ZnO薄膜的制备及p型掺杂研究进展 - 副本

收稿日期：2009-03-05.

基金项目：湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目（2004419）资助。

作者简介：刘长林（1984-），男，湖北省麻城市人，硕士研究生，从事微波等离子体制备金刚石薄膜及其应用研究。

第15卷第2期

2009年6月真空与低温Vacuum ＆Cryogenics ZnO 薄膜的制备及p 型掺杂研究进展

刘长林1，汪建华1,2，熊礼威1,2，翁俊1，王文君1，李

远1，陈冠虎1（1.武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室，湖北武汉430073；2．中国科学院

等离子体物理研究所，安徽合肥230031）摘要：氧化锌是一种在声表面波传感器、压电器件以及太阳能电池等方面具有很好应用前景的材料。介绍了目

前制备ZnO 薄膜的主要方法，综述了ZnO 薄膜p 型掺杂的研究现状，并对ZnO 薄膜的研究进行了展望。

关键词：ZnO 薄膜；制备方法；p 型掺杂

中图分类号：TB43文献标识码：A 文章编号：1006-7086（2009）02-0063-07

RECENT PROGRESS ON PREPARATION AND P-TYPE DOPING OF ZnO FILMS

LIU Chang-lin 1,WANG Jian-hua 1,2,XIONG Li-wei 1,2,WENG Jun 1,

WANG Wen-jun 1,LI Yuan 1,CHEN Guan-hu 1

（1.Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advanced Material,

Wuhan Institute of Technology,Wuhan 430073,China;

2.Institute of Plasma Physics,Chinese Academy of Science,Hefei 230031,China ）

Abstract ：Zinc oxide has favorable applications in surface acoustic wave sensor,piezoelectric device,solar cell and other

fields.This paper presents the main preparations of ZnO films and review investigation situation of p-type doping ZnO

films,also the work of ZnO films is prospected.

Key words:ZnO films;preparation;p-type doping

1引言

ZnO 是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙化合物半导体材料，其晶体结构有3种：纤锌矿型、闪锌矿型和盐

岩矿型。一般情况下，

ZnO 是六角纤锌矿型，晶格常数a =0.3250nm ，c =0.5205nm ，熔点为1975℃，压电常数为11.9pm/V 。ZnO 具有高的导电性，高的化学稳定性以及耐高温性质，并且来源丰富，价格低廉。室温下禁带宽度为3.37eV ，使其具有紫外截止特性，而它的激子结合能高达60meV ，也使得它可以用来制造

短波长发光材料。

优异的光学和电学特性，使其具备了发射蓝光或近紫外光的优越性能，高电阻率及其高c 轴择优取向的ZnO 薄膜决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数，可用作各种压电、电声与声光器件。因具有电阻率随表面吸附的气体浓度变化的特点，ZnO 薄膜还可以用作表面型气敏元件。在可见光及

近红外区的透明特点也使得它可以用作透明导电薄膜（主要用于太阳能电池）

。此外，近几年的研究发现ZnO 薄膜有着高的击穿强度和饱和漂移速度，比Si 、GaAs 、CdS 、GaN 等大部分半导体材料抗辐照能力更强，在高速器件和空间器件方面具有应用潜力[1,2]。由此可见，ZnO 薄膜是一种极具发展潜力的化合物半导体材料。

作者详细介绍了磁控溅射法、脉冲激光沉积法等4种制备ZnO 薄膜的主要方法，讨论了各种方法的基63

64

真空与低温第15卷第2期

本原理和各自的优缺点，重点综述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状，并对ZnO薄膜今后的研究发展进行了展望。

2ZnO薄膜制备的主要方法

ZnO材料的应用研究涉及到多个领域，不同的应用对ZnO薄膜有着不同的要求。这其中包括：薄膜厚度、结晶取向、晶粒大小、表面平整度。而这些性能在很大程度上又取决于不同的制备方法及其工艺参数。几乎所有制备薄膜的技术都可以用来制备ZnO薄膜，各种制备方法都有各自的优缺点，实际应用过程中可以根据不同的需要来进行选择。

