模电复习总结及四套试卷(附详细解答)

模电复习总结及四套试卷(附详细解答)
模电复习总结及四套试卷(附详细解答)

1、杂质半导体中,多子浓度由杂质的含量决定,少子的浓度主要由温度决定。

2、PN 结未加外部电压时,扩散电流等于漂流电流,加正向电压时,扩散电流大于漂流电流,其耗尽层变薄;加反向电压时,扩散电流小于漂流电流,其耗尽层变厚。

3、稳压二极管:利用反向击穿特性,rz (动态电阻)愈小,则击穿特性愈陡,稳压特性愈好。

场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的饱和区。 4、穿透电流 ICEO 是指基极开路,集电极与发射极之间加反向电压时,从集电极穿过基区流入发射极的反向饱和电流。ICEO 是衡量三极管性能稳定与否的重要参数之一,其值愈小愈好。 ICBO 和ICEO 与温度密切相关。

4、IDO 是vGS=2VT 时的漏极电流

IDSS 为饱和漏极电流,是vGS=0时耗尽型MOS 管的漏极电流。

前者是增强型

MOS

管,后者是耗尽型MOS 管。

5、复合管的连接原则:连接后各管内电流能顺利流通,且具有电流放大作用。

6、非线性失真 — 截止区:缩顶;可变电阻区:削顶

7、注意低频小信号模型:

① 只适用于低频小信号下。

② 用来求变化量 或 交流分量(动态分量)。 ③ 各微变参数,与Q 点有关,不是固定常数。

2)1(-=T GS DO D V v I i 2)

1(P GS DSS D V

v I

i -

=增强型耗尽型

种类电压

NMOS PMOS N 结型P 结型NMOS PMOS

v GS 正负负正负(或正)正(或负)v DS

正负正负正负

④ 电流源“gm ΔvGS ” 方向和大小由ΔvGS 决定 8、

9、共集电路常用作输入级 、 输出级、中间隔离(缓冲)级。 第一级为CC 电路时,应考虑第二级输入电阻的影响, Ri = Ri1

当末级电路为CC 电路时,应考虑末前级输出电阻的影响.,Ro = Ro n 。 10、高频段,f >> fL , 则

对数幅频特性(曲线):20lg | AusH | = 20lg | Ausm | -20lg [1+( f /fH )2 ]1/2 (dB)

对数相频特性(曲线):H

f f

arctan

-=? (A

f jf f jf

H

H

-=+111)

11、

① 变压器反馈式LC 正弦震荡器:

一定要注意两个电感都要有耦合电容,防止静态工作点出现问题。

② 对于整流、滤波电路,一定要看清楚有无负载。

③ 画波特图时,一定要看清楚是什么组态(特别注意共射放大电路)。 ④ 功放电路,看清楚求一个管子,还是两个管子的管耗。

12、对于P 沟道的场效应管,当分析工作在哪个区时,只需要画出第三象限的转移特性曲线即可。

13、对功率放大电路的比较。

① 甲类功放:单管电路,功率转换效率很低(理想效率为25%)。(导通角θ=2π) ② 乙类功放 单电源供电电路(OTL):增加了一个大容量电容 (互补对称式) 双电源供电电路(OCL): 导通角为π

电压增益 输入电阻 输出电阻 特 点 用 途

共射 (CE) 反相,

电压增益大 较大 (几千欧) 较大 ( R c ) 既有电压放大作

用,又有电流放

大作用 应用广泛,

中间级

共集 (CC) 同相, 近似为1

最大

最小

输入电阻高、 输出电阻低 阻抗变换或电流放大 共基 (CB) 同相,

电压增益较大 最小 (几十欧)

较大 ( R c

)

频率特性好

宽频或高频放大电路

缺点:易产生交越失真。

注:OTL 要求输入端的静态电压为Vcc/2,OCL 电路的输入端不需要静态电压。 ③ 甲乙类功放:克服交越失真。(导通角在ππ2和之间)

(注意:当两个二极管有一个虚焊时,两个三极管就会因管耗过大而损坏)。 14、温度对三极管输入、输出特性的影响

Ube 减小,β和CEO I 均增大。

16、当放大电路输入非正弦信号时,由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真称为幅频 失真,由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为相频失真,这两种失真统称为频率失真或线性失真。

注意与晶体管非线性特性引起的饱和和截止失真不同。 17、A 为开环增益,F 为反馈系数; AF 称为回路(或环路增益); 1+AF 称为反馈深度; AF

A

A f +=

1称为闭环增益。

18、负反馈只能抑制环路范围内的扰动,负反馈对输入信号中的噪声不起作用。

19、并联负反馈后的输入电阻是减小的,Rif=Ri/(1+AF )。在深度负反馈条件下, Rif =0(从

求和点看进去)。

串联负反馈后的输入电阻是增大的,Rif=(1+AF)Ri 。在深度负反馈条件下, Rif = (从求和点看进去)。

20、 通用运算放大器的输入级一般均采用差动放大器,其目的是稳定直流工作点,抑制零点漂移。主要运用的是参数对称的对管子。

21、 低频转折频率的个数由放大电路中的耦合电容和旁路电容个数所决定,高频转折频率的个数由放大电路中的极间电容个数所决定。其数值则取决于各电容所在回路的时间常数。 22、 为了得到良好的正弦波形,采取的的两个措施:

(1)选频网络:让两个振荡条件只在某一特定频率0f f =满足,而在其它频率下至少有一个不满足。选频网络可以包含在基本放大器中,也可以设置在反馈网络中。(RC 串并联电路构成正反馈,同时又起选频作用。)

