二极管的特性与应用及英文代码含义
数字电路常用开关二极管

数字电路常用开关二极管
数字电路中常用的开关二极管主要有普通二极管、肖特基二极管和发光二极管(LED)。
1. 普通二极管(Diode):普通二极管是最常见的一种开关二极管,也被称为整流二极管。
它有正向导通和反向截止的特性。
在数字电路中,普通二极管常被用作开关,通过施加适当的正向电压使其导通,而在反向电压下则截止。
2. 肖特基二极管(Schottky Diode):肖特基二极管是一种快速开关二极管,主要用于高频和高速数字电路中。
它具有较低的正向压降和快速恢复时间,能够提供更高的开关速度和更低的开关损耗。
3. 发光二极管(Light Emitting Diode, LED):发光二极管是一种将电能转化为光能的二极管。
在数字电路中,LED通常用作指示灯或显示器,能够发出不同颜色的光信号。
这些开关二极管可以根据具体的应用需求选择使用,用于实现电路的开关控制、信号处理和光学显示等功能。
二极管特性参数

二极管特性参数在电子学中,二极管是一种常见的电子器件,用于控制和调节电流。
了解和了解二极管的特性参数对于电子工程师和电子爱好者来说是非常重要的。
本文将详细介绍二极管的特性参数。
二极管是由PN结组成的半导体器件,其中P区为正极,N区为负极。
当二极管正向偏置时,电流可以流过器件,这被称为正向工作。
当二极管反向偏置时,电流几乎不能流过器件,这被称为反向工作。
以下是二极管的几个重要特性参数:1. 正向电压降(Vf):正向电压降是二极管在正向偏置时产生的电压降。
对于常见的硅二极管而言,正向电压降大约在0.6V至0.7V之间。
对于锗二极管而言,正向电压降约为0.2V至0.3V。
2. 反向电流(Ir):反向电流是指当二极管反向偏置时,经过器件的微小电流。
反向电流非常小,通常以纳安(nA)为单位。
高质量的二极管具有较低的反向电流。
3. 反向击穿电压(Vbr):反向击穿电压是指当反向电压达到一定值时,二极管会发生击穿,导致大电流流过器件。
反向击穿电压是二极管的最大反向工作电压,超过这个电压会损坏二极管。
4. 最大正向电流(Ifmax):最大正向电流是指二极管能够承受的最大正向电流。
超过这个电流将导致二极管过热并可能损坏。
5. 反向恢复时间(trr):反向恢复时间是指二极管从反向工作状态切换到正向工作状态所需的时间。
较小的反向恢复时间表示二极管具有更好的开关特性。
6. 正向导通压降温度系数(Vf-Tc):正向导通电压降温度系数表示二极管的正向电压降随温度变化的程度。
它通常以mV/℃为单位,负值表示正向电压降随温度的升高而下降,正值则相反。
通过了解和理解这些二极管的特性参数,电子工程师和电子爱好者能够更好地选择和应用二极管。
这些参数对于设计和调试电路以及解决电子设备故障都非常有帮助。
总结:本文介绍了二极管的特性参数,包括正向电压降、反向电流、反向击穿电压、最大正向电流、反向恢复时间和正向导通压降温度系数。
了解这些特性参数可以帮助电子工程师和电子爱好者更好地选择和使用二极管。
二极管参数符号及意义

二极管参数符号及意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(A V)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(A V)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
二极管型号及含义

