片封装，主要类型有PLCC、SOP、PQFP等，相较于上一时期，表面贴片封装技术的引线更细、更短，封装密度较大；第三时期是20世纪90年代的面积阵列时代，主要封装技术有BGA、PQFN、MCM以及封装标准芯片级封装（CSP），相较与前两个时期，完成从直型引脚、L型引脚、J型引脚到无引脚的转变，封装空间更小，芯片小型化趋势愈发明显。目前正处于第三时期，主流封装技术还是BGA等，部分先进厂商为了满足新的芯片需求，研发出先进封装技术，例如芯片倒装、WLP、TSV、SiP等先进封装技术。

半导体照明技术专利竞争态势分析_图文(精)

第10期(2009年lo月中国科技论坛 ?99? 2.2专利申请国别分析 图1显示了1998--2007年的十年间,国外九个发达国家和地区在华有关半导体照明领域的专利申请量。其中,在总量方面,以台湾、日本、美国高居榜首。但是,在发明专利上,除台湾、日本、美国以外,韩国、荷兰、德国也显示出强大的实力。在实用新型方面,台湾香港地区为主,其他国家和地区很少,而香港较之台湾专利申请的差距十分明显。对于日本,在外观设计方面具有较强的领先优势,说明日本在相关半导体照明产品市场化方面居于前列。

图l 九个国家和地区专利申请详细分布图 国外在华申请的三个专利类型数量均在总体上呈现逐年上升的趋势(见图2。在2000年前,国外在华申请的有关半导体照明的专利几乎全部是发明专利,其原因一方面是在半导体照明领域,国外技术还处于发展早期阶段,比较注重于基础技术的研发,发明专利较多;另一方面,国外具有强烈的知识产权保护专利战略意识,一旦实现技术突破,就很快申请专利保护,抢占未被充分开发的市场,实现专利技术价值。在

2000年后,国外在华发明专利的申请数量继续保持突飞猛进,而在同时,实用新型和外观设计也成为国外企业的关注重点,其数量也在逐年提高。2.3半导体照明发明专利申请量趋势分析 1998 图2国外在华专利类型申请历年变化图 发明专利,其中台湾、美国、日本、韩国、荷兰、德国申请的发明专利均超过100件。在半导体照明领域,美日两国可以说是老牌专利大国,一直保持稳定快速发展的势头。我国台湾地区这一领域的专利,从2002年在大陆地区申请第一个发明专利以来,迅速发展,已经在量上赶超美日,可以说是这一领域的后起之秀。另外,作为一个新兴电子强国,韩国在半导体照明领域的发明专利申请量也很大(见图3。2.4半导体照明领域的企业竞争力分析 本文统计了各个国家和地区有关半导体照明领域的专利申请量大于10项(包含10项的企业数量,根据统计过程,这些专利以发明专利为主,且法国、新加坡由于专利少,没有企业归入(见图4。 图3有关半导体照明发明专利历年申请量变化图 图4有关半导体照明灯各国企业专利≥10个的企业个数

中国半导体产业发展演变研究

中国半导体产业发展演变研究 中国半导体产业发展演变研究 1956年，经过几年的恢复建设中国工业逐步走上正规，但当时电子工业在中国基本还是一片空白，为此，我国提出“向科学进军”，根据国外发展半导体产业的进程，国务院制订了“十二年科学技术发展远景规划”明确了中国发展半导体的决心。这是中国半导体产业发展的初始阶段，即分立器件发展阶段，时间跨度从1956～1965年，历时十年，从半导体材料开始，依靠自力更生研究半导体器件。典型的代表为1957年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶，之后，我国技术人员依靠自身技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管，随后1959年在天津四十六所利用直拉法拉制出中国第一颗实用直拉硅单晶，1962年又研发了砷化镓(GaAs)单晶，同年，我国研究制成硅外延工艺，并着手研究开发照相制版、光刻工艺。随着我国在半导体材料研究取得一些列成就，半导体器件研究的进程也开始加快，为此，中国科学院于1960年在北京建立了中国科学院半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所，即现在的河北半导体研究所。到了上个世纪60年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。通过十年的发展，半导体这门新兴的学科在中国由一批归国半导体学者带领，完全依靠自身的力量，将半导体从课堂和实验室发展到实验性工厂和生产型工厂。 从零开始踏上集成电路产业征程

