电子技术习题集-答案

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电子技术基础(含答案)

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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为08001)共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V,U E=0.5V,U C=3V,该三极管处在()状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是()。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中()。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流I B=10μA时,I C=1mA;而I B=20μA时,I C=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.6.稳压管的稳压是其工作在()。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V,U E=2.1V,U C=3.6V,则该管处于()状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结反偏,集电结正偏C.发射结正偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结反偏13.下列关于半导体的说确的是()。

电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.

电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.

洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷(总)一、单选题1. 杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(B )。

A.温度;B.杂质浓度;C.电子空穴对数目;D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在(C )状态。

A .正向导通;B .反向截止;C .反向电击穿 ;D .反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入(C );P 型半导体是在本征半导体中掺入(A )。

A.三价元素,如硼等; B.四价元素,如锗等;C.五价元素,如磷等4.PN 结加正向电压时,有(A )形成电流,其耗尽层(D );加反向电压时,由(B )形成电流,其耗尽层(C )。

A.扩散运动; B.漂移运动; C. 变宽; D.变窄5.当温度升高时,二极管的反向饱和电流(A )。

A.增大; B.不变; C.减小6.一个平衡PN 结,用导线将P 区和N 区连起来,而导线中( B )。

A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时,随Ic 的增加β值将( B )。

A.增加; B.下降; C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示,由此可判断该三极管处于(A )。

A .放大状态B .截止状态C .饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时,应使(B )。

A .发射结正偏、集电结反偏;B .发射结、集电结均正偏;C .发射结反偏、集电结正偏;D .发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时,是由于(B )造成的。

A .静态工作点过低; B.静态工作点过高; C.信号频率过高; D.信号频率过低11.共射、共基、共集三种组态放大电路中,既有电压放大作用,又有电流放大作用的是(A )组态。

A .共射; B. 共基; C. 共集; D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ,V b =2.8V ,V c =4.4V ,说明此三极管工作在(A )。

A .放大区;B .饱和区;C .截止区;D .反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是(B )。

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精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】:本课程《电子技术基础》(编号为 08001)共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型,其中,本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。

一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ,U =0.5V ,U =3V,该三极管处在()B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是()。

A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中()。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏,则晶体三极管的状态是()。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管,当输入电流 I B=10μA时,I C=1mA;而 I B=20μA时,IC=1.8mA,则该三极管的交流电流放大系数为()。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在()。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V,则该管为()。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为:U B=2.8V , U E=2.1V , U C= 3.6V ,则该管处于()状态。

精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入()。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是()。

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+答案

《电子技术基础》(中职电工类第五版)全章节习题集+参考答案一.填空题:(共59题)1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 0+9.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器,两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器,两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中,如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下,三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。

电力电子技术习题及答案

电力电子技术习题及答案

电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。

2. 晶闸管正常导通的条件是什么,导通后流过的电流由什么决定?晶闸管由导通变为关断的条件是什么,如何实现?3. 有时晶闸管触发导通后,触发脉冲结束后它又关断了,是何原因?4. 图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值、有效值。

如不考虑安全裕量,额定电流100A 的晶闸管,流过上述电流波形时,允许流过的电流平均值I d 各位多少?(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中,若使用一次脉冲触发,试问为保证晶闸管充分导通,触发脉冲宽度至少要多宽?图中,E =50V ;L =0.5H ;R =0.5Ω; I L =50mA (擎住电流)。

图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流,而GTO 却可以?7. GTO 与GTR 同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。

9. 请将VDMOS (或IGBT )管栅极电流波形画于图1-32中,并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。

10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么?试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。

11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么?实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量?习题二1.具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感性负载,电阻为5Ω,电感为0.2H,电源电压的有效值为220V,直流平均电流为10A,试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值,并指出晶闸管的电压定额(考虑电压2-3倍裕度)。

2.单相桥式全控整流电路接电阻性负载,要求输出电压在0~100V连续可调,输出电压平均值为30 V时,负载电流平均值达到20A。

电力电子技术_习题集(含答案)

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《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有()PN结。

A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有()个PN结。

A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有()电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是()。

