光敏电阻检测光照亮度

光敏电阻检测光照亮度
光敏电阻检测光照亮度

光敏电阻检测光照亮度

摘要:本题设计一个光照强度自动检测、显示、报警系统,实现对外界三种不同条件下光强的分档指示和报警(弱、适宜、强)。使用光敏电阻光照强度的测量并进行显示,采取单片机对光敏电阻输出变化进行处理转换成数字量再使用数码管进行显示。在单片机上加外围器件三个LED,通过采样到的光照射强度选择,在数码管上显示电压的大小。本设计具有有线路简单、结构紧凑、价格低廉、性能优越等特点。

关键词:光照亮度;光敏电阻;单片机;数码管器;

Abstract:Subject to design a light intensity to be automatic detection, display, alarm system, the realization on the outside three different conditions of light intensity Sub file indicator and alarm (weak, appropriate, stronger). Use photoconductive resistance of light intensity measurement that take the monolithic integrated circuit to change photoconductive resistance output processing converted into digital quantity to use digital tube displayed. In the single peripheral devices with three LED, by sampling the light to illuminate intensity choice, in digital tube display voltage size. This design has a simple lines, compact structure, low prices, superior performance etc. Characteristics.

Key words:illuminate;Photosensitive resistance;Single chip microcomputer; Digital pig

0 引言

光照强度自动检测显示系统,该系统可以自动检测光照强度的强弱并显示让人们知道此时光照强度的强弱。人们可以设定光照强度的范围,一旦超出此范围该系统可以发出警报通知或直接采取措施使光照强度在此范围内。人们可以通过看此装置的显示了解现在的光照状态,做合理的光照调节。该设计可分为三部分:即光照检测部分、信号处理部分、光强显示部分。还可加上报警部分。对于光照检测部分可利用光敏电阻传感器作为检测元件,它可以完成从光强到电阻值的信号转换,再把电阻值转换为电信号就可以作为系统的输入信号。对输入信号处理后,就可以用来显示了。对于显示部分可利用发光二极管来显示,不同的光强对应于不同的发光二极管点亮,就能简单的显示出不同的光强了。

1 系统概述

1.1设计要求

设计一个光照强度自动检测、显示、(报警)系统,实现对外界三种不同条件下光强的分档指示和报警(弱、适宜、强)。通过采样到的光照射强度选择,在数码管上显示电压的大小。

(1)自己设计至少三种以上不同光照条件,测定不同光照条件下光电传感器的输出;

(2)传感器测量电路采用集成运算放大器构成的比较器完成,完成至少三种以上不同光照条件下显示报警系统方案的论证和设计;

(3)完成自然光光照强度自动检测显示报警系统电路方框图、电路原理图的设计;

(4)完成自然光光照强度自动检测显示报警系统中核心芯片的选型、系统中各个参数的计算(备注:1.含各种元件参数的计算过程或依据2.选定最接近计算结果的元件规格);

(5)设计结束后,进行仿真调试。

(6)不断检测设计和实践的相差情况

(7)仿真调试方案

(8)给出系统整机电路图。

(9)完成课程设计报告

1.2 方案设计

1.2.1方案说明

(1)传感器选择:选用光敏电阻作为采集光照信号的传感器。

(2)电阻测试:在室外太阳光强照射下、室内适宜光照下、室内昏暗条件下三种光照条件下分别测的光敏电阻的阻值为<=320欧、1.4--3.6k欧、>=15.6k欧。

(3)方案原理图:系统功能描述:考虑到系统的实用价值,确定了光照适宜时的光敏电阻值的范围为1.4--3.6k欧,当光照过强时,LED1点亮,蜂鸣器报警;光照适宜时,LED2点亮;黑暗时,LED3点亮,蜂鸣器也报警。即光照不适宜时就会报警,所以该系统不但可以完成光强的显示、报警,而且可以判断光照是否适宜。

原理框图如下:

图1 原理框图

1.2.2方案论证

(1) 光照强度的信号采集部分

采用光敏电阻作为信号采集器件。光敏电阻是基于光电导效应的一种光电器件,无光照时, 光敏电阻值(暗电阻)很大, 电路中电流(暗电流)很小;当受到光照时,半导体材料电导率增加,电阻减小。其阻值随光照增强而减小。光敏电阻作为光电式传感器的一种,它具有灵敏度高、光谱响应范围宽;体积小、重量轻、机械强度高、耐冲击、耐震动、抗过载能力强和寿命长等特点。所以选择光敏电阻采集光照信号,并把不同的光照强度转化为不同的电阻值。把光敏电阻串联在直流电路中即可把不同的电阻值转化为不同的电压值,电路如原理图所示。于是,就把对光照信号的处理转化为对电压信号V的处理。

(2)信号处理部分:

采用集成电压比较器LM358N作为信号处理的核心元件,电路连接如原理图所示。光强、适宜、黑暗三种光照状态转换为三个电压值V1,V2,V3作为比较器的输入电压;两个比较器设置两个参考电压Vref1,Vref2。工作过程分析如下:光照较强时V1> Vref1>Vref2,两个比较器的输出电压分别为(5V,0V);光照适宜时Vref1>V2> Vref2,两个比较器的输出电压分别为(-5V,0);光照黑暗时V3< Vref2 < Vref1两个比较器的输出电压分别为(-5V,5V)。这样就完成了从模拟信号到数字信号的转换,显示部分就变得容易了。

(3) 光强显示部分

采用数码管管显示不同的光强状态。由于比较器的驱动能力有限,所以在输出端加一个上拉电阻提高其驱动能力。电路连接如原理图所示,分析如下:当光照较强时,两个比较器的输出电压分别为(5V,0V),LED1点亮;光照适宜时,两个比较器的输出电压分别为(-5V,0),LED2被点亮;光照黑暗时,两个比较器的输出电压分别为(-5V,5V),LED2、LED3被点亮。这样三种状态就显示出来了。

