电荷输运机制
电荷输运机制及介质中扩散模型探索
电荷输运机制及介质中扩散模型探索电荷输运机制是电子学和材料科学中的一个重要研究领域。
了解电荷在介质中的输运机制对于设计和优化电子器件，以及理解材料的电学性质具有重要意义。
本文将探索电荷输运机制及介质中扩散模型，并提供相关领域的最新研究进展。
首先，我们需要了解什么是电荷输运机制。
简单来说，电荷输运机制指的是电荷在材料或介质中传输的方式。
根据电子或空穴的传输方式，可以将电荷输运机制分为两大类：迁移和扩散。
迁移是指电子或空穴在外电场或浓度梯度作用下的定向传输，而扩散则是指电子或空穴在材料中自由运动的随机传输。
对于迁移机制，最常见的是简单迁移和复合迁移。
简单迁移是指电子或空穴在晶体中移动的过程中不发生再复合的现象。
在简单迁移过程中，电子或空穴的传输主要受到晶格缺陷、杂质和表面效应的影响。
复合迁移是指电子和空穴在移动过程中发生再复合的现象。
复合迁移会影响电子和空穴的流动速度和浓度分布。
而对于扩散机制，我们可以通过扩散方程来描述电荷的传输。
在扩散过程中，电子或空穴的运动被看作是随机过程，其传输速度和方向受到热运动的影响。
扩散机制主要受到浓度梯度、电荷密度和电势变化的影响。
除了了解电荷输运机制，研究者们还在努力探索介质中的扩散模型。
扩散模型是用来描述电荷在介质中扩散的数学模型。
常见的扩散模型有经典扩散模型和非经典扩散模型。
经典扩散模型是基于弥散理论的，可以用弗里德里希斯扩散方程来描述。
该方程描述了扩散物质在空间和时间上的分布，并用扩散系数来表示扩散速率。
经典扩散模型适用于低温下的晶体和玻璃材料，以及较小浓度梯度的情况。
相比之下，非经典扩散模型考虑了介质中的扰动、杂质和缺陷等因素对扩散过程的影响。
非经典扩散模型可以用来研究高温下的材料和扩散界面的动力学行为。
常见的非经典扩散模型有表面扩散模型、体内扩散模型和界面扩散模型等。
最新的研究进展表明，扩散模型的改进和精确描述对于理解电荷输运机制至关重要。
研究人员通过引入复杂的数学方法和模型，以及借鉴计算机模拟和实验数据，提高了扩散模型的准确性和预测能力。
分子电子学中的电荷输运与其它相关理论
分子电子学中的电荷输运与其它相关理论分子电子学是研究分子内部电子结构和电子运动规律的学科。
其中，电荷输运是分子电子学中的一个重要研究方向，是研究分子内部电子从一个位置到另一个位置的运动规律和机制。
本文将介绍分子电子学中的电荷输运和其它相关理论。
一、电荷输运电荷是一种基本粒子，在分子中的运动可以决定化学性质和光电性能等。
电荷输运是研究电荷从一个位置到另一个位置的物理过程，是分子电子学中的一项重要研究内容。
1.1 电荷传递分子中的电子可以跃迁到另一个分子或基团，此时电荷被传递到新的分子或基团。
电荷传递过程中，需要考虑每个分子或基团中的能级结构和能量差，以及电子跃迁的机理。
1.2 电荷跨越电荷跨越是指电子从一个分子或基团通过空间障碍跨越到另一个分子或基团。
电荷跨越过程中需要考虑空间距离、障碍高度、电子自旋和态密度等因素。
1.3 电荷扩散电荷扩散是指电子在分子中自由运动的过程。
电子扩散受到分子内部的结构和场的影响，需要考虑分子间隔离、空间结构、分子间相互作用和外部场的作用等。
二、电子输运机制在电子输运过程中，电子的输运机制是决定电子输运行为的重要因素。
在分子电子学中，有许多理论用于描述电子输运机制，如：2.1 偏压输运理论偏压输运理论是一种描述分子中电子输运行为的物理模型。
该理论认为电子在分子中的运动受到分子结构、电场、温度、杂质等因素的影响，通过计算电子在这些场中运动的概率来描述电子的输运行为。
2.2 热激光输运理论热激光输运理论是一种描述分子中电子输运行为的统计方法，通过统计电子的距离分布和动力学行为来描述电子的输运行为。
该理论可以用来预测电子输运的温度和电场依赖性。
2.3 格林函数理论格林函数理论是一种描述分子中电子输运行为的量子力学方法，通过计算分子中不同点电子的格林函数定义了电子的能量分布和输运行为。