2.1磁控溅射法

磁控溅射法是目前应用最为广泛的一种溅射沉积薄膜方法。磁控溅射法典型的沉积工艺条件为：工作气压0.5Pa，靶电压600V，靶电流密度20mA/cm2，薄膜沉积速率2μm/min[3]。根据溅射源的不同，磁控溅射可以分为直流、射频和中频磁控溅射。该方法具有沉积速率高、沉积温度低、维持放电的靶电压低、电子对衬底的轰击能量小、过程易于控制和适合于大面积薄膜的制备等许多优点。其不足之处在于以Zn作为靶材时，在氧气氢中发生反应溅射时可能出现靶中毒现象。另外磁控溅射法还很难制备出ZnO单晶薄膜。

2.2脉冲激光沉积（PLD）法

PLD法是20世纪80年代后发展起来的一种真空物理沉积方法，其原理是在超高真空系统中，采用反光镜将激光器发出的高能激光脉冲汇聚在靶材表面，使靶材瞬时融化汽化，在周围形成等离子体，产生的等离子体因定向局域等温绝热膨胀发射到基片表面，最后通过与基片相互作用而形成膜。入射源一般采用KrF （243nm，10Hz，30ns）或ArF（193nm，20Hz，15ns）激光器。该方法的沉积步骤一般为：一是制备沉积用的靶材料；二是等离子体的形成和薄膜的沉积同时进行[4]。脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的最大优点在于其生长参数独立可调，可以精确地控制化学计量比，因而容易实现超薄薄膜的制备和多层膜结构的生长，并且生长的ZnO薄膜结晶性能很好。其不足之处在于由于熔蒸“羽辉”具有很强的定向性，因而形成均匀厚度膜的范围很窄[5]。

2.3溶胶凝胶法（Sol-Gel）

溶胶凝胶法作为一种新型高效的边缘制备薄膜技术，其原理是在较低的温度下从溶液中大面积地沉积所需要的氧化物涂层，并经热处理形成晶体薄膜。该方法可分为旋涂法和浸涂法，选用的前驱体为分析纯的

·2H2O)、乙二醇甲醚和无水乙醇作为溶剂，乙醇胺（DEA）作为稳定剂。采用溶胶二水合醋酸锌（Zn（CHCOO）

2

凝胶法，溶质、溶剂以及稳定剂的选取对薄膜的最终质量、成本以及工艺复杂程度起着决定性作用。该方法制备的薄膜具有c轴择优取向、平整均匀、可见光透光率高等特点，还可以制备掺杂水平要求精确的薄膜。另外，整个过程无需真空设备、成本低、适于批量生产透明导电薄膜。其不足之处在于制备的ZnO薄膜结晶质量不是很好，并且该技术不能与IC平面工艺相容，从而限制了其发展。

2.4分子束外延法

分子束外延法（MBE）是一种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内源材料通过高温蒸发、辉光放电、气体裂解、电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。该方法一般分为等离子体增强分子束外延（P-MBE）和激光分子束外延（L-MBE），选用的衬底一般为蓝宝石。典型的MBE设备由束源炉、样品台和加热器、控制系统、超高真空系统和检测分析系统组成。使用MBE进行ZnO薄膜的制备，容易控制组分和进行原子层上生长，得到的ZnO薄膜纯度高，结晶性能好，氧缺陷密度低，具有很好的紫外辐射特性。其研究的一个重要方向是应用MBE进行批量生产，所要解决的问题是维持超高真空所需费用高和生长速率低等问题。

3ZnO薄膜p型掺杂研究进展

ZnO多为富Zn生长，本征ZnO薄膜中含有氧空位V o（正电中心）和锌间隙Zn i（正电中心）等缺陷，这些固有点缺陷作为正电中心可以束缚电子，在ZnO晶带中引入施主能级使ZnO薄膜呈n型[6]。根据原子价控制