(4) 光报警部分

采用有源蜂鸣器作为报警器件。电路连接如原理图所示,用两个NPN型BJT 三极管的导通来控制报警电路的导通,三极管的导通又受发光二极管导通与否的控制,发光二极管的导通受光照的控制。所以光强就可以控制报警器了,设计方案采用了当光照较强或较暗时报警。工作过程分析如下:当光照较强时,两个比较器的输出电压分别为(5V,0V),LED1点亮,三极管BJT1被导通,报警电路被导通,蜂鸣器报警;光照适宜时,两个比较器的输出电压分别为(-5V,0),LED2被点亮,三极管BJT1截止,报警电路也截止;光照黑暗时,两个比较器的输出电压分别为(-5V,5V),LED2、LED3被点亮,BJT2被导通,报警电路也被导通,蜂鸣器报警。

2硬件电路设计与分析

2.1 单片机最小系统

STC12C5A08S2简介:

新一代宏晶芯片具有1个时钟/机器周期,高速、高可靠,2路PWM,8路10位高速A/D转换,25万次/秒1T8051带总线,无法解密,管脚直接兼容传统89C52,有全球唯一ID号可省复位电路,36-44个I/O内部R/C时钟的新一代宏晶芯片加密性强,解密难度高。

中断系统是使处理器具有对外界异步事件的处理能力而设置的。当中央处理器CPU正在处理某件事的时候外界发生了紧急事件,要求CPU暂停当前的工作,转而去处理这个紧急事件。时钟电路。由于频率较大时,三角波、正弦波、方波等波中每一点延时时间为几微秒,故延时时间还要加上指令时间即可得到指定频率的波形,该电路用24MHz晶振。如下图:

图2 主控电路图

●宽电压:5.5~3.3V,2.2~3.6V(STC12LE5A60S2系列)

●增加第二复位功能脚(高可靠复位,可调整复位门槛电压,频率<12MHz 时,无需此功能)

●增加外部掉电检测电路,可在掉电时,及时将数存进EEPROM,正常工作时

无需操作EEP

●低功耗设计:空闲模式,HOLTEK芯片解密,(可由任意一个中断唤醒)

●低功耗设计:掉电模式(可由外部中断唤醒),可支持上升沿和远程唤醒

●工作频率:0~35MHz,相当于普通8051:0~420MHz

图3 单片机内部接入

2.2 光敏电阻的主要特性及参数

(1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。

(2)暗电流、暗电阻。光敏电阻在一定的外加电压下,当没有光照射的时候,流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流之比称为暗电阻,常用“0LX”表示。

(3)灵敏度。灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值(暗电阻)与受光照射时的电阻值(亮电阻)的相对变化值。

(4)在一定外加电压下,光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同,但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件,这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用作光电开关。

(5)光敏电阻的光谱特性与光敏电阻的材料有关。硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度,峰值在红外区域;硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。因此,在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑,才能获得满意的效果。

(6)光敏电阻的伏安特性 在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。在给定偏压下,光照度较大,光电流也越大。在一定的光照度下,所加的电压越大,光电流越大,而且无饱和现象。但是电压不能无限地增大,因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电和额定电流的限制。超过最高工作电压和最大额定电流,可能导致光敏电阻永久性损坏。

(7)当光敏电阻受到脉冲光照射时,光电流要经过一段时间才能达到稳定值,而在停止光照后,光电流也不立刻为零,这就是光敏电阻的时延特性。由于不同材料的光敏, 电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不同,硫化铅的使用频率比硫化镉高得多,但多数光敏电阻的时延都比较大,所以,它不能用在要求快速响应的场合。

2.3 光敏电阻接入电路图

图4 光敏电阻接入电路

2.4数码管显示电路

图5 数码管电路

2.5 报警电路

图6 光报警电路

采用有源蜂鸣器作为报警器件。

2.6 光显示电路

D1

3软件设计

软件设计上,根据功能分了几个模块编程。模块主要有:主程序模块、检测光度模块,比较光亮度模块。

应用Keil进行软件仿真开发的主要步骤为:编写源程序并保存—建立工程并添加源文件—设置工程—编译/汇编、连接,产生目标文件—程序调试。成功编译/汇编、连接后,选择菜单Debug-Start/Stop Debug Session(或按Ctrl+F5键)进入程序调试状态,Keil提供对程序的模拟调试功能,内建一个功能强大的仿真CPU以模拟执行程序。Keil能以单步执行(按F11或选择Debug-Step)、过程单步执行(按F10或选择Debug-Step Over)、全速执行等多种运行方式进行程序调试。如果发现程序有错,可采用在线汇编功能对程序进行在线修改,不必执行先退出调试环境、修改源程序、对工程重新进行编译/汇编和连接、然后再次进入调试状态的步骤。对于一些必须满足一定条件(如按键被按下等)才能被执行的、难以用单步执行方式进行调试的程序行,可采用断点设置的方法处理(Debug-Insert/Remove Breakpoint或Debug-Breakpoints等)。

图8 主程序的流程框图

在模拟调试程序后,还须通过编程器将.hex目标文件烧写入单片机中才能观察目标样机真实的运行状况。

3.2 安装调试及测量数据分析

通电、用万用表根据电路图仔细检查各线路连接是否正常。

先是调试单片机部分,DA和运算放大器芯片不接。用STC_ISP_V483软件通过串口下程序。看是否可以正常下程序。

可以正常下程序时,给51单片机下一个让所有I/0口一会儿输入0,延时,再输出1,以此类推。用万用表测量各I/O口得电压是不是一会儿高,一会儿低。

在单片机报警器和LM358芯片,给单片机下测试程序,通过看数码管输出是否正常。

给单片机下一个完整的程序,分别按下按键,看对应的光照亮度。得到的值是否正常。

3.3出现的问题与解决的方法

调试单片机的串口时,发现不能正常的下程序。我想可能是单片机坏了借了一块学习板测试了一下单片机芯片,发现可以正常下载。这说明很可能是我单片机的引脚可能出现焊接问题。有可能哪个引脚虚焊或假焊了。我仔细查看了电路图于是我将电路板重新加焊一遍。再下程序,终于可以正常下载了。

