功率MOSFET的介绍
功率mosfet工作原理
功率mosfet工作原理
功率 MOSFET 是一种用于高频和高功率应用的场效应晶体管。
它的工作原理基于场效应，其电流控制是通过改变栅极电压来实现的。
MOSFET 由源、漏和栅极组成。
源和漏是 N 型或 P 型半导体材料，而栅极则由金属或多晶硅制成。
MOSFET 可以分为 N 沟道型MOSFET 和 P 沟道型 MOSFET 两种类型。
在 N 沟道型 MOSFET 中，源和漏都是 N 型半导体材料，而栅极则被夹在两者之间。
当栅极电压为零时，MOSFET 处于截止状态，不会有电流流过。
当栅极电压增加时，形成了一个电场，从而使沟道中形成了一个导电区域。
这个区域中的导电性决定了 MOSFET 的导通能力。
当沟道中存在正向偏置时，MOSFET 就处于导通状态，并且可以承受大量的电流。
此时，在源和漏之间形成了一个低阻抗路径。
但如果沟道中存在反向偏置，则 MOSFET 就处于截止状态，并且不会有任何电流流过。
在 P 沟道型 MOSFET 中，源和漏都是 P 型半导体材料，而栅极则被夹在两者之间。
其工作原理与 N 沟道型 MOSFET 相似，只是在栅极电压的变化方向上有所不同。
功率 MOSFET 具有很高的开关速度、低开关损耗和高温度稳定性等特点。
它们广泛应用于电源、逆变器、驱动器和电动机控制器等领域。
总之，功率 MOSFET 的工作原理基于场效应，在栅极电压变化的控制下实现了电流的控制。
它们具有高效率、高可靠性和高性能等优点，在现代电力系统中扮演着重要角色。
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。
在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。
小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。
电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。
按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。
电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。
N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。
电气符号，如图1(b)所示。
电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。
当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。
如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。
UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。
二、电力场效应管的静态特性和主要参数PowerMOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。
1、静态特性（1）输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。
特性曲线，如图2(b)所示。
MOSFET基础知识介绍
MOSFET基础知识介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，用于在电子电路中控制电流的流动。
它由金属氧化物半导体结构组成，具有高输入阻抗、低功耗和高电压承受能力等优点，因此在各种应用中广泛使用。
MOSFET的结构包括有源区、漏源区、栅极和绝缘层等部分。
有源区通常由P型半导体材料组成，而漏源区则是N型或P型半导体材料。
两个区域之间的绝缘层是一个非导电的氧化物层，通常是二氧化硅。
栅极是一个金属或多晶硅的电极，用于控制电流的流动。
MOSFET的工作原理基于栅极电压的控制。
当栅极电压为零或低于临界电压时，MOSFET处于截止状态，无法通过电流。
当栅极电压高于临界电压时，介质中的电场会引起有源区附近的载流子（电子或空穴）移动，形成导电路径。
这时，MOSFET处于饱和状态，可以通过电流。
MOSFET有两种常用的工作模式，分别是增强型和耗尽型。
在增强型MOSFET中，栅极电压高于临界电压时，会导致有源区中的载流子浓度增加，从而提高电流的导电能力。
而在耗尽型MOSFET中，栅极电压低于临界电压时，会减少有源区中的载流子浓度，从而减小电流的导电能力。
另一个重要的参数是漏极漏电流。
当MOSFET处于截止状态时，理想情况下应该没有电流通过，但实际上会存在微小的漏电流。
漏极漏电流越小，MOSFET的性能越好。
MOSFET还有一些特殊类型，例如增压型MOSFET和均衡型MOSFET。
增压型MOSFET通过增加外加电压来提高导电能力。
均衡型MOSFET则可以在两个有源区之间实现均衡的电流分布，以提高功率放大器的线性度。
MOSFET在各种应用中都有重要的作用。
在数字电路中，MOSFET可以作为开关使用，用于控制逻辑门和存储器等器件的操作。
在模拟电路中，MOSFET可以作为放大器使用，用于控制电压和电流的变化。
此外，MOSFET还常用于功率放大器、电源和开关模式电源等领域。
总而言之，MOSFET是一种重要的半导体器件，具有高输入阻抗、低功耗和高电压承受能力等优点。
功率mosfet工作原理
功率mosfet工作原理
MOSFET是一种金属-氧化物-半导体场效应管。
它由源极、漏极和栅极组成。
栅极可以通过控制栅极电压来改变MOSFET 的导通状态。
MOSFET工作原理基于栅极电压的变化。
当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET将保持关闭状态，不会导通。
而当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET进入导通状态，电流可以从源极流向漏极。
在导通状态下，MOSFET的电阻非常小，可以实现高功率传输。
此时，栅极电压的变化可以显著影响MOSFET的导通能力。
通过调节栅极电压的大小，可以实现对MOSFET的功率控制。
具体来说，当栅极电压高时，MOSFET的导通能力强。
而当栅极电压低时，MOSFET的导通能力弱。
因此，通过调整栅极电压的大小，可以调节MOSFET的导通状态和功率传输能力。
功率MOSFET通常用于电源开关、功率放大器和电力转换等应用中。
它们具有快速开关速度和低开关损耗的优势，适用于高效能耗的电路设计。
同时，功率MOSFET还具有较低的驱动电流要求和较小的控制电压范围，使得它们易于集成到电路中，且易于控制。
这些特性使功率MOSFET成为现代电子设备中广泛应用的关键组件之一。
功率MOSFET(PowerMOSFET)的基本知识
功率MOSFET(Power MOSFET)的基本知识自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。
另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。
本文将介绍功率MOSFET的结构、工作原理及基本工作电路。
什么是MOSFET“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。
它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。
所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
MOSFET的结构图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层(图lc)，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。
从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。
一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。
图1是N沟道增强型MOSFET的基本结构图。
为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS 等结构。
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识.
