HfOxNy薄膜的制备及其性能研究
氢氧化镍薄膜修饰玻碳电极的制备及其对L-赖氨酸氧化的电催化活性
ｏ ｘ ｉ ｄ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｏ ｆ Ｌ－ ｌ ｙ ｓ ｉ ｎｅ
ＬＩ Ｕ Ｘｉ ａ ｏ — ｑ ｉ ｎ， ＨＡＯ Ｙａ ｏ，ＧＵＯ Ｍａ ｎ — ｄｏ ｎｇ
（ Ｃ ｏ ｌ ｌ ｅ ｇ ｅ ｏ ｆ Ｃ ｈ ｅ ｍｉ ｓ ｔ ｒ ｙ ａ ｎ ｄ Ｍａ ｔ ｅ ｒ ｉ ａ ｌ Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ ，Ｓ ｈ ａ ｎ ｘ ｉ Ｎｏ ｒ ｍａ ｌ Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ，Ｌ ｉ ｎ ｆ ｅ ｎ ０ ４ １ ０ ０ ４ ， Ｓ ｈ ａ ｎ ｘ ｉ ，Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ）
于生物样 品 Ｌ ＿ 赖 氨 酸 的 氧化 测定 ， 并 探 讨 了其 催 化 作 用 机 理 ．结 果 表 明 ， 所 制 备 的 氢 氧 化 镍 薄 膜 修 饰 玻 碳 电极
表 面 发 生 电化 学 反 应 ［ Ｎｉ （ ＯＨ） － － ￣ Ｎｉ ＯＯＨ］ ， 从 而 促 进 电极 表 面 的 电子 转 移 ， 实现 对 工 ， 赖氨酸 的电催化作用．当
ｃ ａ ｒ ｂ ｏ ｎ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｄ ｅ ｍｏ ｄ ｉ ｆ ｉ ｅ ｄ ｂ ｙ ｎｉ ｃ ｋ ｅ ｌ Ｐｒ ｅ ｐ ａ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｏ ｆ ａ ｇ ｌ ａ ｓ ｓ ｙ
ｈ ｙ ｄ ｒ ｏ ｘ ｉ ｄ ｅ ｆ ｉ ｌ ｍ ａ ｎｄ ｉ ｔ ｓ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ０ｃ ａ ｔ ａ ｌ ｙｔ ｉ ｃ ａ ｃ ｔ ｉ ｖ ｉ ｔ ｙ ｔ ｏ ｗａ ｒ ｄ ｓ
第２ ４卷 第 ３ 期
２ ０ １ ３年 ５月
化
学 研
究
中国 科 技 核 心 期 刊
ｈ ｘ ｙ ｊ ＠ｈ ｅ ｎ ｕ ＳＥＡ ＲＣＨ
氢 氧化 镍 薄 膜 修饰 玻 碳 电极 的制 备及 其对 工 厂 赖氨 酸
二聚酸型聚酰胺薄膜制备及其性能研究
评估了添加甘油后 ＤＡＰＡ 膜的性能ꎮ 并探讨了不同
甘油含量和不同甘油添加方法对二聚酸聚酰胺薄膜性
能的影响ꎮ
１ 实验部分
１ １ 主要原料
二聚酸 ( 二 聚 体 ≥９５％ ) 、 己 二 胺 ( 化 学 纯) 、
四氢呋喃 ( 分析纯) : 阿拉丁试剂ꎻ 磷酸: 分析纯ꎬ
天津市天力化学试剂有限公司ꎻ 丙三醇: 分析纯ꎬ 天
透氧率的测试: 根据 ＧＢ / Ｔ ６６７２—２００１ 和 ＧＢ / Ｔ
限公 司ꎻ 红 外 光 谱 仪 ( ＦＴＩＲ) : Ｓｐｏｔｌｉｇｈｔ１００ꎬ 美 国