中国集成电路产业始于1965年，在集成电路初始发展阶段的15年中，中国依靠自己的力量，于1965年12月由河北半导体研究所鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型数字逻辑电路，1966年底，在上海元件五厂鉴定了TTL电路产品，这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。这一系列的进展标志着中国已经研制出了自己的小规模集成电路。1968年，组建国营东光电工厂即878厂、上海无线电十九厂，并于1970年建成投产。进入七十年代，全国掀起IC企业建设热潮，仅七十年代初全国就建成了四十多家集成电路生产工厂，尽管取得了一些成就，但由于受到文革的影响，再加上闭门造车和国外封锁，中国集成电路产业与国外差距逐渐拉大，而此时美国已经进入超大规模（VLSI）时代。 改革开放使中国IC产业获得生机 中国IC产业规模化发展是从改革开发以后开始的，1982年10月，为了加强中国计算机和大规模集成电路的的发展，国务院成立了“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，制定了我国IC产业发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造，并于1983年确立了“建立南北两个基地和一个点”。其中，南方基地是以江苏、上海、浙江为主，北方基地则以北京为主。在改革开放的条件下，全国有33个单位不同程度的引进了各种IC设备，共引进了约24条线的设备，但全行业存在重复引进和过于分散的问题，其中大部分为淘汰的3英寸及少量的

照明行业国内外现状及市场分析

照明行业国内外现状及市场分析 作者：点击：0 国内外发展现状： 半导体灯作为典型的绿色照明光源，孕育出诱人的市场前景。LED应用市场的规模，2004年全球超过120乙美元；2010年全球将达到500乙美元，中国将达到600亿元人民币。据中国光学光电子协会统计，国内市场将保持30%以上的成长速度。 据专门对高亮度发光二极管和氮化镓的市场调研公司StrategiesU nlimited 的主管罗伯特?斯蒂尔表示，由于移动应用的需求巨增（手机，掌上电脑和数码相机）2004年全球高亮度发光二极管市场增长了37%增至37亿美元。斯蒂尔表示，高亮度发光二极管在移动领域的应用的收入为21.5亿美元，占了58%的市场，比2003年增长了7个百分点。不过它在标志、信号以及汽车等领域会稳健增长，会占有13%的市场。至于产品细分，斯蒂尔就表示，白光发光二极管占需求的50%，而蓝/绿光发光二极管就占29%。以生产地区来分，45%的高亮度发光二极管来自台湾，韩国和中国的制造商，而25%是由美国生产。 另外，白光发光二极管在手持应用的全色彩显示背光的渗透率已经达到75%。随着移动应用趋于饱和，高亮度发光二极管的增长速度在未来几年会放缓。因此，斯蒂尔建议那些发光二极管的制造商应该集中在其它应用领域比如说汽车照明领域，更大的LCD背光和交通信号灯领域的应用上。

Sumitomo住友电子向美国CREE公司一年内订购了一亿美元的LED合同，这将是CREE公司一年的全部生产能力，住友很显然是想独霸整个高亮度LED 的市场。 以LUMILEDS为例，其功率LED产能每月可以达到10KK左右（其中供亚洲市场每月约2KK-3KK ）。台湾功率LED发展始于2002年初，现在由正装芯片向倒装芯片转变，产量刚刚起步，产能每月不足3KK ;内地功率LED封装基本以小芯片集成和正装芯片为主，目前已逐步向倒装大芯片过度。 美国从2000年起投资5亿美元实施"国家半导体照明计划"。美国能源部预测，到2010年前后，美国将有55%的白炽灯和荧光灯被半导体灯具替代，每年仅节电就可达350亿美元。 科技部建议，在将半导体照明产业纳入国家重点发展的高新技术产业的同时，以2 0 0 8年北京奥运会和2 0 10年上海世博会为契机，推动半导体灯在城市景观照明中的应用。国家计划先从863计划和攻关计划中拿出8 0 0 0万元作为引导经费，安排一些急需上马的项目。 2 0 0 3年3月，随着大连方大集团“大功率高亮度半导体芯片”等我国 “十五”科技攻关计划“半导体照明产业化技术开发”重大项目的正式立项，国家半导体照明工程已进入实质性推进阶段。

