电子技术基础习题答案(优.选)
（完整版）电子技术基础习题答案
（完整版）电子技术基础习题答案三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案：A2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案：C3、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C4、符号IB表示三极管基极电流的（）A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案：A5、在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低，将产生（）A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案：A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v，则该三极管类型是（）A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案：A8、稳压管的稳压区是指其工作在（）的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案：B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案：C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、无关B、有关C、不一定正确答案：B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案：A12、下列三种电路中，输入电阻最大的电路是（）A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案：A13、最常用的显示器件是（）数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案：A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、相同B、不想同C、有的相同，有的不相同。
正确答案：C15、非门的逻辑功能是（）A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
电子技术基础考试题及答案
电子技术基础考试题及答案一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.下列关于电路中电压方向的描述，错误的是( )A.电压的参考方向可任意设定B.电压的实际方向就是参考方向C.电位降低的方向是电压的实际方向D.Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b2.电路如题2图所示，则以下关于电源功率的描述中，正确的是( )A.电压源吸收功率20W，电流源吸收功率40WB.电压源吸收功率20W，电流源提供功率40WC.电压源提供功率20W，电流源吸收功率40WD.电压源提供功率20W，电流源提供功率40W3.已知加在电容C=2μF两端的电压为U(t)=100cos(2022πt)(mV)，则流过该电容的电流为( )A. B. C. D. 4.下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子5.以下关于差动放大电路的描述中，错误的是( )A.差动放大电路是一个对称电路B.差动放大电路的共模抑制比越大，性能越好C.差动放大电路能抑制零点漂移D.差动放大电路能抑制差模信号6.理想运算放大器的两个基本特点是( )A.虚地与虚断B.虚短与虚地C.虚短与虚断D.断路与短路7.能将矩形波转变成三角波的运算电路为( )A.比例运算电路B.微分运算电路C.积分运算电路D.加法运算电路8.在单相桥式整流电路中，输入正弦电压的有效值为U2，输出电流为IO(AV)，则每个整流二极管承受最大反向电压URM和平均电流ID(AV)分别是( )A. B. C. D. 9.在单相桥式整流电路中，输入正弦电压的有效值为U2，如其中有一个整流二极管开路，则这时输出电压平均值UO(AV)为( )A.0VB.0.45U2C.0.9U2D.U210.下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( )A. B. C. D. 11.逻辑符号如下图所示，其中表示“与非”门的是( )12.在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑1的是( )A.全部输入为0B.全部输入为1C.任一输入是0，其它输入为1D.任一输入是1，其它输入为013.逻辑电路如题13图所示，当S1=0、S0=1时，则下列选项中正确的是( )A.P0=某B.P1=某C.P2=某D.P3=某14.主从型JK触发器，当J=K=0时，则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Qn+1为( )A.0B.1C.QnD. 15.在可编程逻辑器件中，FPGA所表示的是( )A.可编程只读存储器B.通用阵列逻辑器件C.复杂可编程逻辑器件D.现场可编程门阵列二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)请在每小题的空格中填上正确答案。
《电子技术基础》试题及参考答案
《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是（A ）A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时，应引入（C ）反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是（D）。
A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝（B）。
A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B）。
A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为（A）。
A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中，若变压器副绕组电压有效值为10V，而测得输出电压为14.1V，则说明：（B ）A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时，应引入（D ）反馈。
A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（C）。
A.大于B.小于C.等于D.大于，小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= （A ）A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是（ C）A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ C）A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指（B）。
A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。
A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中，若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点，且瞬时极性相同，则属于（B ）A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（B）。
电子技术基础(含答案).docx
精品文档《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单选题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 分析题 , 化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题类型未进入。
一、单选题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特性是（）。
A. 放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
精品文档10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
电子技术基础习题答案解析
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
电子技术基础课后习题答案
7.7(V)
•
•
•
Ii
Ib
Ic
rbe
•
Ui
Rb
Re
•
Ib
RL
•
Uo
•
•
U o I e ( R e // R L )
•
I b (1 )( R e // R L )
•
•
•
U i I b rbe I e ( R e // R L )
•
•
I b rbe I b (1 )( R e // R L )
放映结束 感谢各位批评指导！
谢 谢！
让我们共同进步
R
，此时
E
会引起 Au绝对值变小， ri变大。
2.10
+VCC
Rb
C
B
IB
E
Re
Q 点：
I BQ
V CC U BEQ R b (1 ) R e
15
200 k (1 80 )3 k
0 .03 (mA )
I CQ I BQ 80 0 .03 2 .4 ( mA )
UCEQVCCIEQRE 15(180)0.031033103
)
R e // 36 .8 36 .4 ( )
2.14
ic1
ib1 rbe1
ib1
uic
RC
RE
iRE
共模输入的微变等效电路 （单管）
共模信号即它们的平均
值，
则共模输入电压
:
u ic
u i1 u i2 2
20
10 2
15 ( mV
)
uoc1, uoc差模信号即它们的不同
值（差值），
则差模输入电压
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