(2)稳幅环节:使环路增益随振荡幅度的增大而自动下降,并最终达到|AF|=1(振荡平衡条件)的稳定状态。

23、电感三点式振荡器的优点是电路容易起振,缺点是波形不太好。 (电感一定要接电容) C

M L L f )(21

21++=

π

电容三点式振荡器的优点是波形较好(因电容C2 滤去高次谐波),缺点是电路不易起振。 (反馈电压取自C2,满足振荡的相位条件)2

121021C C C C L

f +=

π

一般来说,谐振的电容小于旁路和耦合电容。

24、输出功率:功率放大电路提供给负载的信号功率 若输入为正弦波,输出功率是交流功率。 电源提供的功率:电源输出电流平均值及其电压之积,是直流功率。

转换效率:输出功率与电源提供的功率之比 。 25、功率管的选取:

(1)管子的功耗PCM >0.2Pomax

(2)功放管的耐压V (BR)CEO >2VCC 。(OCL 电路) (3)功放管允许的最大集电极电流L

CC

CM R V I >

24、线性串联型稳压电路。

比较放大电路输入的是:基准电压与取样电压的差值。 25、调整管T 的选取:

最大集电极电流'

(max)I I I L CM +=

最大管耗(max)(min)(max)(max)(max)*][*C O I C CE CM I V V I V P -==(近似)

(min)(max))(O I CEO BR V V V ->

26、滞回比较器

Vth 和Vtl 是比较器的两个阈值电压。

注意:为了提高比较器的灵敏度和反应速度,电压比较器不仅没有引入负反馈,有时甚至引入正反馈,运放工作在开环或正反馈状态,因此绝大多数情况下处于非线性工作范围, 不存在“虚短”等深度负反馈概念,但“虚断”仍能用。

反相与同相滞回比较器的区别是,输入电压在同相还是反相端。 27、图a 同相端无直流偏置,需加接一电阻到地 4 图b RL 与R 的位置应互换

图c 为正反馈电路,应将同相端和反相端位置互换 图d C 与DZ 间应加限流电阻R (稳压电路的图)

图e 基准电压应从运放同相端输入,取样电压应从运放反相端输入(还是负反馈)。 28、直流负反馈是指直流通路中的反馈。

呈电感性的石英晶体可以代替电容三点式的电感,形成并联型石英晶体正弦振荡器。

29、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其静态电阻小,交流电阻大的特点以获得较高增益。

《模拟电子技术基础(一)》期末试题〔A 〕

一、填空题(15分)

1.由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。

3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、

、 这几个部分组成。

4.某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz 。

5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。

6.在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大

倍数要略大于 才能起振。

7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的

输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。

二、单项选择题(15分)

1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ]

A 增大

B 减小

C 不变

D 等于零

2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ]

A 非饱和区

B 饱和区

C 截止区

D 击穿区

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ]

A 电阻阻值有误差

B 晶体管参数的分散性

C 晶体管参数受温度影响

D 受输入信号变化的影响

4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ]

A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;

B 既放大差模信号,又放大共模信号

C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号;

D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。

5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ]

A 电压放大倍数高

B 输出电流小

C 输出电阻增大

D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小

C 在集成工艺中难于制造大电容

D 可以增大输入电阻

7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ]

A 耦合电容和旁路电容的影响

B 晶体管极间电容和分布电容的影响

C 晶体管的非线性特性

D 放大电路的静态工作点设置不合适

8.当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时,放大倍数的数值将下降到中频时

的 。

A 0.5倍

B 0.7倍

C 0.9倍

D 1.2倍 [ ]

9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ]

A 输入电阻增大

B 输出量增大

C 净输入量增大

D 净输入量减小

10.带通滤波器所对应的幅频特性为 。 [

] A 、 B 、

C 、

D 、

三、判断以下电路能否放大交流信号,若不能,请改正其中的错误使其能起放

大作用。(12分)

A VMAX f o A V

A V A VMAX A VMAX

A VMAX A V A V

o o

o f f f

(A )

(B )

(C )

四、请判断下列电路中的反馈的类型,并说明哪些元件起反馈作用。(8分)

(A ) (B )

五、综合题(50分)

1.(6分)稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为V Z =6V ,稳定电流

范围为I Z =5~20mA ,额定功率为200mW ,限流电阻R=500Ω。试求:

(1) 当?1,200=Ω==V K R V V L i 时, (2) 当?100,200=Ω==V R V

V L i 时,

2、(14分)单级放大电路如图:在输入信号的中频段C 1、C 2、C 3对交流短路,

已知:V CC =12V 、R 1=150K Ω 、R 2=150K Ω、R C =5.1K Ω、R e =2K Ω、R L =10K Ω、β=100、C 1=C 2=C 3=10μF 、C μ=5PF(即C bc ) 、 f T =100MH Z 、V BE =0.7V 、 r bb ’=200Ω, 试求:

(1)放大电路的Q 点参数; (2)画出交流小信号等效电路,

求O i V R R A ,,的值;

(3)求电路上限频率H f ;

(4)若C 2断开,将对Q 点,O i V R R A ,,

产生何种影响?

3、 (10分)OCL 功率放大电路如图,其中A 为理想运放。

已知V V V VCES CES 121==,R L =8Ω。

(1)求电路最大输出功率OMAX P (2)求电路电压放大倍数

i

O

V V V A =

=? (3)简述D 1 、D 2的作用

4、 (10分)判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路,简述整个电路的工作

原理,并定性地作出V O1,V O2处的波形。D Z1,D Z2的稳压值均为V Z (注:各运放为理想运放,已加电).

5、(10分)如图所示电路中,开关S 可以任意闭合、断开,集成运放是理想的,设T1T2工作在放大区(忽略其直流偏置),R C1=R C2=2K Ω,R 1=2K Ω,R 3=10K Ω,R b1=R b2=2K Ω,R e =5.1K Ω,R f =10K Ω,β1=β2=100,r be1=r be2=1k Ω 试求:⑴ 当S 断开时,电路的增益A V =V O /V I =?

⑵ 当S 闭合时,电路在深度负反馈条件下的闭环增益A VF =?

