亿光光耦4N31
光耦MOC3041的接法例子
光耦MOC3041的接法例子“MOC3041”的应用图2是用双向可控硅的云台控制单路电路图。
图中的光耦MOC3041是用来隔离可控硅上的交流高压和直流低压控制信号的。
其输出用来触发双向可控硅，选用STMicroelectronics公司的T4系列，内部集成有缓冲续流电路，不用在双向可控硅两端并联RC吸收电路，可以直接触发，电路设计比较简单。
P1.0通过可控硅、交流接触器、过流保护器和断相保护器控制电机，图中仅给出带过零触发的双向晶闸管触发电路。
MOC3041为光耦合双向可控硅驱动器，输入端驱动电流为15mA，适用于220V交流电路。
1、MOC3041的工作电流仅十余个毫安，直接驱动20瓦的功率非常勉强，不敢保证长时间工作不会烧坏，应该让3041驱动97A6的可控硅，再用可控硅驱动电磁阀。
2、实践证明，51单片机驱动PNP管的时候，在工作条件接近临界点的时候，会出现关不断的现象，其原因在于：（1）端口的高电平并不是严格的Vcc电压，而是比Vcc略低，这种略低的电压足以形成给Q1一个很小的偏置电压Vbe，虽然该电压远小于0.7V，但经过三极管放大后，却能够造成Q1集电极有极小的电流存在，尽管该电流不足以导致LED发出用肉眼能看到的亮光，但是在密封的光耦合器内，却能够导致光耦合区工作；（2）PNP管要比NPN极管有更大的穿透电流，即：在基极B完全断开的情况下，集电极仍然有极小的电流存在。
综合以上两点，该电路的设计是存在缺欠的，改进方法如下：1、MOC3041与气阀之间加入一个可控硅（必须）2、建议改用NPN管驱动，如果必须要用PNP 管，就应该在B和E之间接一个10K左右的电阻；或者在发射极串入一个二极管，以起到钳位作用，即保证PNP管能可*关断；或者干脆将耦合器的1和2脚改接在发射极，并让集电极通过电阻接地。
1、不推荐用3041直接驱动电磁阀，加一个可控硅非常有必要。
2、用单片机直接驱动3041是可以的。
亿光光耦ELM452
Revision :3 © 1 Copyright LifecyclePhase:
Date:2013-07-15 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue Release No: DPC-0000113 Rev.3 Expired Period: Forever
Revision :3 5 Copyright © LifecyclePhase:
2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue No:DPC-0000113 Rev.3
Release Date:2013-07-15 14:59:03.0 Expired Period: Forever
Pin Configuration 1. Anode 3. Cathode 4. Gnd 5. Vout 6. VCC
Description
The ELM452 and ELM453 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor. A separate connection for the photodiode bias and output-transistor collector increase the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor couplers by reducing the base-collector capacitance of the input transistor.The devices are packaged in industry standard 5pin SOP packages and are suitable for surface mounting.
亿光光耦TIL113
6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLERTIL113, 4NXX, H11BX SeriesFeatures:• 4NXX series: 4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33• H11BX series: H11B1, H11B2, H11B3, H11B255• High isolation voltage between inputand output (Viso=5000 V rms )• Creepage distance >7.62 mm• Operating temperature up to +110°C• Compact small outline package• Pb free and RoHS compliant.• UL approved (No. E214129)• VDE approved (No. 132249)• SEMKO approved• NEMKO approved• DEMKO approved• FIMKO approved• CSA approvedDescriptionThe TIL113, 4NXX and H11BX series of devices each consist of an infrared emitting diode optically coupled to a photo darlington detector.They are packaged in a 6-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option. ApplicationsLow power logic circuitsTelecommunications equipmentPortable electronicsInterfacing coupling systems of different potentials and impedancesSchematicPin Configuration1. Anode2. Cathode3. No Connection4. Emitter5. Collector6. BaseAbsolute Maximum Ratings (Ta=25℃)Parameter Symbol