１０３８—２０００ 标准ꎬ 每个样品裁取 ３ 个平行试样ꎮ
ＳＴＡＲｅ Ｓｙｓｔｅｍꎬ 瑞士 Ｍｅｔｔｌｅｒ￣Ｔｏｌｅｄｏ 公司ꎻ 热重分析
夹距为 ５０ ｍｍꎬ 拉伸速度为 ２０ ｍｍ / ｍｉｎꎬ 测试 ５ 次ꎬ
质量分数的甘油溶液两种方式对薄膜的性能、 形貌的影响ꎮ 评估了 ＤＡＰＡ 薄膜物理性能、 光学性能、 热性能和微观形貌ꎮ 结果
表明ꎬ 少量甘油的加入ꎬ 使 ＤＡＰＡ 薄膜拉伸强度和断裂伸长率都获得了提升ꎮ 在氧气阻隔方面薄膜表现优异ꎬ 并且添加了的
ＤＡＰＡ 薄膜具有出色的力学性能ꎬ 阻隔性能和光学性能ꎬ 能满足包装薄膜使用的基本要求ꎬ ＤＡＰＡ 薄膜有潜 力 成 为 聚 酰 胺
奥林巴斯显微镜: 薄膜裁片放置于载玻片上ꎬ 用
不同分辨率的物镜进行分析ꎮ
扫描电子显微镜: 进行喷金处理后ꎬ 用扫描电子
显微镜对薄膜进行表征ꎮ
ＦＴＩＲ 分析: 将干燥的样本裁切成片状ꎮ 扫描范
围是 ４００ ~ ４ ０００ ｃｍ －１ ꎬ 频率为 ５０ ~ ６０ Ｈｚꎮ
ＤＳＣ 分析: 使用差示扫描量热仪测试聚二酸型
氧化镍薄膜实验报告单
氧化镍薄膜实验报告单
实验目的：
本实验旨在制备氧化镍薄膜，并研究其表面形貌和光学性质。
实验原理：
氧化镍（NiO）是一种重要的过渡金属氧化物，具有广泛的应用前景。
其薄膜可以通过不同方法制备，如化学溶液法、物理气相沉积法等。
本实验采用溶胶-凝胶法制备氧化镍薄膜。
实验步骤：
1. 准备氧化镍溶液。
将适量氧化镍前驱物溶解在适量有机溶剂中，并充分搅拌均匀，得到溶液。
2. 涂布氧化镍溶液。
将基底材料放置于自旋涂布仪中，设置合适的转速和涂布次数，在基底上均匀涂布氧化镍溶液。
3. 热处理薄膜。
将涂布好的基底材料放入烘箱中进行热处理，使溶液中的有机溶剂挥发，形成氧化镍薄膜。
4. 表征氧化镍薄膜。
对制备好的氧化镍薄膜进行表面形貌和光学性质的表征，如扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）等。
实验结果：
通过SEM观察，制备得到的氧化镍薄膜表面均匀且光滑，无明显的粗糙度。
XRD结果显示薄膜为立方晶相的氧化镍，与标准样品谱图一致。
讨论与分析：
制备成功的氧化镍薄膜具有良好的表面形貌和结晶性质。
这种
薄膜在光电子装置、储能材料等领域具有广泛应用前景。
结论：
本实验成功制备了氧化镍薄膜，并对其进行了表面形貌和结晶性质的研究。
实验结果表明制备得到的薄膜具有良好的表面形貌和结晶性质，适用于光电子装置、储能材料等领域应用。
一种二氧化锰薄膜的简易合成及其增强的电容性能_王东明
（ ） ／ ｎ Ｏ １－ｘ＋２ ２］ Ｈ２Ｏ→Ｋ ｎ Ｏ １－ Ｈ２Ｏ＋ （ ＫＭ ｙ ｙ ４＋［ ｘＭ ２． ） （ ） ｘ ＫＯＨ １
１． ２ 表征