《模拟电子技术基础》期末试题〔A 〕

参考答案

一、填空题

1、单向导电性

2、V BE > 0

V BC < 0

3、共集电极、共基极电路

共集电极路 共基极电路

4、输入级、中间级、输出级、偏置电路

5、

2H L

ωωπ

- 6、静态电阻小,交流电阻大 7、2n φπ=

3

8、一次

一次

9、电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路 二、单项选择题

1、(A )

2、(B )

3、(C )

4、(A )

5、(D )

6、(C )

R C

R 2

R 1

I BQ I CQ

I EQ

V cc

7、(B ) 8、(B ) 9、(D ) 10、(C )

三、判断题

(1) A 图 不能放大交流信号,改正:去掉C 1,将+V CC 改为-V CC

B 图 能够放大交流信号 (2) A 图 电流串连负反馈

B 图 电流并联正反馈 四、综合题

1、解:① 假设D z 能稳压,设V 0 = 6V

有20614

28500500

R V I mA -=

==Ω 062828221DZ R RL L V V

I I I mA mA mA R K =-=-

=-=Ω

226132200DZ DZ DZ P I V mA V mA mW ∴=?=?=<

∴D Z 能稳压,V 0 = 6V ②假设D z 能稳压,V 0 = 6V

20628500R V

I mA -==Ω 660100

RL

V I mA == 286032DZ R RL I I I mA mA mA ∴=-=-=-

∴D Z 不能稳压,又工作在反偏条件下,视为断路。

02100

20 3.3500100

L L R V V V R R ∴=

=?=++ 2、解:① 画出直流通路求Q 点参数得:

12(1)()()CC BQ C E BEQ BQ V I R R V I R R β=+?++++

12120.711.3(1)()()

100(52)300CC BEQ

CC C E V V V V

V A R R R R K

μβ-+∴=

=

=++++++

(1)10011.3 1.13EQ BQ I I A mA βμ=+=?=

(1)()12 1.137 4.09CEQ CC BQ C E V V I R R V V β=-++=-?=

26(1)

100 2.31.13T b e EQ V mV

r K I mA

β'=+=?=Ω 200 2.3 2.5be bb b e r r r K K ''=+=Ω+=Ω

②画出小信号等效电路如图所示,并据此求出A V 、R i 、R 0

2////150//5//10991322.5C L V be R R R K K K

A r K

β

=-=-?=-

1//150//2.5 2.46i be R R r K K K ===Ω 2//150//5 4.84o C R R R K K K ===Ω

③画出混合π等效电路,求上限载止频率f H :

99

100,432.3T b e

f MHz gm ms r K

β

'==

=

=且 6

4.368.52 6.2810010

T gm ms

G pF f ππ∴=

==?? (1)68(143150//5//10)578L C C gmR C pF K K K pF pF

π

μπ''=++=++??=

1//() 2.3//(0.2150) 2.3T b e bb R r r R K K K K ''=+=+=

R 1

V i

- r b ′e R 2 V O -

R C R L

C π

' R 1

V i

+

-

r be R 2

V O + -

R C R L

i b

βi b

41211

8.775102 6.28 2.3860.51087.75H T f Hz R C K KHz

ππ-∴=

==?'???=

④若C 2断开,对Q 点无影响,但R 1、R 2构成电压并联负反馈则V A ↓、

i R ↓、0R ↓

3、解:由电路看,A 为同相比例放大电路,后级为OCL 功率放大电路,则

①22

max

()(121)7.56228CC CES o L V V V P W R --===?Ω

0010011

(1)110(1)162F V i i V V V R A V V V R K

K

==?=+?=+

?=

③D 1、D 2的作用是消除交越失真

4、答:电路中A 1为方波发生器电路,后级A 2为反相积分电路,这一电路的功能是作波形产生与变换,可以将方波变换为三角波。

其中V 01、V 02的波形如下:

5、解:① 当S 断开时,反馈不存在,电路为一差放和一反相放大器的级联

其中:11111002//2202220.5

L V b be R K K A R r K β'-?=?

=-?=-++ O V 01

t

O V 02

t

21

1052f V R K

A R K

=-

=-

=- 0

12100V V V i

V A A A V ∴=

=?= ②当S 闭合时,R f 起电压串联负反馈作用,在温度负反馈条件下:

1

Vf f

A R = 2221

2211b f b f R K R R R K =

==+

1

11V f

A R ∴=

=

《模拟电子技术基础(二)》期末试题〔A 〕

一、单项选择题(24分,每空1.5分)

(请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内)

1.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I s 将增大,是因为此时PN 结内部的 。 [ ]

A 多数载流子浓度增大

B 少数载流子浓度增大

C 多数载流子浓度减小

D 少数载流子浓度减小

2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v ,其两端施加的电压分别为+5v (正向偏置)和-5v (反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为 。[ ]

A +5v 和-5v

B -5v 和+4v

C +4v 和-0.7v

D +0.7v 和-4v

⒊ 根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v ,V E = -7v ,V C = -4v ,可以判定此晶体管是 管,处于 。 [ ]

A NPN 管,饱和区

B PNP 管, 放大区

C PNP 管,截止区

D NPN 管, 放大区

⒋ 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区

⒌ 在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: 。

[ ]

A 共发射极电路的A V 最大、R I 最小、R O 最小

B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小

C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大

D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大

⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。 [ ]

A 电阻阻值有误差

B 晶体管参数的分散性

C 晶体管参数受温度影响

D 受输入信号变化的影响

7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是,而提高共模抑制比.

