二极管的特性及简介

二极管的特性及简介
二极管的特性及简介

二极管的特性与参数

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。

二极管的工作原理

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流,如下图导通区所示。

当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0,如下图截止区所示。

当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象,如下图击穿区所示。

二极管的导电特性

二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.正向特性

在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的正向压降。

2、反向特性

在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

二极管测试中的主要参数

用来测试二极管的性能好坏的技术指标称为二极管的参数。以下是二极管测试中的几个主要参数:

1.额定正向工作电流IF

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。当更大的电流通过二极管时会使dice发热,温度上升,当温度超过容许限度时,就会使dice过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。

例如:DFM的额定正向工作电流为1A

2.正向压降 VF

是指通过二极管额定正向工作电流IF时,二极管两端的电压值

例如: 通过DFM的正向工作电流为1A时,二极管两端的电压值约为0.9V.

3.最高反向工作电压VR

当二极管两端的反向电压提高到一定值时,会将二极管击穿,失去单向导电能力。

为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。

例如:DF10M最高反向工作电压为1100V,而击穿电压约为1400V.

4.反向电流 IR

是指二极管两端加最高反向工作电压VR时,流过二极管的反向电流。反向电流越小,二极管的单向导电性能越好

例如:DF10M反向电压为1100V时,VR约为0.2uA(微安).

5.反向临界电流 IZ

是指二极管反向电流急剧增大到接近击穿现象时的电流

例如:设定DF10M的IZ为0.1mA(毫安)即100微安。

6.反向临界电压 VZ

是指二极管反向电流为IZ时的反向电压值,若反向电压大于此值,则反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿

例如:DF10M的IZ为0.1mA 时,VZ约为1300V。

7.反向恢复时间 Trr

二极管在较低频率的应用时,一般不需要考虑其导通到截止,或截止到导通的转换时间。但是如果二极管工作在高速的开关电路环境中,当二极管从正向偏置的导通状态,突然转为反向偏置时,需要一定的时间才能变成截止状态,这段时间称为反向恢复时间

例如:EDF1DM的Trr最大为50nS(纳秒)。

8.正向压降差 DVF-Delta VF

目的是测试二极管焊接质量的好坏,先给二极管通过一个小正向电流Im,二极管两端的电压为VF1,再给二极管通过一个大的正向电流并持续一定时间,使二极管发热,最后再通过一个小电流Im,二极管两端的电压为VF2, 正向压降差为两个电压之差(DVF=VF1-VF2),晶粒被加热后VF2值会比VF1值小,故DVF为正值。DVF越小且不为0时,焊接质量越好。对于焊接中虚焊的二极管,由于晶粒接触面积变小,此二极管发热量更大使VF2变得更小,使DVF变大。

例如: 设定DF10M的Im为0.01A 时,大的正向电流为5A并持续75mS, 焊接中无虚焊件的DVF约为0.06V。虚焊件的DVF会大于0.08V。

电子技术发展的里程碑——晶体管

谈到晶体管,也许很多人会感到很陌生.然而,就是小小的晶体管的发明给电子学带来了一场革命.这场革命发展之迅速、波及范围之广泛,完全超出了人们的想象.

现在晶体管和微型电路几乎无所不能,无处不在.小到人们日常生活中的助听器、收音机、录音机和电视机,大到实验室仪器、工业生产及国防设备、计算机、机器人、宇宙飞盘等,都离不开晶体管.可以毫不夸张地说,晶体管奠定了现代电子技术的基础.

可是,晶体管究竟是什么样的?它又是怎样发明出来的?必不可少的一步——电子管的问世1883年,闻名世界的大发明家爱迪生发明了第一只白炽照明灯.电灯的发明,给一直生活在黑暗之中的人们送去了光明和温暖.就在这个过程中,爱迪生还发现了一个奇特的现象:一块烧红的铁会散发出电子云.后人称之为爱迪生效应.1884年的一天,一位叫弗莱明的英国发明家,远涉重洋,风尘仆仆地来到美国,拜会了他慕名已久的爱迪生.就在这两位大发明家的会见中,爱迪生再次展示了爱迪生效应.遗憾的是,由于当时技术条件的限制,不论是爱迪生,还是弗莱明,都对这一效应百思不得其解,不知道利用这一效应能做些什么.

20世纪初,有线电报问世了.这一发明给人们带来了很多便利.有线电报发出的信号是高频无线电波,收信台必须进行整流,才能从听筒中听出声音来.当时的整流器结构复杂,功效又差,亟待改进.正在研究高频整流器的弗莱明灵机一动,他想,如果把爱迪生效应应用在检波器上,结果会怎样呢?就这样,引出了一个新的发明.

1904年弗莱明在真空中加热的电丝(灯丝)前加了一块板极,从而发明了第一只电子管.他把这种装有两个极的电子管称为二极管.利用新发明的电子管,可以给电流整流,使电话受话器或其它记录装置工作起来.如今,打开一架普通的电子管收音机,我们很容易看到灯丝烧得红红的电子管.它是电子设备工作的心脏,是电子工业发展的起点.