用日立 Ｓ 样品的形貌和尺 寸 的 表 征 ， ８ ０ ０场发射扫 描 电 ４ － 用日本电子公司 子显微镜 ， 电压为 ５ ｋ Ｖ。 样 品 的 Ｔ ＥＭ 表 征 ， 型号为 Ｊ 将样品分散于乙醇 电压为８ １ ＥＭ－ ０ １ ０ 的 电 镜， ０ ｋ Ｖ， 中， 然后将分散液滴 置 在 铜 网 的 碳 支 持 膜 上 用 于 Ｔ ＥＭ 表 征 。 样品的 Ｘ 射线衍射表征 ， 用日本理学公司阳极转靶 Ｘ 射线衍 ／ ／ ， 加速电 射仪 Ｄ ｍ ａ ｘ ５ ０ ０ Ｐ Ｃ， Ｃ ｕ Ｋ １ ５ ４ １ ７ ８ ｎ ｍ） ２ α射 线 （ λ＝０． － ， 。纳米结构锰 压４ 扫描范 围 ２ 步 长 为 ０． ０ ｋ Ｖ， ＝１ ０～９ ０ ° ０ ２ ° θ 氧化物表面积和 孔 结 构 的 测 定 ， 采 用 氮 气 吸／脱 附 方 法 ， 采用 样品在 ８ Ｓ Ａ Ｐ ２ ０ ２ ０ 分析仪 ， ０℃ 下真空抽气 １ ２ ｈ 在７ ７Ｋ 下通 Ａ 。 过氮气吸附测算 Ｂ Ｅ Ｔ 比表面积 （ ） 、 、 中， 粉末 Ｘ 射线衍射图见图 １。 图 １ ａ ２ ＝１ ２． ３ ° ２ ４． ７ ° θ 、 的衍射峰对应菱形晶相δ ３ ６． ６ ° ６ ５． ４ ° ｎ Ｏ Ｃ Ｐ Ｄ Ｓ Ｎ ｏ ． ８ ６ Ｊ －Ｍ － ２（ ， ］ ， ６ ６ ６， ｒ ｈ ｏ ｍ ｂ ｏ ｈ ｅ ｄ ｒ ａ ｌ Ｒ ｍ［ １ ６ ６ ａ ＝２． ８ ４ ９ ， ｂ＝２． ８ ４ ９ ， ｃ ＝ ０ ３ － ， ｎ Ｏ ｎ Ｏ ２ １． ５ ３ ６ ） δ －Ｍ ２ 是天然的由共边的 Ｍ ６ 八面体组成的
羟乙基纤维素膜
羟乙基纤维素膜羟乙基纤维素膜是一种具有广泛应用前景的新型薄膜材料。
它由天然纤维素经过化学修饰制备而成，具有优异的物理性能和生物相容性。
羟乙基纤维素膜在医药、食品、环保等领域有着广泛的应用，本文将详细介绍羟乙基纤维素膜的制备方法、性能特点以及应用前景。
一、羟乙基纤维素膜的制备方法羟乙基纤维素膜的制备方法多样，常见的方法包括溶液浇铸法、相转移法、溶胶凝胶法等。
其中，溶液浇铸法是最常用的制备方法之一。
溶液浇铸法制备羟乙基纤维素膜的步骤如下：1. 将适量的羟乙基纤维素溶解在有机溶剂中，搅拌均匀，形成均匀的溶液。
2. 将溶液倒入平整的容器中，使其形成均匀的薄膜。
3. 将容器放置在通风处，使溶剂慢慢挥发，形成纤维素膜。
4. 最后，将膜取出并进行后续处理，如干燥、交联等。
羟乙基纤维素膜具有以下几个显著的性能特点：1. 高透水性：羟乙基纤维素膜具有较高的透水性，可以用于制备水处理膜、过滤膜等。
2. 生物相容性：羟乙基纤维素膜具有良好的生物相容性，可以用于医药领域的人工皮肤、修复组织等。
3. 机械强度：羟乙基纤维素膜具有较高的机械强度，可以用于制备支撑膜、复合膜等。
4. 耐化学性：羟乙基纤维素膜具有较好的耐化学性，可以用于制备化学反应器、防腐蚀膜等。
三、羟乙基纤维素膜的应用前景由于羟乙基纤维素膜具有优异的性能特点，因此在医药、食品、环保等领域有着广泛的应用前景。
1. 医药领域：羟乙基纤维素膜可以用于制备人工皮肤、修复组织等医疗材料，具有很高的应用潜力。
2. 食品包装领域：羟乙基纤维素膜具有较好的透气性和保湿性，可以用于食品包装材料，延长食品的保鲜期。
3. 环保领域：羟乙基纤维素膜可以用于制备水处理膜、污水处理膜等，具有很好的环境保护效果。