该理论可以用于解析和数值计算电子输运的时间和空间行为。
三、电荷输运与材料设计电荷输运在材料和器件的设计和开发中具有重要意义。
杂化结构中的电荷输运
杂化结构中的电荷输运近年来，随着纳米科技和材料科学的飞速发展，人们对新型杂化结构在电子器件中的应用越来越感兴趣。
杂化结构由两种或者更多种不同材料的组合而成，其具有独特的光电性能，尤其在电荷输运方面表现出色。
本文将针对杂化结构中的电荷输运进行探讨。
杂化结构中的电荷输运是指在不同材料之间的电子和正电荷之间的运动过程。
在杂化结构中，由于不同材料之间的能带差异，在外加电场驱动下，电子和正电荷会发生迁移和传输。
这种电荷输运过程对于杂化结构的光电性能至关重要。
要理解杂化结构中的电荷输运，首先需要了解电子的能带结构。
材料的能带结构是指电子在材料中不同能量级的分布情况。
一般来说，导带中的能量级较低，而价带中的能量级较高。
在普通材料中，电子在导带和价带之间往往需要克服能隙来完成跃迁。
然而，在杂化结构中，由于不同材料之间的能带差异，电子可以在导带和价带之间自由传输。
杂化结构中的电荷输运主要受到两个关键因素的影响：界面效应和杂化界面层的调控。
界面效应指的是不同材料之间的相互作用，包括界面态的形成和本征晶格畸变等。
这些界面效应对于电子的轨道重叠和传输起到了重要作用。
而杂化界面层的调控则是指通过掺杂或修饰材料表面的方法来改变界面层的组成和结构，从而调整杂化结构的电子输运性质。
在杂化结构中，电子输运的方式可以是直接跳跃、隧穿或者跳跃加隧穿等。
直接跳跃是指电子通过晶格中的空位或者杂质原子直接从一个能带跃迁到另一个能带。
隧穿是指电子通过材料之间的势垒，在能量上升和势能下降的双重作用下跃迁到另一个能带。
跳跃加隧穿则是指电子在近程范围内先跳跃到相邻材料中，然后通过隧穿跃迁到另一个能带。
杂化结构中电荷输运的速率主要受到两个因素的影响：载流子的迁移率和能带偏移。
载流子的迁移率是指在外加电场下，载流子的迁移速率。
不同材料的载流子迁移率会受到材料的晶格结构、掺杂情况和载流子浓度等因素的影响。
能带偏移则是指不同材料之间的能带差异，这种能带差异会导致电荷在杂化结构中的传输方向和速率的变化。
电荷输运机制
q：电子电荷；V：外加电压；k：波尔兹曼常数；n：理想因子；I s：饱和电流；J s=I s/Aεr ：相对介电常数；ε：真空介电常数；L：阴阳两极间距离()()1122222exp2q V dm mdααϕϕ-⎛⎫⎪⎝⎭*3232*42()exp83FNmSmqEhm hqEϕπϕ⎛⎫-⎪⎪⎝⎭理解薄膜中电荷的输运机制对于分子电子器件的应用具有重要意义，例如分子二极管、分子晶体管和分子存储元件等。
因此，关于金属电极薄膜中电荷的输运机制的研究已成为纳米材料研究中倍受关注的热点课题。
电荷在金属电极-薄膜-金属电极结构中的输运机制主要有直接隧穿、Fowler –Nordheim 隧穿、Schottky 发射效应、Poole-Frankel 效应、跳跃传导（Hopping conduction ）及空间电荷限制（SCLC ）效应六种，各种输运机制的能带示意图，电流特性公式及电流对温度、电压的依赖关系如表1所示。
直接隧穿和Fowler –Nordheim 隧穿属于非共振遂穿，电流大小均和温度无关，其中直接隧穿适用于小电压范围（eV φ<），电流和电压呈线性关系；Fowler –Nordheim 隧穿适用于较高电压范围（eV φ>），()2ln I V 和1V 呈线性关系。
在小电压范围，美国耶鲁大学Reed G7研究组利用直接隧穿模型研究了饱和烷硫醇自组装薄膜器件在变温条件下的电荷输运机制，并推算出势垒高度φ及衰减系数β。
清华大学陈培毅教授G8等也对烷基硫醇饱和分子结中的电荷输运进行了研究，证实了隧穿为饱和分子结中的主要电荷输运机制。
中国科学技术大学王晓平G9研究组研究了自组装硫醇分子膜输运特征的压力依赖性，分析表明自组装硫醇分子膜输运特征的压力依赖性也主要源于电荷在分子膜中的链间隧穿过程。