弗莱明的二极管是一项崭新的发明.它在实验室中工作得非常好.可是,不知为什么,它在实际用于检波器上却很不成功,还不如同时发明的矿石检波器可靠.因此,对当时无线电的发展没有产生什么冲击.

此后不久,贫困潦倒的美国发明家德福雷斯特,在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而发明了第一只真空三极管.这一小小的改动,竟带来了意想不到的结果.它不仅反应更为灵敏、能够发出音乐或声音的振动,而且,集检波、放大和振荡三种功能于一体.因此,许多人都将三极管的发明看作电子工业真正的诞生起点.德福雷斯特自己也非常惊喜,认为“我发现了一个看不见的空中帝国”.电子管的问世,推动了无线电电子学的蓬勃发展.到1960

年前后,西方国家的无线电工业年产10亿只无线电电子管.电子管除应用于电话放大器、海上和空中通讯外,也广泛渗透到家庭娱乐领域,将新闻、教育节目、文艺和音乐播送到千家万户.就连飞机、雷达、火箭的发明和进一步发展,也有电子管的一臂之力.

三条腿的魔术师电子管在电子学研究中曾是得心应手的工具.电子管器件历时40余年一直在电子技术领域里占据统治地位.但是,不可否认,电子管十分笨重,能耗大、寿命短、噪声大,制造工艺也十分复杂.因此,电子管问世不久,人们就在努力寻找新的电子器件.第二次世界大战中,电子管的缺点更加暴露无遗.在雷达工作频段上使用的普通的电子管,效果极不稳定.移动式的军用器械和设备上使用的电子管更加笨拙,易出故障.因此,电子管本身固有的弱点和迫切的战时需要,都促使许多科研单位和广大科学家,集中精力,迅速研制成功能取代电子管的固体元器件.

早在30年代,人们已经尝试着制造固体电子元件.但是,当时人们多数是直接用模仿制造真空三极管的方法来制造固体三极管.因此这些尝试毫无例外都失败了.

年6月的一天,在美国贝尔实验室的一个房间里,一架样式很普通的收音机正在播放着轻柔的音乐,许多参观者在它面前驻足不前.为什么大家都对这台收音机情有独钟呢?原来这是第一架不用电子管,而代之以一种新的固体元件——晶体管的收音机.虽然人们对这架收音机显露出浓厚的兴趣.然而,他们对晶体管本身却不以为然.美国《纽约先驱论坛报》的记者在报道中写道:“这一器件还在实验室阶段,工程师们都认为它在电子工业中的革新是有限的.”事实上,晶体管发明以后,在不长的时间内,它的深远影响便很快地显示出来.它在电子学领域完成了一场真正的革命.

什么是晶体管呢?通俗地说,晶体管是半导体做的固体电子元件.像金银铜铁等金属,它们导电性能好,叫做导体.木材、玻璃、陶瓷、云母等不易导电,叫做绝缘体.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,就叫半导体.晶体管就是用半导体材料制成的.这类材料最常见的便是锗和硅两种.

半导体是19世纪末才发现的一种材料.当时人们并没有发现半导体的价值,也就没有注重半导体的研究.直到二次大战中,由于雷达技术的发展,半导体器件——微波矿石检波器的应用日趋成熟,在军事上发挥了重要作用,这才引起了人们对半导体的兴趣.许多科学家都投入到半导体的深入研究中.经过紧张的研究工作,美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人捷足先登,合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件.晶体管被人们称为“三条腿的魔术师”.它的发明是电子技术史中具有划时代意义的伟大事件,它开创了一个崭新的时代——固体电子技术时代.他们三人也因研究半导体及发现晶体管效应而共同获得1956年最高科学奖——诺贝尔物理奖.