2019年半导体行业发展及趋势分析报告

2019年半导体行业发展及趋势分析报告 2019年7月出版 文本目录 1LED/面板相继崛起，下一步主攻半导 体 . (5) 1.1、大陆LED/面板竞争优势确立，超越台湾已成必 然 . (5) 1.2、半导体为当前主攻方向，封测能否率先超 越？ (8) 1.2.1、IC 设计与制造差距较大，尚需时 间 (9) 1.2.2、封测端实力逼近，将率先超 越 (10) 2大陆迎半导体黄金发展期，封测为最受益环 节 (11) 2.1、全球半导体前景光明，大陆半导体将迎来黄金发展 期 (11) 2.1.1、设备出货/资本开支增长，全球半导体前景光 明 . (11) 2.1.2、政策支持叠加需求旺盛，中国半导体迎黄金十 年 (13) 2.2、前端崛起，封测环节最为受 益 (17) 2.2.1、大陆IC 设计厂商高增长，封测订单本土 化 (17) 2.2.2、大陆制造端大局投入，配套封测需求上 升 (19)

2.2.3、大陆封测行业增速超越全 球 (19) 3后摩尔时代先进封测带来行业变局，国内企业加速突 围 (20) 3.1、摩尔定律走向极限，先进封测引领行业变 局 (20) 3.2、Fan-out ：未来主流，封测厂向前道工艺延 伸 . (22) 3.2.1、Fan-out 引领封装技术大幅进步，必为首 选 . (22) 3.2.2、国际大客户引领，市场规模高速增 长 (24) 3.2.3、长电/华天皆有布局，占据领先地 位 . (26) 3.3、SiP ：集成度提升最优选择，封测厂向后道工艺延 伸 . (27) 3.3.1、SiP 为集成度提升最优选择，苹果引领SiP 风 潮 . (27) 3.3.2、长电SiP 获大客户订单，迎来高速增 长 . (29) 3.4、TSV ：指纹前置及屏下化必备技 术 (30) 3.4.1、指纹前置及屏下化将成主流，封装形式转向 TSV (30) 3.4.2、华天/晶方为主全球TSV 主流供应商，深度受 益 . (34) 4催化剂：2019H2半导体有望迎来强劲增 长 . (34) 4.1、传统旺季+库存调整结束+智能机拉货，景气度向 上 (34)

LED照明技术细节分析

LED照明技术细节分析 led光源的技术日趋成熟，每瓦发光流明迅速增长，促使其逐年递减降价。led绿色灯具的海量市场和持续稳定数年增长需求将是集成电路行业继VCD、DVD、手机、MP3之后的消费电子市场的超级海啸! LED灯具的高节能、长寿命、利环保的优越性能获得普遍的公认。 led高节能：直流驱动，超低功耗(单管0.03瓦-1 瓦)电光功率转换接近100%，相同照明效果比传统光源节能80%以上。 led长寿命：led 光源被称为长寿灯。固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰快等缺点。 led寿命：使用寿命可达5万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。 led利环保：led是一种绿色光源，环保效益更佳。光谱中没有紫外线和红外线，热量低和无频闪，无辐射，而且废弃物可回收，没有污染不含汞元素，冷光源，可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。 led光源工作特点照明用led光源的VF电压都很低，一般VF =2.75-3.8V，IF在15-1400mA;因此LED驱动IC的输出电压是VF X N或VF X 1， IF恒流在15-1400mA。LED灯具使用的led光源有小功率 (IF=15-20mA)和大功率(IF》200mA))二种，小功率led多用来做led日光灯、装饰灯、格栅灯;大功率LED用来做家庭照明灯、射灯、水底灯、洗墙灯、路灯、隧道灯、汽车工作灯等。功率led光源是低电压、大电流驱动的器件，其发光的强度由流过led的电流大小决定，电流过强会引起led光的衰减，电流过弱会影响led的发光强度，因此，led的驱动

需要提供恒流电源，以保证大功率led使用的安全性，同时达到理想的发光强度。在led照明领域，要体现出节能和长寿命的特点，选择好LED 驱动IC至关重要，没有好的驱动IC的匹配，led照明的优势无法体现。led照明设计需要注意的技术细节led灯具对低压驱动芯片的要求： 1. 驱动芯片的标称输入电压范围应当满足DC8-40V，以覆盖应用面的需要，耐压如能大于45V更好;AC 12V或24 V输入时简单的桥式整流器输出电压会随电网电压波动，特别是电压偏高时输出直流电压也会偏高，驱动IC如不能适应宽电压范围，往往在电网电压升高时会被击穿，led光源也因此被烧毁。 2. 驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A，作为照明用的led 光源，1W功率的led光源其标称工作电流为350mA，3W功率的led光源其标称工作电流为700mA，功率大的需要更大的电流，因此LED照明灯具选用的驱动IC必需有足够的电流输出，设计产品时必需使驱动IC工作在满负输出的70-90%的最佳工作区域。使用满负输出电流的驱动IC在灯具狭小空间散热不畅，容易疲劳和早期失效。 3. 驱动芯片的输出电流必需长久恒定，led光源才能稳定发光，亮度不会闪烁;同一批驱动芯片在同等条件下使用，其输出电流大小要尽可能一致，也就是离散性要小，这样在大批量自动化生产线上生产才能有效和有序;对于输出电流有一定离散性的驱动芯片必选在出厂或投入生产线前分档，调整PCB板上电流设定电阻(Rs)的阻值大小，使之生产的led 灯具恒流驱动板对同类led光源的发光亮度一致，保持最终产品的一致性。