功率场效应晶体管(MOSFET)基本知识功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。
由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。
但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。
在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。
电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。
小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。
电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。
按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。
电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。
N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。
电气符号，如图1(b)所示。
电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。
当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。
如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。
UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。
二、电力场效应管的静态特性和主要参数Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。
1、静态特性（1）输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。
特性曲线，如图2(b)所示。
mosfet参数
MOSFET参数介绍MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，在电子设备中具有广泛的应用。
MOSFET的性能参数对于设计和选择适当的电路至关重要。
本文将详细讨论MOSFET的各种参数以及其对电路性能的影响。
二级标题一：漏耗电流（IDD）漏耗电流是指在MOSFET中漏极（Drain）和源极（Source）之间流动的电流。
IDD是一个静态参数，通常以毫安（mA）为单位。
漏耗电流的大小决定了MOSFET在关闭状态下的功耗。
二级标题二：导通电阻（RDS(ON)）导通电阻是指MOSFET在导通状态下两个极端间的电阻。
导通电阻越小，MOSFET的开关速度越快，功耗越低。
通常以欧姆（Ω）为单位来表示。
二级标题三：栅极电容（CGS、CGD）栅极电容由基极到源极和基极到漏极之间的电容组成。
CGS表示栅极与源极之间的电容，CGD表示栅极与漏极之间的电容。
栅极电容对于MOSFET的响应速度和频率特性有重要影响。
二级标题四：漏极源极电压（VDS）漏极源极电压是指MOSFET漏极和源极之间的电势差，通常以伏特（V）为单位。
VDS决定了MOSFET的工作状态，过高的VDS可能会导致器件损坏。
三级标题一：漏耗电流（IDD）的影响因素•材料属性：MOSFET的材料特性和工艺对IDD有直接影响。
•温度：温度升高会导致MOSFET的IDD增加，因此需要考虑散热问题以降低温度。
•设计结构：MOSFET的结构设计对IDD也有影响。
例如，缩短沟道长度可以减小IDD。
三级标题二：导通电阻（RDS(ON)）的影响因素•沟道长度和宽度：RDS(ON)与沟道的长度和宽度成反比。
通过调整沟道尺寸可以控制导通电阻。
•材料特性：MOSFET的材料特性也会对RDS(ON)产生影响。
更好的材料特性可以降低导通电阻。
三级标题三：栅极电容（CGS、CGD）的影响因素•栅极氧化层厚度：栅极电容与氧化层的厚度成正比。
通过调整氧化层的厚度可以改变栅极电容。
功率mosfet原理
功率mosfet原理
功率MOSFET是一种特殊的场效应管，可用于控制和放大信号。
它采用金属-氧化物-半导体结构，具有高频特性、高输入阻抗、低输入电流以及低功耗等优点。
下面将介绍功率MOSFET的原理。
功率MOSFET由三个区域组成：栅极、源极和漏极。
栅极与源极之间通过电流来控制功率MOSFET的导通和关断。
当栅极电压为零时，功率MOSFET进入截止状态，不导通。
当栅极电压高于阈值电压时，形成正向电场，使得栅极和漏极之间存在导通电压，功率MOSFET导通。
当栅极电压降低到阈值电压以下时，功率MOSFET进入关断状态。
在导通状态下，源极和漏极之间的电压差称为漏极-源极电压（VDS），而通过源极和漏极的电流称为漏极电流（ID）。
根据欧姆定律，VDS与ID之间存在线性关系。
导通时的ID 与VDS关系可以通过栅极电压来调节，这使得功率MOSFET 可以用作电流控制器和电压放大器。
功率MOSFET的主要工作原理是栅极电压与漏极电流之间的非线性关系。
根据MOSFET的特性曲线可以看出，在一定的栅极电压下，漏极电流呈指数增长。
这是由于在MOSFET中存在栅极与漏极之间的载流子电导，电导的大小取决于栅极与漏极之间的电压差。
因此，通过调节栅极电压可以控制漏极电流的大小。
总之，功率MOSFET的原理是通过调节栅极与漏极之间的电
压来实现对漏极电流的控制，从而实现信号的放大和控制。
通过这种原理，功率MOSFET能够在各种功率电子设备中广泛应用。