肖克利小组与晶体管美国人威廉·肖克利,1910年2月13日生于伦敦,曾在美国麻省理工学院学习量子物理,1936年得到该校博士学位后,进入久负盛名的贝尔实验室工作.贝尔实验室是电话发明人贝尔创立的.在电子、特别在通讯领域是最有名气的研究所,号称“研究王国”.早在1936年,当时的研究部主任,后来的贝尔实验室总裁默文·凯利就对肖克利说过,为了适应通讯不断增长的需要,将来一定会用电子交换取代电话系统的机械转换.这段话给肖克利留下了不可磨灭的印象,激起他满腔热情,把毕生精力投入到推进电子技术进步的事业中.沃尔特·布拉顿也是美国人,1902年2月10日出生在中国南方美丽的城市厦门,当时他父亲受聘在中国任教.布拉顿是实验专家,1929年获得明尼苏达大学的博士学位后,进入贝尔研究所从事真空管研究工作.温文儒雅的美国人巴丁是一个大学教授的儿子,1908年在美国威斯康星州的麦迪逊出生,相继于1928年和1929年在威斯康星大学获得两个学位.后来又转入普林斯顿大学攻读固体物理,1936年获得博士学位.1945年来到贝尔实验室工作.默文·凯利是一位颇有远见的科技管理人员.他从30年代起,就注意寻找和采用新材料及依据新原理工作的电子放大器件.在第二次世界大战前后,敏锐的科研洞察力促使他果断地决定加强半导体的基础研究,以开拓电子技术的新领域.于是,1945年夏天,贝尔实验室正式决定以固体物理为主要研究方向,并为此制定了一个庞大的研究计划.发明晶体管就是这个计划的一个重要组成部分.1946年1月,贝尔实验室的固体物理研究小组正式成立了.这个小组以肖克利为首,下辖若干小组,其中之一包括布拉顿、巴丁在内的半导体小组.在这个小组中,活跃着理论物理学家、实验专家、物理化学家、线路专家、冶金专家、工程师等多学科多方面的人才.他们通力合作,既善于汲取前人的有益经验,又注意借鉴同时代人的研究成果,博采众家之长.小组内部广泛开展有益的学术探讨.“有新想法,新问题,就召集全组讨论,这是习惯”.在这样良好的学术环境中,大家都充满热情,完全沉醉在理论物理领域的研究与探索中.

开始,布拉顿和巴丁在研究晶体管时,采用的是肖克利提出的场效应概念.场效应设想是人们提出的第一个固体放大器的具体方案.根据这一方案,他们仿照真空三极管的原理,试图用外电场控制半导体内的电子运动.但是事与愿违,实验屡屡失败.

人们得到的效应比预期的要小得多.人们困惑了,为什么理论与实际总是矛盾的呢?

问题究竟出在那里呢?经过多少个不眠之夜的苦苦思索,巴丁又提出了一种新的理论——表面态理论.这一理论认为表面现象可以引起信号放大效应.表面态概念的引入,使人们对半导体的结构和性质的认识前进了一大步.布拉顿等人乘胜追击,认真细致地进行了一系列实验.结果,他们意外地发现,当把样品和参考电极放在电解液里时,半导体表面内部的电荷层和电势力发生了改变,这不正是肖克利曾经预言过的场效应吗?这个发现使大家十分振奋.在极度兴奋中,他们加快了研究步伐,利用场效应又反复进行了实验.谁知,继续实验中突然发生了与以前截然不同的效应.这接踵而至的新情况大大出乎实验者的预料.

人们的思路被打断了,制作实用器件的原计划不能不改变了,渐趋明朗的形势又变得扑朔迷离了.然而肖克利小组并没有知难而退.他们紧紧循着茫茫迷雾中的一丝光亮,改变思路,继续探索.经过多次地分析、计算、实验,1947年12月23日,人们终于得到了盼望已久的“宝贝”.这一天,巴丁和布拉顿把两根触丝放在锗半导体晶片的表面上,当两根触丝十分靠近时,放大作用发生了.世界第一只固体放大器——晶体管也随之诞生了.在这值得庆祝的时刻,布

拉顿按捺住内心的激动,仍然一丝不苟地在实验笔记中写道:“电压增益100,功率增益40,电流损失1/2.5……亲眼目睹并亲耳听闻音频的人有吉布尼、摩尔、巴丁、皮尔逊、肖克利、弗莱彻和包文.”在布拉顿的笔记上,皮尔逊、摩尔和肖克利等人分别签上了日期和他们的名字表示认同.

巴丁和布拉顿实验成功的这种晶体管,是金属触丝和半导体的某一点接触,故称点接触晶体管.这种晶体管对电流、电压都有放大作用.

晶体管发明之后基于严谨的科学态度,贝尔实验室并没有立即发表肖克利小组的研究成果.他们认为,还需要时间弄清晶体管的效应,以便编写论文和申请专利.此后一段时间里,肖克利等人在极度紧张的状态中忙碌地工作着.他们心中隐藏着一丝忧虑.如果别人也发明了晶体管并率先公布了,他们的心血就付之东流了.他们的担心绝非多虑,当时许多科学家都在潜心于这一课题的研究.1948年初,在美国物理学会的一次会议上,柏杜大学的布雷和本泽报告了他们在锗的点接触方面所进行的实验及其发现.当时贝尔实验室发明晶体管的秘密尚未公开,它的发明人之一——布拉顿此刻就端坐在听众席上.布拉顿清楚地意识到布雷等人的实验距离晶体管的发明就差一小步了.因此,会后布雷与布拉顿聊天时谈到他们的实验时,布拉顿立刻紧张起来.他不敢多开口,只让对方讲话,生怕泄密给对方,支吾几句就匆匆忙忙地走开了.后来,布雷曾惋惜地说过:“如果把我的电极靠近本泽的电极,我们就会得到晶体管的作用,这是十分明白的.”由此可见,当时科学界的竞争是多么的激烈!实力雄厚的贝尔实验室在这场智慧与技能的角逐中,也不过略胜一筹.