半导体制造行业产业链研究报告

半导体制造行业产业链研 究报告 The document was prepared on January 2, 2021

半导体制造行业研究报告2017 1 对半导体制造设备行业的整体研究 通过对参加这次展会厂商的总体范围的了解，对半导体制造产业链的总体情况有了基本的认识，半导体制造涉及以下几个相关的细分行业。 晶圆加工设备 在半导体制造中专为晶圆加工的工序提供设备及相关服务的供应商，包括光刻设备、测量与检测设备、沉积设备、刻蚀设备、化学机械抛光(CMP)、清洗设备、热处理设备、离子注入设备等。 厂房设备 包括工厂自动化、工厂设施、电子气体和化学品输送系统、大宗气体输送系统等。晶圆加工材料 在半导体制造中提供原材料和相关服务的供应商，包括多晶硅、硅晶片、光掩膜、电子气体及化学、光阻材料和附属材料、CMP 料浆、低 K 材料等。 测试封装设备 在半导体测试和封装过程中提供设备及其他相关服务的供应商。主要涉及晶圆制程的后道工序，就是将制成的薄片“成品”加工为独立完整的集成电路。包括切割工具及材料、自动测试设备、探针卡、封装材料、引线键合、倒装片封装、烧焊测试、晶圆封装材料等。 测试封装材料 在半导体测试和封装过程中提供材料和相关服务的供应商，包括悍线、层压基板、引线框架、塑封料、贴片胶、上料板等。 子系统、零部件和间接耗材 为设备和系统制造提供子系统、零部件、间接材料及相关服务的厂商，包括质量流量控制、分流系统、石英、石墨和炭化硅等。 2 对电子气体和化学品输送系统行业的详细研究

电子气体和化学品输送系统涉及上游的电子气体产品提供商，半导体行业用阀门管件提供商，常规阀门管件提供商，气体供应设备提供商，气体输送系统设计、施工单位以及下游的后处理设备厂商。 电子气体 电子气体在半导体器件的生产过程中起着非常重要的作用，几乎每一步、每一个生产环节都离不开电子气体，并且电子气体的质量在很大程度上决定了半导体器件性能的好坏。 电子气体的纯度是一个非常重要的指标，其纯度每提高一个数量级,都会极大地推动半导体器件质的飞跃。同时，电子气体纯度也是区分气体厂商技术水平和生产能力的一个重要考量指标。 目前主要的气体产品公司多为欧美公司在中国的分公司，主要有法国液化空气公司，美国普莱克斯，德国林德公司，美国空气产品公司等。国内的品牌有苏州金宏气体，广东华特气体等。 半导体阀门管件 半导体阀门管件是气体输送系统和设备中重要的原材料，阀门管件的性能和质量水平也直接影响着气体输送系统的送气能力和运行稳定性，也会影响半导体产品的质量和性能。严重的情况下，一个阀门出现质量问题可能造成严重的生产事故。 半导体阀门管件的重要性也体现在其成本上，目前阀门管件等原材料的成本占据了气体输送系统和设备的大部分成本，但是，目前绝大部分供应要依赖进口品牌，并且是供不应求（货期较长），这造成了目前系统和设备厂商的运营成本居高不下。 此领域知名的厂商有APTECH,TESCOM,PARKER,SWAGELOK,KITZ，Valex等，但都为进口品牌，价格贵，交货期长（目前一般要2个月以上）。国产品牌目前主要的问题是半导体阀门管件产品种类少，并且产品并不成熟。通过和杰瑞，赛洛克等厂商的交流，了解到目前这些国内厂家公司规模多在一百人左右，新产品的研发能力和研发投入都十分有限，很难在短期内保质保量的供应市场上需求的半导体阀门管件。这也预示着电子气体输送系统和设备厂商在很长一段时间内还是要依赖进口品牌提供相应的材料，这种现状就要求系统和设备厂商有更好的成本和交货周期的管控能力，甚至在承接项目时做好提高其成本预算和延长交货期的准备。

