KK91350A中文资料
CODA产品资料
峰值功率：
1000W
灵敏度：
95dB
最大峰值声压强度: 124dB
覆盖范围:
90 度圆锥形的
部件：
低频：
BMS 8 英寸钕磁铁低音扬声器,2 英寸(52 毫米)音 圈,250W(美国工程师协会标准)
高频：
BMS 1 英寸钕磁铁低音扬声器,1.75 英寸(44.4 毫米)音 圈,80W(美国工程师协会标准)
净重:
7 公斤
CODA Rx32M 全频扬声器
特性:
• 3 分频 紧凑型的全频扬声器系统 • 质量轻盈 800W 的超高功率 • 独特的 BMS 2 英寸同轴钕磁铁驱动器 • BMS 12 英寸钕磁铁超低失真的低音扬声器 • 无源运行或者双功率放大器的运行模式 • 专利技术 大头高音系统
BMS 2 英寸高功率的同轴钕磁铁驱动器 美国专利号＃5878148 欧洲专利号＃0793216
超高质量的近场传播与舞台监听 60 赫兹-21 千赫（-3dB)
可旋转角度为 80°×60°的椭圆型波导管的 BMS1 英寸钕磁铁压缩驱动器。K12V²使用了多功能的机箱外壳设计，M6 悬挂点可 用来安装选配的 U 型支架和完整的顶板。精确的覆盖角能容易地达到极佳的空间声场覆盖，且可以为听众提供高清晰度的声音，
K289 音响系统提供卓越的音频品质，高新的技术支持，将是您理想的扩声系统。
技术参数 类型： 应用： 频率响应： 额定功率（美国工程师协会标 准）： 节目源功率： 峰值功率： 灵敏度： 最大峰值声压强度： 散射范围： 部件： 低频： 高频： 分频点： 额定阻抗： 输入连接器： 机箱外壳材料： 机身颜色： 悬挂安装配件： 机身尺寸： 净重：
BMS 15 英寸钕磁铁低音扬声器 3 英寸（77 毫米）音圈，500W（美国工程师协会标准）
Stanford EAZ0144G33A_A 产品说明书
ASSY COVER FOR M CABINET
19 EAS2246G63A
FOOT EXTENSION FOR M2 CABINET
Désignation
Designaciòn
N. Note Nota
BOUCHON NOIR POUR VIS M5
TAPÓN CASQUETE NEGRO TORNILLOS M5 2
B = on request - sur demande - a petición
C = suggested - suggeré - sugerido
7
Pos Code
Designation
Désignation
Designaciòn
N. Note Nota
ABC
1 1-16609A
SCREW TCEI
A = available - disponible - disponible
B = on request - sur demande - a petición
Designaciòn
Pedal "p", 2 conmutador GRUPO PEDAL FRENO J PEDAL FRENO ALUMINIO 2 MICRO PEDAL FRENO CAJA M TAPON-GRUPO MEDIDAS PROTECCIÓN BRIDAS PERNO PORTA BRIDAS TAPÓN NEGRO DE COB. PARA CHAPAS CABLE TIERRA CONECTOR PLATO M/TIERRA COBERTURA INF. GRUPO MIS. RAL9005 COBERT. INF. GRUPO MIS. TORNILLO AUTORR. Transformador 100/230V Transformador Transformador 230/230V Transformador 100/230V
好资料book3
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国华北京热电厂设备KKS编码(kks汽机部分)
国华北京热电厂设备KKS编码（暂行）设备部2000年6月一、设备KKS编码通则设备的KKS编码是目前世界上广为使用的一种设备编码方法，它采用的是国际标准，其目的是使每一个单位在不考虑语言文字和规定的情况下，对各种设备的职责范围进行统一的、无歧义的标识工作。
在我厂，同时用于TMMS计算机管理系统的识别功能。
1．编码的层次：KKS码通常由11-—16位字母与数字混合组成.按照系统及功能一般将整个编码分成四个层次。
1．1第一层：机组编号。
采用两位数字组成，第1—2位。
1．2第二层：系统编号.由三位字母和两位数字组成，第3—5位为字母，第6-7位为数字。
1．3第三层：设备编号。
由两位字母和三位数字组成,第8—9位为字母，第10-12位为数字.1．4第四层：元件编号。
由两位字母和两位数字组成，第13—14位为字母,第15-16位为数字。
(本次编码没有用到）2．编码方法：2.1 第一层：机组编号。
2.1.1 ＃1机编码为10;＃2机编码为20；公用系统编码为00。
2。
1.2 对于一台机组对应的多于一套的成套设备，可在第二位表示出来,其排列顺序可按方位的编码原则加以编号。
2.1.3例：每台机有两台锅炉，＃1炉可编码为“11”；＃2炉可编码为“12”。
顺序按自西向东的原则。
2.2第二层：系统编号.2.2.1 第3-5位字母编码是系统的分类名称，已经有现成的系统编码名称清册，编码时直接套用即可。
2。
2。
2第6-7位是数字编码，表示在本系统内再细分子系统或小系统以及系统内装置或再分段的顺序排列。
具体的排列原则如下：①自西向东的原则；②自南向北的原则；③自下而上的原则；④形成回路时，可按介质流向的原则；⑤凡形成回路时，如四角布置的喷燃器等，以西南角定义为起点，按顺时针方向排列。
⑥未形成回路的情况，上述各原则的优先顺序如下：介质流向//自下而上//自西向东//自南向北注：上述原则是一位数字排列顺序的原则，不可同时用于两位数字的排列，编码时先要定义好两位数字各自的含义,先排十进位上的数,再排个位上的数，组合后将设备系统界定。
KT973A中文资料
DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors70 • Bipolar Transistors (continued)PartPin to PinCompatibilityPolarity РC max, W V CB max, V V CE max,V V EBmax,VI Cmax, m Аh FEV CE sat,VI CBO, μАF T, МHzNf, dB Package (Pads)KT6136A 2N3906 PNP 0.625 40 40 5 200 100…3000.40.05 250 TO-92KT6137A 2N3904 NPN 0.625 60 40 6 200 100…3000.30.05 300 TO-92 BC182BC182ABC182BNPN 0.5 60 50 6 100 120…450120…220200…4500.60.015 150 10 TO-92 BC183BC183ABC183BBC183CNPN 0.5 45 30 6 100 110…800110…220200…450420…8000.60.015 150 10 TO-92 КТ607А-4КТ607Б-42N4073 NPN 1.5 40 30 40 35 30 35 4 150 0.1 1000 700 TO-92 BC639 NPN 0.625 100 80 5 1500 ≥25 0.50.1 100 TO-92 BC640 PNP 0.625 100 80 5 1500 ≥250.50.1 100 TO-92 КТ646А КТ646БКТ646В2SC495 2CS496 NPN 1.0 60 40 40 60 40 40 4 1000 40…200 >150 150…3400.850.250.2510 10 0.05 250 TO-126 KT660A KT660Б BC337 BC338 NPN 0.5 50 30 45 30 5 800 110...220200 (450)0.5 1.0 200 TO-92КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ805ИМ KSD362 KSD773 NPN 30 300 45 30 5 5000 V KER >15>15>15 >252.53.0 1.0 TO-92 KT814AKT814БKT814BKT814ГBD136 BD138 BD140 PNP 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT815AKT815БKT815BKT815ГBD135 BD137 BD139 NPN 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT816AKT816БKT816BKT816ГBD234 BD236 BD238 PNP 25 40 45 60 100 5 3000 25…2750.6100 3.0 TO-126 KT817AKT817БKT817BKT817ГBD233 BD235 BD237 NPN 25 40 45 60 100 5 3000 25...2750.6100 3.0 TO-126 КТ8126А1 КТ8126Б1 MJE13007 MJE13006 NPN 80 700 600 400 300 9 8000 8...60 1.01000 4.0 TO-220 КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 NPN 75 700 600 400 300 9 4000 8...40 1.01000 TO-220 КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 NPN 40 700 600 400 300 9 9 1500 8 (40)1.01000 4.0 TO-126 КТ8176АКТ8176БКТ8176ВTIP31A TIP31B TIP31C NPN 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors71• Bipolar Transistors (continued)Part Pin to PinCompatibility Polarity РC max, W V CB max,V V CE max,V V EB max,V I Cmax,m А h FE V CE sat, VI CBO, μАF T, МHz Nf, dB Package (Pads) КТ8177АКТ8177БКТ8177ВTIP32A TIP32B TIP32C PNP 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220 КТ8212А КТ8212БКТ8212ВTIP41С TIP41B TIP41A NPN 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220КТ8213А КТ8213БКТ8213ВTIP42C TIP42B TIP42A PNP 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220MJE2955 PNP 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 MJE3055 NPN 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 КТ738А КТ739А TIP3055 TIP2955 NPN PNP 90 70 60 5 1500020…100 1.1 1000 TO-218 КТ732А КТ733А MJE4343 MJE4353 NPN PNP 125 160 160 7 160008…15 2.0 750 1.0 TO-218 КТ8224А КТ8224Б* BU2508A BU2508DNPN 100 1500700 7.5 8000 4…7 1.0 I ebo=1.0 100..187 TO-218КТ8225ABU941ZP NPN 155 350 5 15000>300 1.8 Veb=5.0V Iebo=20 TO-218 КТ8228А КТ8228Б* BU2525A BU2525DNPN 125 1500800 7.5 12000 5.0…9.5 5.0 I ebo=1.0 80…150 TO-218КТ8229А TIP35F NPN 125 180 180 5 2500015…75 1.8 I ceo = 1.0 3.0 TO-218 КТ8230А TIP36F PNP 125 180 180 5 2500015…75 1.8 1.0 3.0 TO-218 КТ8261А BUD44D2 NPN 25 700 400 9 2000 >10 0.65 0.1 TO-126 BUL44D2 NPN 40 700 400 9 5000 >10 0.65 0.1 TO-220 КТ8247А BUL45D2 NPN 75 700 400 12 5000 >22 0.5 100 TO-220КТ8248А BU2506F NPN 90 Vcek 1500700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek, mA1.0TO-218 KT538A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-92 КТ8248А1 BU2506F NPN 90 Ucek 1500 700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek,мА1.0 TO-218KT8290A BUH100 NPN 100 