微电封装期末总结
微电子封装功能：电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑、环境保护
微电子封装分级微电子封装发展特点
一级封装：用封装外壳将芯片封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM) (1)向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展二级封装：将一级封装和其他元器件一起组装到印刷电路板上(2)向表面安装式封装发展
三级封装：将二级封装插装到母板上(3)从陶瓷封装向塑料封装发展
(4)从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移
芯片互联技术
引线键合技术（WB）:将芯片焊区与I/O引线或基板上的金属布线焊区用金属细丝连接起来的工艺
热压焊<0.05N
缺点：长时间高温易损伤芯片
生成Au-Al间化合物，增加接触电阻
焊丝和焊区易形成氧化层
超声焊>0.1N超声振动产生能量使金属丝在焊区表面迅速摩擦
优点：焊点面积与引线面积相当
充分去除氧化层，焊点质量最高
可在常温下键合，不损伤芯片
缺点：速度慢
金丝球焊0.07~0.09N热量和超声能量同时用于键合
优点：键合温度低
焊点牢固
可自动化焊接
载带自动焊（TAB）：将芯片焊区与金属布线焊区用具有引线图形的载带相连的技术
优点：轻薄短小
节距比WB小
I/O引脚数高
电性能好
可进行筛选和测试，提高成品率
导热导电性好，机械强度高
键合拉力0.3~0.5N，是WB的3~10倍
关键材料：基带材料---聚酰亚胺（PI）
载带金属材料---Cu箔
凸点金属材料---Au、Pb-Sn
关键技术：芯片凸点制作技术
蘑菇状凸点：光刻胶，较薄
柱状凸点：厚胶膜，较厚
TAB载带制作技术
单层带工艺简单、热稳定性好、价格低
不能电性测试，易变形
双层带可制作高精度图形，可做电性测试，可弯曲
成本高
三层带Cu箔、粘接剂、PI膜三层构成
黏附性高，可做电性测试，适合批量生产
双金属带聚酰亚胺制备框架，两面粘接铜箔
用于高频器件，可改善信号传输
焊接技术
内引线焊接技术
热压焊：温度高，压力大
热压再流焊：焊区有Pb、Sn存在
外引线焊接技术
倒装焊技术（FCB）:芯片面朝下，芯片和基板焊区直接相连的焊接方法
优点：互连线短占基板面积小芯片焊区可面分布安装、互联可同时进行
缺点：安装、互联难度大凸点工艺复杂应力问题
凸点制作方法
蒸发/溅射法关键：掩模版制作
优点：工艺简单，与IC工艺兼容
缺点：直径较大，I/O引脚数少
成本高，效率低
电镀法关键：光刻和电镀
优点：简便易行，工艺成熟I/O数、焊区大小、凸点间节距不限，适合大批量生产
化学镀关键：Al焊区二次浸Zn，去除氧化层，生成中间层金属
优点：镀层光亮致密，孔隙少
结合力高，抗蚀能力强
不受镀件复杂形状限制
缺点：凸点高度受限
浸Zn：强碱性的锌酸盐中进行，去除Al焊区金属表面氧化层的同时化学沉积一层Zn
二次浸Zn：由于第一次浸Zn形成的Zn层结晶较粗大疏松
二次浸Zn得到的Zn层更加均匀致密，增加与Al的结合力
打球法关键：打金属球并磨平
优点：工艺简单易行，焊区不需多层金属化
缺点：I/O数小、焊区、凸点间节距较大，不适合大批量生产
置球法关键：制作模板，焊料球的均匀性，焊膏印制厚度的一种性
优点：工艺简单，成本低
适合制作各种尺寸的Pb-Sn焊料凸点
可批量生产
凸点工艺——粘附层，阻挡层，导电层
固态工艺凸点、C4凸点
Cr——Cr-Cu——Cu-Sn——Pb-Sn——Ni-Sn——Ni
C4:粘附层阻挡层导电层凸点
固态工艺：包附Cu球
FCB工艺
热压FCB：芯片与基板需要精确定位并保持平行
Au凸点、Ni-Au凸点、Cu凸点等硬凸点
再流焊FCB：有自对准效应、弥补基板的缺陷、低熔点焊料凸点、可用常规表面贴装设备 Pb-Sn焊料凸点，芯片高熔点凸点90%Pb，基板低熔点凸点37%Pb
环氧树脂固化：利用光敏树脂光固化时产生的收缩力将凸点与基板上的金属焊区互联在一起
属于“机械接触”而非“焊接”工艺简单
各向异性导电胶FCB(ACA-FCB):在基板上涂覆ACA后，将芯片与基板焊区对位并加压固化
ACA中金属粒子挤压在凸点与焊区之间，使上下接触导电
ACA:膏状或薄膜状的粘接剂加入了一定含量的金属颗粒或金属涂覆的高分子颗粒
ACA分为：热固型、热塑型、紫外光（UV）固化型
Au-Al焊接的问题及对策
问题：Au-Al间接触加热到300℃会生成金属间化合物AuAl2（紫斑）以及Au-Al界面生成的电阻更大，脆性更高的Au2Al（白斑）。这些金属间化合物晶格常数不同，机械性能和热性能也不同，会在交界层形成可见的“柯肯德尔空洞”，产生裂缝，引起焊点脱开而失效。
对策：避免长时间高温焊接，使用温度尽量降低。
插装元器件
分类：圆柱形外壳封装(TO)、矩形单列直插式封装(SIP)、双列直插式封装(DIP)、针栅阵列封装(PGA) 双列直插式封装（DIP）
特点：适合在印刷电路板上穿孔焊接
封装、芯片面积及体积比较大
除外型尺寸、引脚数外，无其他要求
引脚直径、艰巨不能太小
CDIP封装
陶瓷熔封DIP
结构简单，只有底座、盖板、引线框架三个零件
——用黑陶瓷（Al2O3）通过加压陶瓷工艺制作
不需要陶瓷上金属化，烧结温度低，成本低
多层陶瓷DIP
由多层陶瓷工艺制作
流延法制成生瓷片——丝网印刷法进行金属化——多层金属化的生瓷片叠层——
一定温度和压力下层压——切割成生瓷体——排胶、烧结——镀Ni——钎封口环和焊引线PDIP封装
工业自动化程度高，工艺简单，成本低
针栅阵列封装(PGA)——为提高I/O引脚数，减少封装面积
特点：气密性、可靠性高
可适应更高频率
若用导热性较好的基板，还可适应高速度、大功率器件需求
工艺复杂，成本高，适合军品使用
表面安装元器件（SMD）
优势：体积小、重量轻，组装密度高；
与DIP相比，电性能更高；
适合自动化生产；
成本低；可靠性高；利于保护环境。
不足：散热问题（安装密度高）、开裂问题（引脚短）、吸潮问题（塑料）
小外形封装（SOP）
DIP的引脚向外弯曲90°，形成翼型引脚（SOP）或J型引脚（SO J）
面积大，难度小面积小，难度大
小外形晶体管（SOT）固化方法：①低温银浆粘接芯片②Au-Sb合金与芯片烧结共熔法
③导电胶粘接固化法
塑料有引脚片式载体封装（PLCC）——只有J型引脚
数引脚：标记角放在左上方，从标记点/中间引脚/中间两引脚中左侧引脚开始逆时针数
陶瓷无引脚片式载体封装（LCCC）
无引脚，陶瓷封装体四周的引脚处有镀Au凹槽，可直接焊到基板焊区上或安装在PWB的插座上
四边引脚扁平封装（QFP）
分为翼型引脚（QFP）和J型引脚（QFJ）
结构上PQFP≈PLCC==QFJ
焊球阵列封装（BGA）——解决周边引脚封装的高引脚数LSI问题
特点：失效率低；可利用现有的SMT工艺设备；提高封装密度；改善共面性，减少共面失效；
引脚牢固；改善了电性能；自对准效应，减少安装、焊接的失效率；有利于散热类型：PBGA CBGA CCGA TBGA FCBGA