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Power MOSFET♦ 内容MOSFET类型 功率MOSFET内部结构 MOSFET工作原理 MOSFET重要参数 MOSFET驱动电路 MOSFET功耗及选择 DC/DC的MOSFET选择和 PCB布板 MOSFET工艺和生产流程 DrainGate Source Drain GateSourceCircuit SymbolPackage Pin LayoutPower MOSFET♦ 什么是MOSFET，定义MOSFET ♦ Metal - Oxide – Semiconductor Field Effect Transistor ♦ MOSFET is a three-terminal devices which in basic term behaves as a voltage controlled switchDrainGate Source Drain GateSourceCircuit SymbolPackage Pin LayoutPower MOSFET♦ 氧化层：形成门极，由多晶硅代替 氧化层：形成门极， ♦ 氧化隔离层：防止电流在门极和其它两个电极间D、S极流动，但并不阻 氧化隔离层： 极流动， 断电场 ♦ 半导体层：依赖于门极电压，阻断或允许电流在漏极D和源极S间流动 半导体层：依赖于门极电压，Power MOSFET♦ MOSFET类型 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor按导电沟道可分为： 按导电沟道可分为：P沟道和N沟道 按栅极电压幅值可分为： 按栅极电压幅值可分为： 栅极电压为零时， 耗尽型--栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道 沟道器件，栅极电压大于（小于） 增强型--对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 功率MOSFET主要是N沟道增强型1Power MOSFET♦ MOSFET内部结构横向导电(信号MOSFET）/垂直导电（功率MOSFET） 垂直导电：平面型和沟槽型Trench(U型沟槽和V型沟槽） 不同厂商制造的功率MOSFET有不同的命名：HEXFET (IR)、VMOS (Phillips)、 SIPMOS (Siemens)，但都是通过将大量物理单元扩散到外延硅基板形成并联结 构的方法制成 功 率 MOSFET 为 多 单 元 集 成 结 构 ， 如 IR 的 HEXFET 采 用 六 边 形 单 元 ； 西 门 子 Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元；摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形 单元按品字形排列 横向导电:平面型 垂直导电:V型沟槽 垂直导电:平面型 垂直导电:U型沟槽Power MOSFET♦ 平面型MOSFET 没有充分应用芯片的尺寸， 没有充分应用芯片的尺寸，电流和电压额定值有限 适合低压应用，如微处理器，运放，数字电路 适合低压应用，如微处理器，运放， 低的电容， 低的电容，快的开关速度增加或减少门极电压会增大或减少N沟道的大小，以此来控制器件导通 沟道的大小， VddLoadDDriverG S沟道Power MOSFET♦ 垂直导电型MOSFET平面型：具有垂直导电双扩散 MOS 结构的 VDMOSFET Vertical Double-diffused MOSFET ，多个单元结构。
具有相同 RDS(on) 电阻 MOSFET 并联，等效电阻为一个 MOSFET 单元 RDS(on) 的 1/n 。
裸片面积越大其导通电阻越低，但寄生电容越大， 因此开关性能越差。
很多公司产品采用。
沟槽型 V型沟槽：不容易生产，V尖角容易形成高的电场 U型沟槽：平面型的演变，切开翻转90度。
栅结构不与裸片表面平行而是构建在 沟道之中垂直于表面，因此占用空间较少且使电流流动真正垂直，最小化基本 单元面积，在相同的占位空间中可以集成更多的单元从而降低RDS(on)并维持电 容不变。
电流流动垂直Power MOSFET♦ V型沟槽MOSFETV型沟槽 多个单元并联Power MOSFET♦ AOS的MOSFET AOS的AOS开发出的性能可靠产量高的密集沟槽型MOSFET X射线显示的AOS MOSFET物理结构U型沟槽多个单元并联BondingPower MOSFET♦ MOSFET工作原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
P基区与N漂移区之 间形成的PN结反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电 流流过。
但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中 的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度 将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层 形成N沟道而使PN结消失，漏极和源极导电。
Power MOSFET♦ MOSFET工作原理以高度浓缩的n型衬底开始:最小化沟道部分的体电阻。
在它上面生长 一层 n-epi ，并制成两个连续的扩散区， p 区中合适的偏置将产生沟 道，而在它里面扩散出n+区定义源极。
下一步，在形成磷掺杂多晶硅 后，生长薄的高品质栅极氧化层，从而形成栅极。
在定义源极和栅电 极的顶层上开接触窗口，整个晶圆的底层使漏极接触。