700 400 9 10000 >10 1.0 0.1 ТО-220 КТ8255А BU407 NPN 60 330 160 6 7000 >15 1.0 1.0 ТО-220 KT8270A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-126KT8296AKT8296БKT8296ВKT8296ГKSD882R KSD882O KSD882Y KSD882G NPN 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126 KT8297AKT8297БKT8297ВKT8297ГKSB772R KSB772O KSB772Y KSB772G PNP 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126KT872A KT872Б KT872B KT872Г* with clampingdiodeBU508А BU508 BU508DNPN1001500150012001500700 700 600 70061000>61.0 5.0 1.0 1.04.0TO-218KT928A 2N2218 NPN 0.5 60 60 5 0.8 20…100 1.0 5.0 250 TO-126KT928Б 2N2219 NPN 0.5 60 60 5 0.8 50…200 1.0 5.0 250 TO-126 KT928B 2N2219ANPN 0.5 75 75 5 0.8 100…300 1.0 1.0 250TO-126 KT940AKT940БKT940BBF459 BF458 NPN 10 300 250 160 3002501605 100 >25 1.0 0.05 TO-126 КТ969А BF469 NPN 6 300 250 5 100 50…250 1.0 0.05 60TO-126DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors72 • Power Bipolar Darlington TransistorsPart Pin to PinCompatibilityPolarityРC max, W V CB max, V V CE max, V V EB max, V I Cmax, m А h FE V CE sat, VICBO,μА F T, МHzPacka-ge KT8115AKT8115БKT8115BTIP127 TIP126 TIP125 PNP 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220KT8116AKT8116БKT8116BTIP122 TIP121 TIP120 NPN 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220КТ8214АКТ8214БКТ8214ВTIP110 TIP111 TIP112 NPN 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220КТ8215АКТ8215БКТ8215ВTIP115 TIP116 TIP117 PNP 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220KT8156A КТ8156Б BU807 NPN 60 330 150 2006 8000 >100 1.5 1000 TO-220KT8158AKT8158БKT8158BBDV65A BDV65B BDV65C NPN 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218KT8159AKT8159БKT8159ВBDV64A BDV64B BDV64C PNP 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218КТ8225А BU941ZP NPN 155 350 350 5 15000>300 2.7 100 TO-218КТ8251А BDV65F NPN 125 180 180 5 10000>100 2.0 0.4 TO-218KT972AKT972БKT972BKT972ГBD875 NPN 8.0 60 45 60 60 60 45 60 60 5 2000 >750 >750 750…5000 750…5000 1.5 1.5 1.5 0.95 200 TO-126KT973AKT973БKT973BBD876 PNP 8.0 60 45 60 60 45 60 5 2000 >750 >750 750…5000 1.5 1.5 1.5 200 TO-126• Unijunction TransistorsPart Pin to Pin Compatibility P max,W Vb, b2 max, V Ie pulse, A Ie rev, μA Veb sat,V ηPackage KT132A KT132Б 2N2646 2N2647 0.3 35 2.0 12.0 0.2 3.5 0.56…0.75 0.68…0.82 Case 22A-01KT133A KT133Б 2N4870 2N4871 0.3 35 1.5 1.0 2.5 0.56…0.75 0.70…0.85TO-92• Logic Level N-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on) Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП723Г IRLZ44 60 0.028 50 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП727В IRLZ34 60 0.05 30 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП744Г IRL520 100 0.27 9.2 ±10 60 1.0…2.0 TO-220 КП745Г IRL530 100 0.22 15 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП746Г IRL540 100 0.077 28 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП737Г IRL630 200 0.4 18 ±10 50 1.0…2.0 TO-220 КП750Г IRL640 200 0.18 18 ±1050 1.0…2.0 TO-220КП775А КП775БКП775В2SK2498А-В 60 55 60 0.009 0.009 0.011 50 ±20150 