刘长林等：ZnO薄膜的制备及p型掺杂研究进展

原理：ZnO薄膜掺杂是指通过在氧化物中掺杂适量的金属元素或其化合物，引入一定量的自由电子或自由空穴，从而改变ZnO薄膜的禁带宽度和电阻率[7]。本征ZnO晶体是典型的弱n型半导体，容易实现n型掺杂。ZnO薄膜的n型掺杂可以通过掺杂Ⅲ族元素（B、AI、In、Ga）和Ⅳ族元素（Si、Ti、Ge、Zr、Sn、Hf、Pb）以及稀土元素（La、Pr、Er、Nd、Eu）等来实现[8]。而p型ZnO薄膜的掺杂则是一个世界性的难题，其主要原因有以下几点：首先，ZnO薄膜p型掺杂所带来的自补偿效应。n型半导体的ZnO晶体中本身存在着大量的氧空位和锌间隙，一旦掺入受主杂质，前者所释放出的电子就会与后者能级所释放出的空穴相复合，释放出与氧空位和锌间隙的形成能相当的能量，补偿效应就会产生相当的氧空位和锌间隙。结果就是有效的施主浓度基本保持不变。其次是表面掺杂元素活性的单极性现象，该现象可以用Madelung能来描述。Madelung能的绝对值越大，表明单极性强或掺杂元素的活性越差[9]。掺杂后得到的ZnO晶体结构越不稳定，p型ZnO薄膜将难以获得。在假设n型掺杂占据锌位而p型掺杂占据氧位的条件下，表1列出了几种常见的p型和n型掺杂元素在ZnO薄膜中的Madelung能。另外ZnO薄膜的p型掺杂还要受到杂质固溶度小、掺杂能级较深等因素的影响。

n型掺杂Madelung能/eV p型掺杂Madelung能/eV

AI Ga In F

-6.44

-13.62

-9.73

-1.86

N

Li

-

-

+0.79

+13.56

-

-表1不同元素掺杂在ZnO中与未掺杂ZnO中Madelung能之差[10]

针对ZnO薄膜p型掺杂困难的原因，可以尝试采取以下手段来得到p型ZnO薄膜:（1）抑制ZnO中的本征施主缺陷浓度，减少自补偿效应[11]。（2）寻找更加合适的掺杂元素。（3）增加受主元素在ZnO中的掺杂浓度和降低受主在ZnO禁带中的能级。相对于ZnO薄膜的n型掺杂元素，实现其p型转化可以掺Ⅰ族元素（Ag、Cu、Au、Li、Na、K）和Ⅴ族元素（N、P、As、Sb、Bi）等，也可以采取共掺。由于Ⅰ族元素能级较浅，掺杂浓度不高，同时易形成间隙而成施主态，作为受主掺杂并不理想[12]。但经过一些科学家的努力，也取得了一些进展。3.1Ⅰ族元素的p型掺杂

ZnO薄膜掺Ag的研究韩国延世大学的Gun Hee Kim等采用脉冲激光在（0001）蓝宝石上进行了掺Ag 氧化锌薄膜的沉积。表2和表3列出的是不同沉积温度条件下膜的各项参数。

沉积温度/℃载流子浓度/cm-3电阻率/Ω·cm

室温100 200 250 3002.29×1011

2.57×1011

4.90×1016

6.00×1017

1.29×1017

6.22×105

2.04×105

5.47×101

3.35×101

2.22×101

迁移率/cm2·V-1·s-1

43.00

11.00

2.32

0.29

6.33

导电类型

半绝缘

半绝缘

p

p

n

表2不同沉积温度下掺Ag的ZnO薄膜的电学性能[13]

温度/℃AgO（Ag2+）/％Ag

2

O（Ag1+）/％Ag-Ag（AgO）/％

室温~175 175~275 275~400

67.8

22.5

20.0

58.8

44.4

12.2

19.6

55.6表3不同沉积温度区域下ZnO中元素Ag的化学态[14]

经过热分析，X射线电光子分光光谱和Hall测量表明：Ag掺杂ZnO薄膜的导电类型取决于沉积温度。为了获得p型ZnO:Ag膜，可以调整沉积温度处于一定的范围。

ZnO薄膜掺Na的研究2008年，浙江大学的Lin和他的同事以脉冲激光法掺Na得到了p型ZnO薄膜[15]。依赖磁场的霍耳效应测量，证明该膜具有稳定的p型导电性。温控光致发光和低温光致发光发射图谱给出

65

真空与低温第15卷第2期

的掺Na受主能级为164meV。他们还在Si基片上沉积出由掺Al n型ZnO层和掺Na p型ZnO层组成的ZnO p-n同质结发光二极管，此二极管具有明显的阀值电压为3.3eV整流行为。在该二极管中110K条件下，Lin还观察到了电致发光现象，其发射光谱由p型层中的辐射重组形成的2.24eV、2.52eV和3.03eV处的3个发射带组成。