开始写的测试程序输出的数据误差很大。我想可能是光敏二极管这一模块出现了问题,于是不断的排查和检测。最终还是被我弄好了。

尽可能的让电路板做到很完美,调节好各级的电阻让实验结果精确。刚开始报警声音很小。这也是要检测和排查修改的范围。

测量仪器:示波器;直流稳压电源;万用表。

参考文献

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光敏电阻的物理特性

Ⅰ.光敏电阻的物理特性 光敏电阻:常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下,其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电,在外加电场的作用下作漂移运动,电子奔向电源的正极,空穴奔向电源的负极,从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。Ⅱ.组成特性 光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器;入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。 Ⅲ.作用 光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器,它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性(即光谱特性)与人眼对可见光(0.4~0.76)μm的响应很接近,只要人眼可感受的光,都会引起它的阻值变化。设计光控电路时,都用白炽灯泡(小电珠)光线或自然光线作控制光源,使设计大为简化。 根据光敏电阻的光谱特性,可分为三种光敏电阻器:紫外光敏电阻器、红外光敏电阻器、可见光光敏电阻器。 Ⅳ.参数特性 (1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。(2)暗电流、暗电阻。光敏电阻在一定的外加电压下,当没有光照射的时候,流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流之比称为暗电阻,常用“0LX”表示。(3)灵敏度。灵敏度是指光敏电阻不受光照射时的电阻值(暗电阻)与受光照射时的电阻值(亮电阻)的相对变化值。 (4)光谱响应。光谱响应又称光谱灵敏度,是指光敏电阻在不同波长的单色光照射下的灵敏度。若将不同波长下的灵敏度画成曲线,就可以得到光谱响应的曲线。 (5)光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值

光敏电阻基本特性测量

光敏电阻基本特性测量 教学目的: 光传感器是测量端与信息处理系统的中间环节,可以理解为把光信息变换为电信息的一个元件, 光敏电阻 就是基于内光电效应的一种光传感器,光敏电阻具有灵敏度高,光谱特性好,使用寿命长,稳定性高,体积小以及制造工艺简单等特点,因此作为开关式光电信号传感器广泛应用在自动化技术中。自然界中有很多信息是通过光辐射形式传播的,用常规的仪器无法检测,而通过光电器件则可获得这些信息;光敏电阻体型小,灵敏度高,价格便宜,灵敏度峰值Gds(520mm),根据其特性可实际用于摄像机的露点计﹑光控制器﹑光联结器﹑光电继电器等方面。 制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物,硒化物和锑化物等半导体材料,在可见光范围内,常用的光敏电阻是硫化镉(CdS)本实验即采用该种光敏电阻,光敏电阻的主要参量有暗电阻,亮电阻,光谱范围,峰值波长和时间常量等,基本特性有伏安特性,光谱特性,光照特性等 通过本次实验,学生不仅能对光敏电阻的特性有一定的了解,还可以学习到光路的调整方法,有助于学生动手能力的培养. 教学安排: 本实验学时数为4学时。 原理综述: 光照下物体电导率改变的现象称为内光电效应(光导效应)光敏电阻是基于内光电效应的光电元件,当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带留下空穴,由于材料中载流子数目增加,材料的电导率增加,电导率的改变量为 p n pe ne σμμ?=?+? (1) 式中e 为电荷电量, △P 为空穴浓度的改变量, △n 为电子浓度的改变量, μΡ为空穴的转移率, μn 为电子的迁移率. 当光敏电阻两端加上电压U 之后,光电流为 ph A I U d σ=? (2) 其中A 为与电流垂直的截面积,d 为电极间的距离,由(1)和(2)可知,光照一定时,光敏电阻两端电压与光电流为线性关系,呈电阻特性,该直线经过零点,其斜率反映在该光照下的阻值状态. 光照特性是指在一定的外加电压下,光敏电阻的光电流与光通量之间的关系.。光电流随着照度的变化而改变的规律称为光照特性。不同类型的光敏电阻的光照特性不同,当入射光很强或很弱时,光敏电阻的光电流与光照之间会呈现非线性关系。其他照度区域近似呈线性关系"不同类型的光敏电阻的光照特性不同,但大多数光敏电阻的光照特性是非线性的。 仪器平台: 本仪器是一种测量光敏电阻基本特性的实验装置,包括伏-安特性和光照特性。结构如图(一)所 示,在导轨上安置五个磁力滑座,分别将光源、两个聚光镜、偏振器、接收器插入滑座內。打开光源,调整聚光镜,使平行光均匀入射到偏振片上,调整聚光镜及接收器使它们处于同一光轴。旋转偏振器的手轮刻度为零时通过的光能最强、刻度为90°时通过的光能最弱。通过旋转手轮改变入射到接收器的光强。根据光敏电阻特性:在一定照度下测

常用光敏电阻的规格参数

常用光敏电阻的规格参数 超高亮LED/5毫米聚光圆头紫光紫外光光触媒LED灯珠/发光二极管芯片来源: 芯片全部由国外进口,封装方式为环氧树脂 紫光LED性能参数: 1、发光波段:400-405nm 2、工作电压:3.2-3.6V 3、工作电流:20mA 4、光强参数:150-200mcd 5、芯片功率:3-4mW 高质量进口灯:3528(仪表改装)1210LED蓝光贴片发光二极管 ·产品型号:1210(3528) ·产品体积:3.5*2.8*1.9 ·产品波长:452-462NM ·产品亮度:750-800MCD ·电压:3.0-3.4V ·电流:20MA ·焊接温度:250 ·发光角度:120