4. 其他领域：羟乙基纤维素膜还可以用于制备电池隔膜、燃料电池膜等。
羟乙基纤维素膜作为一种新型薄膜材料，具有广泛的应用前景。
通过溶液浇铸法等制备方法可以得到羟乙基纤维素膜，并具有高透水性、生物相容性、机械强度和耐化学性等显著性能特点。
氧化薄膜制备实验报告
氧化薄膜制备实验报告实验目的本实验旨在通过化学反应的方式制备一种氧化薄膜，探究其制备及性质。
实验原理氧化薄膜制备的原理基于氧化反应，通常通过蒸发、溅射、溶胶凝胶等方法进行。
薄膜的厚度可以通过控制反应条件、反应物浓度、沉积时间等来调节。
实验材料和仪器- 铝薄片- NaOH溶液- H₂O₂溶液- 无尘纸- 玻璃棒- 烧杯- 矽片- 电子显微镜实验步骤1. 将铝薄片浸泡在NaOH溶液中，使其表面与溶液充分接触，反应15分钟。
2. 取出铝薄片，用无尘纸轻轻擦拭其表面，使其变得干净。
3. 在烧杯中加入H₂O₂溶液，将铝薄片放入其中，反应10分钟。
4. 取出铝薄片，用无尘纸轻轻擦拭其表面。
实验结果与分析经过上述步骤，我们成功制备了一种氧化薄膜。
通过电子显微镜观察，可以发现铝薄片表面形成了一层白色的薄膜。
这表明氧化反应成功进行，生成了氧化薄膜。
实验讨论在制备氧化薄膜的过程中，有一些关键因素需要考虑。
首先，NaOH溶液的浓度应当适中，过高或过低浓度都会影响薄膜的形成。
其次，反应时间也是一个重要的参数，反应时间过长可能导致薄膜过厚，而过短则可能形成较薄的膜。
最后，擦拭过程需要谨慎进行，以避免薄膜的损坏。
实验总结本实验通过化学反应制备了一种氧化薄膜，并通过电子显微镜观察得到了满意的结果。
在实验过程中，我们控制了关键的参数，使得薄膜的形成达到了预期效果。
然而，该实验还有一些改进的空间，例如对反应条件的更加精确控制，以获得更加一致的薄膜质量。
感谢老师和助教的指导，本次实验使我更加熟悉了氧化薄膜的制备过程，并加深了对化学反应原理的理解。
此外，通过电子显微镜的观察，也让我对实验结果有了直观的了解。
通过实验，我不仅提高了自己的实验操作技能，也培养了精细观察和数据分析的能力，为今后的科学研究打下了坚实的基础。
一种聚苯硫醚薄膜及其制备方法
一种聚苯硫醚薄膜及其制备方法
摘要，本文介绍了一种新型的聚苯硫醚薄膜及其制备方法。
该薄膜具有优异的热稳定性、化学稳定性和机械性能，适用于电子器件、膜分离和传感器等领域。
制备方法简单易行，可实现大面积、高质量的薄膜制备。
关键词，聚苯硫醚薄膜；制备方法；热稳定性；化学稳定性；机械性能。
引言。
聚苯硫醚是一种重要的高性能聚合物材料，具有优异的热稳定性、化学稳定性和机械性能，因此在电子器件、膜分离、传感器等领域具有广泛的应用前景。
然而，传统的聚苯硫醚薄膜制备方法存在着成本高、工艺复杂、薄膜质量不稳定等问题。
因此，开发一种简单易行、高效稳定的聚苯硫醚薄膜制备方法具有重要的意义。
实验部分。
1. 原料准备，聚苯硫醚聚合物、溶剂、表面活性剂等。
2. 制备薄膜溶液，将聚苯硫醚聚合物加入溶剂中，并加入适量的表面活性剂，搅拌均匀。
3. 薄膜制备，将薄膜溶液涂布在玻璃基板上，经过一定的干燥和热处理过程，得到聚苯硫醚薄膜。