PBGA(塑料焊球阵列)
优点：与电路板热匹配好；对焊球的共面要求宽松（自对准效应）；成本低
缺点：对湿气敏感
在基板上装配焊球的方法：“球在上”、“球在下”
球在上：先在基板上丝网印制焊膏，将带筛孔的顶板和基板对准，焊球放在顶板上，通过
筛孔对应落在焊膏上。取下顶板进行再流并清洗，形成凸点
球在下：先将一个特殊夹具放在振动装置上，夹具上所需位置有小孔，通过振动使小球定位于各孔，再在焊球上印制焊膏，将基板对准放在印好的焊膏上，进行再流并清洗。
CBGA(陶瓷焊球阵列)
优点：可靠性高、对湿气不敏感、封装密度高、返修性高
缺点：热匹配差，热疲劳寿命短；封装成本高
双焊料结构：高温焊料(10%Sn-90%Pb)、低温焊料(63%Sn-37%Pb)
高温焊料作焊球，位于中间
CCGA(陶瓷焊柱阵列)
焊柱相连，减小封装体与基板间的连接应力，易清洗。
同样适用双焊料结构，与CBGA结构类似，高温焊料作焊柱，位于中间
TBGA(载带焊球阵列)：利用TAB实现芯片的连接，使用双金属TAB基板
最薄的BGA封装，节省安装空间
对湿气和热量敏感
FCBGA：利用FC实现芯片与BGA衬底的连接
芯片尺寸封装（CSP）:LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积的120%的产品特点：体积小；可容纳引脚数最多；电性能良好；散热性能优良
BGA焊接质量的检测： X射线投射检测、 X射线分层检测
透射检测：检测焊点中间的桥连和对准误差，但不能检测焊球与焊区之间的连接质量
分层检测：在投射检测的基础上解决了对每一个焊球的焊料量及再流程度精确测量的问题，
精确的检测焊点的形状和关键尺寸
焊球连接缺陷：
桥连：焊料过量，邻近焊球之间形成桥连
连接不充分：焊料太少，不能再焊球和基板之间形成牢固的连接
空洞：沾污及焊膏问题造成焊球与基板间产生空洞
断开：基板过分翘曲，没有足够的焊料使断开的空隙连接起来
浸润性差：焊球或焊区浸润性差，造成连接断开
形成焊料小球：再留时溅出的焊料形成
误对准：自对准时对准偏差超标
塑料封装吸潮引起开裂的问题
原因：塑料固有的有机大分子结构普遍存在高吸湿性和低气密性
开裂现象：插装器件不存在吸潮开裂问题，因为焊接使用波峰焊时间短，不会是塑料温度升高很多，稍热的水汽不会对这类封装本已较厚的壳体造成破坏性后果
表面安装器件(SMD)由于焊接时无论是再流焊还是波峰焊，SMD整体都要经历215~240℃的高温过程，
若这时塑料壳体充满湿气，焊接时水汽就会膨胀形成较大的水汽压，出现开裂现象。
塑封开裂过程：
①水汽吸收聚蓄期：制作完成至使用前，水汽饱和程度取决于储存的环境。
②水汽蒸发膨胀期：器件使用时，高温时水汽蒸发，蒸汽压上升，塑料受力膨胀。
③开裂萌生扩张期：蒸气压继续增加，在应力集中的最薄弱处产生裂纹，水汽从裂纹逸出，压力圆顶塌
陷，环境中的污染物通过裂缝进入封装体，经过化学反应，对器件进行腐蚀。
引起开裂的因素：水汽的含量及水汽所在位置、焊接温度、引线框架的设计、塑料强度、芯片大小、塑料厚度吸潮开裂的对策：
①改进结构
a、增加芯片四周和底部塑料厚度
b、增加芯片键合区的粗糙程度，提高结合力
②适宜的烘烤
a、高温烘烤：125℃，湿度<50%，24h，时间短，但不能重复多次烘烤
b、低温烘烤：40℃，湿度<5%,8天，可多次烘烤，不会产生金属间化合物，但时间长
③使用密封真空袋包装或加干燥剂
多芯片组件(MCM)
定义：多个LSI、VLSI芯片和其他元器件高密度组装在多层互联基板上并封装在一个壳体内，形成高密度、高可靠的专用电子产品
条件：①多层基板有4层以上布线层
②封装效率大于20%
③封装壳体有100个以上I/O引脚
特性：高速、高密度、高散热、低成本
布线：利用衬底中的信号布线完成I/O引脚的连接
原则：①避免用长互连线；②通孔、连线拐角尽可能少；③布线层数尽可能小
分类：3D迷宫布线、分层布线、SLICE布线、四通孔(V4R)布线
3D迷宫布线：原理上容易实现，但因其需要储存整个布线网络并在其中进行搜索，需要很长的计算时间和很大的存储空间
分层布线：将布线层分为几个x-y双层，线网先被分配到x-y双层，然后对每个双层进行布线
没用充分利用现有的大量布线层，有些线网被迫在两层内布线，使用大量的通孔，导致布线结
果较差
SLICE布线：基于一层一层的平面布线原理，当生成一层布线时，将未完成的线网“驱赶”到下一层继续布线。重复这一过程直至线网布完
四通孔(V4R)布线：直接产生详细的布线结果，不必经历传统的总体布线，节省成本，提高效率
不需要存储布线网络，只存轨道分配信息和活动网的垂直线段，占内存小
若两点坐标分别为：（0，0）、（m，n）
两通孔法有m+n 种路径
四通孔法有m×n×(m+n)种路径
两通孔四通孔
基板的制作
?基板材料：金属、合金、陶瓷、玻璃、塑料、复合材料
基板功能：支撑作用；导体的绝缘介质；导热媒体；控制特性阻抗、串扰及信号延迟
信号延迟和介电常数平方跟成正比
电容和介电常数成正比
几种主要的基板材料
氧化铝（Al2O3）
影响性能的两个因素：化学成分、表面平整度
介电常数随玻璃含量的增加而降低，玻璃成分由二氧化硅和其他氧化物组成。
玻璃的导热性很差，玻璃含量高的陶瓷在制作高密度大功耗电路时应特别注意。
氮化铝（AlN）
在碳的作用下用氮置换出Al2O3中的氧而形成或直接生成，性能比Al2O3好
有机多层基板材料
共烧陶瓷基板材料——基于氧化铝
根据玻璃含量不同
高温共烧陶瓷（HTCC）玻璃含量8~15%，烧结温度较高
低温共烧陶瓷（LTCC）玻璃含量大于50%，烧结温度较低，有助于在共烧结构内设计无源元件。
较高的玻璃含量降低了介电常数，利于制作高速电路，但同时降低了机
械强度和导热性。
硅基板材料
金刚石
?介质材料
薄膜介质材料——聚酰亚胺（PI）
良好的电性能、机械稳定性和热稳定性
要求：介电常数、吸水性、CTE 这三个指标值都必须低
按固化机理分类：缩合固化、加成固化、光固化
厚膜介质材料
由陶瓷粉料，例如氧化铝、玻璃料、各种金属化合物、有机粘接剂和溶剂混合而成。
?金属材料——用于金属化
基本金属化：起电气和导热作用广泛使用的基本金属化材料：Cu和Al
基本薄膜金属化
铜（Cu）：良好的电性能和导热性能，价格便宜，易于加工；但其具有化学活性和腐蚀性，且高温时随着时间的延长会扩散到聚酰亚胺介质中
铝（Al）：电性能和导热性不及铜，但易于溅射和蒸发，不要求阻挡层
金（Au）：优良的电性能和导热性，化学稳定性极好，但成本太高
鎳（Ni）：电性能和导热性比其他材料都差，用于通孔填充
银（Ag）：电性能和导热性能最好，但在潮湿环境或高温大电流下有迁移特性，造成短路
基本厚膜金属化——通过在已烧成的陶瓷基板上进行丝网印刷并烧结导体或电阻浆料完成金、银、金+银、钯+铂
辅助金属化：作为扩散阻挡层、粘接助剂、腐蚀和氧化阻挡层、连接器件的媒体，例如焊料辅助薄膜金属化
Ni、Ti、Ti-W 、Pb
Cr和Ni通过溅射或电镀，用于阻挡铜向聚酰亚胺扩散
Ti促进Au和其他表面进行结合，是非常好的粘接层
辅助厚膜金属化
几种基板制作技术
◆厚膜多层基板