超高亮度发光二极管5mm白光草帽LED 5流明白光 LED参数: 电压:3.0-3.2v 电流:20mA 发光强度:1500-1800mcd(4-5流明) 发光角度:120度(散光) 色温:6000-7000K(正白光) 蓝色聚光led灯珠/LED/LED灯/led发光二极管,led节能灯专用无光衰0.32元

宝贝参数: 额定电压:3.0V-3.4V 额定电流:20毫安 亮度:5000mcd 光型:蓝色聚光 发光角度:20度 波长:465-468 光衰:首1000小时内无光衰,千小时光衰3‰。 千小时光衰值:即:在有效使用寿命内,以千小时为单位的平均光衰值。这一标准更能充分体现灯珠的使用寿命、长效性等综合品质。 宝贝应用参数: 工作电压:3.0-3.4V; 工作电流:14-16mA ; 工作温度:-20℃-+40℃; 焊接温控:240-260℃,请在离灯管底部1.5mm以上进行焊接,烙铁头温度不得高于280℃,焊接停留时间不得超过2秒; 5mm大草帽白色LED发光二极管 LED灯泡 0.12元 主要参数: 光管直径 5 mm 波长范围 6 2 0 - 6 2 5 nm 发光颜色白色 外观颜色白色透明 发光角度 140 度 发光强度 1000-1200 mcd 正常工作电压 3.2-3.4 V 正常工作电流 20 mA 最大反向电压 5 V 产地:深圳

光敏电阻伏安特性光敏二极管光照特性

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性(FB815型光敏传感器光电特性实验仪 ) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池与光学纤维的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1(光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。

光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体结内部有自建电场。当光照射在结及其附近时,在能量PNPN 足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场的作用,电子漂移到区,空穴漂移EN到区。结果使区带负电荷,区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动PPN 势,此现象称为光生伏特效应。 2(光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。 伏安特性: 光敏传感器在一定的入射光照度下,光敏元件的电流与所加电压之间的关系称为IU光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时的重要依据。 光照特性: 光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性,有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性,它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。

光敏电阻基本特性及主要参数的测试

光敏电阻特性测试及分析

理工大学紫金学院光电综合实验室 光敏电阻主要参数及基本特性的测试 一、工作原理 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器;半导体的导电能力取决于半导体导带载流子数目的多少。当光敏电阻受到光照时,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,成为自由电子,同时产生空穴,电子—空穴对的出现使电阻率变小。光照愈强,光生电子—空穴对就越多,阻值就愈低。当光敏电阻两端加上电压后,流过光敏电阻的电流随光照增大而增大。入射光消失,电子-空穴对逐渐复合,电阻也逐渐恢复原值,电流也逐渐减小。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化) 光敏电阻的主要参量有暗电阻,亮电阻、光谱围、峰值波长和时间常量等。基本特性有伏安特性、光照特性、光谱特性等。伏安特性是指在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压和光电流之间的关系。光照特性是指在一定外加电压下,光敏电阻的光电流与光通亮的关系。 根据光敏电阻的光谱特性,可分为三种光敏电阻器: 1.紫外光敏电阻器:对紫外线较灵敏,包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等,用于探测紫外线。 2.红外光敏电阻器:主要有硫化铅、碲化铅、硒化铅。锑化铟等光敏电阻器,广泛用于导弹制导、天文探测、非接触测量、人体病变探测、红外光谱,红

外通信等国防、科学研究和工农业生产中。 3.可见光光敏电阻器:包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光敏电阻器等。主要用于各种光电控制系统,如光电自动开关门户,航标灯、路灯和其他照明系统的自动亮灭,自动给水和自动停水装置,机械上的自动保护装置和“位置检测器”,极薄零件的厚度检测器,照相机自动曝光装置,光电计数器,烟雾报警器,光电跟踪系统等方面。 二、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 三、实验容 1、光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻测试实验(基本参数测试) 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流测试实验(基本参数测试) 3、光敏电阻的光谱特性测试实验(特性测试) 4、光敏电阻的伏安特性测试实验(特性测试) 四、测试仪器的技术参数及结构原理 1、仪器的测量精度: 电压:0.01V 电流:0.01mA 2、光学参数 偏振片口径:35mm

光敏电阻检测光照亮度资料

摘要 本题设计一个光照强度自动检测、显示、报警系统,实现对外界三种不同条件下光强的分档指示和报警(弱、适宜、强)。使用光敏电阻光照强度的测量并进行显示,采取单片机对光敏电阻输出变化进行处理转换成数字量再使用数码管进行显示。在单片机上加外围器件三个LED,通过采样到的光照射强度选择,在数码管上显示电压的大小。本设计具有有线路简单、结构紧凑、价格低廉、性能优越等特点。 关键词:光照亮度;光敏电阻;单片机;数码管器

Abstract Subject to design a light intensity to be automatic detection, display, alarm system, the realization on the outside three different conditions of light intensity FenDang instructions and alarm (weak, appropriate, stronger). Use photoconductive resistance of light intensity measurement that take the monolithic integrated circuit to change photoconductive resistance output processing converted into digital quantity to use digital tube displayed. In the single peripheral devices with three LED, by sampling the light to illuminate intensity choice, in digital tube display voltage size. This design has a simple lines, compact structure, low prices, superior performance etc. Characteristics. Key words: light brightness; Photoconductive resistance; Single chip microcomputer; Digital pig