在较高电压范围，韩国光州科学研究院Lee G10等观察到饱和烷硫醇自组装薄膜器件电流输运机制由直接隧穿转变为Fowler –Nordheim 隧穿,并研究了不同条件下过渡电压的变化规律。
电荷输运过程中的输运机制研究
电荷输运过程中的输运机制研究电荷输运是指在导电材料中电荷的传递过程，也是理解材料电学性质的基础。
研究电荷输运机制对于材料科学和电子学领域具有重要意义。
在实际应用中，理解电荷输运机制可以帮助我们设计和优化电子器件，提高电子设备的性能。
电荷输运过程可以通过几种不同的机制来实现。
最常见的机制包括扩散、迁移和离子阻抗。
这些机制在不同的材料中起主导作用，并对电子器件的性能产生重要影响。
首先，扩散是一种电荷输运的常见机制。
扩散是指电荷通过分子和原子之间的障碍以扩散的方式进行传递。
在固体中，扩散取决于原子间的距离和结构。
例如，在半导体材料中，离子内部的扩散是通过固体晶格中的点缺陷进行的。
这些点缺陷可以是晶格中的空位点，也可以是杂质或缺陷引起的其他缺陷。
除了扩散，迁移也是一种常见的电荷输运机制。
迁移是指电荷在电场作用下移动的过程。
在导电材料中，电荷通过受到电场力驱动而输运。
例如，在金属中，自由电子在电场的作用下快速移动。
在半导体中，电子和空穴通过不同的过程进行迁移。
电子主要通过与杂质原子相互作用来迁移，而空穴则通过与晶格中的点缺陷相互作用来迁移。
另外一种电荷输运的机制是离子阻抗。
离子阻抗是指电解质中的离子在电场影响下移动的过程。
这种机制在电解质溶液中起作用，例如电池中的电解质溶液。
电解质溶液中的离子通过与溶液中的其他离子相互作用来进行输运。
这种机制在某些电化学器件中非常重要，例如锂离子电池。
了解离子阻抗的机制有助于我们优化电化学器件的性能。
总的来说，电荷输运过程中的输运机制是多样且复杂的。
不同的材料和条件下可能存在不同的机制。
通过研究和理解这些机制，我们可以更好地设计和优化电子器件，提高电子设备的性能。
未来，随着材料科学和电子学的不断发展，对电荷输运机制的深入研究将成为一个重要的课题。
通过不断探索电荷输运机制，我们可以为新型电子器件的设计和发展提供更多的思路和方法。
在电荷输运机制研究中，不仅需要进行理论模拟和计算，也需要进行实验研究。
电荷输运与传播机制解释效率损失
电荷输运与传播机制解释效率损失电荷输运与传播机制是研究电子、空穴等电荷在材料中传输的过程和机理。
在实际应用中，电荷输运的效率是非常重要的，因为它直接决定了材料的导电性能和能量转换效率。
然而，在电荷输运过程中，常常会出现效率损失的问题，这给材料的应用带来了一定的限制。
本文将从电荷输运的基本原理出发，解释电荷输运中的效率损失机制，并探讨改善电荷输运效率的途径。
首先，了解电荷输运的基本原理对于理解效率损失机制非常重要。
在导电材料中，电荷的传输主要通过电子或空穴跃迁实现。
电子跃迁是指电子在能带中从一个能级跃迁到另一个能级的过程，而空穴跃迁是指价带中缺少电子的能级通过吸收一个电子从而形成的过程。
这些跃迁过程受到能带结构的影响，以及晶格振动的散射作用。
在电荷输运过程中，效率损失主要体现在两个方面。
第一方面是能级间跃迁的损失。
在实际材料中，能带结构往往不是完美的，能级之间存在着一定的跃迁难度。
这意味着在电子或空穴跃迁的过程中，一部分电荷会被停滞在能带中无法继续传输，从而降低导电性能。
这种损失主要受到磷化物、氮化物等半导体材料的限制。
第二方面是散射损失。
在电荷输运过程中，电子或空穴会因为晶格振动、杂质、缺陷等原因发生散射。
散射会使电荷的运动方向发生改变，从而导致电荷传输的路径变长，进一步降低传输效率。
晶格振动是导致散射的主要原因之一，尤其是在低温下，晶格振动会对电荷输运造成较大的影响。
而杂质和缺陷则是导致散射的另外两个主要原因，它们会在材料中引入额外的散射中心，从而影响电荷的传播。
针对电荷输运中的效率损失，可以通过优化材料的能带结构和减少散射来改善。