[ ]

A 抑制共模信号;

B 抑制差模信号;

C 放大共模信号;

D 既抑制共模信号又抑制差模信号;

8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。 [ ]

A 电压放大倍数高

B 输出电流小

C 输出电阻增大

D 带负载能力强

9.集成运放电路的实质是一个的多级放大电路。 [ ]

A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有

10.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是。 [ ]

A 耦合电容和旁路电容的影响

B 晶体管极间电容和分布电容的影响

C 晶体管的非线性特性

D 放大电路的静态工作点设置不合适

11.在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的是负反馈。 [ ]

A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小

12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其的特点以获得较高增益。

[]

A 直流电阻大、交流电阻小

B 直流电阻小、交流电阻大

C 直流电阻和交流电阻都小

D 直流电阻大和交流电阻都大

13、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大

倍数必须满足才能起振。[]

A A V = 1

B A V = 3

C A V< 3

D A V>3

14、迟滞比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,

其输出状态将发生次跃变。[]

A 1

B 2

C 3

D 0

15.当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用滤波器。 [ ]

A 低通

B 高通

C 带阻

D 带通

16.串联型稳压电源正常工作的条件是:其调整管必须工作于放大状态,即必须满

足。[]

A V I = V O + V CES

B V I< V O + V CES

C V I≠ V O + V CES

D V I> V O + V CES

二、判断题:(共18分)

1.(6分)组合电路如图2-1所示:

判断图中电路的各晶体管T1、T2、T3分别构成何种组态的电路?

2.(12分)请判断如图2-2电路中:

(1)是否存在反馈?

(2)若有,请判断有几条反馈通路?

(3)分别是什么反馈类型?对电路有什么影响?

图2-1 图2-2

三、综合题(58分)

1、(12分)单级放大电路如图3-1:在输入信号的中频段C1、C

2、C足够大且对交流短路,试求:

(1)该放大电路的I BQ,I CQ,V CEQ的表达式;

(2)画出该放大电路的交流小信号等效电路,并推导出A V、R I、R O的的表达式;

(3)该电路为何能稳定工作点?若要提高电压增益,可采取哪些措施?

2.(8分)组合电路如图3-2,已知:V CC = 9V,晶体管的V CES1 = V CES2 = 1V,R L = 8Ω,

(1) T1、T2构成什么电路?

(2) D1、D2起何作用?

P= ?

(3)若输入电压U I足够大,求电路最大输出功率

OMAX

图3-1 图3-2

3.(10分)图3-3中的各运放为理想运放,已知:V D = 0.7v,Vom = ±15v;

(1) 试定性画出V O随V I变化的传输特性图。

(2) 试分别写出当V I>0和V I<0时,电路的V O与V I的关系式。

图3-3

4. (16分)组合电路如图所示,集成运放是理想的,请做如下分析:

(1) T1和T2,T3和T4各构成什么电路?理想运放A 又构成什么电路? (2) 试计算I O ,U C2Q (A 点对地的直流电压)的数值,

设U BEQ = 0.7v ,U CC = 12v , R 2 = 2K Ω。

(3) 写出整个电路的电压增益A U = U O /U I 的表达式

(4) 为进一步提高输出电压的稳定性,增大输入电阻,试正确引入合理的负反馈类型(请在电路中画出反馈通路);

(5) 估算电路在引入合理的反馈(假设为深度负反馈)后的闭环增益 A UF = ?(推导表达式)

图3-4

5.(12分)电路如图3-5所示:各运放为理想运放,D Z1,D Z2的稳压值均为

V Z =±6V ,开关S 1和S 2在t = 0以前均掷于①,此时U O = -6V 。

(1) 在t = 0时刻将开关S 1和S 2改掷于②之后,判断A1、A2各是什么单元电路, (2) 在t = 0时刻将开关S 1和S 2改掷于②之后,试问经过多少时间便由原来的-6V 跳

变为+6V ?并定性地作出U O1,U O 处的波形。

T 1 T 2 T 4 T 3

图3-5

《模拟电子技术基础(二)》期末试题〔A 〕

参考答案

一、单项选择题

1、(B )

2、(D )

3、(B )

4、(B )

5、(B )

6、(C )

7、(A )

8、(D )

9、(B )

10、(B ) 11、(D ) 12、(B ) 13、(D ) 14、(A )

15、(B )

16、(D ) 二、判断题

1、答:1T 管构成共基极放大电路; 2T 管构成共发射极放大电路; 3T 管构成共集电极放大电路。

2、答:① 存在反馈。

② 有两条级间反馈,分别是3R 、7R 、2C 支路和2R 、4R 支路; 有三条本级反馈,分别是2R 、6R 、9R 支路。 ③ 各反馈支路的类型及对电路的影响如下:

3R 、7R 、2C 构成电压并联负反馈,是直流反馈,因此可以稳定直流静态工作点。

4R 、2R 是构成交直流的电流串联负反馈,因此可以稳定输出电流,增大输入电阻,增大输出电阻,减小电压增益,扩展电路的通频带,减小非线性矢真等。

2R 、6R 、9R 分别为各级的本级直流电流串联负反馈,可以稳定各级直流输出电流,抑制各级本身的温度漂移。 三、综合题

1、解:① 画出直流通路如下图,求解各Q 点参数:

2

12

BQ CC R V V R R =

?+

()()55

345

1BQ BEQ

EQ CQ

BQ BEQ

BQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=

+=-+-

② 画出交流小信号等效电路如图:

()

()()'4

5

12504

11////1T be bb EQ

v be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-

++=++????=

③ 由于该电路具有分压式偏置电路,BQ V 固定不变,静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用,可以自动跟踪CQ I 的变化,使晶体管的Q 点受温度的影响减小,从而进一步稳定了工作点。 若要提高输出电压增益,可以采取以下措施: a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路;

R 5

R 2

R 1 R 3 R 4

V BQ

V CC

R 1 R 2

R 4

R 5

r be

i b βi b

+V 0

-

-

+ V i

b 、更换β值更高的晶体管;

c 、 在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ,以减小交流发射极电阻,进一步提高交流电压增益。

2、解:(1)1T 、2T 构成互补对称输出级电路;

(2)1D 、2D 的作用是为1T 、2T 提供预偏置,使1T 、2T 微导通而达到消除交越失真的目的;

(3)当输入电压足够大时,电路的最大不矢真输出功率为:

()()2

2

max

914228

CC CES

o L

V V P w R --==

=?