Rating UnitInput Forward current I F60 mA Peak forward current (1us, pulse) I FP 1 AReverse voltage V R 6 VPower dissipationNo derating required up to Ta = 100°C P D120 mW3.8 mW/°COutputPower dissipationDerating factor (above Ta = 80°C) P C 150 mW 6.5 mW/°CCollector-Emitter voltage V CEO55 VCollector-Base voltage V CBO55 VEmitter-Collector voltage V ECO7 VEmitter-Base voltage V EBO7 V Total power dissipation P TOT200 mW Isolation voltage V ISO5000 Vrms Operating temperature T OPR-55~+100 °C Storage temperature T STG-55~+125 °C Soldering temperature *2T SOL260 °C Notes:*1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 & 3 are shorted together, and pins 4, 5 & 6 are shorted together. *2 For 10 secondsElectro-Optical Characteristics (Ta=25℃unless specified otherwise)InputParameter Symbol Min. Typ.* Max. Unit ConditionForward Voltage V F- 1.2 1.5 V I F= 10mAI F= 50mA for H11B3Reverse Current I R- - 10 µA V R= 6VInput capacitance C in- 50 - pF V = 0, f = 1MHz OutputParameter Symbol Min. Typ.* Max. Unit ConditionCollector-Emitter darkcurrentI CEO- - 100 nA V CE= 10V Collector-Emitterbreakdown voltageBV CEO55 - - V I c=1mAEmitter-Collectorbreakdown voltageBV CBO55 - - V I C=0.1mA Emitter-Collectorbreakdown voltageBV ECO7 - - V I E=0.1mATransfer Characteristics (Ta=25°C unless specified otherwise)Parameter Symbol Min Typ. Max. Unit ConditionCurrent transfer ratio4N324N33CTR500 - -%I F= 10mA ,V CE= 10V 4N294N30100 - -4N31 50 - -H11B1 500 - -I F= 1mA ,V CE= 5VH11B2 200 - -H11B3 100 - -H11B255 100 - - I F= 10mA ,V CE= 5V TIL113 300 - - I F= 10mA ,V CE= 1VTransfer Characteristics (T a=25°C unless specified otherwise)Parameter Symbol Min Typ. Max. Unit ConditionCollector-e mitter saturation voltage4N294N304N324N33V CE(sat)- - 1.0VI F = 8mA ,I c = 2mA4N31TIL113- - 1.2 I F = 8mA ,I c = 2mAH11B1H11B2H11B3- - 1.0 I F = 1mA ,I c = 1mAH11B255 - - 1.0 I F = 50mA ,I c = 50mAIsolation resistance R IO1011- - ΩV IO = 500Vdc Input-outputCapacitanceC IO- 0.8 - pF V IO = 0, f = 1MHzTurn-on timeH11B1H11B2H11B3H11B255Ton- 25 -µsV CC = 10V, I F = 10mA,R L = 100Ω4N294N304N314N324N33TIL113- - 5V CC = 10V, I C = 50mA,I F=200mATurn-off timeH11B1H11B2H11B3H11B255Toff- 18 -µsV CC = 10V,I F = 10mA,R L = 100Ω4N324N33TIL113- - 100 VCC= 10V,I C = 50mA,I F=200mA 4N294N304N31- - 40* Typical values at T a = 25°CTypical Electro-Optical Characteristics CurvesV CCI FOutputFigure 7. Switching Time Test Circuit & WaveformsOrder InformationPart Number4NXXY(Z)-Vor H11BXY(Z)-Vor TIL113Y(Z)-VNoteXX = Part No. for 4NX series (29, 30, 31, 32 or 33)X = Part No. for H11BX series (1, 2, 3 or 255)Y = Lead form option (S, S1, M or none)Z = Tape and reel option (TA, TB or none).V = VDE safety (optional)Option Description Packing quantity None