2SC5045中文资料
2SC4250中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
反向传输电容 过渡频率 转换增益 噪声系数
(Ta = 25°C)
符号
测试条件
ICBO IEBO V (BR) CEO hFE Cre
fT Gce NF
VCB = 25 V, I E = 0 VEB = 3 V, I C = 0 IC = 1毫安,我B = 0 VCE = 10 V, I C = 5毫安 VCB = 10 V, I E = 0, f = 1兆赫 VCE = 10 V, I C = 5毫安 VCC = 12 V, f = 200兆赫,女 L = 260兆赫 （图1）
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5
2007-11-01
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经典X5045中文资料以及程序
SCLK=0; CS=1; } //============================================= //函数名称： 读状态寄存器 //说 明： WIP bit:(Read Only) // When set to a"1",a nonvolatile // write opration is in progress. // WEL Bit:(Read Only) // the bit is Write Enable Latch // When WEL=1,the latch is set. //============================================= uchar Read_StatusReg(void) { uchar Read_data; SCLK=0; CS=0; Write_X5045(0X05); //Read Status Register instuction Read_data=Read_X5045(); SCLK=1; CS=1; return (Read_data); } //============================================= //函数名称： 写状态状态寄存器 //============================================= void Write_StateReg(uchar Writer_data) { delay1ms(10); //等待器件稳定，经验值 WREN_Cmd (); //解锁 SCLK=0; CS=0; Write_X5045(0X01); Write_X5045(Writer_data); SCLK=0; CS=1; WRDI_Cmd (); //上锁 } //============================================= //函数名称：重设看门狗 //============================================= void Rest_WDG(void) {
2SC3545中文资料
1.6
1.4
1.2
1.0
0.9
0.8
0.5
REACTANCE COMPONENT
( ) ––R–– ZO
0.2
S11e
0.4
0.6
0.8
0.2 GHz
1.0
0.8 1.0
IC = 5 mA IC = 10 mA
1.8 2.0
3.0
4.0
5.0
10 20 50
0.2 GHz
S22e 1.6 GHz
10 20
2
CC.rb'b-Collector to Base Time Constant-ps
Gmax-Maximum Available Gain-dB |S21e|2-Insertion Gain-dB
Cre-Feed-back Capacitance-pF
2SC3545
TYPICAL DEVICE CAPACITANCE vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE 3
元器件交易网
S-PARAMETER
S11e, S22e-FREQUENCY CONDITION VCE = 10 V, 200 MHz Step
0.6 0.8
0.7
0.404.06 0.5
0.09
0.007.413300.008.42
0.6
0.41 120
0.7
0.10 0.40
S21
114.1 92.9 81.7 70.2 62.8 54.4 47.9 40.9
S21
104.9 87.4 78.0 67.2 60.1 52.5 46.3 39.5
S12
0.037 0.055 0.077 0.098 0.108 0.125 0.148 0.160
2SA1015中文资料(Unisonic Technologies)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
BL 350-700
2of 4
芯片中文手册,看全文,戳
2SA1015
典型特征
静态特性
-50
-40
I =-300µA
-30 I =-250µA
-20
I =-200µA
I =-150µA
-10
I =-100µA
I =-50µA
0
-0
-4 -8 -12 -16 -20
集电极 - 发射极电压,BV
饱和电压
-10 I =10xI
-10 -10 (mA)
-10
V
-10
V
-10 -10
-10 -10 集电极电流,I
集电极输出电容
-10 f=1MHz -10 I =0
-10 -10 (mA)
-10
-10
-10
-10
-10
-10
集电极基极电压,BV
-10 (V)
3of 4
芯片中文手册,看全文,戳
4of 4
FE1
Y 120-240
GR 200-400
额定值
单元
-50
V
-50
V
-5
V
-150
mA
-50
mA
400
mW
125
°C
-55 ~ +125
°C
MIN TYP 最大单位
-50
V
-50
V
-5
V
-100 nA
-100 nA
120
700
25
-0.1 -0.3 V
-1.1 V
4.0 7.0 pF
80
MHz
0.5 6 dB
X5045中文资料
X5045特性介绍1．特性：可选时间的看门狗定时器。
VCC的降压检测和复位控制5种标准的开始复位电压使用特定的编程顺序即可对低电压检测和复位开始电压进行编程。
复位电压可低至VCC=1V。
省电特性在看门狗打开时，电流小于50uA在看门狗关闭时，电流小10uA在读操作时，电流小2mA不同的型号的器件，其供电电压可以是1.8-3.6V,2.7V-5.5V,4.5V-5.5V。
4K位EEPROM，1，000，000次的擦写周期。
具有数据的块保护功能——可以保护1/4、1/2、全部的EEPROM，当然也可以置于不保护状态。
内建的防误写措施——用指令允许写操作。
——写保护引脚。
时钟可达3.3M。
短的编程时间——16字节的页写模式。
——写时由器件内部自动完成。
——典型的器件写周期为5ms。
2．功能描述：本器件将四种功能合于一体：上电复位控制、看门狗定时器、降压管理以及具有块保护功能的串行EEPROM。
它有助于简化应用系统的设计，减少印制板的占用面积，提高可靠性。
该芯片内的串行EEPROM是具有Xicor公司的块锁保护CMOS串行EEPROM。
它被组织成8位的结构。
它由一个由四线构成的SPI总线方式进行操作，其擦写周期至少有1，000，000次，并且写好的数据能够保存100年。
3．操作方法上电复位当器件通电并超过V TRIP时，X5045内部的复位电路将会提供一个约为200MS的复位脉冲，让微处理器能够正常复位。
降压检测：工作过程中，X5045监测V CC端的电压下降，并且在VCC电压跌落到V TRIP以下时会产生一个复位脉冲。
这个复位脉冲一直有效，直到VCC降到1V以下。
如果V CC在降落到V TRIP后上升，超过V后延时约200ms，复位信号消失，使得微处理器可以继续工作。
则在V时内部的非易失性写周期已经初始化了，WP变为低电平不起作用。
4 VSS 地5 SI 串行输入：SI是串行数据输入端，指令码、地址、数据都通过这个引脚进行输入。
2SC535资料
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature
Foward transfer admittance yfe (typ)
32 – j10
Output admittance (typ)
yoe
0.08 + j0.82
Note: 1. The 2SC535 is grouped by hFE as follows.