A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压()愈好。

A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作()。

A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时,可以用两个以上同型号的器件相( )。

A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )。

A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时,可以用两个以上同型号的器件相 ( )。

A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于()负载。

A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会()。

A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较,输出直流电压的纹波系数()。

电工与电子技术习题集答案

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1通常电路中的耗能元件是指 A A. 电阻元件 B. 电感元件 C. 电容元件 D. 电源元件2电阻元件的性能有 B A. 储能性 B. 耗能性 C. 惯性 D. 记忆性3将W 25、V 220的白炽灯和W 60、V 220的白炽灯串联后接到V 220的电源上,比较两灯的亮度是 A A. W 25的白炽灯较亮 B. W 60的白炽灯较亮 C. 二灯同样亮 D. 无法确定哪个灯亮4一个电热器从V 220的电源吸取W 1000的功率,若将此电热器接到V 110的电源上,则吸收的功率为 D A. W 2000 B. W 1000 C. W 500 D. W 2505电路如图11005所示,A 点的电位A V 为 C A. V 12 B. V 12- C. V 6- D. V 6V ΩV12图11005aoΩ图110066已知电路如图11006所示,则b 、c 两点间的电压bc U 为 C A. V 0 B. V 8 C. V 2 D. V 2-7电路如图11007所示,A 点的电位A U 为 C A. V 8 B. V 6- C. V 5- D. V 10-A图11007ABV6图110088一段有源电路如图11008所示,A 、B 两端的电压AB U 为 D A. V 10 B. V 2 C. V 10- D. V 2-9一段有源电路如图11009所示,A 、B 两端的电压AB U 为 C A. V 12 B. V 0 C. V 12- D. V 6AB图1100910一段有源电路如图11010所示,A 、B 两端的电压AB U 为 C A. V 0 B. V 16 C. V 16- D. V 8B图1101011电路如图11011所示,电压与电流的关系式为 B A. IR E U -= B. IR E U += C. IR E U +-= D. IR E U --=图1101112电路如图11012所示,电压与电流的关系式为 B A. IR E U += B. IR E U -= C. IR E U +-= D. IR E U -=-图11012A. 仅是电压源B. 仅是电流源C. 电压源和电流源都产生功率D. 确定的条件不足V图1101314电路如图11014所示,电路中产生功率的元件是 B A. 仅是电压源 B. 仅是电流源 C. 电压源和电流源都产生功率 D. 确定的条件不足Ω图1101415电路如图11015所示,电路中产生功率的元件是 C A. 仅是电压源 B. 仅是电流源 C. 电压源和电流源都产生功率 D. 确定的条件不足Ω图11015A. 仅是电压源B. 仅是电流源C. 电压源和电流源都产生功率D. 确定的条件不足图1101617电路如图11017所示,电路中输出功率的元件是 D A. 仅是电压源 B. 仅是电流源C. 电压源和电流源都输出功率D. 确定的条件不足图1101718在图11018的电路中,总电流I为已知,则支路电流1I为 BA.IRRR211+ B.IRRR212+C.IRRR121+D.IRRR221+2图110181(a) 2(b) 3(c) 4(c) 5(b) 6(a) 7(b) 8(b) 9(a) 10(b)11 由KCL I 3=I 1-I 5=11-6=5mA I 2=I 3-I 4=5-12=-7mAI 6=I 1-I 2=11-(-7)=18mA12 (1) V A =R 3 I S -U S =20 V(2) V A= -+S U R R R 223 = -2.4 V13 设 下 图 A B 支 路 除 外 的 无 源 二 端 网 络 的 等 效 电 阻 为 R AB 。

电子技术习题集-答案

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第2章 习题2.1.1 如右下图所示电路中,E 12V =, D 为硅二极管,R 10K =Ω,则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少?流过二极管的电流多大?解: 二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=D R 11.3I I 1.13mA 10===2.1.2 在下图中的各电路图中,i u 12sin t ω=V ,二极管D 的正向压降忽略不计。

试分别画出输出电压o u 的波形。

(a ) (b ) (c )解:2.1.3二极管电路如图所示,试分别判断图(a )和(b )中的二极管是导通还是截止,并求出AB 两端电压AB U 。

设二极管是理想的。

(a) (b)解:(a) D 导通,AB U 6V =-; (b )D1导通,D2截止;AB U 0V =;2.2.1在下图中,所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =,输入电压i u 12sin t ω=V ,画出输出电压o u 波形图。

解:2.2.2在下图所示的(a)和(b )分别为稳压管的并联和串联连接,哪种稳压管的用法不合理?试说明理由。

解:(a )由于稳压管的击穿电压各不相同,击穿电压低的管子工作,而另一个不工作。

(b)可以串联连接,输出电压为两个稳压管稳压电压之和。

2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =,波动范围10%±;稳压管的稳定电压Z U 6V =,稳定电流Z I 5mA =,最大耗散功率ZM P 180mW =;限流电阻R 200Ω=;输出电流o I 20mA =。

(1)求I U 变化时稳压管的电流变化范围;(2)如果负载电阻开路,会发生什么现象?解:输入电压波动范围:Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==⨯=Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为:Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== (1)Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=(2)如果负载电阻开路,即o I 0mA =,则稳压管中电流为限流电阻上的电流。