晶体管发明半年以后,在1948年6月30日,贝尔实验室首次在纽约向公众展示了晶体管.这个伟大的发明使许多专家不胜惊讶.然而,对于它的实用价值,人们大都表示怀疑.当年7月1日的《纽约时报》只以8个句子、201个文字的短讯形式报道了本该震惊世界的这条新闻.在公众的心目中,晶体管不过是实验室的珍品而已.估计只能做助听器之类的小东西,不可能派上什么大用场.

的确,当时的点接触晶体管同矿石检波器一样,利用触须接点,很不稳定,噪声大,频率低,放大功率小,性能还赶不上电子管,制作又很困难.难怪人们对它无动于衷.然而,物理学家肖克利等人却坚信晶体管大有前途,它的巨大潜力还没有被人们所认识.于是,在点接触式晶体管发明以后,他们仍然不遗余力,继续研究.又经过一个多月的反复思索,肖克利瘦了,眼中也布满了血丝.一个念头却在心中越来越明晰了,那就是以往的研究之所以失败,根本原因在于人们不顾一切地盲目模仿真空三极管.这实际上走入了研究的误区.晶体管同电子管产生于完全不同的物理现象,这就暗示晶体管效应有其独特之处.明白了这一点,肖克利当即决定暂时放弃原来追求的场效应晶体管,集中精力实现另一个设想——晶体管的放大作用.正确的思想终于开出了最美的花朵.1948年11月,肖克利构思出一种新型晶体管,其结构像“三明治”夹心面包那样,把N型半导体夹在两层P型半导体之间.这是一个多么富有想象力的设计啊!可惜的是,由于当时技术条件的限制,研究和实验都十分困难.直到1950年,人们才成功地制造出第一个PN结型晶体管.

电子技术发展史上一座里程碑晶体管的出现,是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩.同电子管相比,晶体管具有诸多优越性:①晶体管的构件是没有消耗的.无论多么优良的电子管,

都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化.由于技术上的原因,晶体管制作之初也存在同样的问题.随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍,称得起永久性器件的美名.②晶体管消耗电子极少,仅为电子管的十分之一或几十分之一.它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子.一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去,这对电子管收音机来说,是难以做到的.③晶体管不需预热,一开机就工作.例如,晶体管收音机一开就响,晶体管电视机一开就很快出现画面.电子管设备就做不到这一点.开机后,非得等一会儿才听得到声音,看得到画面.显然,在军事、测量、记录等方面,晶体管是非常有优势的.④晶体管结实可靠,比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的.另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路.晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度.正因为晶体管的性能如此优越,晶体管诞生之后,便被广泛地应用于工农业生产、国防建设以及人们日常生活中.1953年,首批电池式的晶体管收音机一投放市场,就受到人们的热烈欢迎,人们争相购买这种收音机.接着,各厂家之间又展开了制造短波晶体管的竞赛.此后不久,不需要交流电源的袖珍“晶体管收音机”开始在世界各地出售,又引起了一个新的消费热潮.

由于硅晶体管适合高温工作,可以抵抗大气影响,在电子工业领域是最受欢迎的产品之一.从1967年以来,电子测量装置或者电视摄像机如果不是“晶体管化”的,那么就别想卖出去一件.轻便收发机,甚至车载的大型发射机也都晶体管化了.

另外,晶体管还特别适合用作开关.它也是第二代计算机的基本元件.人们还常常用硅晶体管制造红外探测器.就连可将太阳能转变为电能的电池——太阳能电池也都能用晶体管制造.这种电池是遨游于太空的人造卫星的必不可少的电源.晶体管这种小型简便的半导体元件还为缝纫机、电钻和荧光灯开拓了电子控制的途径.从1950年至1960年的十年间,世界主要工业国家投入了巨额资金,用于研究、开发与生产晶体管和半导体器件.例如,纯净的锗或硅半导体,导电性能很差,但加入少量其它元素(称为杂质)后,导电性能会提高许多.但是要想把定量杂质正确地熔入锗或硅中,必须在一定的温度下,通过加热等方法才能实现.而一旦温度高于摄氏75度,晶体管就开始失效.为了攻克这一技术难关,美国政府在工业界投资数百万美元,以开展这项新技术的研制工作.在这样雄厚的财政资助下,没过多久,人们便掌握了这种高熔点材料的提纯、熔炼和扩散的技术.特别是晶体管在军事计划和宇宙航行中的威力日益显露出来以后,为争夺电子领域的优势地位,世界各国展开了激烈的竞争.为实现电子设备的小型化,人们不惜成本,纷纷给电子工业以巨大的财政资助.