国家半导体照明工程南昌产业化基地

国家半导体照明工程南昌产业化基地 1．成立时间 2004年5月南昌市被科技部批准为“国家半导体照明工程产业化基地”。 2．空间分布 南昌半导体照明产业基地建设的总体布局是以南昌高新技术产业开发区内的联创光电公司为依托，形成“一个中心、两个园区、多点扩展、众星捧月”的产业发展布局。 “一个中心”——即成立“南昌国家半导体照明工程研究中心”，以南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心为龙头，实行政府支持，其它企业、高校、行业管理机构等共同投资，其主要职能为：孵化光电子中小企业，培训光电子专业技术人员，与北京大学、南京大学合作建立光电子专业博士后工作站，开展半导体照明共性及关键技术的研究、光电子产品的检测及标准制定工作。中心面向社会开放，服务于基地内的光电子企业及科研机构，协调及促进基地内光电子产业及技术的发展。 “两个园区”——一个是一期工程已完工并投入使用的以半导体发光材料、芯片及器件封装上中游产品为主的占地面积达300亩的“联创光电科技园”，近期园区面积将扩大至400亩；另一个是以半导体照明应用为主的联创博雅产业园，占地面积500余亩，并预留1000亩地作为2008年以后半导体照明产业发展用地。 “多点扩展”——在南昌经济技术开发区、小蓝工业园规划一定面积的扩展区。扩展区主要以半导体照明用高性能荧光粉、高性能铜基散热材料、照明灯具各种配件及其它辅助材料为主要发展方向。利用江西丰富的稀土资源、铜矿资源及铜冶炼技术优势及低廉的劳动力成本优势，重点研究、生产半导体照明用高效率荧光粉和高性能铜基散热材料，为国内主要半导体照明产品生产企业配套。同时发展照明光源、灯具配件及辅助材料的生产企业。 “众星捧月”——产业基地建设以重点企业为核心，努力引进和不断做强做大核心企业，带动众多中小企业协作配套发展，形成集聚效应和较为完整的产业链。 3．经济总量 基地内现有半导体照明企业15家，其中基地落户南昌以后新增企业7家。2004年基地销售收入突破15亿元，比上年增长44%，占地方工业比重达2.77%。 4．产业链情况 南昌基地已初步形成以江西联创光电科技股份有限公司的外延片为上游产业，南昌欣磊光电科技有限公司的芯片制造为中游产业，江西联创光电科技股份有限公司、南昌联众电子有限公司、南昌永兴电子有限公司的芯片封装和联创博雅科技有限公司的光源、灯具、LED显示屏、联创致光科技有限公司的手机背光源、南昌晶明电子有限公司的LED点阵块为下游产业，南昌宏森高科光电子有限公司的LED支架为配套产业的一个较为完整的产业链。 5．技术水平以及人才情况 基地拥有一支富有创新敬业精神的LED专业化管理、技术研发和工艺技术人才队伍，拥有精干的LED企业管理人员、一流的专业技术人才和技术熟练的技术工人。南昌LED产业从业人员3200余人，其中技术人员近千人，占从业人员的比例高达32%，直接从事新产品开发的人员近500人，占从业人员的比例达15%，具有高级职称的技术人员占技术人员比例的9%，中级以上技术职称的人员占技术人员总数的28%，具有初级以上技术职称的人员占技术人员总数的65%。同时，为了加快半导体照明产业的发展，基地内龙头企业江西联创光电科技股份有限公司、南昌欣磊光电科技有限公司相继成立了企业技术中心，主要负责企业半导体照明前瞻性、基础性技术的研究及半导体照明用功率型LED芯片，功率型LED器件、特种及装饰照明用半导体照明光源、灯具及照明系统集成开发，LED产品的检测、分析。 6．重点科研院所及其研究方向 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心——该中心是南昌大学材料物理与化学国家重点学科、材料物理与化学博士点、材料科学与工程博士后科研流动站，拥有仪器设备近3000万元，有进口生产型GaN-MOCVD系统、自制开发型ZnO-MOCVD系统。拥有GaN基蓝光、绿光、紫光LED外延材料生产技术。中心已在ZnO半导体发光材料、硅基片上生长氮化镓外延材料及芯片方面取得突破性进展，成功研制出高亮度硅衬底GaN-LED蓝、白光二极管材料及器件。现已拥有GaN基蓝光、绿光、紫光LED 外延材料生产技术。其中，高亮度硅衬底GaN-LED白光二极管材料及器件这一项目已完成小试，现正在进行中试研究及产业化论证。 7．公共创新平台建设 （1）启动南昌光电子科技综合服务大楼建设。建成后的光电子科技大楼主要用于建立光电子专业博士后工作站、南昌光电子工程技术中心、半导体照明公共技术服务平台、南昌半导体照明行业生产力促进中心、半导体照明行业中小企业孵化器、半导体照明技术人才培训等公共技术服务。