Standard DIP-6 65 units per tube M Wide lead bend (0.4 inch spacing) 65 units per tube S (TA) Surface mount lead form + TA tape & reel option 1000 units per reel S (TB) Surface mount lead form + TB tape & reel option 1000 units per reel S1 (TA) Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option 1000 units per reel S1 (TB) Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option 1000 units per reelPackage Dimension (Dimensions in mm) Standard DIP TypeOption M TypeOption S TypeOption S1 TypeRecommended pad layout for surface mount leadformDevice MarkingNotesEL denotes Everlight4N33TIL113H11B1 denotes Part NumberY denotes 1 digit Year codeWW denotes 2 digit Week codeV denotes VDE safety (optional)EL4N33YWWVELH11B1YWWVELTIL113YWWV11DPC-0000021 Rev. 2Tape & Reel Packing SpecificationsTape dimensionsDimension No. A B Do D1 E F Dimension(mm) 10.4±0.1 7.5±0.1 1.5±0.1 1.5+0.1/-01.75±0.1 7.5±0.1 Dimension No. Po P1 P2 t W K Dimension(mm) 4.0±0.1512±0.12.0±0.10.35±0.0316.0±0.24.5±0.112Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : October 5, 2012. Issue No: DPC-0000021 Rev. 2Precautions for Use1. Soldering Condition1.1 (A) Maximum Body Case Temperature Profile for evaluation of Reflow ProfileNote: Reference: IPC/JEDEC J-STD-020DPreheatTemperature min (T smin ) 150 °C Temperature max (T smax )200°CTime (T smin to T smax ) (t s )60-120 seconds Average ramp-up rate (T smax to T p )3 °C/second maxOtherLiquidus Temperature (T L )217 °C Time above Liquidus Temperature (t L ) 60-100 sec Peak Temperature (T P )260°C Time within 5 °C of Actual Peak Temperature: T P - 5°C 30 sRamp- Down Rate from Peak Temperature 6°C /second max. Time 25°C to peak temperature 8 minutes max. Reflow times 3 times.DISCLAIMER1. Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for abovespecification.2. When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in thesespecification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets.3. These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don’treproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.13Rev. 2。
光耦MOC3041的接法例子
光耦MOC3041的接法例子“MOC3041”的应用图2是用双向可控硅的云台控制单路电路图。
图中的光耦MOC3041是用来隔离可控硅上的交流高压和直流低压控制信号的。
其输出用来触发双向可控硅，选用STMicroelectronics公司的T4系列，内部集成有缓冲续流电路，不用在双向可控硅两端并联RC吸收电路，可以直接触发，电路设计比较简单。
P1.0通过可控硅、交流接触器、过流保护器和断相保护器控制电机，图中仅给出带过零触发的双向晶闸管触发电路。
MOC3041为光耦合双向可控硅驱动器，输入端驱动电流为15mA，适用于220V交流电路。
1、MOC3041的工作电流仅十余个毫安，直接驱动20瓦的功率非常勉强，不敢保证长时间工作不会烧坏，应该让3041驱动97A6的可控硅，再用可控硅驱动电磁阀。
2、实践证明，51单片机驱动PNP管的时候，在工作条件接近临界点的时候，会出现关不断的现象，其原因在于：（1）端口的高电平并不是严格的Vcc电压，而是比Vcc略低，这种略低的电压足以形成给Q1一个很小的偏置电压Vbe，虽然该电压远小于0.7V，但经过三极管放大后，却能够造成Q1集电极有极小的电流存在，尽管该电流不足以导致LED发出用肉眼能看到的亮光，但是在密封的光耦合器内，却能够导致光耦为低电平时，二极管导通，发光，触发晶闸管使其导通，扬声器报警。
自动通车接口电路设计图2 光电耦合器驱动接口电路8031与自动停车电路间用的是交流电磁式接触器的功率接口。
具体电路如图3 所示。
