模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)

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《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。

4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。

(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。

(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

(×)(3)线性电路一定是模拟电路。

(√)(4)模拟电路一定是线性电路。

(×)(5)放大器一定是线性电路。

(√)(6)线性电路一定是放大器。

(×)(7)放大器是有源的线性网络。

(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。

(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。

(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。

(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。

(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。

(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。

(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。

(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。

(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。

(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。

(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。

(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。

3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。

电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。

模拟电子技术基础第四版课后答案 (3)

模拟电子技术基础第四版课后答案 (3)

模拟电子技术基础第四版课后答案第一章简介1.什么是模拟电子技术?答:模拟电子技术是研究和应用模拟电子电路的一门学科,主要涉及运算放大器、信号发生器、滤波器等模拟电路的设计与分析。

2.为什么需要模拟电子技术?答:模拟电子技术在电子产品设计中起到了至关重要的作用,它可以将模拟信号进行放大、滤波、调制等处理,以满足各种应用需求。

3.模拟信号和数字信号有什么区别?答:模拟信号是连续的信号,能够取无限个可能的值,而数字信号是离散的信号,只能取有限个可能的值。

第二章模拟信号与线性系统1.什么是线性系统?答:线性系统是指其输出与输入之间存在线性关系的系统,即输出信号是输入信号的线性组合。

2.什么是阻抗?答:阻抗是指电路对交流信号的阻碍程度,它是由电阻和电抗两部分组成。

3.如何计算电路的功率?答:电路功率可以通过电压和电流的乘积来计算,即功率等于电压乘以电流。

第三章运算放大器1.什么是运算放大器?答:运算放大器是一种用于放大和处理模拟信号的电子器件,它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点。

2.运算放大器的特性有哪些?答:运算放大器具有输入阻抗高、增益稳定、频率响应平坦、输出阻抗低等特性。

3.运算放大器的反馈有哪些类型?答:运算放大器的反馈有正反馈和负反馈两种类型。

第四章滤波器1.什么是滤波器?答:滤波器是用于滤除或衰减特定频率信号的电路,分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等类型。

2.滤波器的工作原理是什么?答:滤波器的工作原理是利用电阻、电容和电感等元件来对特定频率的信号进行衰减或通过。

3.什么是通带和阻带?答:通带是指滤波器可以通过的频率范围,而阻带是指滤波器会衰减或阻止的频率范围。

第五章放大器1.什么是放大器?答:放大器是一种用于增加信号幅度的电路,它可以将输入信号放大到较大的幅度,以满足信号处理和传输的要求。

2.放大器的分类有哪些?答:放大器可以根据放大器所用的元件类型(如晶体管、真空管等)和工作方式(如A类放大器、B类放大器等)进行分类。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术基础答案

模拟电子技术基础答案

模拟电子技术基础答案
模拟电子技术是研究模拟电子系统的设计、制造和应用的科学技术。

它研究电子系统和电子元件的运行特性、理论和技术,以及它们彼此之间的相互作用,以及应用在实际情况下的诊断和调整电子系统的方法。

电子器件的原理和其他器件的概念统称为模拟电子技术。

它也包括探测分析和控制电子系统,使用模拟信号,例如电源、滤波器、放大器等,以及其他种类的电子元件,例如电阻、电容、变压器等。

电子系统使用两种不同类型的技术:模拟技术和数字技术。

模拟技术指对电子信号进行处理的系统,这些信号经常是曲线或幅度改变的,以表示它们的数据。

数字技术指的是将这些信号转换成二进制数据的系统,使它们能够更有效地传输。

我们经常将模拟电子技术和数字电子技术合称为数字模拟技术,因为它们包括了这两种技术。

模拟电子技术主要由以下几个方面组成:
一、模拟电子系统的基本组件,包括电阻、电容、变压器、滤波器、放大器、控制器等;
二、模拟信号,包括波形,频率和幅度等;
三、模拟信号处理,包括滤波、放大、编码和解码等;
四、模拟电路的分析,包括电子电路的模拟分析和电子电路的数
字分析;
五、模拟设计方法,包括电子电路的模拟设计和自动控制的设计;
六、模拟系统的应用,包括模拟电子系统在数据采集、测量和控
制等方面的实践应用。