优点：工艺简单、成本低、研制和生产周期短
缺点：导体线宽、间距、布线层数、通孔尺寸受丝网印刷限制
分类：
导体—介质纯互联系统
具有互连WB区、通孔、引出端，表面可组装各种元器件或IC芯片，构成厚膜MCM 导体—介质—阻容系统
在顶部印制电阻、电容，再组装各种元器件或IC芯片，构成厚膜MCM
制作方法：丝网印刷、直接描绘（丝网印刷的补充，不能代替丝网印刷）
直接描绘工艺：P237
◆低温共烧陶瓷（LTCC）多层基板
常规LTCC工艺技术：将未烧结的陶瓷材料叠层在一起而制成的多层电路，内有印制互联导体、元件
和电路，并将该结构烧制成一个集成式陶瓷多层结构
金属上的LTCC工艺技术：将所需的层数层压在金属基板上，并共烧成整个基板
优点：零收缩率、高热导率
◆薄膜多层基板
层间互联技术
金属化通孔
刻蚀通孔：干刻蚀、湿刻蚀
确定通孔图形：曝光、显影
通孔金属化：蒸发、溅射Al、Cu、Au
金属柱通孔
Z方向通过电镀金属柱垂直互联
优点：能产生垂直互联，不仅可靠性高，而且可作为散热通道，利于高密度布线
◆PWB基板
PWB基板多层布线原则
两层间走线应相互垂直——减少电磁干扰
电源层布置在内层，与上下信号层接近——减少外界干扰
PWB基板制作技术
黑孔技术：以导电碳粉为基础的水溶性悬浊液均匀分布在孔壁上，使孔壁导电，以获得均匀电镀层直接孔金属化技术：先用高锰酸钾对孔壁氧化处理，再进行活化处理，使孔壁均匀地涂覆一层有机
单分子膜，接着浸入稀酸溶液中，氧化聚合形成含盐类的高分子导电膜。
解决PWB问题的技术——ALIVH技术
PWB的组合加厚布线技术，其布线宽度/间距可缩小到50μm以下，从而实现精细布线图形的制作
ALIVH设计的三个关键技术：
a、层间连接材料——铜铆钉结构：激光钻孔中填满Cu粉、环氧树脂、固化剂组成的导电胶糊，
并在小孔两侧贴上Cu箔，加压加热后环氧树脂固化，并将
两侧Cu箔牢牢固定
b、微细孔的激光钻孔法
c、绝缘基板材料——阿拉米特无纺布：激光加工性和耐热性
微电子封装的要求：微电子封装的发展趋势
①更高的I/O数①从有封装向少封装和无封装发展
②更好的电性能和热性能② 2D基础上发展3D封装
③更加轻薄短小，封装密度更高③无源元件的集成化
④更便于安装、使用、维修④向细线宽、窄间距布线的多层互联基板方向发展
⑤可靠性更高
⑥性价比更高
3D封装的分类
埋置型3D:开槽埋置型、多层布线介质埋置型
有源基板型3D
叠层型3D
Allegro元件封装(焊盘)制作方法总结
Allegro元件封装(焊盘)制作方法总结 ARM+Linux底层驱动 2009-02-27 21:00 阅读77 评论0 字号：大中小 https://www.360docs.net/doc/ab11122500.html,/html/PCBjishu/2008/0805/3289.html 在Allegro系统中，建立一个零件（Symbol）之前，必须先建立零件的管脚（Pin）。元件封装大体上分两种，表贴和直插。针对不同的封装，需要制 作不同的Padstack。 Allegro中Padstack主要包括以下部分。 1、PAD即元件的物理焊盘 pad有三种： 1. Regular Pad，规则焊盘（正片中）。可以是：Circle 圆型、S quare 方型、Oblong 拉长圆型、Rectangle 矩型、Octagon 八 边型、Shape形状（可以是任意形状）。 2. Thermal relief 热风焊盘（正负片中都可能存在）。可以是： Null（没有）、Circle 圆型、Square 方型、Oblong 拉长圆型、 Rectangle 矩型、Octagon 八边型、flash形状（可以是任意形 状）。 3. Anti pad 抗电边距（负片中使用），用于防止管脚与其他的网 络相连。可以是：Null（没有）、Circle 圆型、Square 方型、 Oblong 拉长圆型、Rectangle 矩型、Octagon 八边型、Shape形 状（可以是任意形状）。 2、SOLDERMASK：阻焊层，使铜箔裸露而可以镀涂。 3、PASTEMASK：胶贴或钢网。 4、FILMMASK：预留层，用于添加用户需要添加的相应信息，根据需要使用。 表贴元件的封装焊盘，需要设置的层面及尺寸： Regular Pad： 具体尺寸根据实际封装的大小进行相应调整后得到。推荐使用《IPC-SM-78 2A Surface Mount Design and Land Pattern Standard》中推荐的尺寸进行尺寸设计。同时推荐使用IPC-7351A LP Viewer。该软件包括目前常用的大多数S
芯片封装全套整合(图文精选对照)
芯片封装方式大全 各种IC封装形式图片 BGA Ball Grid Array EBGA 680L LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L QFP Quad Flat Package TQFP 100L SBGA SC-70 5L SDIP SIP Single Inline Package
TSBGA 680L CLCC CNR Communicatio n and Networking Riser Specification Revision 1.2 CPGA Ceramic Pin Grid Array DIP Dual Inline Package SO Small Outline Package SOJ 32L SOJ SOP EIAJ TYPE II 14L SOT220 SSOP 16L
DIP-tab Dual Inline Package with Metal Heatsink FBGA FDIP FTO220 Flat Pack HSOP28SSOP TO18 TO220 TO247 TO264 TO3
ITO220 ITO3p JLCC LCC LDCC LGA LQFP PCDIP TO5 TO52 TO71 TO72 TO78 TO8 TO92
PGA Plastic Pin Grid Array PLCC 详细规格PQFP PSDIP LQFP 100L 详细规格METAL QUAD 100L 详细规格PQFP 100L 详细规格TO93 TO99 TSOP Thin Small Outline Package TSSOP or TSOP II Thin Shrink Outline Package uBGA Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid
模电知识总结
第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体－--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Ｓi、锗Ｇe）。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 ４．两种载流子--－-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ６. 杂质半导体的特性 ＊载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 ＊体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型－--通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.ＰN结