3、解:(1)当i V >0时,0102,i om V V V V ==-

此时D 截止而断开,R 支路无电流,则0i V V =;

(2)当i V <0时,0102,i om V V V V ==+ 此时D 导通,2A 构成反相比例运算电路,有:

03i i R

V V V V R

+==-=-

所以,从上述两方面的分析,再考虑到运放的饱和值15V ±,可以画出0V 随i

V 变化的传输特性图为:

(3)O V 与i V 的关系式为:

0i V V =000,i i

i

i V V V V V >=??

<=-?0当时,V 当时 4、 解:

O

V 0

V i

45°

15V

45°

(1)1T 、2T 构成差分放大电路;3T 、4T 构成比例式镜像电流源电路;同时作为差放的长尾,理想运放A 构成同相比例运算电路。 (2)()40350120.7112 4.61R V R K I i mA R K K K

---=

=?≈+ V K mA V R I U R I U U CC Q C CC Q c 1125.0122

20

222=Ω?-=-

=-= (3)整个电路的电压增益为:020

2

od U i i od U U U A U U U =

=? 其中

()()()()26262211////1

211od od i i be be R R R R U V V U R r r R r r βββαβ=??=?++++++????

又6

262

od R U U R R +=

?+

且8

8627762(1)1o od R R R U V U R R R R +????=+=+? ? ?+?

???

()8626

7621//112(1)U be R R R R A R R R R r r ββ??????∴=++?

? ???++++??????

(4)为进一步提高输出电压的稳定性,增大输入电阻,现引入电压串联负反馈f R ,反馈通路如下图红色支路所示:

(5)设f R 引入深度电压串联负反馈,则采用分离法:

10

11

1

1f vf f

f vf vf V R R V R R R A R R =

=

+∴=

=+

R f

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模电总结复习资料

第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电复习总结解析

第二章 信号的运算与处理 一、分析依据 运算放大器的理想特性和工作在深度负反馈下的两个概念 ① Ri 很大,Ro 很小,A 很大 ② 虚短——在深度负反馈的条件下,运放的两输入端的电压差为零 即 u N =u P ③ 虚断——运放的两输入端不取用电流。 即 i N =i P =0 1)节点电流法 对电路中的任一节点,直接连接于该节点的所有支 路的电流之代数和恒等于零。 2)叠加原理 由两个或多个信号源所产生的响应表示为每一个信号源单独作用时所产生的响应之和。 二.基本运算电路 1.分析设计公式 1)反相比例运算电路 R 2 =R 1//R f 2)同相比例运算电路 R 2=R 1//R f 3)反相求和运算电路 R 4=R 1//R 2//R 3//R f 4)同相求和运算电路 R 1//R 2//R 3//R 4=R f //R 5 5)加减运算电路

R 1//R 2//R f =R 3 //R 4//R 5 6) 基本差动放大电路 i N v I2 +v O - R L R 3 R 4 +-A v I1 R 1i P v P v N R 2 R 1 = R 2 R 3 =R 4 R 3v O = (v I2-v I1) R 1 7)仪用放大器 R 1 + - A 1 v O v 1 R 2R 3 R 4 + -A 3 v O1 R 2 + -A 2 v 2 v O2 R 4 R 3R 4 2R 2v O =- (1+) (v 1-v 2) R 3 R 1 2.电路特点及设计注意事项 三、其他应用 1. 积分运算 2. 微分运算 3.绝对值运算电路 第三章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si 、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

模电知识要点总结_期末复习用_较全面[适合考前时间充分的全面复习]

模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳

模电课程总结

模电课程总结报告 一学期模电课也终将结束了,而我对模电这门课也是从无知到课程中期的担忧抗拒,到现在的所谓有所收获。对比上学期的数电,我觉得模电的难度要大一些,学习方法也有很大不同。 课程学习方法 1.上课认真听讲,虽说老师讲的内容和书上的叙述大同小异,但是从听觉和视觉两方面得 来的信息比自己看更有效,上课的互动也能加深学习印象,更重要的是模电离不开电路,单纯看课本而没有老师的讲解需要花费很长时间,有时弄不懂就糊弄过去了。课上也会有一些补充内容和习题,比如这次期中的最后一题老师也在课堂上提到过,但是很少有人注意到。 2.要有个线索,建立自己的知识树,注意前后的联系,不要脱节。比如:半导体材料的性 质,半导体构成的元件,半导体元件组成的放大电路,处理电路。前后紧密相连,环环相扣,围绕着一个核心问题:信号的放大,运算,处理,转换,产生。在学习的时候,一定要从前往后切实的掌握基本概念,理解每个参数的物理意义。 3.重点把握典型的基本电路及分析方法,掌握工作原理,结构特点,性能特点。比如典型 的差分电路,多级放大电路的基本组成,各种功率放大电路等,唯有如此,才能对它们的改进电路和类似电路做进一步的分析。 4.结合实验课和multisim仿真,这也是模电数电的一个重大区别,数电电路复杂,但是一 旦接对结果一定正确,而模电虽然电路简单,但是即使设计和电路都正确,结果还是出不来。这时就要具体分析电路,哪里可能存在误差或者自激振荡或者参数不合适,在这个过程我们对电路有了更加深入的认识。而multisim更是我们学习的好帮手,可是讲的各种特性还有电路都可以自己来仿真一遍,一方面对这些元件有个初步的认识,另一方面对参数的设置有具体的把握。 课程学习成效 1.会看:电路的识别及定性分析,首先根据电路特征判断其属于哪种电路,然后根据电路 特点判断其性能特点。 2.会选:在已知需求情况下选择电路形式,在已知功能情况下选择元器件类型,在已知性 能指标情况下选择电路参数。常结合会看来选,比如选择合适的放大电路,应根据动态静态,带负载能力输入电阻大小等来选择,选择负反馈电阻也要根据是稳压还是稳流,带负载能力,输入电阻等来选择。 3.会算:电路的定量分析,例如对于放大电路会求解静态工作点,Au,输入输出电阻,上 下限截止频率,会画出交直流等效电路;对于运算电路会求解运算关系等 4.会调:电路参数的调节和设置,主要在放着呢和实验中会根据实验现象来调节合适的参 数,比如放大电路发生失真时判断是顶部还是底部失真,是由于哪些因素引起,相应调节对应参数 5.会设计:能够根据要求设计相应功能的电路,这是一个综合的富有创新性的能力。比如 设计一个求解微分方程的电路,设计一个电压表等。 课程学习感受 我觉得模电是一门知识点杂多,但是主线清晰的学科,具有很强的工程性和实践性,对于我来说还是很有难度和挑战性的,但是迎难而上收获才会更多!