3.2Ⅴ族元素的p型掺杂

ZnO薄膜掺N的研究N离子半径（0.146nm）与O的离子半径（0.138nm）最接近，更容易替代O位置，并且引入的受主能级相对较浅（距价带顶约0.40eV），因而普遍地认为N是最理想的受主掺杂元素[12,16]。Lee等成功地采用原子层外延法（ALE）在（0001）蓝宝石上得到了p型掺N ZnO薄膜[17]。实验过程中以Zn（C2H5）2（DEZn）为Zn先驱物，H2O为氧化剂，NH3为掺杂源气体。获得的p型ZnO膜最低电阻率达到210Ω·cm，对应的空穴浓度为3.41×1016cm-3。低温光致发光分析结果显示，退火后的ZnO∶N为p型半导体，研究人员在此实验基础上

建立了n型ZnO经退火处理转变为p型ZnO模型。日本的Gangil等以O

2和N

2

为气源采用远程等离子增强

金属化合物化学气相沉积法（RPE-MOCVD）在a-平面蓝宝石上制得了掺N p型ZnO膜[18]。其载流子浓度范

围为1013~1015cm-3，对应的电阻率为10-1~102Ω·cm。拉曼光谱（RS）和傅立叶转换红外（FT-IR）光谱证明了掺杂元素N的存在。与N相关的Raman特征峰在289、587和653cm-1附近3个地方出现。他们首次采用傅立叶转换红外光谱表征ZnO∶N膜取得了很好的效果。从FT-IR结果可以看出，薄膜中的化合物在沉积后退火中分解了。实验得出的伏安特性曲线显示了p-n同质结中的p型导电性。

ZnO薄膜掺P的研究韩国的Vaithianathan等以Zn3P2为P源使用脉冲激光在Al2O3（0001）基片上沉积出了p型ZnO薄膜[19]。霍耳效应测量表明无论掺P浓度多少，未经退火处理的ZnO薄膜均呈现n型导电性。掺P摩尔质量为3％的ZnO薄膜在600~800℃温度范围退火处理（O

2

气氛中）后呈现p型导电性，对应的空穴浓度范围为5.1×1014~1.5×1017cm-3，迁移率为2.38~39.3cm2·V-1·s-1，电阻率为17~330Ω·cm。低温（15 K）光致发光光谱显示:只有在p型ZnO薄膜中才会出现位于3.358eV且与中性受主激子（A0,X）相关的特征峰。该研究小组不仅证明了磷掺杂p型ZnO薄膜只有在一定的温度范围内快速退火得到，而且还展示了Zn3P2的运用为p型ZnO薄膜的制备提供了一种有效的途径。而另外包括Min-Suk Oh在内的一些研究人员采用射频磁控溅射法掺p成功的获得了p型ZnO薄膜[20]。他们选择了先在c-Al2O3基片上沉积一层厚度为1.0μm的本征ZnO缓冲层，然后再在其上进行掺P实验。溅射后的掺p ZnO薄膜在N2气氛中于800℃下退火2min后由半绝缘型转变为p型。实验得到的p型ZnO薄膜的厚度达到了0.8μm，空穴浓度2.36×1017cm-3，迁移率2.14cm2·V-1·s-1，电阻率为12.35Ω·m。X射线衍射、二次离子质谱分析和霍耳测量都显示:已生长掺p ZnO中的P2O5相在退火后消失形成了取代O晶格位置的P，该取代P是作为一种受主而存在于掺p ZnO 中。透射电镜表明，在热退火处理过程中堆垛层错的形成有利于掺p ZnO膜中张力的释放。

ZnO薄膜掺As的研究我国湖南大学的一些研究人员采用双靶（ZnO和Zn3As2）磁控溅射法，在玻璃衬底上制备出厚度为100~150nm空穴浓度为1016～1017cm-3的p型ZnO∶As膜[21]。实验过程中氩气压力为1Pa，

衬底温度为350℃，靶材与衬底距离为17cm。ZnO靶使用的是功率为100W的射频源，而Zn

3

As2靶则使用的是0～9.7W不等的直流源。该实验还验证了经过退火处理可以将n型ZnO:As薄膜转化为p型ZnO∶As 薄膜。复旦大学的Ning Xu等使用脉冲激光在（0001）蓝宝石基底上沉积出纳米级p型掺As膜。ZnO靶材含

有质量分数为6.6％的As

2

O3[22]。沉积过程中向腔体中通入氧气（纯度大于99.99％）并保持沉积气压为5Pa，基片温度为500℃，激光频率为10Hz，沉积时间为30min。实验得到的p型ZnO∶As膜中受主浓度达到1.9×1018cm-3，X射线光谱图（XPS）显示掺杂元素As在薄膜中的浓度在1.7％左右。根据XPS分析和ZnO中大尺