以上是模拟电子技术的基本介绍,希望能够为大家提供一些帮助。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u与u O的波形,并标出幅值。

i图P1.1 解图P1.1解:波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

图P1.2解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ~I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。

(1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.4解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。

(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案

《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案

〖题1.1〗 (1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。

〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压O U 。

设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。

图 T1.2(a )(b )(d )(c)解:(a )U O =U A -U D =-5V -0.7V=-5.7V (b )U O =U B =U C =-5V (c )U O =U A =-0.7V (d )U O =U A =-9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示,已知(m V )sin 10i t u ω= ,V 2.1=E ,+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ,电容C 和直流电源E 对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。

解: m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

(a)(b)图 T1.4解:(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通;(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。

〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中,已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。

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题图 2.6
解: (1)Q1 点: β ≈ 50, Q2点:β ≈ 0。 (2) U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V (a) RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 ( μ A ) ,直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ,取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ,可得直流负载线如图 2.18(b)中①线,工作 1 1 = − ,可得图 2.18(b)中 点 Q( U CEQ = 6 V, I CQ = 2 mA),交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V, β = 100 。判别电路的工
9V
(b) 题图 2.7
(c)
解: 在题图(a )中,由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图(b) :
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
(2)
6 − 0.7 A =53mA 100 0.7V RD = =13.2 Ω 53 × 10 −3 A U 26 × 10 −3 V rD = T = =0.49 Ω I D 53 × 10 −3 A
ID =
1.4 二极管电路如题图 1.4 所示。 (1)设二极管为理想二极管,试问流过负载 RL 的电流为多少? (2)设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压 U D ( on ) = 0.7 V,试问流过负 载 RL 的电流是多少? (3)设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压 U D ( on ) = 0.7 V, rD (on ) = 20Ω , 试问流过负载的电流是多少? (4)将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少? (5)增加电源电压 E,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化? + RL 100 Ω
E
10V D
题图 1.4 解: (1) I =
E = 100 mA RL E − U D ( on ) = 94 mA (2) I = RL E − U D ( on ) = 78.3 mA (3) I = RL + RD (4) I = − I S 或I ≈ 0
UT 下降。 ID
(5)E 增加,直流电流 I D 增加,交流电阻
1.7 二极管限幅电路如图 1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型,且 UD(on)=0.7V。若 ui=5sinωt(V),试画出 u0 的波形。