＊ＰN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0．8V，锗材料约为０.２～0.3V。 * ＰＮ结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性---－－-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-－--同ＰN结。 *正向导通压降--－---硅管０.6~０.7V，锗管0．２~０.3Ｖ。 *死区电压--－---硅管0.5Ｖ，锗管０.1Ｖ。 3.分析方法-－----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低： 若Ｖ阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路）; 若Ｖ阳 ２) 等效电路法 ?直流等效电路法 ＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>Ｖ阴( 正偏),二极管导通（短路); 若V阳 protel99se常用元件封装总结 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR （变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P 沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列， 不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！ 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类) 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap; 封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi; 封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 封装有两大类；一类是通孔插入式封装(through-hole package)；另—类为表面安装式封装(surface moun te d Package)。每一类中又有多种形式。表l和表2是它们的图例，英文缩写、英文全称和中文译名。图6示出了封装技术在小尺寸和多引脚数这两个方向发展的情况。 DIP是20世纪70年代出现的封装形式。它能适应当时多数集成电路工作频率的要求，制造成本较低，较易实现封装自动化印测试自动化，因而在相当一段时间内在集成电路封装中占有主导地位。 但DIP的引脚节距较大(为2.54mm)，并占用PCB板较多的空间，为此出现了SHDIP和SKDIP等改进形式，它们在减小引脚节距和缩小体积方面作了不少改进，但DIP最大引脚数难以提高(最大引脚数为64条)且采用通孔插入方式，因而使它的应用受到很大限制。 为突破引脚数的限制，20世纪80年代开发了PGA封装，虽然它的引脚节距仍维持在2.54mm或1.77mm，但由于采用底面引出方式，因而引脚数可高达500条～600条。 随着表面安装技术(surface mounted technology, SMT)的出现，DIP封装的数量逐渐下降，表面安装技术可节省空间，提高性能，且可放置在印刷电路板的上下两面上。SOP应运而生，它的引脚从两边引出，且为扁平封装，引脚可直接焊接在PCB板上，也不再需要插座。它的引脚节距也从DIP的2.54 mm减小到1.77mm。后来有SSOP和TSOP改进型的出现，但引脚数仍受到限制。 QFP也是扁平封装，但它们的引脚是从四边引出，且为水平直线，其电感较小，可工作在较高频率。引脚节距进一步降低到1.00mm，以至0.65 mm和0.5 mm，引脚数可达500条，因而这种封装形式受到广泛欢迎。但在管脚数要求不高的情况下，SOP以及它的变形SOJ(J型引脚)仍是优先选用的封装形式，也是目前生产最多的一种封装形式。 方形扁平封装-QFP (Quad Flat Package) [特点] 引脚间距较小及细，常用于大规模或超大规模集成电路封装。必须采用SMT(表面安装技术)进行焊接。操作方便，可靠性高。芯片面积与封装面积的比值较大。 小型外框封装-SOP (Small Outline Package) [特点] 适用于SMT安装布线，寄生参数减小，高频应用，可靠性较高。引脚离芯片较远，成品率增加且成本较低。芯片面积与封装面积比值约为1:8 小尺寸J型引脚封装-SOJ (Smal Outline J-lead) 有引线芯片载体-LCC (Leaded Chip Carrier) 据1998年统计，DIP在封装总量中所占份额为15%，SOP在封装总量中所占57%，QFP则占12%。预计今后DIP的份额会进一步下降，SOP也会有所下降，而QFP会维持原有份额，三者的总和仍占总封装量的80%。 以上三种封装形式又有塑料包封和陶瓷包封之分。塑料包封是在引线键合后用环氧树脂铸塑而成，环氧树脂的耐湿性好，成本也低，所以在上述封装中占有主导地位。陶瓷封装具有气密性高的特点，但成本较高，在对散热性能、电特性有较高要求时，或者用于国防军事需求时，常采用陶瓷包封。 PLCC是一种塑料有引脚(实际为J形引脚)的片式载体封装(也称四边扁平J形引脚封装QFJ (quad flat J-lead package))，所以采用片式载体是因为有时在系统中需要更换集成电路，因而先将芯片封装在一种载体(carrier)内，然后将载体插入插座内，载体和插座通过硬接触而导通的。这样在需要时，只要在插座上取下载体就可方便地更换另一载体。 LCC称陶瓷无引脚式载体封装(实际有引脚但不伸出。它是镶嵌在陶瓷管壳的四侧通过接触而导通)。有时也称为CLCC，但通常不加C。在陶瓷封装的情况下。如对载体结构和引脚形状稍加改变，载体的引脚就可直接与PCB板进行焊接而不再需要插座。这种封装称为LDCC即陶瓷有引脚片式载体封装。 TAB封装技术是先在铜箔上涂覆一层聚酰亚胺层。然后用刻蚀方法将铜箔腐蚀出所需的引脚框架；再在聚酰亚胺层和铜层上制作出小孔，将金属填入铜图形的小孔内，制作出凸点(采用铜、金或镍等材料)。由这些凸点与芯片上的压焊块连接起来，再由 常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、 1812表示1812、 10表示1210、 12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM。 