模电知识点归纳2(完全版).

第一章常用半导体器件 1. 什么是杂质半导体?有哪 2种杂质半导体? 2. 什么是 N 型杂质半导体?在 N 型半导体中, 掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P 型半导体? 3. 什么是 P 型杂质半导体?在 P 型半导体中, 掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为 N 型半导体? 4. 什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5. 二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6. 理想二极管的特点? 7. 什么是稳压管?电路符号?正向导通, 反向截止, 反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压 Uz 指的是什么?稳定电流 Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8. 二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1二极管的开关电路, D 为理想二极管,求 U AO

(2二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形 (3二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (4二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压

如果图中四个二极管全 部反过来接, 求负载上 输出电压的平均值? (5二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 (6二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形

求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压 9. 什么是晶体管?它的结构和电路符号? (见教材 P29页 , 晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么? 10.晶体管有哪三种工作状态?如果已知β=50, I CS =3mA, U CES =0.3V 则以下晶体管分别工作在什么状态? I C 为多大? 第二章基本放大电路 1. 利用晶体管的电流放大作用, 可以组成哪三种基本放大电路?如何判断放大电路的接法

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模电总结复习资料

模电总结复习资料 1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。 *死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。 3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

模电知识点归纳2(完全版).docx

第一章常用半导体器件 1 .什么是杂质半导体?有哪 2 种杂质半导体? 2 .什么是 N 型杂质半导体?在N 型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为 P型半导体? 3 .什么是 P 型杂质半导体?在P 型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4 .什么是 PN 结? PN 结具有什么样的导电性能? 5 .二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6 .理想二极管的特点? 7 .什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳 定电压 Uz 指的是什么?稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么? 8 .二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。 (1 )二极管的开关电路, D 为理想二极管,求U AO (2 )二极管的限幅电路

D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形(3 )二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4 )二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波 形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9 .什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29 页),晶体管是一种电流控制器件, 用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控 制方程是什么?

(完整版)模电学习心得集

个人建议:认真分析几个典型电路,主要掌握晶体管的等效模型,以及在电路中怎么等效。其他的都很容易解决了。只要会等效了,模电就是完全是电路的内容。其实一点都不可怕,开始不要太关注乱七八糟的内容,抓住主要的,次要的回过头来很容易解决。 我现在大三,自动化的。个人建议就是,不要要求每字每句都会,大概的了解那些理论,就可以。在以后的学习中,你会慢慢地发现,理解原来的知识的! 二极管的特性、晶体管的基本放大电路、集成运放的虚断虚短,稳压电路, 电路中电阻电容等器件的作用.... 笔试通常都考这些~~ 首先该明白这门课的研究对象,其实这门课可以说是电路理论的延伸。其中要运用到电路理论的分析方法,所不同的是,新增加了不少复杂的电气元器件。 说到元器件,首先接触到的便是二、三极管。不论哪种版本的教材,一开始都会介绍pn结的特性,个人觉得可以不要太在乎里面的结构,但其特性方程是一定要记得的。然后,二极管比较简单,就是一个单一的pn结,在电路中的表现在不同情况下可以用不同的模型解决(理想模型、恒压降模型、小信号模型,前两者是用于直流分析的,而最后一个是用于交流分析的)。而对于三极管,就相对来说复杂些,在此本人不想说书上有的东西,只想强调一下学习中该注意的问题: 1、对于三极管,它总共有三种工作状态,当它被放在电路中时,我们所要做的第一件事就是判断它在所给参数下的工作状态。(在模电的习题中,除非那道题是专门地考你三极管的状态,否则都是工作在放大区,因为只有这样,管子才能发挥我们想它有的效用。但在数电中,我们却是靠管子的不同状态的切换来做控制开关用的) 2、既然管子基本在放大区,那么它的直流特性就有:be结的电压为0.7V(硅管,锗管是0.2V),发射极电流约等于集电集电流并等于基极电流的β倍。通过这几个已知的关系,我们可以把管子的静态工作点算出来——所谓静态工作点就是:ce间电压,三个极分别的电流。 3、为什么我们得先算出静态工作点呢?这就要弄清直流和交流之间的关系了:在模电里,我们研究的对象都是放大电路,而其中的放大量都是交流信号,并且是比较微弱的交流信号。大家知道,三极管要工作是要一定的偏置条件的,而交流信号又小又有负值,所以我们不能直接放大交流信号,在此我们用的方法就是:给管子一个直流偏置,让它在放大区工作,然后在直流上叠加一个交流信号(也就是让电压波动,不过不是像单一的正弦波一样围绕0波动,而是围绕你加的那个直流电压波动),然后由于三极管的性质,就能产生放大的交流信号了。 4、关于分析电路:从以上的叙述,我们可以看出分析电路应该分为两部分:直流分析和交流分析。不同的分析下,电路图是不一样的,这是因为元件在不同的量下,它的特性不同。(例如电容在直流下就相当于开路,而在交流下可以近似为短路)。而三极管,在交流下就有一个等效模型,也就是把be间等效为一个电阻,ce间等效为一个受控电流源,其电流值为be间电流的贝塔倍。这样分析就可以很好的进行下去了

集美大学模电总结复习要点

最新模电复习要点详解 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结 *PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 *PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如:V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。如:v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如:v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如:等。 二.信号 (1)模型的转换 (2)分类 (3)频谱 二.放大电路 (1)模型

(2)增益 如何确定电路的输出电阻r o?