1.0…2.01.0…2.0 1.0…2.0TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors73• Low Power MOSFETsPartPin to Pin Compatibility P max, W Vgs max, V Vds max,V Vgs(off), V Rds(on), Ohm Id max, A g fs,A/VPackageКП501А КП501Б КП501ВZVN2120 0.5 ±202402002001.0…3.0 1.0…3.0 10 10 15 10 >0.1 TO-92 КП502А BSS124 1.0 ±10 400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92 КП503А BSS129 1.0 ±10400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92КП504А КП504БКП504ВКП504ГКП504ДКП504ЕBSS88 1.0 1.0 0.7 0.7 0.7 0.7 ±102502502001802002000.6…1.2 8 8 8 10 8 8 0.32 0.14 TO-92 КП505А КП505БКП505ВКП505ГBSS295 1.0 1.0 1.0 0.7 ±1050506080.8…2.0 0.8…2.0 0.8…2.0 0.4…0.8 0.3 0.3 0.3 1.2 1.4 0.5 0.5 0.5 TO-92 КП507A BSS315 1.0 ±20 -50 -0.8…-2.00.8 -1.1 TO-92 КП508A BSS92 1.0 ±20-240 -0.8…-2.020 -0.15 TO-92КП509А9 КП509Б9КП509В9BSS131 0.36 0.50 0.36 ±142402402000.8…-2.0 0.6…-1.2 0.8…-2.0 16 8 16 0.1 0.25 0.1 0.06 0.14 0.06 SOT-23 КП510A9 IRML2402 0.54 ±12 20 0.7…-1.6 0.25 1.2 1.3 SOT-23 КП511A КП511Б TN0535 TN0540 0.75 ±20 350 400 0.8…-2.0 22 0.14 0.125 TO-92 КП523А КП523Б BSS297 1.0 1.0 ±20 ±14 200 200 0.8…2.0 0.8…2.0 2.0 4.0 0.48 0.34 0.5 0.5TO-92 КП214А9 2N7002LT1 0.2 ±40 60 1.0…2.5 7.5 0.115 0.08 SOT-23• Power N-Channel MOSFETsPartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, AVgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП723АКП723БКП723ВIRFZ44 IRFZ45 IRFZ40 60 60 50 0.028 0.035 0.028 50 50 50 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП726А КП726Б BUZ90A BUZ90 600 2.0 1.6 4.0 4.5 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП727А КП727Б BUZ71 IRFZ34 50 60 0.1 0.05 14 30±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП728Г1,Г2 КП728С1,С2КП728Е1,Е2BUZ80A 700650 600 5.0 4.0 3.0 3.0 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП739АКП739БКП739ВIRFZ14 IRFZ10 IRFZ15 60 50 60 0.2 0.2 0.3 10 10 8.3 ±20 43 2.0…4.0 TO-220 КП740АКП740БКП740ВIRFZ24 IRFZ20 IRFZ25 60 50 60 0.1 0.1 0.12 17 17 14 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП741А КП741Б IRFZ48 IRFZ46 60 50 0.018 0.024 50 ±20 190 1502.0…4.0 TO-220 КП742А КП742Б STH75N06 STH80N05 60 50 0.014 0.012 75 80±20200 2.0…4.0 TO-218DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors74 • Power N-Channel MOSFETs (continued)PartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП743А КП743БКП743ВIRF510 IRF511 IRF512 100 80 100 0.54 0.54 0.74 5.6 5.6 4.9 ± 20 43 2.0…4.0 TO-220TO-126 КП743А1 100 0.54 5.5 ±2040 2.0…4.0 TO-126 КП744А КП744БКП744ВIRF520 IRF521 IRF522 100 80 100 0.27 0.27 0.36 9.2 9.2 8.0 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП745А КП745БКП745ВIRF530 IRF531 IRF532 100 80 100 0.16 0.16 0.23 14.0 14.0 12.0 ±20 88 2.0…4.0 TO-220 КП746А КП746БКП746ВIRF540 IRF541 IRF542 100 80 100 0.077 0.077 0.1 28.0 28.0 25.0 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП747А IRFP150 100 0.055 41.0 ±20230 2.0…4.0 TO-218 КП748А КП748БКП748ВIRF610 IRF611 IRF612 200 150 200 1.5 1.5 2.4 3.3 3.3 2.6 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП749А КП749БКП749ВIRF620 IRF621 IRF622 200 150 200 0.8 0.8 1.2 5.2 5.2 4.0 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП737А КП737БКП737ВIRF630 IRF634 IRF635 200 250 200 0.4 0.45 0.68 9.0 8.1 6.