题图 1.7 解:(1)在图(a)中:当 ui>一 2.7V 时,V 管截止,u0=一 2V;当 ui≤一 2.7V 时,V 管导 通,u0=ui。当 ui=5sinωt(V)时,对应的 u0 波形如图答图 1.7(a)所示。 (2)在图(b)中:当 ui>1.3V 时,V 管截止,u0=ui;当 ui≤1.3V 时,V 管导通,u0=2V。 其相应波形如答图 1.7 (b)所示。
平移使之与流负载线①线的交点是此交流负载线之中点,即 Q 点( U'CEQ = 3 V ,
I ' CQ = 3 mA) 。此时, U om =3V。
调节 R B 使 I
' BQ
= 30μ A ,则 30 × 10− 6 =
U CC − U BE (on ) 12 ≈ ,解 得 RB + ( 1 + β )RE RB + 101 × 103
2.3 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图 2.3 所示,试判别各晶体管的工作状态(放 大、饱和、截止或损坏) 。 -5V 2.5V -0.3V 3AX81 3BX1 3V 0V (a) (b) 题图 2.3 7V (c) (d) 6.3V 8V 6.6 V 3CG21 12V 3V 3DG8 0V
RB = 300 k Ω 。
4
2.20 放 大 电 路 如 题 图 2.20 ( a ) 所 示 , 已 知 β = 50 , UBE=0.7V , UCBE=0 , RC=2K Ω, RL = 20 KΩ, U CC = 12V .
(1)若要求放大电路由最大的输出动态范围,问 RB 应调到多大? (2)若已知该电路的交、 直流负载线如题图 2.20 (b) 所示, 试求: UCC=? RC=? UCEQ=? ICQ=? RL=? RB=? 输出动态范围 UOPP=?
0.7V
4V
0V (a) 解:
8V
0V (b)
-8V
3.7V (c)
1V 9V (d)
4.3V
题图 2.1
8V 题图(a) : 0.7V 硅 NPN 0V 题图(b) : -0.7V
-8V 硅 PNP 0V
1V 题图(c) : 3.7V 锗 PNP 4V 题图(d) : 4.3V
9V 锗 NPN 4V
IB = U CC − 0.3 12 − 0.3 = = 0.066mA R B1 + (1 + β ) R E 47 + 101 × 1.3 U CC + U CE ( sat ) ( R E + RC ) β = 12 − 0.3 = 0.035mA (1.3 + 2) × 100 12 − 0.3 × 2 = 7.1V 2 + 1. 3
题图 2.9
解: (1)U RB 2 =
I CQ =
RB 2 15 × 12 = 2.9V U CC = RB1 + RB 2 47 + 15
U RB 2 − 0.3 2.9 − 0.3 = = 2mA RE 1.3
= −[12 − 2 × (1.3 + 2)] = −5.4V (2)当 RB1 开路时,I3Q=0,管子截止。UC=0. 当 RB2 开路时,则有
处于放大状态 题图(c) : I BQ = 71μ A, I CQ = 7.1 mA
U CEQ = 15 − 7.1( 2 + 1 ) = −6.3 (V)
不可能,表明晶体管处于饱和状态。 2.9 晶体管电路如题图 2.9 所示。已知β=100,UBE=−0.3V (1)估算直流工作点 ICQ、UCEQ。 (2)若偏置电阻 RB1、RB2 分别开路,试分别估算集电极电位 UC 值,并说明各自的工作状 态。 (3)若 RB2 开路时要求 ICQ=2mA,试确定 RB1 应取多大值。
答图 1.10
ΔU o = U Z
rZ 12 = 10 × = 118.6 9(mV) R L + rZ 1000 + 12
习题答案
2.1 已知晶体管工作在线性放大区,并测得个电极对地电位如题图 2.1 所示。试画出各晶体 管的电路符号,确定每管的 b、e、c 极,并说明是锗管还是硅管。 -0.7V 4V
答图 1.7 1.9 在题图 1.9 (a)所示电路中,二极管等效为恒压降模型。已知输入电压 u1、u2 的波形如题 图 1.9(b)所示,试画出 u0 的波形。
题图 1.9 解:该电路为高电平选择电路,即 u1、u2 中至少有一个为 3V,则 u0=3 一 0.7=2.3V。 u1、u2 均为 0 时,uo=一 0.7V。其波形答图 1.9(c)所示。
U CEQ = −U ECQ = − U CC − I CQ ( RE + RC )
[
]
I B ( sat ) =
因为I B > I B ( sat ),所以晶体管处于饱和状态。此时 UC ≈ U CC + U CB ( sat ) RC + R E RC =
(3)当R B 2 开路时,由于 I CQ = β U CC + U BE 12 − 0.3 = 100 × = 2mA R B1 + (1 + β ) R E R B1 + 101 × 1.3
由此解得R B1=454 KΩ
3
2.18 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图 2.18(a)和(b)所示。设 U BE ( on ) = 0 , 各电容对信号视作短路。 (1)晶体管的 β 和 rce 各为多少? (2)在图 2.18(b)上作直流负载线和交流负载线。 (3)如图 2.18(a)电路中加接 R L = 2 k Ω 的负载,重复(2) 。
5
2.23 试计算题图 2.23 所示共射放大电路的静态工作点 UCEQ,源电压放大倍数 Aus = 输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro 。设基极静态电流 I BQ 合电容。 UCC RB RC V RL + Uo
= RC // RL = 2kΩ // 2kΩ 时,为得到最大的输出电压振幅值 Uom,工作点如何 选取(调节 R B )?此时 Uom=? R B 的值又应为多少?
(4)当 R
'
L
iCE/mA RC 2k Ω T C2 CE + uo 6 5 4 3 2 1 0 (a) 题图 2.18 解: (1)输出特性理想化, U A = ∞ , rce = ∞ , β = 100 。 ( 2 ) 先 求 工 作 点 I BQ = 2 ② ③ 60 μ A 50 μ A 40 μ A 30 μ A ① 8 (b) 20 μ A 10 μ A uCE/V
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