三、选择题：（每小题2分，共20分）2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题：（每小题4分，共28分）2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图1-29所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i <E时，二极管截止时，u 0=E 。
所以u 0的波形图如下图所示：第2章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。
若采用分压式偏置电路，通过 反馈环节 调节 合适的基极电位 ，可达到改善输出波形的目的。
10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界 温度 及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做 零点 漂移。
克服 零点 漂移的最有效常用电路是 差动 放大电路。
四、简答题：哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4分）采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。
五、计算题：（共17分）1、如图2-23所示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3.3KΩ，R B1＝40KΩ，R B2＝10KΩ，R E ＝1.5KΩ，β=70。
求静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ 。
（8分，图中晶体管为硅管）图1-29 u/Vωtu i u 0 105＋25V R C R B1 C 1 C 2＋＋ u i u R B2 R EC E2、画出图2-23所示电路的微变等效电路，并对电路进行动态分析。
要求解出电路的电压放大倍数A u ，电路的输入电阻r i 及输出电阻r 0。
（9分）解：图2-23的微变等效电路如下图所示。
r i =R B1// R B2// r be =40000//10000//943≈843Ω r 0=R C =3.3K Ω第3章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题（每空0.5分，共20分）2、集成运算放大器具有 同相 和 反相 两个输入端，相应的输入方式有 同相 输入、 反相 输入和 双端 输入三种。
3、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压 相等 ，称为 虚短 ；二是输入电流 等于零 ，称为 虚断 。
4、理想集成运放的A u0＝ ∞ ，r i ＝ ∞ ，r o ＝ 0 ，K CMR ＝ ∞ 。
5、 反相 比例运算电路中反相输入端为虚地， 同相 比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。
同相 比例运算电路的输入电阻大， 反相 比例运算电路的输入电阻小。
6、 同相 比例运算电路的输入电流等于零， 反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。
同相 比例运算电路的比例系数大于1，而 反相 比例运算电路的比例系数小于零。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、理想运放的开环放大倍数A u0为（A ），输入电阻为（A ），输出电阻为（B ）。
A 、∞；B 、0；C 、不定。
4、理想运放的两个重要结论是（B ）。
uu 0A 、虚短与虚地；B 、虚断与虚短；C 、断路与短路。
5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B ）。
A 、正反馈与负反馈；B 、线性与非线性；C 、虚断和虚短。
6、（B ）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。
A 、同相；B 、反相；C 、双端。
7、集成运放的线性应用存在（C ）现象，非线性应用存在（B ）现象。
A 、虚地；B 、虚断；C 、虚断和虚短。
四、问题：（共20分）2、何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地”真正接“地”，集成运放能否正常工作？（4分）答：电路中某点并未真正接“地”，但电位与“地”点相同，称为“虚地”；电路中两点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“虚短”，若把“虚地”真正接“地”，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有i i =i f 成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。
五、计算题：（共30分）1、图3-17所示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路，试写出被测电阻R x 与电压表电压U 0的关系。
（10分）解：从电路图来看，此电路为一反相比例运算电路，因此： x x R R U 560101010--=⨯-= 2、图3-18所示电路中，已知R 1＝2K Ω，R f ＝5K Ω，R 2＝2K Ω，R 3＝18K Ω，U i ＝1V ，求输出电压U o 。
（10分）解：此电路为同相输入电路。
V 15.39.0)251(V 9.01182180=⨯+==⨯+==+-U U U 3、图3-19所示电路中，已知电阻R f ＝5R 1，输入电压U i＝5mV ，求输出电压U 0。
（10分） 图3-18解：U 01=U i =5mV= U i2，第二级运放是反向比例运算电路，所以： mV 25555i2110-=⨯-=-=U R R U第4章 检测题 （共80分，100分钟）一、填空题（每空0.5分，共25分）1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。
2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。
3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。
在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。
5、 8421 BCD 码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。
6、 进位制 是表示数值大小的各种方法的统称。
一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为 数 制。
任意进制数转换为十进制数时，均采用 按位权展开求和 的方法。
7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。
8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换的 二进制 数，按照 三位 一组转换成八进制；按 四位 一组转换成十六进制。
9、8421BCD 码是最常用也是最简单的一种BCD 代码，各位的权依次为 8 、 4 、 2 、 1 。
8421BCD 码的显著特点是它与 二进制 数码的4位等值 0～9 完全相同。
11、逻辑代数的基本定律有 分配 律、 结合 律、 交换 律、 反演 律和 非非 律。
14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作 “1” 或 “0” 。
三、选择题（每小题2分，共12分）1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。
A 、逻辑加B 、逻辑乘C 、逻辑非2．、十进制数100对应的二进制数为（ C ）。
A 、1011110B 、1100010C 、1100100D 、11000100图3-193、和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。
A 、B A + B 、B A • C 、B B A +• D 、A B A +四、简述题（每小题3分，共12分）1、数字信号和模拟信号的最大区别是什么？数字电路和模拟电路中，哪一种抗干扰能力较强？ 答：数字信号是离散的，模拟信号是连续的，这是它们的最大区别。
它们之中，数字电路的抗干扰能力较强。
五、计算题（共43分）1、用代数法化简下列逻辑函数（12分）①B A C B A F++=)(②BC B A C A F++=③ABC C B A C AB BC A C B A F ++++=④D C A C AB D C D C B B A F ++++=2、用卡诺图化简下列逻辑函数（12分）②)13,12,9,8,7,6,5,3,2,1()(m ABCD F ∑=③∑==），、、、15 14, 12, 8, 7, 6, 1, 0() (m D C B A F④∑∑+==）），、、、12 9, ,3(15 14, 8, 7, 5, 1, 0() (d m D C B A F 3、完成下列数制之间的转换（8分）①（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D ）16②（11101.1）2＝（29.5）10＝（35.4）8＝（1D.8）16③（57.625）10＝（71.5）8＝（39.A ）164、完成下列数制与码制之间的转换（5分）①（47）10＝（01111010）余3码＝（01000111）8421码②（3D ）16＝（00101101）格雷码5、写出下列真值的原码、反码和补码（6分）①[＋36]＝[0 0100100B ]原＝[0 1011011B ]反＝[0 1011100B ]补②[－49]＝[1 0110001B ]原＝[1 1001110B ]反＝[1 1001111B ]补第5章 检测题（共100分，120分钟）一、填空题（每空0.5分，共25分）1、具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。