B
C
60 to 120 100 to 200
Typ —
—
—
— — 0.72 0.17
940 0.9 20
Max —
—
—
0.5 200 — —
— 1.2 —
Noise figure
NF
—
3.5
5.5
Input admittance (typ)
yie
1.3 + j5.3
Reverse transfer admittance yre (typ)
–0.078 – j0.41
Base to Emitter Voltage VBE (V)
Collector Current IC (mA)
2SC535
Typical Transfer Cahracteristics (2) 5
VCE = 6 V 4
3
2
1
0
0.6
0.7
0.8
2SC2655三极管(TO-92L)
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC2655 TRANSISTOR (NPN)FEATURESz Low S aturation V oltage: V CE(sat)=0.5V(Max)(I C =1A) z High S peed S witching T ime: t stg =1μs(Typ.) zComplementary to 2SA1020aELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditionsM in T yp MaxU nitCollector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =100μA,I E =0 50 VCollector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =10mA,I B =0 50 VEmitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA,I C =0 5 VCollector cut-off current I CBO V CB =50V,I E =0 1 μAEmitter cut-off current I EBO V EB =5V,I C =0 1 μAh FE(1) V CE =2V,I C =500mA 70 240 DC current gainh FE(2) V CE =2V,I C = 1.5A40Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =1A,I B =0.05A 0.5 VBase-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =1A,I B =0.05A 1.2 VTransition frequency f T V CE =2V,I C =0.5A 100 MHz Collector output capacitanceC obV CB =10V,I E =0,f =1MHz30 pFTune on Timet on 0.15 Storage Time t stg2 Switch timeFall Timet fV CC =30V,Ic=1A,I B1=-I B2=0.05A0.15 μsCLASSIFICATION OF h FE (1)Rank O YRange70-140 120-240TO-92L1.EMITTER2.COLLECTOR3.BASEB,Nov,2012【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】0.010.11255075100125150020040060080010000.00.10.20.30.40.00.20.40.60.81.01.2I C2SC2655Typical Characterisitics2C O L L E C T O R C U R R E N T I C (A )C O L L E C T O R P O W E RD I S S I P A T I O NP c (m W )AMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃C O L L E C T O R -E M I T T E R S A T U R A T I O NV O L T A G E V C E s a t (V )h FE ——Static CharacteristicC O L L E C T O R C U R R E N T I C (A )【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】Sponge strip2000 pcsSponge strip The top gasketLabel on the Inner BoxLabel on the Outer BoxInner Box: 333 mm ×203mm ×42mmOuter Box: 493 mm × 400mm × 264mmQA LabelSeal the box with the tapeStamp “EMPTY”on the empty boxThe top gasketInner Box: 240 mm ×165mm ×９５mmLabel on the Inner BoxOuter Box: 525 mm × 360mm × 262mmLabel on the Outer BoxQA LabelSeal the box with the tapeStamp “EMPTY” on the empty box。
AS5045中文资料
1.1 优点
- 完整的片上系统 - 灵活的系统解决方案，同时提供绝对值串行输
出和PWM输出 - 由于采用无接触式位置检测原理，十分适合于
苛刻环境下的应用 - 无需校准
1.2 主要特点
- 整个 360°范围内的无接触式、高分辨率、旋转位 置编码
- 2 种数字式 12 位绝对值输出： - 串行接口输出以及 - 脉宽调制（PWM）输出
Tamb
-40
Isupp
VDD5V 4.5 VDD3V3 3.0
VDD5V 3.0 VDD3V3 3.0
125 °C -40°F…+257°F
16
21 mA
5.0
5.5
V 5V工作方式
3.3
3.6 V
3.3
3.6 V 3.3V工作方式
3.3
3.6 V （引脚VDD5V和VDD3V3相连）
3.4 数字输入和输出的直流特性
100
mA 规范：JEDEC 78
ESD
±2
kV 规范：MIL 883 E method 3015
Tstrg
-55
125
°C 最小值–67°F；最大值+257°F
t=20至40s，规范：IPC/JEDEC J-Std-020C
TBody
260
°C 引脚镀层为100%的锡 “雾锡式”
H
5
85
%
Revision 1.3
3.4.1 CMOS 施密特触发器输入：CLK, CSn. (CSn = 内部上拉)
(工作条件：Tamb = -40 至 +125°C, VDD5V = 3.0-3.6V (3V 工作方式) VDD5V = 4.5-5.5V (5V 工作方式)，除非另有规定)