寸错配族-Ⅴ掺杂源模型、复合As

Zn-2

V Zn被认为是最有可能的受主[23]。

ZnO薄膜掺Sb的研究加利福尼亚大学的Mandalapu等在Sb掺杂获得p型ZnO薄膜方面取得了一系列进展[24~27]。2005年，他们首次采用分子束外延法在Si（100）面上掺杂Sb得到了p型ZnO薄膜。其膜厚为200nm左右，在室温下的空穴浓度为1.0×1018cm-3，迁移率为22.4cm2·V-1·s-1，电阻率为0.27Ω·cm。在此基础上继续下去，先是制得了Sb掺杂p型ZnO异质结光电二极管，并通过样品的伏安曲线和电容电压曲线研究了它的p型行为。随后又掺杂Sb得到了用于紫外探测器的同质结光电二极管。2007年，该研究小组又取66

得了可喜的进步，他们将Al/Ti 金属蒸发在ZnO 膜上制成ohmic （欧姆）接触块和Schottky （肖特基）接触块，然后通过改变ohmic 接触块和schottky 接触块在以Si （100）为基片的Sb 掺杂p 型ZnO 薄膜上的位置，获得了金属-半导体-金属（MSM ），肖特基以及光电装置。而且经过检测发现，得到的MSM 、肖特基以及光电装置具有典型的光学特性和紫外光敏特性。

3.3施主-受主共掺杂

共掺杂技术制备p 型ZnO 的本质是活性施主

（Al 、Ga 、In ）与活性受主（N 、P 、As ）实施共掺杂，以施主-受主间的引力取代原有受主间的斥力，从而达到增加N 、P 、As 原子掺杂浓度的目的[28]。因而共掺杂元素的选择主要集中在Ⅲ族和Ⅴ族元素上。

N-Al 共掺Zhang 等采用超声雾化气相沉积法分别在玻璃和n 型Si 上沉积得到了N-Al 共掺p 型ZnO 薄膜[29]。其空穴浓度分别为4.6×1018cm -3和7.51×1019cm -3，使用的前驱体为Zn （CH 3COO ）2

·2H 2O ，CH 3COONH 4和AI （NO 3）3

·9H 2O 。他们还研究了Zn ∶N ∶Al 三者的原子比例对掺杂ZnO 薄膜电学和结构特性的影响。霍耳测量揭示:随着Al 原子比例的提高，ZnO 薄膜的导电类型由n 型转为p 型后又转变为n 型。其原因是当掺Al 原子浓度不高时，N 在ZnO 中的溶解度也低，此时受主会被氧空穴或锌间隙补偿掉，薄膜显示出p 型导电性[30]。由于Al 原子能提高掺杂效率，故随着Al 的增加，N 原子能有效地掺入ZnO 薄膜，其结果是受主浓度得到了很大的提高，导电性转变为p 型。但是，在一定条件下，N 原子在ZnO 薄膜中的溶解度不变，当Al 原子增加

时，薄膜的导电性又转为n 型。但整个过程中薄膜的电阻率一直下降。X 射线衍射

（XRD ）结果显示共掺杂ZnO 薄膜有着与未掺杂相似的002择优取向的结晶特性。然而，扫描电镜（SEM ）揭示其表面形貌与未掺杂ZnO 薄膜明显不同。

N-Ga 共掺香港浸会大学的Wang 等以（0001）蓝宝石为衬底在低压条件下运用金属有机物气相外延

法（MOVPE

）沉积得到了p 型ZnO 薄膜[31]。共掺过程中锌源为二乙基锌（DEZn ），气氛气体为高纯度N 2，氧源为N 2O ，氮源为二甲基肼（DMHy ），镓源为三甲基镓（TMGa ）。X 射线光电子谱显示掺N 过程只有在二甲基肼（DMHy ）处于500~550℃窄温度范围内才能有效的进行。Ga 的掺入对N 原子的结合起到了积极作用，而且共掺型ZnO 薄膜的导电类型受到生长过程中N/Ga 比的影响。实验得到的p 型ZnO 薄膜的空穴浓度为2.41×1018cm -3，迁移率为4.29cm 2·V -1·s -1。根据光致发光光谱计算得到的N 受主能级为160meV 。为了证明共掺ZnO 薄膜的p 型导电性，研究人员还制得了以厚度为200nm 的未掺杂ZnO 薄膜和厚度为150nm （N,Ga ）共掺ZnO 薄膜组成的ZnO 同质结。