结果与讨论。
通过扫描电子显微镜、热重分析仪等对制备的聚苯硫醚薄膜进行表征，结果表明，所制备的薄膜具有致密的表面结构，热分解温度较高，化学稳定性良好，且具有较好的机械性能。
结论。
本研究成功制备了一种新型的聚苯硫醚薄膜，并提出了一种简单易行的制备方法。
所制备的薄膜具有优异的热稳定性、化学稳定性和机械性能，适用于电子器件、膜分离和传感器等领域。
该制备方法具有成本低、工艺简单、薄膜质量稳定等优点，具有广阔的应用前景。
TiO_2薄膜材料的制备及其性能的研究进展
关 键词 ：ｉ２ Ｔ０ 薄膜； 掺杂； 制备方法； 性能研究 Ｒｅ ｅ ｒ ｈ Ｐｒ ｇ ｅ ｓ ｏ ｅ ａ ａ ｉ ｎ ａ ｄ Ｐｒ ｐ ｒ ｉｓ ｏ Ｏ ２Ｔｈｉ ｌ ｓ ｓ ａ ｃ ｏ ｒ ｓ ｆ Ｐｒ ｐ ｒ ｔｏ ｎ ｏ ｅ ｔｅ ｆ Ｔｉ ｎ Ｆｉ ｍ
Ａ ｂ ｔ ａ ｔ：Ｔ Ｏ２ｗａ ｒ ａ ｂ ｎ ａ ｅ ｉｏ ｄ ｃｏ ｔｒａ ｎ ａ ｌ ｐ ｌｃ ｔｏ ｒ ｓ ｅ ｔ． Ｐ ｅ ａ ａｉ ｎ ｍｅｈ ｄ ｓｒ ｃ ｉ ｓ ａｂ ｏ ｄ ａ ｄ ｇ ｐ ｓ ｍ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒｍａ ｅ ｉｌａ ｄ ｈ ｄ ｗｉｄ ａ ｐ ｉａｉ ｎ ｐ ｏ ｐ ｃ ｓ ｒ ｐ ｒ ｔ ｔｏ ｏ
・
２ ８・
广州化 工
２１ ０ ０年 ３ 第 １ 期 ８卷 １
ＴＯ ｉ 薄 膜 材 料 的 制 备 及 其 性 能 的研 究 进 展
张 自升 ， 张艳 玲 ， 黄世 涛
（ 南京航 空航天 大 学理 学院 ，江 苏 南京 ２０ １ １０ ６）
摘 要 ：ｉ： ＴＯ 是一种宽带隙半导体材料， 具有广阔的应用前景。综述了ＴＯ 薄膜材料的制备方法及其气敏、 ｉ 光电、 光催化性
拉 次数 的多 少 对 薄 膜 的光 催 化 特 性 也 有 很 大 的 影 响 。 另 外 ， 姜 义 军等 人 也 用 此 方 法 制 备 了高 质 量 的 ＴＯ ｉ 薄 膜 。
１ ２ 磁 控溅 射法 ．
磁控溅射是 目前我们制备 ＴＯ ｉ：薄膜的主要方法 ， 分为直流 磁控溅射和交流磁控溅射 。用磁控 溅射制备薄膜 时 ， 以 Ｔ 或 是 ｉ ＴＯ 为 靶 材 ， Ａ 或 Ｏ 为 溅 射 气 体 。磁 控 溅 射 原 理 ： 电场 和 ｉ 以 ｒ 在 交变磁场的作用下 ， 气体中的等离 子体 被加速变成高 能粒子 ， 这 些高能粒子轰击靶材表面 ， 能量交换后 ， 经 靶材表 面的原子脱离 原 晶 格 而逸 出 ， 移 到衬 底 表 面 而 形 成 膜 。磁 控 溅 射 的 特 点 ： 转 溅射粒 子能量高 ， 薄膜 的附着性好 、 致密性 高。Ｍ．Ｓ ｌｉ ｅ 等制 备方 法 繁 多 ， 要 包 括 溶 胶 一凝 胶 法 （ ｏ —Ｇ １ 、 ｉ， 主 Ｓｌ ｅ） 磁控 溅 射 法 、 学 气 相 沉 积 法 （ Ｖ 、 冲 激 光 沉 积 （ Ｌ 方 化 Ｃ Ｄ） 脉 Ｐ Ｄ） 法 。下 面 就 这 几种 制 膜 方 法 进行 论 述 。