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220 КП750А КП750БКП750ВIRF640 IRF641 IRF642 200 150 200 0.18 0.18 0.22 18.0 18.0 16.0 ±20 125 2.0…4.0 TO-220 КП731А КП731БКП731ВIRF710 IRF711 IRF712 400 350 400 3.6 3.6 5.0 2.0 2.0 1.7 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП751А КП751БКП751ВIRF720 IRF721 IRF722 400 350 400 1.8 1.8 2.5 3.3 3.3 2.8 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП752А КП752Б КП752В Pilot ProductionIRF730 IRF731IRF732400 350 400 1.0 1.0 1.5 5.5 5.5 4.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП753АКП753Б КП753ВPilot ProductionIRF830 IRF831 IRF832 500 450 500 1.5 1.5 2.0 4.5 4.5 4.0 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП771А STP40N10100 0.04 40 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП776А КП776Б КП776В КП776Г Pilot ProductionIRF740 IRF741 IRF742 IRF744400 350 400 4500.55 0.55 0.8 0.6310.0 10.0 8.3 8.8±20 125 2.0…4.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors75• Power N-Channel MOSFETs (continued)Part Pin to Pin Compatibility Vds max, VRds (on),Ohm Id max, A Vgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП777А КП777Б КП777ВPilot ProductionIRF840IRF841IRF842 500 450 500 0.85 0.85 1.1 8.0 8.0 7.0±20 125 2.0…4.0 TO-220КП778А IRFP250 200 0.085 30.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220КП779А Pilot ProductionIRFP450 500 0.4 14.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220 КП780АКП780Б КП780В IRF820 IRF821IRF822500 450 500 3.0 3.0 4.0 2.5 2.5 2.2 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП781АPilot ProductionIRFP350 400 0.3 16.0 ±20 190 2.0…4.0 TO-220 КП783АPilot Production IRF3205 55 0.008 70.0 ±20200 2.0…4.0 TO-220 КП786А Pilot ProductionBUZ80A 800 3.0 4.0 ±20100 2.0…4.0 TO-220 КП787А Pilot Production BUZ91A 600 0.9 8.0 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП789А Pilot ProductionBUZ111S 320 0.008 80.0 ±20250 2.1…4.0 TO-220• Power P-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, V P max, W Vgs (th),VPackageКП784A IRF9Z34 -60 0.14 -18.0 ±20 88 -2.0…-4.0 TO-220 КП785A IRF9540 -100 0.20 -19.0 ±20 150 -2.0…-4.0 TO-220 КП796АUnderDevelopmentIRF9634 -250 1.0 -4.3 ±20 74 -2.0…-4.0 TO-220。
EDI9LC644AV2012BC中文资料
N DQ12 DQ11
VCC
VSS
VSS
VSS
VCC DQ4 DQ0 N
P DQ13 DQ10
VCC
VSS SSCLK VSS
VCC DQ5 DQ1 P
R VCCQ VCCQ
VCC
VSS
VSS
VSS
VCC VCCQ VCCQ R
T DQ14 DQ9
VCC SSADC SSWE NC
VCC DQ6 DQ2 T
Input
DQ0-31 BWE0-3
Input Output
Input
Vcc, Vss VCCQ
Supply Supply
OUTPUT FUNCTIONAL DESCRIPTIONS
Signal Pulse Pulse Pulse Pulse Pulse Pulse
Level
Level Pulse
Polarity
The EDI9LC644VxxBC provides a total memory solution for the Texas Instruments TMS320C6201 and the TMS320C6701 DSPs
The Synchronous Pipeline SRAM is available with clock speeds of 200, 166,150, and 133 MHz, allowing the user to develop a fast external memory for the SSRAM interface port .