图3 交流接触器接口交流接触器C 由双向晶闸管KS 驱动。
光电耦合器MOC3041 的作用是触发双向晶闸管KS 以及隔离单片机系统和接触器系统。
MOC3041 的输入端接7407，由单片机的P1.1端控制。
P1.1输出低电平时，KS导通，接触器C吸合。
P1.1输出高电平时，KS关断，接触器C释放。
MOC3041内部带有过零控制电路，因此KS 工作在过零触发方式。
4n35用法 -回复
4n35用法-回复文章题目：4N35光耦模块的用法及应用摘要：本文将详细介绍4N35光耦模块的用法和应用。
首先，我们将介绍4N35光耦模块的基本结构和工作原理。
然后，我们将详细解释如何正确使用4N35光耦模块，并提供一些常见的应用示例。
最后，我们将讨论光耦模块的优点和限制，并给出一些建议，以帮助读者更好地理解和应用4N35光耦模块。
1. 介绍4N35光耦模块的基本结构和工作原理：4N35是一种通用型光耦模块，它由一个发光二极管（LED）和一个光敏晶体管（Phototransistor）组成。
当输入电流（通过LED）流过时，LED发出的光会照射到光敏晶体管上，激励光敏晶体管产生电流。
这种电流会被放大并用于驱动外部电路。
2. 如何正确使用4N35光耦模块：步骤1：连接正极电源到模块的Vcc引脚，接地到GND引脚。
步骤2：将输入信号连接到模块的输入引脚（一般为Anode引脚）。
步骤3：将输出信号连接到模块的输出引脚（一般为Collector引脚）。
步骤4：根据需求，连接负载电路到输出引脚上，以实现所需的功能。
3. 常见的应用示例：a) 隔离输入和输出：通过光耦模块可以将输入和输出电路进行隔离，以防止干扰和电流泄漏。
b) 触发器和继电器控制：通过控制模块的输入，可以实现对触发器和继电器等外部设备的控制。
c) 脉冲计数：将输入信号与计数电路相连，可以对信号进行计数并实现脉冲计数等应用。
d) 逻辑电平转换：4N35光耦模块可用于将不同电平逻辑设备之间的信号进行转换。
4. 优点和限制：优点：a) 隔离性能好：光耦模块能够有效地隔离输入和输出电路，提高系统的稳定性。
b) 可靠性高：光耦模块由固态元件组成，无机械部件，寿命长，工作可靠。
c) 适用范围广：4N35光耦模块可应用于不同的电子设备和电路中。
限制：a) 响应速度有限：光耦模块的响应速度相对较慢，不适用于一些高速应用。
b) 传输距离有限：由于光传输的特性，光耦模块的传输距离相对较短。
亿光光耦EL814
09:38:06.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER AC INPUT PHOTOCOUPLER EL814 Series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25
unless specified otherwise)
Input
Parameter Forward Voltage Input capacitance Symbol VF Cin Min. Typ. 1.2 50 Max. 1.4 250 Unit V pF Condition IF = ± 20mA V = 0, f = 1KHz
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min 80 6 Typ. Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Transfer Characteristics
Parameter Current Transfer ratio EL814 CTR EL814A 50 0.7 VCE(sat) RIO fc CIO Tr Tf 5×10 10
Symbol
Min 20
Typ. -
Max. 300
Unit
Condition
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) S (TU) S (TD) S1 (TU) S1 (TD) Standard DIP-4
光耦的应用
功能渠道8-pin DIP8-pin DIP宽体5-pin MFP（SO-5）8-pin SOP（SO-8）高速光耦每秒钟传输1M比特单通道6N1356N136EL4502ELW135ELW136ELM0452ELM0453EL0500EL0501 双通道EL2530EL2531————EL0530EL0531每秒钟传输10M比特单通道6N137EL2601EL2611ELW137ELW2601ELW2611ELM600ELM601ELM611EL0600EL0601EL0611 双通道EL2630EL2631 ————EL0630EL0631EL0661 达林顿输出300K单通道6N1386N139————亿光的高速光耦一般应用在电源上，具体应用在放点等离子，固态继电器，工业测量机，调制器，电话，空调控制板，可编程逻辑控制器等等。
电源工作渠道固态继电器（SSR）Photo TriacEL302X，EL305X，EL304X，EL306X,EL308XELM302X,ELM305X，ELM304X，ELM306X,ELM308X高速光耦应用在空调标准EL817，EL357N-G 空调机应用到的光耦驱动EL3120高速光耦应用在驱动电源标准EL357N-G，EL3H7-G 驱动器应用到的光耦高速6N136，EL0500高速光耦的应用末端设备电话交换系统so8封装晶体管末端设备电机驱动逆变器/伺服系统栅极驱动器末端设备仪表控制/工业网络缝纫机串行总线接口隔离建议的使用设备：8-Pin DIP：6N135,6N136,,EL2503 8-Pin SOP:EL0500,EL0501总线网络描述·总线接口隔离·隔离控制器和分析设备（I/O,，伺服电机，控制板，流出物处理元件）应用·工厂自动化网络（总线接口，总线，CC-LINK）建议的使用设备：5-pin SOP:ELMO452,ELMO4538-pin DIP:EL2502,EL25038-pin SOP:EL0500,EL0501数据传输框图应用：·RS485和RS-422 的隔离接口·I²C的隔离接口建议的使用设备：5-pin SOP:ELM600,ELMO601，ELM06118-pin DIP:EL2601，EL26118-pin SOP:EL0500,EL0501，EL0601,EL0611PLC输入/输出（可编程逻辑控制器）通讯（面板与面板之间）建议的使用设备：5-pin SOP:ELM601,ELM6118-pin SOP:EL0601，EL0611，EL0630，EL0631电机控制描述·电流隔离电机线和控制集成电路·电机驱动控制的高速开关应用·IPM驱动/变频驱动建议的使用设备：5-pin SOP:ELM452，ELM453 8-pin DIP:EL0452，EL0453 8-pin SOP:EL0452,EL0453筑控设备描述：·通信线路之间的隔离室控制器·电机驱动控制的高速开关应用：·数据通信·IPM驱动/变频驱动建议的使用设备：5-pin SOP:ELM452，ELM4538-pin SOP:EL0630，EL0631，EL0611。