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２０ ０ ８年第 ５期 商丘职业技术学 院学报 第 ７卷 （ 总第 ３ 期 ） Ｊ Ｕ Ｎ ＬＯ Ｈ Ｎ ＱＵ Ｖ Ｃ ＴＯ Ａ Ｎ Ｅ Ｈ ＩＡ Ｏ Ｌ Ｇ ８ Ｏ Ｒ Ａ ＦＳ Ａ Ｇ Ｉ Ｏ Ａ Ｉ Ｎ ＬＡ Ｄ Ｔ Ｃ Ｎ Ｃ ＬＣ Ｌ Ｅ Ｅ
摘
要： 本文采用磁控溅射法制备 了 ＨＯＮ 高介 电薄膜 ， ｆｘ ｙ 结合 Ｘ Ｄ Ｘ Ｓ等手段 研究 了退火 温度对薄 膜的结 Ｒ 、Ｐ
构 和化学键态 的影响 ， 现 Ｎ的掺人使 Ｈ４ 峰位 向低能方 向移动 ． 发 ｆｆ 而随着退火温度 的升高 ，Ｈ４ 的双峰峰 位向着 ｆｆ 高结合能 的方 向移动 ， 这表明 Ｎ的含量 随着退火 温度 的升高 而降低 ． Ｒ Ｘ Ｄ结 果显 示 Ｎ的掺人 能提 高薄膜 的晶化
栅极 候选 材料 中 ， 受青 睐 ． 备 最近 的实验研 究 也表 明 ， ｆ 目前 最有 希望 在下 一代 Ｃ Ｓ工 艺 中代 替 ＳＯ ＨＯ 是 ＭＯ ｉ 的栅 材料 ． ｆ 不仅 具有适 中的介 电常数 值 （～ ５ ， 以在 不过 度提 高氧 化物堆 栈 高度 的情况 下 获得 所 需 ＨＯ ２ ）可 的等效 ＳＯ ｉ 厚度 （ Ｏ ； Ｅ Ｔ）而且 具有 相 当高 的禁 带 宽度 ， ｓ 的 导带偏 移 △Ｅ 对 ｉ ｃ大于 １ｅ 在 与栅 电极 和 ｓ 衬 Ｖ， ｉ 底接 触 时能保 持较 大的接 触势 垒 ， 特 性是 大 部 分 高 ｋ材 料 不 具备 的 该 ．但 是 ＨＯ ｆ 在较 低 的温 度 下 发 生 晶化 ， 导致多 晶薄 膜 的形成 ， 晶晶界是 产生 漏 电流 的一 个 重要 因素 ； 时 ， 多 同 由于 晶体 的各 向异 性 ， 晶 薄 多 膜 中晶粒 取 向的重 复性将 导致 薄膜 介 电和 电学 性能 的重 复性 差 ． 文 就 Ｎ 的掺入 对 ＨＯ 结 晶性 能的影 响进 本 ｆ
行探讨 ，．
１ 实 验
在 Ｎ ／ ｒＯ 混 合气 体气 氛下 ， Ａ／ 利用 射 频 反 应磁 控 溅 射 金 属 铪靶 （ ９ ９ ％ ） 积 了 厚 度 约 为 ２ ｍ 的 ９ ．９ 淀 ０ｎ ＨＯ Ｎ薄 膜． 积前 磁控 腔 内的基 压为 ３４×１ Ｐ ， 积过 程 中工作 压 强恒 定 在 ０ ２Ｐ ， 积 功率 和 速率 ｆ 淀 ． ０ ａ淀 ． ａ淀 分 别为 １０Ｗ 和 ０ １ ／ ， Ａ／ ０ ．５Ａ ｓＮ／ ｒＯ 的气流 分别 是 １ ，０和 １ ｅｍ． 了改 善 Ｈ Ｏ Ｎ ５３ ０ｓｅ 为 ｆｘ ｙ薄 膜 的质 量 ， 淀 将 积的 薄膜 在 ５０—１０ Ｃ 的 Ｏ 中进行 后期 退火 处理 ． ０ ００ｏ ：
ＨＯＮ ｆｘ ｙ薄膜 的 Ｎｌ 芯能级 Ｘ Ｓ谱图 ｓ Ｐ
作者简介 ： 王莹 （９ ８一） 女 ， １６ ， 河南商丘人 ， 商丘职业技术学院讲师 ， 主要从事应用物理教学与研究
・
８ ・ ８
维普资讯
王
莹， 张丽明 ：ｆｘ ｙ ＨＯＮ 薄膜 的制备及其性能研究