自从1904年弗莱明发明真空二极管,1906年德福雷斯特发明真空三极管以来,电子学作为一门新兴学科迅速发展起来.但是电子学真正突飞猛进的进步,还应该是从晶体管发明以后开始的.尤其是PN结型晶体管的出现,开辟了电子器件的新纪元,引起了一场电子技术的革命.在短短十余年的时间里,新兴的晶体管工业以不可战胜的雄心和年轻人那样无所顾忌的气势,迅速取代了电子管工业通过多年奋斗才取得的地位,一跃成为电子技术领域的排头兵.现代电子技术的基础诚然,电子管的发明使电子设备发生了革命性变化.但是电子管体大易碎,费电又不可靠.因此,晶体管的问世被誉为本世纪最伟大的发明之一,它解决了电子管存在的大部分问题.可是单个晶体管的出现,仍然不能满足电子技术飞速发展的需要.随着电子技术应用的不断推广和电子产品发展的日趋复杂,电子设备中应用的电子器件越来越多.比如二次世界大

战末出现的B29轰炸机上装有1千个电子管和1万多个无线电元件.电子计算机就更不用说了.1960年上市的通用型号计算机有10万个二极管和2.5万个晶体管.一个晶体管只能取代一个电子管,极为复杂的电子设备中就可能要用上百万个晶体管.一个晶体管有3条腿,复杂一些的设备就可能有数百万个焊接点,稍一不慎,就极有可能出现故障.为确保设备的可靠性,缩小其重量和体积,人们迫切需要在电子技术领域来一次新的突破.1957年苏联成功地发射了第一颗人造卫星.这一震惊世界的消息引起了美国朝野的极大震动,它严重挫伤了美国人的自尊心和优越感,发达的空间技术是建立在先进的电子技术基础上的.为夺得空间科技的领先地位,美国政府于1958年成立了国家航空和宇航局,负责军事和宇航研究,为实现电子设备的小型化和轻量化,投入了天文数字的经费.就是在这种激烈的军备竞赛的刺激下,在已有的晶体管技术的基础上,一种新兴技术诞生了,那就是今天大放异彩的集成电路.有了集成电路,计算机、电视机等与人类社会生活密切相关的设备不仅体积小了,功能也越来越齐全了,给现代人的工作、学习和娱乐带来了极大便利.那么,什么是集成电路呢?集成电路是在一块几平方毫米的极其微小的半导体晶片上,将成千上万的晶体管、电阻、电容、包括连接线做在一起.真正是立锥之地布千军.它是材料、元件、晶体管三位一体的有机结合.

集成电路的问世是离不开晶体管技术的,没有晶体管就不会有集成电路.本质上,集成电路是最先进的晶体管——外延平面晶体制造工艺的延续.集成电路设想的提出,同晶体管密切相关.1952年,英国皇家雷达研究所的一位著名科学家达默,在一次会议上曾指出:“随着晶体管的出现和对半导体的全面研究,现在似乎可以想象,未来电子设备是一种没有连接线的固体组件.”虽然达默的设想并未付诸实施,但是他为人们的深入研究指明了方向.

后来,一个叫基尔比的美国人步达默的后尘,走上了研究固体组件这条崎岖的小路.基尔比毕业于伊利诺斯大学电机工程系.1952年一个偶然机会,基尔比参加了贝尔实验室的晶体管讲座.富于创造性的基尔比一下子就被晶体管这个小东西迷住了.

当时,他在一家公司负责一项助听器研究计划.心系晶体管的基尔比不由自主地想把晶体管用在助听器上,他果然获得了成功.他研究出一种简便的方法,将晶体管直接安装在塑料片上,并用陶瓷密封.初步的成功使他对晶体管的兴趣与日俱增.为寻求更大的发展,基尔比于1958年5月进入得克萨斯仪器公司.当时,公司正参与美国通信部队的一项微型组件计划.基尔比非常希望能在这一计划中一显身手.强烈的自尊促使他决心凭自己的智慧和努力进入这一计划.于是,他常常一个人埋头在工厂,思考采用半导体制造整个电路的途径.记不清多少次苦苦思索,多少回实验,多少次挫折,经过长时间的孤军奋战,到1959年,一块集成电路板终于在基尔比的手中诞生了.

同年3月,这一产品被拿到无线电工程师协会上展出.得克萨斯公司当时的副总裁谢泼德自豪地宣布,这是“硅晶体管后得克萨斯仪器公司最重要的开发成果”.在晶体管技术基础上迅速发展起来的集成电路,带来了微电子技术的突飞猛进.

微电子技术的不断进步,极大降低了晶体管的成本,在1960年,生产1只晶体管要花10美元,而今天,1只嵌入集成电路里的晶体管的成本还不到1美分.这使晶体管的应用更为广泛了.

不仅如此,微电子技术通过微型化、自动化、计算机化和机器人化,将从根本上改变人类的生活.它正在冲击着人类生活的许多方面:劳动生产、家庭、政治、科学、战争与和平.