光敏电阻的暗电阻亮电阻光电流

(1)光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电流 暗电流:光敏电阻在室温条件下,全暗(无光照射)后经过一定时间测量的电阻值,称为暗电阻。此时在给定电压下流过的电流。 亮电流:光敏电阻在某一光照下的阻值,称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流。 光电流:亮电流与暗电流之差。 光敏电阻的暗电阻越大,而亮电阻越小则性能越好。也就是说,暗电流越小,光电流越大,这样的光敏电阻的灵敏度越高。 实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1MΩ,甚至高达100MΩ,而亮电阻则在几kΩ以下,暗电阻与亮电阻之比在102~106之间,可见光敏电阻的灵敏度很高。 (2)光敏电阻的光照特性 下图表示CdS光敏电阻的光照特性。在一定外加电压下,光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同,但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件,这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用作光电开关。 (3)光敏电阻的光谱特性 光谱特性与光敏电阻的材料有关。从图中可知,硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度,峰值在红外区域;硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。因此,在选用光敏电阻时,应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑,才能获得满意的效果。 (4)光敏电阻的伏安特性 在一定照度下,加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为伏安特性。图中曲线1、2分别表示照度为零及照度为某值时的伏安特性。由曲线可知,在给定偏压下,光照度较大,光电流也越大。在一定的光照度下,所加的电压越大,光电流越大,而且无饱和现 象。但是电压不能无限地增大,因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流

的限制。超过最高工作电压和最大额定电流,可能导致光敏电阻永久性损坏。 (5)光敏电阻的频率特性 当光敏电阻受到脉冲光照射时,光电流要经过一段时间才能达到稳定值,而在停止光照后,光电流也不立刻为零,这就是光敏电阻的时延特性。由于不同材料的光敏, 电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不同,如图。硫化铅的使用频率比硫化镉高得多,但多数光敏电阻的时延都比较大,所以,它不能用在要求快速响应的场合。 (6)光敏电阻的稳定性 图中曲线1、2分别表示两种型号CdS光敏电阻的稳定性。初制成的光敏电阻,由于体内机构工作不稳定,以及电阻体与其介质的作用还没有达到平衡,所以性能是不够稳定的。但在人为地加温、光照及加负载情况下,经一至二周的老化,性能可达稳定。光敏电阻在开始一段时间的老化过程中,有些样品阻值上升,有些样品阻值下降,但最后达到一个稳定值后就不再变了。这就是光敏电阻的主要优点。 光敏电阻的使用寿命在密封良好、使用合理的情况下,几乎是无限长的。

光敏电阻特性测试实验(精)

光敏电阻特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握光敏电阻工作原理 2、学习掌握光敏电阻的基本特性 3、掌握光敏电阻特性测试的方法 4、了解光敏电阻的基本应用 三、实验内容 1、光敏电阻的暗电阻、暗电流测试实验 2、光敏电阻的亮电阻、亮电流测试实验 3、光敏电阻光电流测试实验; 4、光敏电阻的伏安特性测试实验 5、光敏电阻的光电特性测试实验 6、光敏电阻的光谱特性测试实验 7、光敏电阻的时间响应特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光敏电阻及封装组件 1套 4、光照度计 1台 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 四、实验原理 1. 光敏电阻的结构与工作原理 光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧量级,亮电阻值在几千欧以下。 光敏电阻的结构很简单,图1-1(a)为金属封装的硫化镉光敏电阻的结构图。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体物质,称为光导层。半导体的两端装有金属电极,金属电极与引出线端相连接,光敏电阻就通过引出线端接入电路。为了防止周围介质的影响,在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜,漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最

光敏电阻 工作原理、类型及主要参数图文说明

光敏电阻工作原理、类型及主要参数图文说明 光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器。所谓光电导效应是指物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收,引起载流子浓度的变化,从而改变了物质电导率的现象称为光电导效应。利用具有光电导效应的材料(如Si、Ge等本征半导体与杂质半导体,以及CdS、CdSe、PbS等)可以制成电导率随入射光辐射量变化而变化的器件,这类器件被称为光电导器件或光敏电阻,简称PC。光敏电阻器在电路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示,下图1.19为光敏电阻符号和实物图示。 (a)逻辑符号(c)实物 图1.19 光敏电阻 一、光敏电阻结构 在光敏电阻的半导体光敏材料两端装上电极引线,将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻。下图为光敏电阻的封装结构。 玻璃金属壳 电极CdS或CdSe 陶瓷基座 引线 金属基座 (a)结构(b)顶部视图 图1.20 光敏电阻结构 按光敏电阻的电极及光敏材料封装形状,光敏电阻分为梳状结构、蛇形结构、刻线式结

构。如下图1.21所示。 注:1.光电材料;2.电极;3.衬底材料 (a)梳状结构(b) 蛇形结构(c) 刻线式结构 图1.21 光敏材料形状 梳型结构:在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在槽内填入黄金或石墨等导电物质,在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。 蛇形结构:光电导材料制成蛇形,光电导两侧为金属导电材料,并在其上设置电极。 刻线结构:在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔,将其刻划成栅状槽,然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。 二、光敏电阻工作原理 在光敏电阻的光敏材料中,由于受不同光照会产生不同电子空穴。在光敏电阻两端的金属电极加上电压,其中便有电流通过,受到一定波长的光线照射时,电流就会随光强的增大而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少。其工作过程如下图1.22所示。 图1.22 光敏电阻工作原理【放置动画】 三、光敏电阻主要参数 根据光敏电阻的光谱特性,可分为三种光敏电阻器:紫外光敏电阻器、红外光敏电阻器、可见光光敏电阻器。光敏电阻的主要参数是: (1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称