一种方法是通过控制材料的组分和杂质的含量，优化能带结构，使能级之间的跃迁更加顺利。
这需要精确地设计材料的结构和合成方法。
特殊的生长条件、合金替代和控制晶格缺陷等方法可以被用来减小跃迁的难度，提高电荷的传输效率。
另一种方法是减少散射。
通过控制晶格振动和缺陷的生成，可以降低电荷传输过程中的散射效应。
高温超导材料中电荷输运与相互作用机制解析
高温超导材料中电荷输运与相互作用机制解析随着科学技术的进步，高温超导材料的研究日益受到科学家们的关注。
高温超导材料具有超低的电阻，在低温下可以实现电流的高效输送，这对能源传输和存储领域具有重要意义。
然而，要深入理解高温超导材料中电荷输运与相互作用的机制，需要对其物理性质和微观结构进行解析。
首先，高温超导材料中的电荷输运机制源于电子间的相互作用。
在低温下，电荷输运主要通过电子之间的库伦相互作用进行。
晶格中的正负电荷有序排列，形成了电子在晶格间的传递通道。
电子通过这些通道进行跳跃并输运能量。
另一方面，由于电子之间的相互作用，电子在输运过程中会相互散射，这会限制电子的自由传播，增加了电阻。
因此，深入理解高温超导材料中的电荷输运机制就需要分析电子之间的相互作用方式。
高温超导材料中重要的电子相互作用机制包括电子-电子相互作用、电子-声子相互作用以及电子-晶格相互作用。
首先，电子-电子相互作用机制是高温超导的基础。
它是指电子之间由于库伦相互作用而发生的相互作用。
这种相互作用会导致电子的散射，从而影响电荷输运行为。
其次，电子-声子相互作用机制也起着重要作用。
声子是晶格中的振动模式，它们可以与电子相互作用并散射电子。
这种相互作用会导致电子的能量损失和散射，从而影响电荷输运的效率。
最后，电子-晶格相互作用机制描述的是电子与晶体晶格之间的相互作用。
这种相互作用会导致晶格的畸变和变形，从而影响电子在晶格中的传递行为。
为了更好地理解这些相互作用机制，科学家们采用了多种研究手段。
例如，通过输运性质的测量可以揭示电子的输运行为。
通过高温超导材料的电阻率、电导率和热导率的测量，可以了解电子的散射和能量损失情况。
同时，通过角分辨光电子能谱和光谱学等方法可以研究电子能带结构和电子相关的激发态。
这些实验结果可以用来解释电子之间的相互作用机制。
此外，计算模拟也是研究高温超导材料中电荷输运与相互作用机制的重要手段。
基于量子力学理论的密度泛函理论和分子动力学模拟可以计算电子、声子和晶格之间的相互作用。
半导体电子器件中的电荷输运及其影响机制研究
半导体电子器件中的电荷输运及其影响机制研究随着科技进步的加速，电子器件已经成为了现代社会中不可或缺的一部分。
在电子器件中，半导体器件是主导地位，是现代计算机和移动设备中的核心组件。
电荷输运是半导体器件中的重要基础，它对电子器件的稳定性、速度以及功耗等方面都有着巨大的影响。
为了更好地理解半导体电子器件中的电荷输运及其影响机制，本文将从以下几个方面进行阐述。
一、概述半导体是介于导体（如金属）和绝缘体（如玻璃）之间的材料。
半导体材料具有一些独特的性质，例如在介于导体和绝缘体之间的电阻值，以及当材料中的原子在特定条件下组成晶体结构时，能带出现禁带等。
这些性质使得半导体材料可以用来制造各种电子器件。
在半导体中，电荷输运是电子器件中的重要基础。
二、电荷输运电荷输运是指电子在半导体中的迁移过程。
半导体中的电子输运有两种形式：漂移和扩散。
漂移是指电场作用下电子运动的过程，扩散是指由于浓度差引起的电子在半导体中的运动。
在半导体应用中，通常既有漂移又有扩散，两种过程都会影响电荷输运。
三、掺杂掺杂是指在半导体中掺入少量的不同原子的过程。
例如将硅中掺入五价元素磷可以获得n型半导体，将硅中掺入三价元素硼可以获得p型半导体。
掺杂可以改变半导体中的载流子浓度和载流子类型。
对于n型半导体，电子是主要的载流子，而对于p型半导体，空穴是主要的载流子。
四、载流子复合在半导体中，当n型和p型半导体材料接触时，电子会向空穴扩散。