三.频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

模电课程设计心得体会范文

模电课程设计心得体会范文 【模电课程设计心得体会范文一】 时间总是过得很快,经过一周的课程设计的学习,我已经自己能制作一个高保真音频功率放大器,这其中的兴奋是无法用言语表达的。 学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子,不仅面临着期末考试,而且中间还有一些其他科目的实验,更为紧急的是,之前刚做完protel99的课程设计,本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说,显得很重。昨天刚考完复变,为了尽快完成模电的课程设计,我一天也没歇息。相关知识缺乏给学习它带来很大困难,为了尽快掌握它的用法,我照着原理图学习视频一步一步做,终于知道了如何操作。 刚开始我借来了一份高保真音频功率放大器的电路原理图,但离实际应用差距较大,有些器件很难找到,后来到网上搜索了一下相关内容,顺便到学校图书馆借相关书籍,经过不断比较与讨论,最终敲定了高保真音频功率放大器的电路原理图,并且询问了兄弟班关于元器件的参数情况。为下步实物连接打好基础。在做电路仿真时,我画好了电路原理图,修改好参数后,创建网络列表时系统总是报错,无论我怎样修改都不行,后来请教同学,他们也遇到了同样的困惑。任何事情都不可能是一帆风顺的,开始是创建网络表时出现问题,后来是没有差错但出来的仿真波形不是预计中的,这确实很难修改。输出时仿真波形总是一条直线,我弄了一晚上也找不出原因,整个人也显得焦躁不已。 接下来,开始了我们的实物焊接阶段。之前的电工实习让我简单的接触到了焊

接实物,以为会比较轻松,但实际焊接起来才发现此次与电工实习中的焊接实物有很大的不同,要自己对焊板上元件进行布置和焊接电路元件连线,增加了很大的难度。由于采用了电路板,为了使步线美观、简洁,还真是费了我们不少精力,经过不断的修改与讨论,最终结果还比较另人满意。 经过这段课程设计的日子,我发现从刚开始的matlab到现在的pspice,不管是学习哪种软件,都给我留下了很深的印象。由于没有接触,开始学得很费力,但到后来就好了。在每次的课程设计中,遇到问题,最好的办法就是问别人,因为每个人掌握情况不一样,不可能做到处处都懂,发挥群众的力量,复杂的事情就会变得很简单。这一点我深有体会,在很多时候,我遇到的困难或许别人之前就已遇到,向他们请教远比自己在那冥思苦想来得快。 虽然最终实物做出来了,但这并不是我一个人做出来的。通过这次课程设计,我明白了一个团队精神的重要性,因为从头到尾,都是大家集体出主意,来解决中间出现的各种问题。从原理图的最终敲定,到波形的仿真,到元器件的选择与购买,到最后实物的焊接与调试,这都是大家分工合作的结果,正是因为大家配合得默契,每项工作都完成得很棒,衔接得很好,才使我们很快的完成了任务。尽管现在只是初步学会了高保真音频功率放大器设计,离真正掌握还有一定距离,但学习的这段日子确实令我收益匪浅,不仅因为它发生在特别的时间,更重要的是我又多掌握了一门新的技术,收获总是令人快乐,不是吗? 【模电课程设计心得体会范文二】 在这次的模电课程设计中,我们对模电数电有了更清晰的认识。但是在一开始看见题目的时候,还是比较头疼的,不知道如何下手,但是随着慢慢的摸索,思路慢慢的出现了。这之间变化还是蛮大的,从最开始的不愿意动手到后来的因为

模电知识点归纳2(完全版)

第一章常用半导体器件 1.什么是杂质半导体?有哪2种杂质半导体? 2.什么是N型杂质半导体?在N型半导体中,掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体? 3.什么是P型杂质半导体?在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体? 4.什么是PN结?PN结具有什么样的导电性能? 5.二极管的结构?画出二极管的电路符号,二极管具有什么样的导电性能? 6.理想二极管的特点? 7.什么是稳压管?电路符号?正向导通,反向截止,反向击穿分别具有什么样的特点?稳定电压Uz指的是什么?稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么? 8.二极管的主要应用电路有那些?掌握二极管的开关电路,限幅电路和整流电路的分析。(1)二极管的开关电路,D为理想二极管,求U AO (2)二极管的限幅电路

D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形(3)二极管的单相半波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(4)二极管单相桥式全波整流电路,求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 如果图中四个二极管全 部反过来接,求负载上输 出电压的平均值? (5)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压)

(6)二极管的单相全波整流电容滤波电路,定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值(即所含的直流电压) 9.什么是晶体管?它的结构和电路符号?(见教材P29页),晶体管是一种电流控制器件,用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么?工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么?

模拟电路总结

32.模拟电子电路总结 ①伏安特性曲线,二极管开启电压为0.7V/0.2V,环境温度升高后,二极管正向特性曲线左移,方向特性曲线下移。 ②晶体管工作在放大区的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 ③共射特性曲线:输入特性曲线和输出特性曲线。Uce增大时,曲线右移。 截止区、放大区、饱和区。 ④结型场效应管U GS(off)和绝缘栅型场效应管U GS(th)。 夹断区、恒流区、可变电阻区。 ⑤静态工作点设置为保证:一、放大不失真二、能够放大。 两种共射放大电路:直接耦合、阻容耦合。 放大电路分析方法:直流通路求静态工作点,交流通路求动态参数。截止失真,饱和失真。等效电路。 Re直流负反馈。晶体管单管三种接法:共射、共基、共集。 共射:既放大电流又放大电压。输入电阻居中,输出电阻较大,频带窄。多用于低频放大电路。 共基:只放大电压不放大电流。输入电阻小,电压放大和输出电阻与共射相当。频率特性最好。 共集:只放大电流不放大电压。输入电阻最大,输出电阻最小,具有电压跟随特性。用于放大电路的输入级和输出级。 场效应管;