102 －5％精度阻值表示法： 前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002 是1％阻值表示法： 模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了，而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒，到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电，我觉得模电的难度要大一些，学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲，虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异，但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效，上课的互动也能加深学习印象，更重要的是模电离不开电路，单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间，有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题，比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过，但是很少有人注意到。 2.要有个线索，建立自己的知识树，注意前后的联系，不要脱节。比如：半导体材料的性 质，半导体构成的元件，半导体元件组成的放大电路，处理电路。前后紧密相连，环环相扣，围绕着一个核心问题：信号的放大，运算，处理，转换，产生。在学习的时候，一定要从前往后切实的掌握基本概念，理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法，掌握工作原理，结构特点，性能特点。比如典型 的差分电路，多级放大电路的基本组成，各种功率放大电路等，唯有如此，才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真，这也是模电数电的一个重大区别，数电电路复杂，但是一 旦接对结果一定正确，而模电虽然电路简单，但是即使设计和电路都正确，结果还是出不来。这时就要具体分析电路，哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适，在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手，可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍，一方面对这些元件有个初步的认识，另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看：电路的识别及定性分析，首先根据电路特征判断其属于哪种电路，然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选：在已知需求情况下选择电路形式，在已知功能情况下选择元器件类型，在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选，比如选择合适的放大电路，应根据动态静态，带负载能力输入电阻大小等来选择，选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流，带负载能力，输入电阻等来选择。 3.会算：电路的定量分析，例如对于放大电路会求解静态工作点，Au，输入输出电阻，上 下限截止频率，会画出交直流等效电路；对于运算电路会求解运算关系等 4.会调：电路参数的调节和设置，主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数，比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真，是由于哪些因素引起，相应调节对应参数 5.会设计：能够根据要求设计相应功能的电路，这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路，设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多，但是主线清晰的学科，具有很强的工程性和实践性，对于我来说还是很有难度和挑战性的，但是迎难而上收获才会更多！ Cadence 封装尺寸总结 1、 表贴IC a ）焊盘 表贴IC 的焊盘取决于四个参数：脚趾长度W ，脚趾宽度Z ，脚趾指尖与芯片中心的距离D ，引脚间距P ，如下图： 焊盘尺寸及位置计算：X=W+48 S=D+24 Y=P/2+1，当P<=26mil 时 Y=Z+8，当P>26mil 时 b ）silkscreen 丝印框与引脚内边间距>=10mil ，线宽6mil ，矩形即可。对于sop 等两侧引脚的封装，长度边界取IC 的非引脚边界即可。丝印框内靠近第一脚打点标记，丝印框外，第一脚附近打点标记，打点线宽视元件大小而定，合适即可。对于QFP 和BGA 封装（引脚在芯片底部的封装），一般在丝印框上切角表示第一脚的位置。 c ）place bound 该区域是为防止元件重叠而设置的，大小可取元件焊盘外边缘以及元件体外侧+20mil 即可，线宽不用设置，矩形即可。即，沿元件体以及元件焊盘的外侧画一矩形，然后将矩形的长宽分别+20mil 。 d ）assembly 该区域可比silkscreen 小10mil ，线宽不用设置，矩形即可。对于外形不规则的器件，assembly 指的是器件体的区域（一般也是矩形），切不可粗略的以一个几乎覆盖整个封装区域的矩形代替。 PS ：对于比较确定的封装类型，可应用LP Wizard 来计算详细的焊盘尺寸和位置，再得到焊盘尺寸和位置的同时还会得到silkscreen 和place bound 的相关数据，对于后两个数据，可以采纳，也可以不采纳。 2、通孔IC a）焊盘 对于通孔元件，需要设置常规焊盘，热焊盘，阻焊盘，最好把begin层，internal层，bottom 层都设置好上述三种焊盘。因为顶层和底层也可能是阴片，也可能被作为内层使用。 通孔直径：比针脚直径大8-20mil，通常可取10mil。 常规焊盘直径：一般要求常规焊盘宽度不得小于10mil，通常可取比通孔直径大20mil （此时常规焊盘的大小正好和花焊盘的内径相同）。这个数值可变，通孔大则大些，比如+20mil，通孔小则小些，比如+12mil。 花焊盘直径：花焊盘内径一般比通孔直径大20mil。花焊盘外径一般比常规焊盘大20mil （如果常规焊盘取比通孔大20mil，则花焊盘外径比花焊盘内径大20mil）。这两个数值也是可以变化的，依据通孔大小灵活选择，通孔小时可取+10-12mil。 阻焊盘直径：一般比常规焊盘大20mil，即应该与花焊盘外径一致。