这种情况下，载流子的数目将会减少，如果这种减少量多于自然衰减，就有可能要通过复合来补偿。
载流子复合是电子器件中的一个重要现象，它会影响器件的性能和效率。
一般来说，在电场的作用下，载流子会向其他区域移动，在移动的过程中，不同的载流子会发生复合。
五、电荷输运的影响机制在实际的半导体器件中，电荷输运的表现和理论预测相差很大，这主要是因为电荷输运中的许多细节和效应被忽略。
例如在半导体中的载流子会发生散射，散射会导致能量损失，影响电荷输运过程。
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表1几种电荷输运机制的能带示意图，电流特性公式及电流对温度、电压的依赖关系q：电子电荷；V：外加电压；k：波尔兹曼常数；n：理想因子；Is ：饱和电流；Js=Is/A输运机制能带示意图电流特性公式温度依赖性电压依赖性文献直接隧穿()()21122222exp2q V dI S m mdααϕϕ-⎛⎫= ⎪⎝⎭none I V∝G1Fowler–Nordheim 隧穿*3232*42()exp83FNmSmqI Ehm hqEϕπϕ⎛⎫=-⎪⎪⎝⎭none()2ln1I V V∝G2Schottky 发射效应()212exp/I SAT e E kTβφ=-()2ln1I T T∝()12ln I V∝G3Poole-Frank el 效应()exp PFq qESVId kTϕπεεσ⎛⎫-=- ⎪⎪⎝⎭()ln1I T∝()12ln I V V∝G4Hopping传导exp(-)aESI Vd kTσ=()ln1I V T∝I V∝G5SCLC效应2398SS VIdεμθ=none nI V∝G6Standarddiode方程WdMott-Gurneylawnone J1/2 V I-V 欧姆传导None有用sclcεr ：相对介电常数；ε0：真空介电常数；L ：阴阳两极间距离理解薄膜中电荷的输运机制对于分子电子器件的应用具有重要意义，例如分子二极管、分子晶体管和分子存储元件等。
因此，关于金属电极薄膜中电荷的输运机制的研究已成为纳米材料研究中倍受关注的热点课题。
电荷在金属电极-薄膜-金属电极结构中的输运机制主要有直接隧穿、Fowler –Nordheim 隧穿、Schottky 发射效应、Poole-Frankel 效应、跳跃传导（Hopping conduction ）及空间电荷限制（SCLC ）效应六种，各种输运机制的能带示意图，电流特性公式及电流对温度、电压的依赖关系如表1所示。
直接隧穿和Fowler –Nordheim 隧穿属于非共振遂穿，电流大小均和温度无关，其中直接隧穿适用于小电压范围（eV φ<），电流和电压呈线性关系；Fowler –Nordheim 隧穿适用于较高电压范围（eV φ>），()2ln I V 和1V 呈线性关系。
在小电压范围，美国耶鲁大学Reed G7研究组利用直接隧穿模型研究了饱和烷硫醇自组装薄膜器件在变温条件下的电荷输运机制，并推算出势垒高度φ及衰减系数β。
清华大学陈培毅教授G8等也对烷基硫醇饱和分子结中的电荷输运进行了研究，证实了隧穿为饱和分子结中的主要电荷输运机制。
中国科学技术大学王晓平G9研究组研究了自组装硫醇分子膜输运特征的压力依赖性，分析表明自组装硫醇分子膜输运特征的压力依赖性也主要源于电荷在分子膜中的链间隧穿过程。
在较高电压范围，韩国光州科学研究院Lee G10等观察到饱和烷硫醇自组装薄膜器件电流输运机制由直接隧穿转变为Fowler –Nordheim 隧穿,并研究了不同条件下过渡电压的变化规律。
中科院上海微系统与信息技术研究所董耀旗G11等基于分栅闪存存储器的结构，对多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅非平面结构的F-N 隧穿进行了研究。
天津大学胡明教授G12等在研究碳纳米管场发射性能时认为其至少在某一电流密度范围内属于Fowler –Nordheim 遂穿。