由于在栅极上 没有偏置，n+源和n漏被p区分隔，并且没有电流流过，三极管被关闭 栅极施加正偏置，在p区中的少数载流子(电子)被吸引到栅极板下表 面。
随着偏置电压增加，越来越多的电子被禁闭在这块小空间中，本 地的少子集中比空穴(p)集中还要多，从而出现反转，意味着栅极下 面的材料立即从p型变成n型，在源极连接到漏极的栅结构下面的p型 材料中形成n沟道；电流可以流过。
栅极依靠其电压偏置控制源极和 漏极之间的电流Power MOSFET♦ MOSFET工作原理：功率MOSFET的基本特性 工作原理：静态特性；其转移特性和输出特性。
漏极电流ID和栅源间电压UGS的关 系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线 的斜率定义为跨导Gfs MOSFET 的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于 GTR 的截止 区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和 区）。
电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回 转换。
电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时 器件导通。
电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的 均流有利。
转移特性输出特性Power MOSFETMOSFET的静态参数最大额定值： 最大额定值 ： 代表器件的最大能力，设计时要保证在系统最恶劣条件下，不要超 过这些额定值。
除了Vds和Vdgr在限定的avalanche条件下可以超过。
Power MOSFETMOSFET的静态参数 MOSFET的avalanche击穿电压总是大于标注的额定电压由于正常生产中的余量控制超过Vgs会导致器件性能的降低，由于氧化 层的击穿和电介质绝缘体裂开。
实际的氧化 层的击穿能力大于此值，并与氧化层厚度相 关。
此值要有合理的防护带且100%测试和保 证 为了保证可靠性，在最坏的工作条件下，工作电压不要大于额定值。
最大的 电压不要超过额定值的70~90%，降额使用。
Ptot =Power MOSFETMOSFET的静态参数Tj必须总低于150ºC。
大多可靠性测试在最大结温进行如HTRB High Temperature Reversed Bias和HTFB High Temperature Forward Bias。
这些测试结果用作计算不同可靠性模式的加速因 子的输入信息。
如由理论模式，减小结温30°C将提高MTBF一个数量级。
代表最小的器件使用 时间。
在此条件下工作保证结温低于Tjmax可提高长时间工作的寿命。
∆T 125 − 25 = RthJC RthJCPtot =TJ max − TC 125 − 25 = RthJC RthJC由Ptot和Rdson及线直径限制（避免fuse效应）I=TJ max − TC Ron @ TJ max • RthJCPtot = Ron @ TJ max • I 2Power MOSFETMOSFET的静态参数♦ 热阻 此参数表明热量从A点到B点流动的难易程度。
小RTH表明热量从A 点流动到B点时，产生很小的温度差异。
大的RTH表明当同样的热量 从A点流动到B点时，产生很大的温度差异。
热阻定义为：Rth ( B − A)TB − T A = Pdiss从硅片到空气热链路：硅片-封装-散热器-空气。
硅片-封装热链路：硅片-框架-封装。
有时封装-散热器加绝缘片，此时封装-散热器-空气热链路：封装-绝 缘片-散热器-空气Power MOSFETMOSFET的静态参数 考虑瞬态即热容的热模型：Power MOSFETMOSFET的SOAV=Ron(@Tj)*IMaximum Forward Biased Safe Operating AreaZth=kRthV I=(Tj-Tc)/ZthNormalized Maximum Transient Thermal ImpedancePower MOSFETDGSTracer waveform结温升高，BV 线性增加Power MOSFETDGSIDSS对温度十分敏感，有正的温度系数DS GDSG阈值电压V GS(th ）漏极开始流通电流的最小栅极电压V GS(th ）有负的温度系数DSGR DS(on ）有正温度系数R DS(on ）对于Id 并不恒定♦Trench MOS工艺Source metalEpi layerSubstrateDrain metal SourceGate electrodeBodyChannel LengthGate areas♦Power MOSFET StructureVoltage is supported largely in the low doped drift layerThis layer is thicker and more resistive at higher voltage ratingsTechniques exist to improve this relationship to a linear one5.2BVRds ∝Trench MOSFET Off -Channel <1µmSubstrate <150-200µmDrift <1.5-3µmDSGGfs=di ds dv gsVds=constTIar定义为不发生三极管锁存现象定义为不发生三极管锁存现象，，在雪崩操作时,流过的最大电流EAS Energy during Avalanche for Single Pulse定义了单次雪崩操作器件能够消耗的最大的能量。