这个数值也可以根据通孔大小调整为+10-12mil。注意需要与花盘外径一致。 对于插件IC，第一引脚的TOP（begin）焊盘需要设置成方形。 b) Silkscreen 与表贴IC的画法相同。 c) Place bound 与表贴IC的画法相同。 d) Assembly 与表贴IC的画法相同。 3、表贴分立元件 分立元件一般包括电阻、电容、电感、二极管、三极管等。 对于贴片分立元件，封装规则如下： a）焊盘 表贴分立元件，主要对于电阻电容，焊盘尺寸计算如下： 常用元器件及元器件封装总结 一、元器件封装按照安装的方式不同可以分成两大类。(1) 直插式元器件封装直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个电路板，从顶层穿下，在底层进行元器件的引脚焊接，如图所示。 典型的直插式元器件及元器件封装如图所示。 (2)表贴式元器件封装。表贴式的元器件，指的是其焊盘只附着在电路板的顶层或底层，元器件的焊接是在装配元器件的工作层面上进行的，如图所示。 典型的表贴式元器件及元器件封装如图所示。在PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层(TopLayer)。在PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层（Top Layer）。 二、常用元器件的原理图符号和元器件封装 在设计PCB的过程中，有些元器件是设计者经常用到的，比如电阻、电容以及三端稳压源等。在Protel 99 SE中，同一种元器件虽然相同电气特性，但是由于应用的场合不同而导致元器件的封装存在一些差异。前面的章节中已经讲过，电阻由于其负载功率和运用场合不同而导致其元器件的封装也多种多样，这种情况对于电容来说也同样存在。因此，本节主要向读者介绍常用元器件的原理图符号和与之相对应的元器件封装，同时尽量给出一些元器件的实物图，使读者能够更快地了解并掌握这些常用元器件的原理图符号和元器件封装。(1)、电阻。电阻器通常简称为电阻，它是一种应用十分广泛的电子元器件，其英文名字为“Resistor”，缩写为“Res”。电阻的种类繁多，通常分为固定电阻、可变电阻和特种电阻3大类。固定电阻可按电阻的材料、结构形状及用途等进行多种分类。电阻的种类虽多，但常用的电阻类型主要为RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻和片状电阻等。固定电阻的原理图符号的常用名称是“RES1”和“RES2”，如图F1-5（a）所示。常用的引脚封装形式为AXIAL系列，包括AXIAL-0.3、AXIAL-0.4、AXIAL-0.5、AXIAL-0.6、AXIAL-0.7、AXIAL-0.8、AXIAL-0.9和AXIAL-1.0等封装形式，其后缀数字代表两个焊盘的间距，单位为“英寸”，如图F1-5（b）所示。常用固定电阻的实物图如图F1-5（c）所示。 第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体 导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带 电荷极性不同，故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面 5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0￡) 00 GO e?；①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时，就会反 向击穿，称之为 反向击穿电压 正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极；N区引出的电极一一阴极 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压一一0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电 流＜0.1叭，锗的开启电压一一0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ，端电压几乎不变，表现出稳压特 性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb｝时号恳竽故审.歸 元件封装库总结 元件名称英文名称（搜索名称）封装型号 电阻Resistance（R或Res）AXIAL0.3-AXIAL0.7 无极性电容Capacitor（C或Cap）RAD0.1-RAD0.4 电解电容Capacitor Pol（Cap Pol）RB.1/.2-RB.5/1.0 电位器（可变电阻）Variable Resistor（VR）VR1-VR5 二极管Diode（D）DIODE0.4- DIODE0.7 TO- 三极管Transistor（NPN或PNP或三极管型 号） 电源稳压块78和79系列7805/7812/7820/7905/7912/7820TO- 场效应管MOS 单排多针插座Header（H或Header）CON/SIP 双列直插元件（各种芯片）芯片型号DIP 外部晶振External Crystal Oscillator（XTAL）XTAL 整流桥Bridge Rectifier（Bridge）D－44/D－37/D－46 1、单位： 长度单位： 电容单位： 电阻单位： 电感单位： 1inch（英寸）=2.54cm 1mil（密耳）=1/1000inch=0.0254mm 2、电阻：RES 封装属性为AXIAL系列：AXIAL0.3-AXIAL0.7，其中0.4-0.7指电阻的长度，如AXIAL0.3则表示直插电阻，脚间距为300mil。一般用AXIAL0.4 ； 3、无极性电容：CAP 封装属性为RAD0.1-RAD0.4 ，其中0.1-0.3指电容大小间距同直插电阻，一般用RAD0.1 ； 4、电解电容：Cap Pol 封装属性为RB.1/.2-RB.5/1.0 ，100uF用 RB.1/.2，100uF-470uF用RB.2/.4，470uF用RB.3/.6 。例如RB.2/.4，其中“.2”（前面的数字）表示焊盘间距为200mil，“.4”（后面的数字）表示电容圆筒的外径为400mil； 个人建议：认真分析几个典型电路，主要掌握晶体管的等效模型，以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了，模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕，开始不要太关注乱七八糟的内容，抓住主要的，次要的回过头来很容易解决。 我现在大三，自动化的。个人建议就是，不要要求每字每句都会，大概的了解那些理论，就可以。在以后的学习中，你会慢慢地发现，理解原来的知识的！ 