直接隧穿和Fowler –Nordheim 隧穿是饱和烷烃自组装薄膜中最常见的两种输运机制，然而对于π共轭分子，由于禁带宽度较小，则有可能是近似共振隧穿机制。
Schottky 发射效应是指在一定温度下, 金属中部分电子将获得足够的能量越过绝缘体的势垒，此过程又称为热电子发射，由电流特性公式可知()2ln I T和1T 、()ln I 和12V均呈线性关系。
美国匹兹堡大学Perello G13等研究碳纳米管器件时观察到Schottky 发射效应并推算出Schottky 势垒。
北京工业大学聂祚仁G14研究组也通过Schottky 发射效应分析研究了纳米复合W-La 2O 3材料的I-V 曲线并计算了材料的有效逸出功。
如果介质层包含有非理想性结构, 如不纯原子导致的缺陷, 那么这些缺陷将扮演电子陷阱的作用, 诱陷电子的场加强热激发将产生电流，此即为Poole-Frankel 效应。
电流对温度和电压的关系为()ln 1I T ∝和()12ln I V V∝。
西安电子科技大学汪家友教授G15等在研究a-C ：F 薄膜电学性能时观察到薄膜在高场区符合Poole-Frankel 机制。
如果介质层缺陷密度很大, 电子的输运将由跳跃传导控制，此时，电流和电压呈线性关系且()ln 1I V ∝。
美国耶鲁大学周崇武G16等研究Au/Ti/4-thioacetylbiphenyl/Au 分子结时观察到，在负偏压且偏压较小时即属于跳跃传导机制。
新加坡国立大学Nijhuis G17等在研究Ag TS SC 11Fc 2Lee, W. Y. Wang, M. A. Reed. Mechanism of Electron Conduction in Self-Assembled Alkanethiol Monolayer Devices[J]. Ann. . Acad. Sci. 2003, 1006, 21–35.G2 G. Pananakakis, G. Ghibaudo, R. Kies. Temperature dependence of the Fowler-Nordheim current inmetal-oxide- degenerate semiconductor structures[J]. J. Appl. Phys. 1995, 78, 2635-2641. G3 M. A. Gaffar, A. Abu El-Fadl, S. Bin Anooz. Doping-induced-effects on conduction mechanisms inincommensurate ammonium zinc chloride crystals[J]. Cryst. Res. Technol. 2007, 42, 567-577. G4 D. K. Aswal, S. Lenfant, D. Guerin, J. V. Yakhmi, D. Vuillaume. Self assembled monolayers on siliconfor molecular electronics[J]. Analytica Chimica Acta. 2006, 568, 84–108.G5 S. A. DiBenedetto, A. Facchetti, M. A. Ratner, T. J. Marks. Charge Conduction and BreakdownMechanisms in Self-Assembled Nanodielectrics[J]. J. AM. CHEM. SOC. 2009, 131, 7158–7168. G6 A comparison of the DC conduction properties in evaporated cadmium selenide thin films usinggold and aluminium electrodes[J]. Thin solid films. 