文章编号 ：６ １ １７（０ ８ ０ ０ ８ ０ １７ —８２ ２ ０ ）５— ０ ８— ３
Ｖ １ 。 ｏ５ ｏ ７ Ｎ ． ． Ｏ ｔ，０ ８ ｃ ２ ０ ．
Ｈ０Ｎ 薄膜的制备及其性能研究 ｆ ｙ ｘ
王 莹 ，张 丽 明
（ 商丘职业技术 学院 ， 河南 商 丘 ４ ６０ ） ７ ０ ０
第５ 期
在 薄膜 中 的氧 以及 退火 过 程 中炉壁 上吸 附 的氧在 退火 过 程 中替 代 了薄 膜 中的氮 原 子 ． 导致 薄 膜 中氮 含量 的 降低 ， 氧含量 的增 加 ．
为进一步分析 ＨＯ Ｎ薄膜的表面化学信息随退火温度 的变化情况 ， ２给出了淀积态和 ８０Ｃ退火处 ｆ 图 ０￣ 理 的 ＨＯ Ｎ 薄膜 的 Ｈ４ 芯能 级 Ｘ Ｓ谱 图． 于淀 积态 的薄 膜 ， 面层 的 Ｈ４７和 Ｈ４５ 分别 位于 １ ． Ｖ ｆ ｆｆ Ｐ 对 表 ｆｆ２ ／ ｆｆ２ ５８ｅ 和 １． Ｖ， ７ １ｅ 随着 退 火温度 的升高 ， 我们 发现 Ｈ４ 的双 峰峰 位 向着 高结 合 能 的方 向移动 ．０ ￣ 火后 ， 面 ｆｆ ８０Ｃ退 表 层 的 Ｈ４７ 和 Ｈ ４５ 分别 位 于 １ ． Ｖ 和 １ ． Ｖ， ｆｆ２ ｆｆ２ ６ ４ｅ ８ ０ ｅ 此时对 应 于纯 Ｈ Ｏ 的 Ｈ４ 结合 能 ． ａｇ等人 的研究 表 ｆ２ 薄膜 ，退火温度 ； 磁 ＨＯＮ ； 化学键态
中 图分 类 号 ： ６ ０９ 文献 标 识 码 ： Ａ
－
ＩＢ元 素 由于其 独特 的物 理和介 电特 性 ， 应 的 氧化 物 与 硅 能相 互 兼 容 ， Ｖ 对 热稳 定 性 突 出 ， 未 来 的 高 ｋ 在
２ 结果 分 析 与讨 论
２ １ ＨＯ Ｎ ． ｆｘ ｙ薄膜 的光 电子 能谱 分析
图 １显示 了淀积 态 和经 过 ５ ０ ｏ 及 ８ ０℃ 退 火 处 ０ Ｃ ０
理 的 ＨＯ Ｎ ｆｘ ｙ薄 膜 的 Ｎ 能级 Ｘ Ｓ谱 图 ． 于淀 积 态 Ｉ Ｓ芯 Ｐ 对
旦
Ｃ
：
的薄膜 ， 在结合能为 ３６ ０ｅ ９ ． Ｖ处 出现 了一个 明显 的峰 位， 对应 于 Ｎ —Ｈ 键 的键 能 ｊ 说 明利 用 磁 控 溅 射 法 将 ｆ ，
ｏ
Ｉ 丽
Ｃ
３ 三
Ｂｎ ｉｇｅ ｅｇ ｏ ） ｉｄｎ ｎ ｒｙ（ｖ
可以看出， 用物理气相淀积法制备的 ＨＯ Ｎ ｆｘ ｙ薄膜 ， 由于 低 温 形成 的 Ｎ—Ｈｆ 中 Ｎ 键很 不稳 定 ， 积过 程 中吸 附 键 淀
收稿 日期 ：０ ８— ３—０ ２０ ０ ８
图 １ 淀 积 态 ５０ ｏ 和 ８０ ｏ 退 火 的 ０ Ｃ ０ Ｃ
Ｎ有 效掺 杂到 ＨＯ ｆ２薄 膜 中． 由图还可 以看 出随着 退火 温 度 的升 高 ， Ｎ—Ｈ 键 峰 位 的强 度 明显 降低 ．０ ｆ ８０ｏ 火 的 Ｃ退 薄膜 已经 没有 发现 有 Ｎ １ Ｓ峰的存 在 ． 通过 Ｘ Ｓ定 量 分 析 Ｐ 结果 可 以得到 淀 积 态 和 ５０ ｏ 退 火 的 薄 膜 的化 学 计 量 ０ Ｃ 比分 别为 ＨＯ ．９ ０５ ｆ０５ Ｎ ．５和 ＨＯ ．９ ０ ２ ． ｆ１ １Ｎ ．８ 由实 验 结果