【发展战略】我国半导体产业的现状和发展前景

五、半导体篇 ——我国半导体产业的现状和发展前景 电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业，微电子技术是其中的核心技术之一（另一个是软件技术）。现代电子信息技术，尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力，来自于半导体元器件的技术突破，每一代更高性能的集成电路的问世，都会驱动各个信息技术向前跃进，其战略地位与近代工业化时代钢铁工业的地位不相上下。 当前，世界半导体产业仍由美国占据绝对优势地位，日本欧洲紧随其后，韩国和我国台湾地区也在迅速发展。台湾地区半导体工业已成为世界最大的集成电路代工中心，逐步形成自己的产业体系。 我国的微电子科技和产业起步在50年代，仅比美国晚几年。计划经济时期，由于体制的缺陷和其间10年“文革”，拉大了和国际水平的差距。进入80年代，我国面对国内外微电子技术的巨大反差和国外对我技术封锁，我们没有能够在体制和政策上及时拿出有效应对措施。国有企业无法适应电子技术的快节奏进步，国家协调组织能力下降，科研体制改革缓慢，以致1980～1990年代我国自主发展半导体产业的努力未获显著效果。 “市场‘开放’后，集成电路商品从合法、不合法渠道源源涌入，集成电路所服务的终端产品，以整机或部件散装的形式，也大量流入，但人家确实考虑到微电子的战略核心性质，死死卡住生产集成电路的先进设备，不让进口，在迫使我们落后一截，缺乏竞争力的同时，又时刻瞄准我们科研与生产升级的潜力，把我们的每一次进步扼杀在萌芽状态，冲垮科技能力，从外部加剧我们生产与科研的脱节，迫使我们不得不深深依赖他们。……我们的产业环境又多多少少带有计划色彩，不能很快与国际接轨，其中特别是对微电子产业发展有重大影响的企业制度、资本市场、税收政策、科研体制等，又不适应市场经济要求，使得我们在国际竞争中缺乏活力”。1 20世纪90年代，我国半导体产业的增长速度达到30%以上，但其规模仅占世界半导体子产业的1%，仅能满足大陆半导体市场的不足10%。即使“十五”期间各地计划的项目都能如期实施，到2005年，我国半导体产业在世界上的份额，顶多占到2%～3%。自己的设计和制造水平和国际先进水平的差距很大，企业规模小、重复分散、缺乏竞争力，基本上是跨国公司全球竞争战略的附庸，自己的产业体系还没有成形。 我国半导体产业如此落后的现状，使得我国的经济、科技、国防现代化的基础“建筑在沙滩上”。在世界微电子技术迅猛发展的情况下，我国如不努力追赶，就会在国际竞争中越来越被动，对我国未来信息产业的升级和市场份额的分配，乃至对整个经济发展，都可能造成十分不利的影响。形势逼迫我国必须加快这一产业的发展。“十五”计划中，加快半导体产业的发展被放在重要地位，这是具有重大意义的。 发展中国家要追赶国际高科技产业的步伐，一般都会面临技术、资金、管理、市场的障碍。高科技的产业化是一个大规模的系统工程，需要科研和产业的紧密结合，以及各部门的有效协调，而这些都不是单个企业所能跨越得过去的。在市场机制尚未成熟到有效调动资源的情况下，高层次的组织协调和扶持是必需的。构建具有较高透明度的政策环境和市场环境。有助于鼓励高科技民营企业进入电路设计业领域，鼓励生产企业走规模化和面向国内市场自主开发的路子，形成产业群体。 1许居衍院士，2000年。

半导体照明技术作业答案

某光源发出波长为460nm 的单色光，辐射功率为100W ，用Y 值表示其光通量，计算其色度坐标X 、Y 、Z 、x 、y 。 解：由教材表1-3查得460nm 单色光的三色视觉值分别为0.2908X =，0.0600Y =， 1.6692Z =，则对100W P =，有 4356831000.2908 1.98610lm 6831000.0600 4.09810lm 683100 1.6692 1.14010lm m m m X K PX Y K PY Z K PZ ==××=×==××=×==××=× 以及 )()0.144 0.030x X X Y Z y Y X Y Z =++==++=