二极管的特性与应用

二极管的特性与应用 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si 管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称

2 光电二级管特性

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目录: 实验目的 (1) 实验内容 (1) 实验仪器 (1) 实验原理 (1) 注意事项 (4) 实验步骤 (5) 实验结果 (12) 实验总结 (15) 参考文献 (15)

光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习光电二极管的基本工作原理; 2、掌握光电二极管的基本特性参数及其测量方法,并完成对其光照灵敏度、伏安特性、时间响应特性和光谱响应特性的测量; 3、通过学习,能够对其他光伏器件有所了解。 二、实验内容 1、光电二极管暗电流测试实验 2、光电二极管伏安特性测试实验 3、光电二极管光照特性测试实验 4、光电二极管时间特性测试实验 5、光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电二极管综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1个 4、电源线 1根 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1、概述 随着光电子技术的发发展,光电检测在灵敏度、光谱响应范围及频率我等技术方面要求越来越高,为此,近年来出现了许多性能优良的光伏检测器,如硅锗光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)等。光敏晶体管通常指光电二极管和光电三极管,通常又称光敏二极管和三敏三极管。 光敏二极管的种类很多,就材料来分,有锗、硅制作的光敏二极管,也有III-V族化合物及其他化合物制作的二极管。从结构我来分,有PN结、PIN结、异质结、肖特基势垒及点接触型等。从对光的响应来分,有用于紫外光、红外光等种类。不同种类的光敏二极管,具胡不同的光电特性和检测性能。例如,锗光敏二极管与硅光敏二极管相比,它在红外光区域有很大的灵敏度,如图所示。这是由于锗材料的禁带宽度较硅小,它的本征吸收限处于红外区域,因此在近红外光区域应用;再一方面,锗光敏二极管有较大的电流输出,但它比硅光敏二极管有较大的反向暗电流,因此,它的噪声较大。又如,PIN型或雪崩型光敏二极管与扩散型PN结光敏二极管相比具有很短的时间响应。因此,在使用光敏二极管进要了解其类型及性能是非常重要的。 光敏二极管和光电池一样,其基本结构也是一个PN结。与光电池相比,它的突出特点是结面积小,因此它的频率特性非常好。光生电动势与光电池相同,

肖特基二极管特性详解(经典资料)分析

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

二极管种类及应用

二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型:按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;接构类型来分,又可分为半导体结型二极管,金属半导体接触二极管等;按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例,介绍不同种类二极管的特性。 1.整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电,它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大,工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大,因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装,以利于散热;额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外,由于T艺技术的不断提高,也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装,在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示),故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起,这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N 系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、

二极管的特性与应用及英文代码含义

二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台 四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪

二极管的介绍

二极管符号 二极管(国标) 二极管的判别及参数 1.简述 半导体是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一 样能够完全导电,又不像绝缘体那样不能导电,它介于 两者之间,所以称为半导体。半导体最重要的两种元素 是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。我们常听说的美国硅 谷,就是因为起先那里有好多家半导体厂商。 二极管 应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前,人们 热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播,这种矿 石后来就被做成了晶体二极管。 二极管最明显的性质就是它的单向导电特性,就是说电流只能从一边过去,却不能从另一边过来(从正极流向负极)。我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量,红表笔接二极管的负极,黑表笔接二极管的正极时,表针会动,说明它能够导电;然后将黑表笔接二极管负极,红表笔接二极管正极,这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点,说明导电不良(万用表里面,黑表笔接的是内部电池的正极)。 常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。像它的名字,二极管有两个电极,并且分为正负极,一般把极性标示在二极管的外壳上。大多数用一个不同颜色的环来表示负极,有的直接标上“-”号。大功率二极管多采用金属封装,并且有个螺帽以便固定在散热器上。 2.半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下,二极管有色点的一端为正极,如2AP1~2AP7,2AP11~2AP17等。如果是透 明玻璃壳二极管,可直接看出极性,即内部连触丝的一头是正极,连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极,如IN4000系列。 无标记的二极管,则可用万用表电阻档来判别正、负极,万用表电阻档示意图见图T304。根据二 极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到电阻档(一般用R×100或R×1k档。不要用R×1或R×10k档,因为R×1档使用的电流太大, 容易烧坏管子,而R×10k挡使用的电压太高, 可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相 接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相接得一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小,说明管子内部短路;若正、反向电阻均很大,则说明管子内部开路。在这两种情况下,管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为Array 300~500 Ω,硅管为1 kΩ或更大些。锗管反向电 阻为几十千欧,硅管反向电阻在500 kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。点接触二极管的工作频率高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。选用整流二极管时,既要考虑正向电压,也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时,要求工作频率高,正向电阻小,以保证较高的工作效率,特性曲线要好,避免引起过大的失真。 3.半导体分立元器件命名方法

二极管的基本特性与应用(精)

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平 面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固 地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流” 电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电 压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当 二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工

二极管基本知识介绍18页

二极管 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 一、二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二、二极管的类型

二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 三、二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1.正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当