4结束语

从1997年掀起ZnO 研究的热潮至今已经超过10年，ZnO 的研究在能带结构及其固有缺陷和ZnO 半导体输运性质等方面已经取得了很大的进展，但离ZnO 薄膜的商业化仍然存在一定的距离。制备ZnO 薄膜的方法各有优缺点，能够制备出高质量的方法往往难以实现产业化。较之其他方法，磁控溅射被视为最具有产业化潜力的方法之一，但因制得的薄膜质量不是很好故其工艺仍然有待进一步改进。高浓度受主ZnO 薄膜的掺杂及其p-n 结的制备仍然存在一定的困难，而利用Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂的方法来制备p 型ZnO 薄膜已

经越来越受到各国学者的重视，未来几年有可能成为研究热点[32]。也有一些学者，

利用ZnO 和GaN 的匹配较好、晶格特性相近的特点，制得由n 型ZnO 和p 型GaN 的氧化锌p-n 结，该方法也是一个较好的努力方向[33]。有理由相信在不久的将来，随着ZnO 薄膜研究的继续深入，ZnO 薄膜的广泛应用时期一定会到来。

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撰写参考文献须知

为了使本刊编排格式更加规范化，以便于《中国学术期刊（光盘版）》及《中国学术期刊综合评价数据库来

源期刊》

的收录，更广泛地进行国内外学术交流，本刊要求论著文章中参考文献一律采用我国科学技术书刊中所普遍使用的“顺序编码制”。现将撰写要点简述如下：

一、正文中标注格式：采用顺序编码制时，在对文中所引用的文献，按它们出现的先后顺序依次连续排序，并将序号置于方括号内，标于上角或作为语句的组成部分。

例如：国内外学者对此进行了长期研究[1~3]。

按文献[4]提供的参数设计制作出样机。

二、文后参考文献表的撰写格式：在文后撰写参考文献表时，各条文献应按在论著中文献序号顺序排列，文献中项目一定要完整，内容一定要准确。应根据不同的文献类型分别加以著录。各类文献的标引项及顺序要求为：

1）专著：著者（多名著者时，应标引至少三名著者姓名）.书名[M ].版本.出版地：出版者，出版年.起止页码。

2）期刊：作者（多名作者时，应标引至少三名作者姓名）.题名[J].刊名，年，卷（期）：起止页码。

3）论文集：作者（多名作者时，应标引至少三名作者姓名）.题名[C].编者：文集名，出版地：出版者，出版年.起止页码。

4）会议论文：作者（多名作者时，应标引至少三名作者姓名）.题名[C].会议名称，会址，会议年份。

5）专利：专利申请者.专利题名[P].专利国别：专利号，出版日期。

6）学位论文：申报者.论文题名[D].保存地：保存者，年份。

7）报告：作者.题名[R].出版地：出版者，出版年。

8）标准：标准编号，标准名称[S].出版者，出版年。

三、姓名标引：姓名标引时，一律前名姓后；国外作者姓名（包括中国作者姓名使用拼音标引时）一律用大写字母标引。

参考文献是作者写作论著时所参考的文献书目，重点是集中列于文末。标引的规范化，既能提高编排标准，又能提高出版发行效率，这对编者和作者都是有益的。

（本刊编辑部）!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

刘长林等：ZnO 薄膜的制备及p 型掺杂研究进展[30]YE ZHI-ZHEN,QIAN QING,YUAN GUO-DONG,et al .Effect of oxygen partial pressure ratios on the properties of AI-N co-doping

ZnO thin films[J].Journal of crystal growth,2005,274（1-2）:178~182.

[31]WANGH,HO H P,LO K C,et al .Preparation of p-type ZnO films with （N,Ga ）co-doping by M OVPE [J].M aterialsChemistry and

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（2-3）:244~247.[32]OZGURU,ALIVOV YA I,LIU C.A comprehensive review of ZnO materials and devices[J].J Appl Phys,2005,98

（4）:1~103.[33]洪瑞金,贺洪波,邵建达，等.宽禁带氧化锌半导体薄膜的研究进展[J].激光与光电子学进展,2005,42（2）:41~44.69