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短，稳压电路， 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象，其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法，所不同的是，新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件，首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材，一开始都会介绍pn结的特性，个人觉得可以不要太在乎里面的结构，但其特性方程是一定要记得的。然后，二极管比较简单，就是一个单一的pn结，在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决（理想模型、恒压降模型、小信号模型，前两者是用于直流分析的，而最后一个是用于交流分析的）。而对于三极管，就相对来说复杂些，在此本人不想说书上有的东西，只想强调一下学习中该注意的问题： 1、对于三极管，它总共有三种工作状态，当它被放在电路中时，我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。（在模电的习题中，除非那道题是专门地考你三极管的状态，否则都是工作在放大区，因为只有这样，管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中，我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的） 2、既然管子基本在放大区，那么它的直流特性就有：be结的电压为0.7V（硅管，锗管是0.2V），发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系，我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是：ce间电压，三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢？这就要弄清直流和交流之间的关系了：在模电里，我们研究的对象都是放大电路，而其中的放大量都是交流信号，并且是比较微弱的交流信号。大家知道，三极管要工作是要一定的偏置条件的，而交流信号又小又有负值，所以我们不能直接放大交流信号，在此我们用的方法就是：给管子一个直流偏置，让它在放大区工作，然后在直流上叠加一个交流信号（也就是让电压波动，不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动，而是围绕你加的那个直流电压波动），然后由于三极管的性质，就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路：从以上的叙述，我们可以看出分析电路应该分为两部分：直流分析和交流分析。不同的分析下，电路图是不一样的，这是因为元件在不同的量下，它的特性不同。（例如电容在直流下就相当于开路，而在交流下可以近似为短路）。而三极管，在交流下就有一个等效模型，也就是把be间等效为一个电阻，ce间等效为一个受控电流源，其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了 常用元器件封装— 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的文章概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再 集成电路封装形式介绍(图解） BGA BGFP132 CLCC CPGA DIP EBGA 680L FBGA FDIP FQFP 100L JLCC BGA160L LCC LDCC LGA LQFP LQFP100L Metal Qual100L PBGA217L PCDIP PLCC PPGA PQFP QFP SBA 192L TQFP100L TSBGA217L TSOP CSP SIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征和DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也和DIP基本相同. S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778mm,芯片集成度高于DIP. SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征和DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚插脚,如同针栅.插脚节距为2.54mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚. 用于高速的且大规模和超大规模集成电路. SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为 1.27mm. MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm. QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为 1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上. SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部和PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm. LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高 速,高频集成电路封装. PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装. SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为 1.27mm. BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚. 焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,和PGA相比,不会出现针脚变形问题. CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等. TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并和布线相连接的封装.和其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上. 