半导体能带位置数据

Material CB (NHE)VB (NHE)CB (Vac)VB (Vac)Band gap Fe2O30.28 2.48-4.78-6.98 2.2 FeOOH0.58 3.18-5.08-7.68 2.6 TiO2-0.29 2.91-4.21-7.41 3.2 ZnO-0.31 2.89-4.19-7.39 3.2 CdS-0.52 1.88-3.98-6.38 2.4 Cu2O-0.28 1.92-4.22-6.42 2.2 WO30.74 3.44-5.24-7.94 2.7 ZnS-1.04 2.56-3.46-7.06 3.6