二极管特性及应用实验

姓名班级________学号____ 实验日期__节次教师签字成绩 二极管的特性研究及其应用一.实验目的 1.通过二极管的伏安特性的绘制,加强对二极管单向导通特性的理解; 2.了解二极管在电路中的一些应用; 3,学习自主设计并分析实验 二.实验内容: 1.二极管伏安特性曲线绘制; 2.交流条件下二极管电压波形仿真; 3.二极管应用电路 三.实验仪器 稳压电源RIGOL DS5102CA FLUKE190型测试仪;1N4001二极管若干; 函数信号发生器 TFG2020G ;电阻若干; 四.实验步骤 1.二极管伏安特性曲线绘制; 二极管测试电路

(1)创建电路二极管测试电路; (2)调整V1电源的电压值,记录二极管的电流与电压并填入表1; (3)调整V2电源的电压值,记录二极管的电流与电压并填入表2; (4)根据实验结果,绘制二极管的伏安特性。 表一 V1 200mv 300mv 400mv 500mv 600mv 700mv 800mv 1v 2v 3v ID VD 表二 V1 I D V D 绘制U—I图: 2.交流条件下二极管电压波形仿真;

D1 1N4001GP R1 100Ω V16 Vpk 100 Hz 0° XSC1 A B C D G T 2 1 仿真电路图 仿真结果

3.二极管应用电路 (1)桥式整流电路 D1 1N4001 D2 1N4001 D3 1N4001 D4 1N4001 V115 Vpk 60 Hz 0° R1100Ω 1 3 45 用示波器测量R1两端波形,并记录

桥式整流电路仿真 D1 1N4001 D21N4001 D3 1N4001 D41N4001 V115 Vpk 60 Hz 0° R12kΩ 4 XSC1 A B Ext Trig + + _ _ + _ 3 2 仿真结果

实验五 二极管特性及应用

实验四二极管特性曲线及应用 一、实验目的 1. 了解二极管的单向导电特性。 2. 学习二极管极性及性能是否良好的判断方法。 3. 用仿真软件仿真测试和二极管的伏安特性曲线。 二、实验原理 二极管,是电子元件当中一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。许多二极管的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode )则用来当作电子式的可调电容器。 大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying )”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征。 晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的pn 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN 结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN 结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V ,锗管约为0.1V 。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V ,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V 。 外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多, 小功率硅 (a )(b )(c )(d ) 图3.1 常见二极管的符号

二极管简介

YF.liao SMC二极管培训资料 目录 二极管简单介绍 A、一般整流二极管 B、高速整流二极管: ①FRD(Fast Recovery Diode:高速恢复二极管) ②HED(High Efficiency Diode:高速高效整流二极管) ③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管) C、定压二极管(齐纳二极管) 二极管的基本特性 利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象,只能一个方向(正向)上流通电流。如果在PN接合二极管的N型半导体加上负压、在P型半导体加上正电压,就可使电流流通。我们将该电流的流动方向叫做正向。如果外加正、负压与上述反方向的电压,则几乎不会流通电流。我们将该方向叫做反向。如果提高PN接合二极管的反向电压,则电流在某个电压值会急剧增加。我们将该电流叫做击穿电流。此时的电压值对电流而言基本上为定值。 二极管的特性曲线和图形记号、结构 下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。

A一般整流二极管 二极管在一般的应用上,有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流电路。 典型的2μs 恢复时间 B1)高速恢复二极管(FRD:Fast Recovery Diode) 高速恢复二极管在结构上和一般整流二极管基本相同,但它是一种有白金、金等掺杂物质扩散在Si结晶中,增加了电子和空穴的再结合中心,关闭后少数载子会立刻被消灭的二极管。因此可以提高二极管的反向恢复特性(反向恢复时间:trr),实现高速动作。 开关时间120 to 500 ns

2)高效二极管(HED:High Efficiency Diode) 高效二极管比上述FRD速度更快,损失更低(正向电压较低),因此它使用外延晶圆,在利用导电调制效果(参考PIN二极管)来降低正向电阻的同时,通过追加重金属扩散,能在不损坏正向特性的情况下,提高反向恢复特性。HED用于比FRD更为高速的开关电路。 开关时间35—100纳秒 PN接合之间夹着本征半导体(I型),外加正向电压的话,P型半导体和N型半导体会向本征半导体注入很多空穴、以及相同密度度的电子,从而降低比电阻。这种现象叫“导电调制效果”。PIN二极管正向流通直流电流的话,在导电调制效果下会显示出较低的电阻值,但外加反向直流电压的话,I层的空乏层会扩大,结果会显示出非常小的电容值。利用这种特性,可作为高频带的开关与共振电路的频段开关和减衰器。

二极管正反特性及应用

二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(S i管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯

二极管简介

二极管简介 一、半导体特点 1. 导电能力在道题和绝缘体之间 2. 热敏性:温度可以明显改变半导体的导电率 3. 光敏性:光照可以明显改变半导体的导电率,还可以产生电动势,这是BJT的光电效应 4. 掺杂性:通过掺入杂质可以明显改变半导体的导电率(在30℃的纯锗中掺入一亿份之一的杂质,电导率增加几百倍) 二、杂质半导体