基本共源放大电路、自给偏压电路、分压式偏置电路。 多级电路耦合方式: 直接耦合:良好的低频特性,可放大变化缓慢的信号。 阻容耦合:各级电路静态工作点独立,电路分析、设计、调试简单。有大电容的存在不利于集成化。 变压器耦合:静态工作点独立,不利于集成化,可实现阻抗变换,在功率放大中得到广泛的应用。 零点漂移和温度漂移 抑制温漂的方法:引入直流负反馈、采用温度补偿,电路中二极管。差分放大电路。 差分放大电路中共模抑制比。 互补对称输出电路。 集成运放电路的组成: 输入级:双端输入的差分放大电路,输入电阻高,差模放大倍数大,抑制共模能力强,静态电流小。 中间级:采用共射(共源)放大电路,为提高放大倍数采用复合管放大电路,以恒流源做集电极负载。 输出级:输出电压线性范围宽、输出电阻小(带负载能力强)非线性失真小。多互补对称输出电路。 集成运放频率补偿:一、滞后补偿1.简单电容补偿2.密勒效应补偿二、超前补偿 放大电路中反馈特性

模电复习总结

零点漂移 零点漂移可描述为:输入电压为零,输出电压偏离零值的变化。它又被简称为:零漂 零点漂移是怎样形成的:运算放大器均是采用直接耦合的方式,我们知道直接耦合式放大电路的各级的Q点是相互影响的,由于各级的放大作用,第一级的微弱变化,会使输出级产生很大的变化。当输入短路时(由于一些原因使输入级的Q点发生微弱变化象:温度),输出将随时间缓慢变化,这样就形成了零点漂移。 产生零漂的原因是:晶体三极管的参数受温度的影响。解决零漂最有效的措施是:采用差动电路。 BJT放大电路的零点漂移和差分放大器 2011-08-10 17:55:57| 分类:微电子电路| 标签:晶体管差分放大器|字号 大中小订阅 Xie Meng-xian. (电子科大,成都市) 在电路应用中,双极型晶体管的温度稳定性系数,主要是用来表征晶体管直流偏置电路所决定的工作点的温度稳定性。而在晶体管的直接耦合放大电路中,还会出现的一种重要的不稳定现象——零点漂移。 零点漂移是指当放大器的输入电压为零(输入端短路)时,而在输出端有无规律的、变化缓慢的电压产生的现象,这是晶体管直接耦合放大电路中存在的一个特殊问题。零点漂移不仅与偏置电路有关,而且也与其他许多因素有关。 (1)产生零点漂移的原因: 引起晶体管出现零点漂移的原因很多,例如:温度的变化对晶体管参数的影响,电源电压的波动,元器件参数变值,环境温度变化等;其中最主要的因素是温度的变化,因为晶体管是温度的敏感器件,它的参数(VBE、β、ICBO)都将会随温度而发生变化,最终导致放大电路静态工作点产生偏移。在诸多因素中,不仅温度的影响最大,而且最难控制的也是温度的变化。故有时也把零点漂移简称为温度漂移。 如果晶体管的电压放大倍数为K,输入电压的漂移为ΔVpi,则由于温度的变化(ΔT)而使得输出电压的漂移ΔVpo可近似地表示为

模拟电路总复习知识点

第一章 绪论 1. 模拟信号和数字信号 ·模拟信号:时间连续、幅度连续的信号(图1.1.8)。 ·数字信号:时间、幅度离散的信号(图1.1.10) 2.放大电路的基本知识 ·输入电阻i R :是从放大器输入口视入的等效交流电阻。i R 是信号源的负载,i R 从信号源吸收信号功率。 ·输出电阻o R :放大器在输出口对负载L R 而言,等效为一个新的信号源(这说明放大器向负载L R 输出功率o P ),该信号源的内阻即为输出电阻。 ·放大器各种增益定义如下: 端电压增益:o V i V A V =&&& 源电压增益:o i VS V s s i V R A A V R R ==+&&&& 电流增益:o I i I A I =&&& 互导增益:o G i I A V =&&& 互阻增益:o I i V A I =&&& 负载开路电压增益(内电压增益):0L o V i R V A V →∞=&&&,00L V V L R A A R R =+&& 功率增益:0||||P V I i P A A A P = =&& ·V A &、G A &、R A &、I A &的分贝数为20lg A &;p A 的分贝数为20lg p A 。 ·不同放大器增益不同,但任何正常工作的放大器,必须1>P A 。 ·任何单向化放大器都可以用模型来等效,可用模型有四种(图1.2.2)。 ·频率响应及带宽:o ()()() V i V j A j V j ωωω=或()()V V A A ω?ω=∠& ()V A ω—— 幅频相应(图1.2.7):电压增益的模与角频率的关系。 ()?ω—— 相频相应:输出与输入电压相位差与角频率的关系。 BW —— 带宽:幅频相应的两个半功率点间的频率差H L BW f f =-。 ·线性失真:电容和电感引起,包括频率失真和相位失真(图1.2.9) ·非线性失真:器件的非线性造成。

大学期末模电复习总结

模拟电子技术基础复习要点 一、常用半导体器件 1.半导体二极管 (1)掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通,即,哪个二极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。 (2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。 (3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)。 交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值 (4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业:1.3 2. 半导体稳压管 (1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点 只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好 (2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。

(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。 (3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管 (1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握Ic =βIb ) (2)掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。 晶体管有三个级,必然就有BE 间的输入,CE 间的输出,所以有两组特性曲线。 iB 和Ube 之间的关系,但是保证Uce 是一个恒定值 iC 和Uce 之间的关系,保证Ib 是一个恒定值 关于NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别 (3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。 (4)理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业:1.9,1.12 ,

共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈1 4. 场效应管 (1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

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