介绍： 模电课程设计心得体会范文 【模电课程设计心得体会范文一】 时间总是过得很快，经过一周的课程设计的学习，我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器，这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子，不仅面临着期末考试，而且中间还有一些其他科目的实验，更为紧急的是，之前刚做完protel99的课程设计，本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说，显得很重。昨天刚考完复变，为了尽快完成模电的课程设计，我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难，为了尽快掌握它的用法，我照着原理图学习视频一步一步做，终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图，但离实际应用差距较大，有些器件很难找到，后来到网上搜索了一下相关内容，顺便到学校图书馆借相关书籍，经过不断比较与讨论，最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图，并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。在做电路仿真时，我画好了电路原理图，修改好参数后，创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行，后来请教同学，他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的，开始是创建网络表时出现问题，后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的，这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线，我弄了一晚上也找不出原因，整个人也显得焦躁不已。 接下来，开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊 接实物，以为会比较轻松，但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同，要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线，增加了很大的难度。由于采用了电路板，为了使步线美观、简洁，还真是费了我们不少精力，经过不断的修改与讨论，最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子，我发现从刚开始的matlab到现在的pspice，不管是学习哪种软件，都给我留下了很深的印象。由于没有接触，开始学得很费力，但到后来就好了。在每次的课程设计中，遇到问题，最好的办法就是问别人，因为每个人掌握情况不一样，不可能做到处处都懂，发挥群众的力量，复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会，在很多时候，我遇到的困难或许别人之前就已遇到，向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。 虽然最终实物做出来了，但这并不是我一个人做出来的。通过这次课程设计，我明白了一个团队精神的重要性，因为从头到尾，都是大家集体出主意，来解决中间出现的各种问题。从原理图的最终敲定，到波形的仿真，到元器件的选择与购买，到最后实物的焊接与调试，这都是大家分工合作的结果，正是因为大家配合得默契，每项工作都完成得很棒，衔接得很好，才使我们很快的完成了任务。尽管现在只是初步学会了高保真音频功率放大器设计，离真正掌握还有一定距离，但学习的这段日子确实令我收益匪浅，不仅因为它发生在特别的时间，更重要的是我又多掌握了一门新的技术，收获总是令人快乐，不是吗? 【模电课程设计心得体会范文二】 在这次的模电课程设计中，我们对模电数电有了更清晰的认识。但是在一开始看见题目的时候，还是比较头疼的，不知道如何下手，但是随着慢慢的摸索，思路慢慢的出现了。这之间变化还是蛮大的，从最开始的不愿意动手到后来的因为 元件封装库总结公司内部档案编码：[OPPTR-OPPT28-OPPTL98-OPPNN08] 元件封装库总结 1、单位： 长度单位：1m=102cc=103cc=106cc=109cc=1012cc 电容单位：1F=103cc=106cc=109cc=1012cc 电阻单位：1Ω=103cΩ=106cΩ=109cΩ=1012cΩ， 1cΩ=103cΩ 电感单位：1H=103c H=106c H=109c H=1012c H 1inch（英寸）= 1mil（密耳）=1/1000inch= 2、电阻：RES 封装属性为AXIAL系列：，其中指电阻的长度，如则表示直插电阻，脚间距为300mil。一般用?； 3、无极性电容：CAP 封装属性为?，其中指电容大小间距同直插电阻，一般用?； 4、电解电容：Cap Pol 封装属性为.?，100uF用?.2，100uF-470uF用.4，470uF用.6?。例如.4，其中“.2”（前面的数字）表示焊盘间距为200mil，“.4”（后面的数字）表示电容圆筒的外径为400mil； 5、贴片钽电容： 6、贴片电阻?/电容：RES/CAP 7、电位器：VR 封装属性为VR1-VR5?； 8、二极管：DIODE 封装属性为(小功率)，(大功率)?，指二极管长短，一般用?； 9、三极管：NPN/PNP 三极管直接看它的外形及功率可以查阅对应型号的晶体管资料来确定封装，一般来说大功率的晶体管用TO-3。中功率的晶体管?，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66。小功率的晶体管用TO-5?，TO-46，TO-92A等都可以； 10、电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等?，79系列有7905，7912，7920等? 常见的封装属性有TO-126h和TO-126v?，具体见芯片技术文档； 11、整流桥：BRIDGE1，BRIDGE2 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）； 12、发光二极管：.2?； 13、直插芯片：DIP8-DIP40,?其中8-40指有多少脚，例如8脚的就是DIP8?； 常用的集成IC电路有DIP封装，就是双列直插的元件封装。例如DIP8，为双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是 100mil（）； 14、贴片芯片： 封装属性为QFP，后面接引脚个数，例如QFP144即144个引脚；protel99se常用元件封装总结大全
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