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第2章习题2.1.1如右下图所示电路中,E12V=, D为硅二极管,R10K=Ω,则二极管D和和电阻R上的电压各为多少?流过二极管的电流多大?解:二极管正偏导通:DU0.7V≈;RU120.711.3V=-=D R11.3I I 1.13mA10===2.1.2 在下图中的各电路图中,iu12sin tω=V,二极管D的正向压降忽略不计。

试分别画出输出电压ou 的波形。

(a)(b)(c)解:2.1.3二极管电路如图所示,试分别判断图(a)和(b)中的二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压ABU。

设二极管是理想的。

(a) (b)解:(a) D导通,ABU6V=-;(b)D1导通,D2截止;ABU0V=;2.2.1在下图中,所有稳压二极管均为硅管且稳压电压ZU6V=,输入电压iu12sin tω=V,画出输出电压ou波形图。

解:2.2.2在下图所示的(a)和(b)分别为稳压管的并联和串联连接,哪种稳压管的用法不合理?试说明理由。

解:(a)由于稳压管的击穿电压各不相同,击穿电压低的管子工作,而另一个不工作。

(b)可以串联连接,输出电压为两个稳压管稳压电压之和。

2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中,IU14V=,波动范围10%±;稳压管的稳定电压ZU6V=,稳定电流ZI5mA=,最大耗散功率ZMP180mW=;限流电阻R200Ω=;输出电流oI20mA=。

(1)求IU变化时稳压管的电流变化范围;(2)如果负载电阻开路,会发生什么现象?解:输入电压波动范围:Imin IU0.9U(0.914)V12.6V==⨯=Imax IU 1.1U(1.114)V15.4V==⨯=I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为:Imin Z R min U U 12.66I 0.033(A)33mA R 200--====Imax Z R max U U 15.46I 0.047(A)47mA R 200--====稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180I 30mA U 6=== (1)Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=(2)如果负载电阻开路,即o I 0mA =,则稳压管中电流为限流电阻上的电流。

由于其大于ZM I (30mA ),稳压管会因电流过大而损坏。

2.3.1 有一电压为110V ,电阻为75Ω的直流负载,如果采用单相桥式整流电路(不带滤波器)供电,试确定整流二极管参数。

解:采用单相桥式整流电路,变压器二次侧电压有效值:o U 110U 122.2V 0.90.9=== 二极管最大反向电压:RM U 2U 2122.2173V ==⨯=负载电流o 110I 1.5A 75=≈ 二极管电流为负载电流一半:D o 1I I 0.75A 2== 选取RM U 173V >,D I 0.75A >的整流二极管可满足要求。

如1N4003(200V,1A)、2CZ55E(300V,1A)等。

2.3.2 带电容滤波的桥式整流电路如图所示,已知变压器二次侧电压为20V ,滤波电容C 足够大,电网波动范围10%±,输出电压O Z U U 12V ==,负载电流O I 变化范围5~15mA ,稳压管中电流允许变化范围为5~30mA 。

(1)选取限流电阻R ;(2)确定整流二极管的参数。

解:(1)限流电阻R 选择:稳压电路输入电压I C U U 1.2U 1.22024V ===⨯=考虑电网波动:Imax U 1.12426.4V =⨯=;Imin U 0.92421.6V =⨯=则限流电阻:Imin Z max Zmin Omax U U 21.612R 0.48(K )I I 515--===Ω++Imax Z min Zmax Omin U U 26.412R 0.41(K )I I 305--===Ω++选用标称值430Ω电阻的限流电阻(即R 430=Ω)。

(2)流过限流电阻R 的最大电流Imax Z max U U 26.412I 0.033A 33mA R 430--====整流二极管电流D 1I 3317mA 2=⨯≈ 最大反向电压RM U 1.12U 1.122031V ==⨯⨯≈整流二极管应满足:最大整流电流17mA >;最大反向峰值电压>31V;可选用1N4001(50V ,1A )。

2.3.3 如图所示为CW117构成的输出电压可调的稳压电源。

已知CW117的输出电压REF U 1.25V =,输出电流3I 允许范围为10mA ~1.5A ,23U 允许范围为3~40V 。

试计算:(1)1R 的最大值;(2)O U 的最小值;(3)1R 100Ω=时,P R 需调节为多大可以使输出O U 30V =; 解:(1)负载断开时,CW117电流最小,为10mA ; 因此:REF 1max 3min U 1.25R 0.125(K )125I 10Ω≤==Ω= (2)输出电压最小值Omin REF U U 1.25V == (3)REFO 1P 1U U (R R )R =+ O 1P 1REF U R 30100R R 1002300 2.3K U 1.25ΩΩ⨯=-=-==第3章习题3.1.1测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