2
DQ0-31
元器件交易网
EDI9LC644V EDI9LC644AV
Symbol
恒达富士电梯莫拉克参数表
恒达富士电梯莫拉克参数表
【实用版】
目录
1.恒达富士电梯莫拉克参数表概述
2.莫拉克参数表中的功能组和功能码
3.功能组和功能码的具体参数设置
4.莫拉克参数表的应用和意义
正文
恒达富士电梯莫拉克参数表是一种用于设定电梯运行参数的表格，其中包含了各种功能组和功能码，以便对电梯的运行进行精确控制。
在莫拉克参数表中，功能组是指一组相关的功能，例如电梯的最高层数、最低层数、泊梯基站和消防基站等。
每个功能组都有一个对应的功能码，功能码则是具体功能的编号，例如电梯最高层对应的功能码是 a01，电梯最低层对应的功能码是 a02，泊梯基站对应的功能码是 a03，消防基站对应的功能码是 a04。
在功能组和功能码的基础上，莫拉克参数表具体设置了各种参数的范围和选项。
例如，电梯最高层的设定范围是 1 到 40，电梯最低层的设定范围是 1 到 a01，泊梯基站的设定范围是 a02 到 a01，消防基站的设定范围是 a02 到 a01。
这些参数的设定可以帮助电梯在运行过程中实现各种特定的功能。
莫拉克参数表在电梯的运行中起着重要的应用。
通过调整参数表中的参数，可以精确控制电梯的运行，提高电梯的运行效率和安全性。
同时，莫拉克参数表也可以作为电梯维护和维修的参考，帮助维修人员快速了解电梯的运行状态和问题。
第1页共1页。
AD9235中文资料
特性单3 V供应操作(2.7 V至3.6 V)信噪比= 70 dBc Nyquist在65MSPSSFDR = 85 dBc Nyquist在65MSPS低功率:300 mW 65MSPS微分输入500 MHz带宽芯片上的参考和SHADNL= 0.4 LSB灵活的模拟输入:1 Vpp- 2 Vpp范围抵消二进制或2补充数据格式时钟占空比稳定器应用超声设备如果通信接收机的采样:IS-95,cdma-ONE,imt - 2000电池供电的仪器手持Scopemeters低成本数字示波器产品描述AD9235是一个巨大的系列、供应3 V信号,12位,20/40/65MSPS模拟-数字转换器。
这个系列的特点是高性能取样保持的放大器(SHA)和电压参考。
AD9235使用多级微分管线式架构与输出误差修正提供逻辑12位精度在20/40/65MSPS数据率并且保证操作温度范围内没有缺失的代码。
宽的带宽,真正微分SHA允许各种的用户可选的输入范围包括单端应用。
适用于多路开关的系统全面的连续的电压水平通道和抽样单通道输入的速度远远超出了奈奎斯特频率。
结合能力和成本节约超过以前模拟数字转换器,AD9235适合应用在通信、成像和医学超声检查。
单端时钟输入是用来控制所有内部转换周期。
一个占空比稳定器(DCS)补偿宽在时钟的责任周期的变化,同时保持优秀ADC的整体性能。
数字数据以直接二进制或2补充格式输出。
一个超出范围(OTR)的信号表明表明一个溢出条件最重要的一点来确定低或高溢出。
捏造一个先进的CMOS工艺,AD9235可用在28-lead薄收缩(TSSOP)和一个小提纲包32-lead芯片规模包(LFCSP)和指定工业温度范围(-40°C + 85°C)。
REV. B提供的信息被认为是精确和模拟设备可靠的。
然而,没有任何责任由模拟装置的假定使用,也不是为任何侵害专利或其他第三方的权利可能由于其使用。
或以其他方式影响没有颁发的许可证在任何专利或专利权的模拟设备。
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TECHNICAL DATAKK 91350A13 Memory Tone/Pulse Dialer with Handfree and Hold FunctionThe KK either Pulse or Tone dialing. It features Handfree dialing, Hold, and 13 by 16 digits automatic dialing memory. • DTMF/PULSE switchable dialer • 32 digits for Redial memory• Three by 16 digits for one touch direct repertory • Ten by 16 digits for two touch indirect repertory• Mix dialing is allowable, and the dialing length is unlimited • Pulse to Tone (*/T) keypad for Long Distance Call operation • Easy operation with Redial, Flash, Pause and */T keypads• Pause, P- - >T (Pulse to Tone) can be stored as a digit in memory • Flash time 600 mS• 4 x 5 keyboard can be used • Power on reset on chip• Use 3.579545 MHz crystal or ceramic resonator • Dial Pulse Rate: 10 ppsPIN ASSIGNMENTLOGIC DIAGRAMPIN 6= GNDPIN 16 = V CCR1R2R3R4Notes:1.M1 ∼ M3 - One touch memory. The dialing number can be stored in M1 ∼ M3 location by STORE key.2.ST - Store function key.3.H - Hold function key.4. F - Flash key.Flash key can not be stored in memory.5.*/T - In the Pulse mode this key works as Pulse - - >Tone key, and it works as * key in the tone mode.