光敏电阻特性研究

光敏电阻特性研究 【实验目的】 1.了解和掌握光敏电阻的特性 2.掌握产生和检验偏振光的原理和方法。  3.进一步学习和掌握调节复杂光路的方法; 【实验仪器与装置】 1000)、光敏电阻、导轨、检偏器、凸透镜(mm f60 =)、光源(光通量lx 磁性滑块、稳压电源、万用电表、导线等  【实验原理】 一、光电效应与光电器件 1.1 光电效应 光电效应可以分为以下三种类型:  (1)外光电效应 在光的作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射的现象叫外光电效应。 只有当光子能量大于逸出功时,即时,才有电子发射出来,即有光 电效应,当光子的能量等于逸出功时,即时,逸出的电子初速度为0, 此时光子的频率为该物质产生外光电效应的最低频率,称为红限频率。 利用外光电效应制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管。 (2)光电导效应 在光的作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,引起物体电 阻率的变化,这种现象称为光电导效应。由于这里没有电子自物体向外发射,仅 改变物体内部的电阻或电导,有时也称为内光电效应。与外光电效应一样,要产 生光电导效应,也要受到红限频率限制。 利用光电导效应可制成半导体光敏电阻。 (3)光生伏特效应 在光的作用下,能够使物体内部产生一定方向的电动势的现象叫光生伏特效 应。利用光生伏特效应制成的光电器件有光敏二极管、光敏三极管和光电池等。 各种光电器件都有下述特性:

(1)光电流 光敏元件的两端加一定偏置电压后,在某种光源的特定照度下产生或增加的电流称为光电流。 (2)暗电流 光敏元件在无光照时,两端加电压后产生的电流称为暗电流。 (3)光照特性 当光敏元件加一定电压时,光电流I与光敏元件上光照度E之间的关系,称为光照特性。一般可表示为。 (4)光谱特性 当光敏元件加一定电压时,如果照射在光敏元件上的是一单色光,当入射光功率不变时,光电流随入射光波长变化而变化的关系,称为光谱特性。 光谱特性对选择光电器件和光源有重要意义,当光电器件的光谱特性与光源的光谱分布协调一致时,光电传感器的性能较好,效率也高。在检测中,应选择最大灵敏度在需要测量的光谱范围内的光敏元件,才有可能获得最高灵敏度。 (5)伏安特性 在一定照度下,光电流I与光敏元件两端的电压U的关系称为伏 安特性。 (6)频率特性 在相同的电压和相同幅值的光强度下,当入射光以不同的正弦交变频率调制时,光敏元件输出的光电流I和灵敏度S随调制频率f变化的关系:、称为频率特性。 (7)温度特性 环境温度变化后,光敏元件的光学性质也将随之改变,这种现象称为温度特性。 二、光敏电阻 ①光敏电阻工作原理和结构 光敏电阻是利用光电导效应制成的。制造光敏电阻的材料一般由金属的硫化物、硒化物、碲化物组成。由于光电导效应只限于光照的表面薄层,因此光电导体一般都做成薄层。为了获得高的灵敏度,光敏电阻的电极常采用梳状图案,如图一所示。它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。 为了避免外来干扰,光敏电阻外壳的入射孔上盖有一种能透过所要求光谱范围的透明保护窗(如玻璃)。为了避免光敏电阻的灵敏度受潮湿等因素的影响,将电导体严密封装在金属壳中。如图二所示。

光敏电阻的主要参数与特性(精)

光敏电阻的主要参数与特性 1.光敏电阻的主要参数 (1)暗电阻 ◆光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称为暗电流。 (2)亮电阻 ◆光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。(3)光电流 ◆亮电流与暗电流之差称为光电流。 2.光敏电阻的基本特性 (1)伏安特性 ◆在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。 硫化镉光敏电阻的伏安特性 (2)光谱特性 ◆光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性,亦称为光谱响应。 下图为几种不同材料光敏电阻的光谱特性。对应于不同波长,光敏电阻的灵敏度是不同的。 光敏电阻的光谱特性 (3)光照特性 ◆光敏电阻的光照特性是光敏电阻的光电流与光强之间的关系,如图8-10所示。 ◆由于光敏电阻的光照特性呈非线性,因此不宜作为测量元件,一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。

光敏电阻的光照特性 (4)温度特性 ◆光敏电阻受温度的影响较大。当温度升高时,它的暗电阻和灵敏度都下降。 ◆温度变化影响光敏电阻的光谱响应,尤其是响应于红外区的硫化铅光敏电阻受温度影响更大。下图为硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线 (5)光敏电阻的响应时间和频率特性 ◆实验证明,光电流的变化对于光的变化,在时间上有一个滞后,通常用时间常数t来描述,这叫做光电导的弛豫现象。所谓时间常数即为光敏电阻自停止光照起到电流下降到原来的63%所需的时间,因此,t越小,响应越迅速,但大多数光敏电阻的时间常数都较大,这是它的缺点之一。下图所示为硫化镉和硫化铅的光敏电阻的频率特性。 光敏电阻的频率特性

光敏电阻特性

光敏电阻特性 【实验目的】 1. 了解光敏电阻的基本特性。2.测量光敏电阻的伏安特性曲线和光照特性曲线。 【实验仪器】 DH-CGOP1光电传感器实验仪1套(包括灯泡盒,光敏电阻LDR ,九孔板实验箱,1K 电阻);DH-VC3直流恒压源1台;万用表1块;导线若干 【实验原理】 光敏电阻是采用半导体材料制作,利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小,这种现象称为光导效应,因此,光敏电阻又称光导管。 用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极,然后接出引线,封装在具有透光镜的密封壳体内,以免受潮影响其灵敏度。在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子一空穴对增加了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电导率增加,电导率的改变量为 p n pe ne σμμ?=?+?\*MERGEFORMAT (1) 式中e 为电荷电量,?p 为空穴浓度的改变量,?n 为电子浓度的改变量,μp 为空穴的迁移率,μn 为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U 后,光电流为 ph A I U d σ=?\*MERGEFORMAT (2) 其中A 为与电流垂直的截面积,d 为电极间的距离。由和可知,光照一定时,光敏电阻两端所加电压与光电流为线性关系,呈电阻特性。光照愈强,阻值愈低。入射光消失后,由光子激发产生的电子一空穴对将逐渐复合,光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压,其中便有电流通过,受到适当波长的光线照射时,电流就会随光强的增加而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。 1.伏安特性