3.2.1试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

3.3.2某固定偏置放大电路,已知U CC =12V ,U BE =0.7V ,U CE =5V ,I C =2 mA ,采用β=50的3DG6晶体管,要求:(1) 画出固定偏置放大电路; (2) 计算R B 和R C 的阻值; (3) 若换用β=70的同型号晶体管,其他参数不变, 试问I C 和U CE 等于多少?3.3.3电路如图所示,已知R B k =400 Ω,R C k =1 Ω,U BE .V =06 ,要求:(1) 今测得U CE V =15,试求发射极电流I E 以及晶体管的β; (2)欲将晶体管的集射极电压U CE 减小到8V , 试求R B 应如何调整?并求出其值。

(3) 画出微变等效电路。

3.4.2 放大电路如图所示, 晶体管的电流放大系数β=50,07BEU.V=,RB1=110 kΩ,R B2= 10 kΩ,R C=6kΩ,R E=400Ω,R L=6kΩ,要求:(1) 计算静态工作点;(2) 画出微变等效电路;(3) 计算电压放大倍数。

3.4.3 某放大电路如图所示。

已知图中CC S B1B2U=15V,R=500Ω,R=40KΩ,R=20KΩ,,,,,,,。

晶体管T的be BEβ=50,r=1kΩ,U0.7V≈。

试求:(1)电路的静态工作点CQI和CEQV;(2)画出微变等效电路(3) 输入电阻iR及输出电阻oR;(4)电压放大倍数ouiUAU=&&&及oussUAU=&&&3.4.4 电路如图所示,已知晶体管的r be =2k Ω,β=75,输入信号u t S sin mV =5ω,R S k =6Ω,R B1k =270 Ω,R B2k =100 Ω,R C .k =51 Ω,R E1=150 Ω,R E2k =1 Ω。

要求:(1) 画出微变等效电路; (2)求电路的输出电压U o ; (3) 若调节电路参数,使基极电流I B A =16μ,试分析说明当u t S mV=50sin ω时,电路输出电压会不会出现截止失真,为什么? ++++u ou S-R B1R B2R CR E1R E2C 1C 2C E+12V•R SBC E+-3.6.1电路如图所示。

晶体管T 为3DG4A 型硅管,其20024be ββ,r .k Ω===。

电路中的U CC =24V ,R B = 96kΩ,R C =R E =2.4kΩ,电容器C 1、C 2、C 3 的电容量均足够大,正弦波输入信号的电压有效值U i =1V 。

试求: (1) 输出电压U o1、U o2的有效值;(2) 用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u o1、u o2时,交流电压表的读数各为多少?3.6.2 电路如图(a )、(b)所示,已知U CC =+12V ,β=70,r be =1.4k Ω,当信号源电压均为u tm S V =5sin ω时,计算出各自的输出电压u o ,并比较计算结果,说明图(b)电路中射极跟随器所起的作用。

3.7.1 放大电路如图所示,各管的β= 100,r be = 1 k Ω,试计算放大电路的静态值,电压放大倍数A u ,输入电阻r i 和输出电阻r o 。

+++-++R B1R CR E1R Lu iu o C 1C 2C 3C ER B2R B3'R E2''R E2T 2T 112+-376k Ω75.k Ω200k Ω09.k Ω1k Ω400k Ω65Ω3k Ω3.7.2 放大电路如图所示,已知晶体管T 1,T 2的电流放大系数ββ1250==,U BE 1=U BE 2=06. V ,r be 1.k =165 Ω,r be 2.k =057 Ω,要求:(1) 用估算法求各级静态工作点I B1,I C1,U CE1,I B2,I C2,U CE2;(2) 画出微变等效电路;(3) 计算各级放大电路的输入电阻r i 和输出电阻r o ;(4) 计算各级放大电路的电压放大倍数A u 1和A u 2,以及总电压放大倍数A u ;(5) 去掉第二级,将2k Ω负载电阻作为第一级的负载,再求第一级的电压放大倍数;(6) 从(4),(5)项的计算结果中,能说明什么问题?++u o u iC 1C 2++C 3C 4+20VT 2T 1+-+-51k Ω75.k Ω100k Ω2k Ω2k Ω2k Ω8k Ω3.8.1在图所示的差分放大电路中,β=50,U BE =0.7V ,输入电压u i1=10mV,u i2=2mV 。

(1)计算放大电路的静态值I B ,I C 及各电极的电位V E ,V C 和V B ;(2)把输入电压u i1,u i2分解为共模分量u ic1,u ic2和差模分量u id1,u id2;(3)求单端共模输出u oc1和u oc2;(4)求单端差模输出u od1和u od2;(5)求单端总输出u o1和u o2;(6)求双端共模输出u oc 、双端差模输出u od 和双端总输出u o 。

第4章习题4.1 场效应晶体管与双极型晶体管比较有何特点?4.2 典型的共漏电路——源极输出器如图所示,试求其电压增益VmA、输入电阻iR和输出电阻oR。

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