二极管型号及含义•分享•转载•复制地址•转发到微博揉綮嗜谁 2011年03月21日 20:05 阅读(2) 评论(0) 分类:个人日记•举报•字体:中▼o小o中o大国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分,各部分的含义见下表。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示二极管的规格号。
第一部分:主称第二部分:材料与极性第三部分:类别第四部分:序号第五部分:规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2二极管AN型锗材料P小信号管(普通管)W电压调整管和电压基准管(稳压管)L整流堆BP型锗材料N阻尼管Z整流管U光电管CN型硅材料K开关管B或C变容管V混频检波管DP型硅材料JD激光管S遂道管CM磁敏管E化合物材料H恒流管Y体效应管EF发光二极管例如:2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管)2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号按用途分类:整流二极管系列(34)二极管(44400)稳压二极管系列(27737)触发二极管系列(2)开关二极管系列(9)检波二极管系列(22)变容二极管系列(24532)双向二极管系列(5)瞬态电压吸收二极管系列(222)发光二极管系列(62)快恢复整流二极管系列(56)汽车整流二极管系列(9)高效整流二极管系列(19)光敏二极管系列(3)整流桥系列(137)圆珠快速二极管系列(1)变阻二极管(3941)硅整流二极管系列(23885)碰撞雪崩渡越时间二极管(1010)锗二极管与硒二极管(476)隧道二极管(319)稳流二极管(396)U段与微波段混频二极管(3729)U段与微波段检波二极管(995)二极管阵列(599)瞬变抑制二极管(14792)硅微波二极管(44400)贴片二极管(44400)(二)国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成,各部分的含义见下表。
二极管的主要参数

二极管的主要参数二极管是一种主要由两个电极(即正极和负极)组成的电子器件。
它是半导体器件的一种,具有一些重要的参数,下面将详细介绍这些参数。
1.额定峰值反向电压(VR):指二极管所能承受的最大反向电压。
当反向电压高于额定峰值时,会导致二极管击穿,失去正常功能。
2.额定直流正向电流(IF):指在正向电压下,二极管所能承受的最大电流。
当超过额定直流正向电流时,二极管可能会过载损坏。
3.最大导通电流(IFM):指二极管在导通状态下所能承受的最大电流。
超过该电流,二极管可能会由于过热而损坏。
4.静态电阻(RS):指二极管正向导通时的电阻。
该参数影响二极管的电压降和功耗。
5.正向压降(VF):指二极管正向导通时的电压降。
不同类型的二极管具有不同的正向压降,这个参数会影响电路的设计和功耗。
6. 动态电阻(rd):指在二极管正向导通时,电压变化与电流变化之比。
动态电阻决定了二极管的响应速度和频率特性。
7.反向漏电流(IR):指二极管在反向电压下的漏电流。
该参数影响二极管的反向恢复速度和反向漏电功耗。
8. 反向恢复时间(trr):指二极管由正向导通到反向截止状态的时间。
这个时间决定了二极管在高频应用中的性能。
9. 反向恢复电荷(Qrr):指正向导通状态下,当二极管截止时,由于载流子的复合和电荷移动而产生的额外电荷。
这个参数决定了二极管的反向恢复能力。
10. 热阻(Rth):指二极管在正常工作温度下的散热能力。
较低的热阻可以帮助降低二极管的温度,提高其可靠性和寿命。
除了以上提到的参数,还有一些其他参数也很重要,例如温度系数、漂移电流、噪声系数等。
这些参数在不同应用场合下扮演着不同的角色,并且通过适当的选择和优化可以使二极管在电路中发挥出最佳的性能。
总结起来,二极管的主要参数可以分为电流参数、电压参数、速度参数和热参数等几个方面。
在实际应用中,选择合适的二极管必须综合考虑这些参数,并与具体的电路需求相匹配,以确保电路的稳定和可靠性。
二极管的种类及应用

开关二极管
• 原理:利用二极管的单向导电性,当二极 管正向偏压时,处于导通状态,反向偏压 时处于截止状态。即开关作用。
• 应用:广泛应用于自控电路、通信电路、 仪器仪表电路、家用电器电路等。
• 分类:普通开关二极管、高速二极管、超 高速二极管、低功率开关二极管、硅电压 开关二极管、高反压开关二极管等。
没有光照射在光敏二极管时,它和普通的二极管一样,具有单向导电 作用。正向电阻为8-9kΩ,反向电阻大于5MΩ。
不同直径的发光二极管
光敏二极管 CL-5M3B 5mm
肖特基二极管
• 应用场合:SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用 作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段) 用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD
稳压二极管的使用注意事项
• 稳压二极管选用时的几点注意事项 可将多只稳 压二极管串联使用,但由于二极管参数的离散性
比较大,不得并联使用。
• 稳压二极管管脚必须在离管壳 5mm 以上处进行 焊接,最好使用 30W 以下的电烙铁进行焊接。若 使用 40~75W 电烙铁焊接时,焊接时间应不超 过 8~10s。尽量使用内装焊料的焊锡丝焊接,不 要使用大块焊锡加松香的方法
检波二极管的选用及注意事项
选用检波二极管时,应根据电路的具体要求来选择 工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的二 极管,其中主要考虑工作频率。按频率的要求选用, 如2APl~2AP8型(包括2AP8A型、2AP88型)适用 于150MHz以下;2AP0型、2APl0型适用于l00MHz 以下,可用作小信号检波;2AP31A型适用于 400MHz以下;2AP32型适用于2000MHz以下。
二极管
半导体发光二极管工作原理特性及应用