1998, 317, 409-412.G7 W. Y. Wang, T. Lee, M. A. Reed. Mechanism of electron conduction in self-assembled alkanethiolmonolayer devices[J]. PHYSICAL REVIEW B. 2003, 68, 035416.G8 董浩, 邓宁, 张磊, 任敏, 陈培毅. 烷基硫醇饱和分子结中的电荷输运[J]. 功能材料与器件学报, 2007,13, 6, 561-565.G9 胡海龙, 张琨, 王振兴, 王晓平. 自组装硫醇分子膜电输运特性的导电原子力显微镜研究[J]. 物理学报,2006, 55, 3, 1430-1434.G10 G. Wang, T. W. Kim, G. Jo, T. Lee. Enhancement of Field Emission Transport by Molecular TiltCon figuration in Metal-Molecule-Metal Junctions[J]. J. AM. CHEM. SOC. 2009, 131, 5980–5985. G11 董耀旗, 孔蔚然. 多晶硅/氧化硅/多晶硅非平面结构中Fowler-Nordheim 隧穿及氧化层退化研究[J]. 功能材料与器件学报, 2010, 16, 6, 560-564.G12 房振乾, 胡明, 李海燕, 梁继然. 碳纳米管冷阴极材料制备及其场发射性能研究[J]. 压电与声光, 2006,28, 6, 715-718.G13 D. Perello, D. J. Bae, M. J. Kim, D. K. Cha, S. Y. Jeong, B. R. Kang, W. J. Yu, Y. H. Lee, M.Yun. Quantitative Experimental Analysis of Schottky Barriers and Poole–Frenkel Emission in Carbon Nanotube Devices[J]. IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY. 2009, 8, 355-360.G14 席晓丽, 聂祚仁, 郝世明, 杨建参, 翟立力, 左铁镛. 纳米复合W-La2O3材料的表面行为与热发射性能[J],中国有色金属学报, 2005, 15, 6, 907-911.G15 吴振宇, 杨银堂, 汪家友. a-C:F薄膜结构与电学性能研究[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26, 1, 36-39.G16 C. Zhou, M. R. Deshpande, M. A. Reed. Nanoscale metal/self-assembled monolayer/metal heterostructures[J]. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 611-613.G17 C. A. Nijhuis, W. F. Reus, A. C. Siegel, G. M. Whitesides. A Molecular Half-Wave Rectifier[J].J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 15397–15411.G18 王晓东, 彭晓峰, 张端明. PLD法制备高取向透明（100）薄膜性能研究[J]. 无机材料学报, 2005, 20, 5, 1222-1228.G19 张沛红, 李刚, 盖凌云, 雷清泉. 聚酞亚胺薄膜的高场电导特性[J]. 材料研究学报, 2006, 20, 5, 465-468.G20 李英德,王传奎. 单分子电子器件的理论研究[D]. 山东师范大学, 2011.。