第一章 光敏电阻及其特性1

第1章 光敏电阻及其特性 1.1 光敏电阻的功能与结构 光敏电阻是根据光电导效应制成的光电探测器件,所谓光电导效应就是光电材料受到光辐射后,材料的电导率发生变化。它可以这样理解:材料的电导率、电阻与该材料内部电子受到的束缚力有关,束缚力越大,电子越难自由运动,电导率越小,电阻越大;当电子吸收外来的一定能量的光子后,根据能量守恒原则,动能增加,材料对电子的束缚力减弱,电导率减小,电阻减小。从而等到结论:光敏电阻的阻值会随着光照强弱的变化而变化。光照强,光敏电阻的阻值就小;光照弱,光敏电阻的阻值就大。暗电阻光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻,亮电阻光敏电阻在受光照射时的电 阻称为亮电阻。 光敏电阻在应用时,通常采用的电路形式 如图1-1所示。R p 为光敏电阻,R L 为负载电阻, V b 为偏置电压,V L 为光敏电阻两端电压。 光敏电阻在使用时呈现一定的电路特性:光 敏电阻的两极加上一定电压后,当光照射在光电 导体时,由光照产生的光生载流子在外加电场作用下沿一定方向运动,在电路中产生电流。光敏电阻的电路特性(电阻、转换效率等)和光电导体长度有关。通常将光敏电阻的光敏面作成蛇形,电极作成梳状,如图1-2所示;这样既可 保证有较大的受光表面,也可以减小电极之间距离, 从而既可减小极间电子渡越时间,也有利于提高灵 敏度。 1.2 光敏电阻的特性 光敏电阻的材料和结构不同,会使光敏电阻 呈现不同的特性。在不同的应用场合下,就应选用不同特性的光敏电阻。光敏电阻的选择通常应考虑光电材料的光谱特性、光电电路的转换效率和响应时间等因素。 1.2.1 光谱特性 光敏电阻的光电导效应不是在任意的光照下都能呈现,只有光子能量大于材料的间接能隙(原子的能级之差)时,光敏电阻才能呈现光电导效应。 光敏电阻与入射光光谱之间的特 图1-1 光敏电阻基本应用电路 图1-2 光敏电阻的电路符号及蛇形结构

1光敏电阻特性参数及其测量

实验2.1 光敏电阻特性参数及其测量 1. 实验目的 通过本实验,认识并学习光敏电阻,掌握光敏电阻的基本工作原理、暗电阻、亮电阻、光照特性等基本参数及其测量方法。 2. 实验器材 ①光电平台主机1台; ②LED光源实验装置1个; ③发光二极管R、G、B、W四色各1个; ④光敏电阻1个; ⑤光电探测实验装置1个; ⑥表座3个; ⑦光电器件支杆3个; ⑧连接线20条; ⑨照度计探头1个; 3.实验原理 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器。在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强,阻值愈低。入射光消失后,由光子激发产生的电子—空穴对将复合,光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压,其中便有电流通过,受到波长的光线照射时,电流就会随光强的而变大,从而实现光电转换。 4. 实验步骤 (1)元件组装 ①将光敏电阻牢固地安插在光电探测实验装置上,将延长接圈拧到装置上,使光敏电阻固定不动且与装置同轴,从光敏电阻实验装置后面引出正负两个电极。 ②将LED发光二极管(白色)牢固地安插在LED光源装置上,二极管的长脚插入白色螺钉一侧的插孔内(正极),短脚插入黑色螺钉一侧的插孔内(负极)。将延长接圈拧到装置上,让LED固定不动且与装置同轴。光源装置后面引出正负两个电极。 ③将光源装置与光敏电阻实验装置相对安装在一起,使LED发出的光恰好被光敏电阻所接收,并能够排除外界杂光的干扰为最好。 ④将照度计探头用支撑杆安装在导轨上。 (2)测量光敏电阻的亮电阻 ①将LED实验装置按照如图1.3-4所示搭建LED供电电路,其中电流表量程为20mA。 ②将光电探测实验装置按照如图1.3-5所示搭建光敏电阻亮电阻测量电路,其中电源+12V电流表量程为200mA,电压表量程为20V。

光敏电阻器的特性和应用

光敏电阻器的特性和应用 站长2006-4-2 15:05:30 光敏电阻是采用半导体材料制作,利用内光电效应工作的光电元件。 它在光线的作用下其阻值往往变小,这种现象称为光导效应,因此,光 敏电阻又称光导管。 用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极,然后接出引线,封装在具有透光镜的密封壳体内,以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如图所示。在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子—空穴对增加了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强,阻值愈低。入射光消失后,由光子激发产生的电子—空穴对将逐渐复合,光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压,其中便有电流通过,受到适当波长的光线照射时,电流就会随光强的增加而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。 基本特性及其主要参数 1、暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻,或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。例如MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。 光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为亮电阻或亮阻。此时流过的电流称为亮电流。MG41-21型光敏电阻亮阻小于等于1k。 亮电流与暗电流之差称为光电流。