在本证半导体中加入微量杂质(≤百万份之一),可使其导电性能显著改变。根据掺入杂志的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N型)半导体和空穴型(P型)半导体。 1.N型半导体(电子型) 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷、砷、锑,则构成N行半导体。 2. P型半导体(空穴型) 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的三价元素,如硼、铝、铟,则构成P型半导体。

3. PN结的反向击穿 当反向电压达到一定数值,反向电流急剧增加的现象称为反向击穿(电击穿)。若不加限流措施,PN结将过热而损坏,此称为热击穿。电击穿是可逆的,热击穿是不可逆的。

点接触型管子中不允许通过较大的电流,因结电容小,可用在检波和变频等高频电路中。面接触型二极管PN结的面积大,允许流过的电流大,但只能在较低频率下工作,可用做工频大电流整流电路。 二、伏安特性 二极管两端的电压U及流过二极管的电流I之间的关系曲线,称为二极管的伏安特性。1. 正向特性 二极管外加正向电压时,电流和电压的关系称为二极管的正向特性。如下图所示,当二极管所加正向电压比较小(0<U<Vth),二极管上流经的电流为0,管子仍截至,此区域称为死区,Vth称为死区电压(门槛电压)。硅二极管的死区电压约0.5V,锗二极管死区电压约0.1V。

半导体发光二极管工作原理、特性及应用(精)

(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光! 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。(二)LED的特性 1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED 两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。(2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。(3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。2.电参数的意义(1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。(2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。(3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为 视角(或称半功率角)给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。(5)正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在 0.6·IFm以下。(6)正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正

二极管简介

三、根据特性分类 点接触型二极管,按正向和反向特性分类如下。 一般用点接触型二极管 这种二极管正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品。如:SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。 高反向耐压点接触型二极管 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管,其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。 高反向电阻点接触型二极管 正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管。 高传导点接触型二极管 它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A 等等。对高传导键型二极管而言,能够得到更优良的特性。这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高。 肖特基二极管SBD 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1.结构原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B 中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B 表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构如图1所示。它是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加,见图2。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 2.性能比较 表1列出了肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平均整流电流很小,不能作大电流整流用。 3.检测方法 下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;

最新二极管的特性及应用

二极管的特性及应用

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色二不同。 二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 5、检波二极管 在收音机中起检波作用。 6、变容二极管 使用于电视机的高频头中。

7、显示元件 用于电视机显示器上。 [编辑本段] 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 [编辑本段] 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超

二极管的特性测试

项目二二极管的特性测试 一、实验目的 1、掌握用万用表判断二极管管脚极性及质量的方法。 2、掌握二极管伏安特性曲线的测试方法及二极管伏安特性。 3、熟悉二极管的应用电路:半波整流电路、单相桥式整流电路、限幅电路的工作原理及测试方法。 二、实验仪器及器件 1、实验台或实验箱 1台 2、万用表 1只 3、双踪示波器 1台 4、数字电压表、电流表各1快 5、二极管 4007*4 6、620Ω、580Ω电阻各1只 7、470Ω电位器 1只 三、实验预习 1、预习万用表、函数信号发生器、示波器、电流表、电压表的使用方法。 2、回顾二极管的特性及应用。 四、实验原理 1、二极管的管脚极性与质量判断 二极管实质上是一个PN结,具有单相导电性。加超过门槛电压的正向电压时,二极管导通,具有很小的电阻,称为正向电阻。加反向电压时,二极管截止,具有很大的电阻,称其为反向电阻。根据以上原理,可以用万用表的电阻档测量出二极管的正反向电阻来判断二极管的管脚极性及质量。假设二极管的两管脚一端标A,另一端标B,如果用万用表黑表笔接A端,红表笔接B端,或者反过来黑表笔接B端,红表笔接A端,两次万用表的读书,一次很大,一次很小,则说明二极管完好,具有单向导电性,而且,正向电阻越小,反向电阻越大,二极管质量越好,否则,如果一个二极管正反向电阻相差不大,则必为劣质管。如果正反向电阻都是零或都是无穷大,则说明该二极管已损坏。 在二极管正常的情况下,当测得其电阻很小时,说明二极管两端加了正向电压,二极管处于正向导通状态,这时黑表笔(与内部电源正极相连接)所接的一端为二极管的正极,红表笔(与内部电源负极相连接)所接的一端为二极管的负极。当测得其电阻很大时,说明二极管两端加了反向电压,二极管处于反向截止状态,这时黑表笔所接的一端为二极管的负极,红表笔所接的一端为二极管的正极。 1、二极管伏安特性曲线测试 二极管伏安特性曲线是指二极管两端电压与流过它的电流之间的关系。 实验电路如图2-1所示。利用逐点测量法,调节电位器改变输入电压Ui,从而给二极管加上不同的电压U D,测量给二极管加上不同电压时,流过二极管的对应电流,描点绘出二极管的伏安特性曲线。

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