1. GaP绿色LED的发光机理是什么，当氮掺杂浓度增加时，光谱有什么变化，为什么？GaP红色LED的发光机理是什么，发光峰值波长是多少？ 答：GaP绿色LED的发光机理是在GaP间接跃迁型半导体中掺入等电子陷阱杂质N，代替P原子的N原子可以俘获电子，又靠该电子的电荷俘获空穴，形成束缚激子，激子复合发光。当氮掺杂浓度增加时，总光通量增加，主波长向长波移动，这是因为此时有大量的氮对形成新的等电子陷阱，氮对束缚激子发光峰增加，且向长波移动。 GaP红色LED的发光机理是在GaP晶体中掺入ZnO对等电子陷阱，其发光峰值波长为700nm的红光。 2. 液相外延生长的原理是什么？一般分为哪两种方法，这两种方法的区别在哪里？ 答：液相外延生长过程的基础是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度降低而减少，而且冷却与单晶相接触的初始饱和溶液时能够引起外延沉积，在衬底上生长一个薄的外延层。 液相外延生长一般分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态生长中，溶液与衬底组成的体系在均处于同一温度，并一同降温（在衬底与溶液接触时的时间和温度上，以及接触后是继续降温还是保持温度上，不同的技术有不同的处理）。而温度梯度法则是当体系达到稳定状态后，整个体系的温度再不改变，而是在溶液表面和溶液－衬底界面间建立稳定的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造？ 答：在尝试用液相外延生长AlGaInP时，由于AlP和InP的热力学稳定性的不同，液相外延的组分控制十分困难。而当使用氢化物或氯化物气相外延时，会形成稳定的AlCl化合物，会在气相外延时阻碍含Al磷化物的成功生长。因此AlGaInP 材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造。

半导体照明科技发展“十二五”专项规划

半导体照明科技发展“十二五”专项规划为加快推进半导体照明技术进步和产业发展，依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》、《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》和《国家“十二五”科学和技术发展规划》等相关要求，制定本专项规划。 一、形势与需求 （一）半导体照明技术及应用快速发展 近年来，半导体照明技术快速发展，正向更高光效、更优发光品质、更低成本、更多功能、更可靠性能和更广泛应用方向发展。目前，国际上大功率白光LED（发光二极管）产业化的光效水平已经超过130 lm/W（流明/瓦）。据报道，实验室LED光效超过200 lm/W。虽然LED的技术创新和应用创新速度远远超过预期，但与400 lm/W的理论光效相比，仍有巨大的发展空间。半导体照明在技术快速发展的同时也不断催生出新的应用。目前，竞争焦点主要集中在GaN基LED外延材料与芯片、高效和高亮度大功率LED器件、LED功能性照明产品、智能化照明系统及解决方案、创新照明应用及相关重大装备开发等方面。 OLED（有机发光二极管）作为柔和的平面光源，与LED 光源可以形成互补优势，近年来发展同样迅速。据报道，实验室白光OLEOLEOLED光效已达128 lm/W128 lm/W128 lm/W128 lm/W128 lm/W128 lm/W128 lm/W128 lm/W。与之相关的有机发光材料、生产装备和新型灯具的研发正顺势而上。目前，市场上已有少量OLED照明产品。 （二）半导体照明产业爆发式增长 近年来，许多发达国家/地区政府均安排了专项资金，设立了专项计划，制定了严格的白炽灯淘汰计划，大力扶持本国和本地区半导体照明技术创新与产业发展。全球产业呈现出美、日、欧三足鼎立，韩国、中国大陆与台湾地区奋起直追的竞争格局。半导体照明产业已成为国际大企业战略转移的方向，产业整合速度加快，商业模式不断创新。瞄准新兴应用市场，国际大型消费类电子企业开始从产业链后端向前端发展；以中国台湾地区为代表的集成电路厂商也加快了在半导体照明领域的布局；专利、标准、人才的竞争达到白热化，产业发展呈爆发式增长态势，已经到了抢占产业制高点的关键时刻。 （三）我国半导体照明技术和产业具备跨越式发展机会 在国家研发投入的持续支持和市场需求的拉动下，我国半导体照明技术创新能力得到了迅速提升，产业链上游技术创新与国际水平差距逐步缩小，下游照明应用有望通过系统集成技术创新实现跨越式发展。部分产业化技术接近国际先进水平，功率型白光LED封装后光效超过110 lm/W，接近国际先进水平。指示、显示和中大尺寸背光源产业初具规模，产业