显然,光敏电阻的暗阻越大越好,而亮阻越小越好,也就是说暗电流要小,亮电流要大,这样光敏电阻的灵敏度就高。 2、伏安特性 在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与流过光敏电阻的电流之间的关系,称为伏安特性。 由图2.6.2可知,光敏电阻伏安特性近似直线,而且没有饱和现象。受耗散功率的限制,在使用时,光敏电阻两端的电压不能超过最高工作电压,图中虚线为允许功耗曲线,由此可确定光敏电阻正常工作电压。 图光敏电阻的伏安特性图光敏电阻的光电特性图光敏电阻的光谱特性 3、光电特性 光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。如图所示,光敏电阻的光电特性呈非线性。因此不适宜做检测元件,这是光敏电阻的缺点之一,在自动控制中它常用做开关式光电传感器。 4、光谱特性 对于不同波长的入射光,光敏电阻的相对灵敏度是不相同的。各种材料的光谱特性如图所示。从图中看出,硫化镉的峰值在可见光区域,而硫化铅的峰值在红外区域,因此在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来考虑,才能获得满意的结果。 5、频率特性 当光敏电阻受到脉冲光照时,光电流要经过一段时间才能达到稳态值,光照突然消失时,光电流也不立刻为零。这说明光敏电阻有时延特性。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同,所以它们的频率特性也不相同。图给出相对灵敏度Kr,与光强变化频率f之间的关系曲线,可以看出硫化铅的使用频率比硫化铊高的多。但多数光敏电阻的时延都较大,因此不能用在要求快速响应的场合,这是光敏电阻的一个缺陷。

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性(精)

光敏传感器的光电特性研究 (FB815型光敏传感器光电特性实验仪) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1.光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体PN结内部有自建电场。当光照射在PN结及其附近时,在能量足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场E的作用,电子漂移到N区,空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷,P区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动势,此现象称为光生伏特效应。 2.光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。

实验报告材料-光敏电阻基本特性的测量

实验报告 姓名:班级:学号:实验成绩: 同组:实验日期:08/4/14 指导老师:助教15 批阅日期: 光敏电阻基本特性的测量 【实验目的】 1.了解光敏电阻的工作原理及相关的特性。 2.了解非电量转化为电量进行动态测量的方法。 3.了解简单光路的调整原则和方法. 4.在一定照度下,测量光敏电阻的电压与光电流的关系。 5.在一定电压下,测量光敏电阻的照度与光电流的关系。 【实验原理】 1 光敏电阻的工作原理 在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于光电效的光电元件。当光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数

增加,使材料的电导率增加。电导率的改变量为: (1) 式中e为电荷电量;为空穴浓度的改变量;为电子浓度的改变量;为空穴的迁移率;为电子的迁移率。当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为 (2) 式中A为与电流垂直的截面积,d为电极间的距离。 用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和锑化物等半导体材料.目前生产的光敏电阻主要是硫化镉.光敏电阻具有灵敏度高、光谱特性好、使用寿命长、稳定性能高、体积小以及制造工艺简单等特点,被广泛地用于自动化技术中. 本实验光敏电阻得到的光照由一对偏振片来控制。当两偏振片之间的夹角为时,光照为,其中:为不加偏振片时的光照,D为当量偏振片平行时的透明度。 2 光敏电阻的基本特性 光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。本实验主要研究光敏电阻的伏-安特性和光照特性。3.附上实验中的光路图:

常用红外光敏电阻参数

相应曲线:硫化铅: 硒化铅:

1. 硫化铅光敏电阻系列: 电气参数 注:型号中的M为密封封装. 活性区参数

机械参数 TO-46 TO-5 TO-8 TO-3 典型应用电路:

2. 电子冷却硫化铅光敏电阻系列 电气参数 NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and Vacuum LN Dewars also available. Contact us for further details. **TO-8, TO-66 or TO-3 packages only. 活性区参数 机械参数

3. 硫化铅线阵主要性能: Array Array P bS Array 1-3 microns P bSe Array 1-5 microns P bS D* >8 x 1010 Note P bSe D* >3 x 109 Note S quare or rectangular geometry P itch down to 59 microns P ixels 256 T hermoelectrically cooled T E Cooler Controller O perating temp. down to 253K

O ptical filters L ow cost C ustom designs Multiplexing D C integrating D ark current subtraction S ample rates from 100 Hz to 1.2 MHz I ndependent or slave operation C ustom interfaces available I ntegration times from 0.05 msec to 0.66 sec. System Requirements ±12 to ±15VDC T E Cooler 5V @ 2 amps (typical) Amplifier Specifications O utput voltage range up to ±12V O utput current 2-3 mAmp typical and up to 30 mAmp available A djustable output gain available 4. 硒化铅光敏电阻 电气参数 活性区参数

光敏电阻特性与应用

在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压,其中便有电流通过,受到适当波长的光线照射时,电流就会随光强的增加而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。 光敏电阻是采用半导体材料制作,利用内光电效应工作的光电元件。它在光线的作用下其阻值往往变小,这种现象称为光导效应,因此,光敏电阻又称光导管。 用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极,然后接出引线,封装在具有透光镜的密封壳体内,以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如图所示。在黑暗环境里,它的电阻值很高,当受到光照时,只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度,则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带,并在价带中产生一个带正电荷的空穴,这种由光照产生的电子—空穴对增加了半导体材料中载流子的数目,使其电阻率变小,从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强,阻值愈低。入射光消失后,由光子激发产生的电子—空穴对将逐渐复合,光敏电阻的阻值也就逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压,其中便有电流通过,受到适当波长的光线照射时,电流就会随光强的增加而变大,从而实现光电转换。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。 基本特性及其主要参数 1、暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻,或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。例如MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。 光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为亮电阻或亮阻。此时流过的电流称为亮电流。MG41-21型光敏电阻亮阻小于等于1k。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 显然,光敏电阻的暗阻越大越好,而亮阻越小越好,也就是说暗电流要小,亮电流要大,这样光敏电阻的灵敏度就高。 2、伏安特性 在一定照度下,光敏电阻两端所加的电压与流过光敏电阻的电流之间的关系,称为伏安特性。 由图2.6.2可知,光敏电阻伏安特性近似直线,而且没有饱和现象。受耗散

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