半导体发光二极管工作原理特性及应用半导体发光器件包含半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。
事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。
因此它具有通常P-N结的I-N 特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。
此外,在一定条件下,它还具有发光特性。
在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。
进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。
除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间邻近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。
发光的复合量相关于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的,因此光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
理论与实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。
若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。
比红光波长长的光为红外光。
现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。
(二)LED的特性1.极限参数的意义(1)同意功耗Pm:同意加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。
超过此值,LED发热、损坏。
(2)最大正向直流电流IFm:同意加的最大的正向直流电流。
超过此值可损坏二极管。
(3)最大反向电压VRm:所同意加的最大反向电压。
二极管特性及参数

二极管特性及参数二极管(Diode)是一种电子器件,由两种不同类型的半导体材料组成:P型半导体和N型半导体。
它具有单向导电特性,即只允许电流在一个方向上通过。
二极管有很多重要的特性和参数,下面将会详细介绍。
一、正向特性:当二极管的正负极正向连接时,如果正向电压小于等于一个特定的值,即正向电压低于二极管的结压降(通常为0.7V),二极管处于正向工作状态,电流可以流过。
这时二极管的电流随正向电压的增加而迅速增大。
这种情况下,二极管处于导通状态,其导通状态下的电阻非常小,几乎可以视为导线。
二、反向特性:当二极管的正负极反向连接时,如果反向电压小于等于一个特定的值,即反向电压低于二极管的击穿电压(通常为50V~1000V),则二极管处于反向工作状态,电流几乎为零。
反向工作状态下的电阻很大,可以视为开路。
但是,当反向电压大于击穿电压时,二极管会产生击穿,电流会大幅度增加,这时二极管会被损坏。
三、参数:1. 峰值逆向电压:也称为击穿电压(Reverse Breakdown Voltage),它指的是二极管可以承受的最大反向电压,在这个电压之下,二极管工作正常,超过这个电压则可能发生击穿。
击穿电压越高,二极管的耐受能力越强。
2.正向电压降:二极管在正向导通时,正向电流通过后,在二极管的两端会形成一个固定的电压降,通常在0.6V~0.7V之间。
这个电压降称为正向电压降或者压降,是指在正向工作状态下二极管的电压降低多少。
3. 最大正向电流:也称为额定电流(Rated Forward Current),它指的是二极管可以正常工作的最大电流值。
超过这个电流值,二极管可能会发生损坏。
4. 最大反向电流:也称为反向饱和电流(Reverse Saturation Current),它指的是二极管在反向工作时通过的最大电流值。
在正常情况下,反向电流很小,几乎为零。
超过这个电流值,二极管可能会发生击穿,导致损坏。
5. 动态电阻:也称为交流电阻或微分电阻(Dynamic Resistance),它是指二极管在线性区时,输入的交流信号变化所引起的反向电流变化与正向电压变化之间的比例关系。
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二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
二极管的类型二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。
根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。
由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。
面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。
二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。
在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。
下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。
导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。
二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。
不同类型的二极管有不同的特性参数。
对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:1、额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。
所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。
例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
2、最高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。
为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。
例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
3、反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。
反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。
例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。
又如,2CP10型硅二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时,反向电流也不过160uA。
故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。
测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向(整流)电流。
在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数;电容比Q---优值(品质因素)δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT(AV)---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。
硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。
在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RF(r)---正向微分电阻。
在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降(正向峰值电压)VF---正向压降(正向直流电压)△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF(AV)---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压(反向直流电压)VRM---反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)---击穿电压Vth---阀电压(门限电压)VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压(稳流二极管)VL ---极限电压二极管的识别小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。
用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。