半导体行业发展趋势分析

半导体行业发展趋势分析 新型计算架构浪潮推动，中国半导体产业弯道超车机会来临

核心观点： ●2018，半导体市场供需两旺，中国市场迎弯道超车机遇 需求端新市场新应用推动行业成长：1）比特币市场的火爆带动矿机需求快速增加，ASIC 芯片矿机凭借设计简单，成本低，算力强大等优势被大量采用。国内ASIC 矿机芯片厂商比特大陆、嘉楠耘智、亿邦股份自身业绩高增长的同时，其制造与封测环节供应商订单快速增长。2）汽车电子、人工智能、物联网渐行渐近，带动行业成长。供给端国内建厂潮加剧全球半导体行业资本开支增长，上游确定性受益。 ● 1 月半导体行情冰火两重天 A 股市场：18 年1 月以来（至1 月26 日）申万半导体指数下跌9.03%，半导体板块跑输电子行业5.9 个百分点，跑输上证综指16.59 个百分点，跑 输沪深300 指数17.72 个百分点；其中制造（-5.59%）>封装（-5.64%）> 分立器件（-5.66%）>存储器（-5.85%）>设计（-7.34%）>设备（-9.57%）> 材料（-11.17%）；估值大幅回落。海外市场：费城半导体指数上涨6.79%，创历史新高，首次超过2001 年最高值；矿机及人工智能带动GPU 需求量增长，英伟达作为全球GPU 龙头深度受益，1 月以来（至1 月26 日）股价上涨22.14%；设备龙头整体上涨。 ●12 月北美半导体设备销售额创历史新高，存储芯片价格平稳波动 根据WSTS 统计，11 月全球半导体销售额达376.9 亿美金，同比增长21.5%，环比增长1.6%，创历史新高。其中北美地区半导体11 月销售额87.7 亿美金，同比增长40.2%，环比增长2.6%，是全球半导体销售额增长最快区域。分版块看，12 月北美半导体设备销售额23.88 亿美金，同比增长27.7%，环比增长16.35%，创历史新高；存储芯片价格1 月以来（至1 月26 日）价格 波动。 ●投资建议 我们认为国内IC 产业进入加速发展时期，由市场到核“芯”突破这一准则不断延续，从智能手机领域起步，未来有望在人工智能、汽车电子、5G、物联网等新兴市场实现加速追赶。本月重点推荐卡位新兴应用市场，业绩快速成长的华天科技、长电科技，建议关注通富微电；同时下游资本开支扩张带给上游设备领域的投资机会，建议关注北方华创、长川科技。

LED照明技术及应用复习资料

一填空题 1、LED3528小功率灯珠额定电流为___20 mA，1W灯珠额定电流为____350____mA。 2、RGB三基色指___ 红___，_____绿___，____蓝__ 三种颜色。 3、灯具驱动方式分：恒_ 流 __驱动和恒_ 压__驱动，LED光源常用恒__流 ___驱动。 4、LED灯具一般是由___ 光源，____外壳_ ， __驱动电源 _等几部分组 5、光源的光效（lm/W）指光源发出___光通量除以光源所耗费的__电功率 _，它是衡量光源节能的重要指标。 6、LED调光功能的实现方式可分为两种： PWM 方式和模拟方式。 7、色温越偏蓝，色温越高，偏红则色温越低。 8、590nm波长的光是黄光；380nm波长的光是紫光（填颜色）,可见光的波长范 围是 380－780 nm。 9、LED TV背光源常用到的LED芯片型号为2310，其尺寸为23mil×10mil，即 584.2 um× 254 um。 1mil＝25.4um 10、T10的LED日光灯管，其直径是： 31.75 mm 。 25.4* (10/8)=31.75mm 11、目前市场主流的白光LED产品是由 InGaN(蓝光) 芯片产生的蓝光与其激发YAG 荧光粉产生的黄光混合而成的，且该方面的专利技术主要掌握在日本日亚化学公司手中。 12、对于GaAs,SiC导电衬底，具有面电极的红、黄（单电极或L型） LED芯片，采 用银胶来固晶；对于蓝宝石绝缘衬底的蓝、绿（双电极或V型）LED 芯片，采用绝缘胶来固定芯片。 13、银胶的性能和作用主要体现在：固定芯片、导电性、导热性。 14、LED胶体包括A，B，C，D胶，它们分别指的是主剂、硬化剂、 色剂、扩散剂。 15、翻译以下行业术语： 示例：外延片 Wafer （1）发光二极管 Light emitting diode （2）芯片 chip （3）荧光粉 phosphor （4）直插式LED LED Lamp