*/T key can be stored as a digit in Pulse or Tone mode.6.R/P - Redial and Pause function key.The Redial function can be executed only in first key-in after OFF HOOK, otherwise will be operated as Pause function.7. A - Indirect repertory dialing function key.Pin DescriptionOperation Procedures:a.T he dialing of D1, D2, ... , Dn must have finished, then ST key may be pressed.b.D1, D2, ... , Dn will be stored in Mn or Ln memory location and they will be dialed out.(Tone), * , Dn+1, Dn+2, ... , Dn+m(Tone) (Tone)3.It can be reset to Pulse mode only in operation of On Hook, because it’s still in Tone mode when the digits have been dialed out.2.Repertory dialing + Normal dialing+ Normal dialing+Repertory dialing3.Redialing + Normal dialing+Repertory dialing a. R edialing and Save dialing are valid just for first key in.b.The second sequence should not be operated until the first sequence is dialed out completely.MAXIMUM RATINGS *Symbol Parameter Value Unit V CC DC Supply Voltage (Referenced to GND) -0.3 to +7.0 V V IN DC Input Voltage (Referenced to GND) -0.3 to V CC +0.3 V V OUT DC Output Voltage (Referenced to GND) -0.3 to V CC +0.3V P D Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP ** Plastic SOIC **500 250 mWTstgStorage Temperature-55 to +150°C *Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions. **Durating: -10 mW /°C from 65°C to 70°C.RECOMMENDED OPERATING CONDITIONSSymbol Parameter Min Max UnitV CC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 5.5 V V IN DC Input Voltage (Referenced to GND) 0 V CC V V OUT DC Output Voltage (Referenced to GND) 0 V CC V T AOperating Temperature-20+70°CThis device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high-impedance circuit. For proper operation, V IN and V OUT should be constrained to the range GND ≤(V IN or V OUT )≤V CC .Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or V CC ). Unusedoutputs must be left open.DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND, V CC =2.5 V, T A =25°C*, F OSC. = 3.58 MHz)* - from -20°C to +70°C values of parameters are specifying.AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (All Voltages referenced to GND. V CC= 2.0 V to 5.5 V,T A = 25°C*)* - from -20°C to +70°C values of parameters are specifyingComparisons of Specified vs. Actual Tone FrequenciesR/C Spec. ActualUnit ConditionsError(%)R1 697 699 +0.28 HzR2 770 766 -0.52 HzR3 852 848 -0.47 HzR4 941 948 +0.74 Hz F OSC = 3.579 MHzC1 1209 1216 +0.57 HzC2 1336 1332 -0.30 HzC3 1477 1472 -0.34 HzFigure 1. Pulse ModeFigure 2(a). Tone Mode Normal DialingFigure 2(b). Tone Mode Auto DialingFigure 3. Control Function and Hold Function RelationshipFigure 4. Pause FunctionFigure 5. P - - >T Operation in Normal DialingFigure 6. Flash Operatio EXPANDED LOGIC DIAGRAM。