4n33光耦参数
4n33光耦参数4N33光耦是一种常用的光耦合器件，具有多种参数和特性。
本文将详细介绍4N33光耦的参数及其应用。
1. 光电流传输比（CTR）：光电流传输比是指输入端的光功率与输出端的电流之间的比值。
4N33光耦的典型CTR值为20%至200%。
CTR越高，表示输入端的光功率能够更有效地转换为输出端的电流，因此CTR是衡量光耦合器件性能的重要指标。
2. 绝缘电压（Viso）：绝缘电压是指光耦的输入端和输出端之间所能承受的最大电压。
4N33光耦的绝缘电压通常为2500Vrms，这意味着在输入端和输出端之间的电压不超过2500Vrms时，能够保持良好的绝缘效果，避免电流泄漏和电气干扰。
3. 进行时间（Ton）和关断时间（Toff）：进行时间和关断时间是指光耦的输出端在输入端光信号变化时的响应时间。
4N33光耦的典型进行时间为3微秒，关断时间为5微秒。
进行时间和关断时间越短，表示光耦能够更快地响应输入端的光信号变化，提高系统的响应速度。
4. 输入电流（IF）和输出电流（IC）：输入电流是指光耦的输入端所需要的电流，输出电流是指光耦的输出端所能提供的电流。
4N33光耦的典型输入电流为10毫安培，输出电流为50毫安培。
输入电流和输出电流的数值决定了光耦的驱动能力和负载能力，对于不同的应用场景需要选择合适的光耦。
5. 工作温度范围（Topr）：工作温度范围是指光耦能够正常工作的环境温度范围。
4N33光耦的典型工作温度范围为-55摄氏度至+100摄氏度。
在工作温度范围内，光耦能够保持稳定的性能和可靠的工作。
4N33光耦作为一种常用的光耦合器件，具有很广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景：1. 隔离和调节信号：光耦能够在输入端和输出端之间实现电气隔离，同时能够将输入端的电信号转换为输出端的光信号。
因此，它常用于隔离和调节信号的场合，如电力系统中的测量和控制回路、工业自动化设备的接口电路等。
2. 开关控制：光耦能够根据输入端的光信号状态来控制输出端的电流状态。
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1
Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue No: DPC-0000021
Rev. 2
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER TIL113, 4NXX, H11BX Series
3
Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. No Connection 4. Emitter 5. Collector 6. Base
Description
The TIL113, 4NXX and H11BX series of devices each consist of an infrared emitting diode optically coupled to a photo darlington detector. They are packaged in a 6-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.
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Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : October 5, 2012. Issue No: DPC-0000021 Rev. 2
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DATASHEET 6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER TIL113, 4NXX, H11BX Series
Note XX = Part No. for 4NX series (29, 30, 31, 32 or 33) X = Part No. for H11BX series (1, 2, 3 or 255) Y = Lead form option (S, S1, M or none) Z = Tape and reel option (TA, TB or none). V = VDE safety (optional)
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亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER TIL113, 4NXX, H11BX Series
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVCBO BVECO Min. 55 55 7 Typ.* Max. 100 Unit nA V V V Condition VCE = 10V Ic=1mA IC=0.1mA IE=0.1mA
Transfer Characteristics (Ta=25° C unless specified otherwise)
Parameter 4N29 4N30 4N32 4N33 Collector-e mitter saturation voltage 4N31 TIL113 H11B1 H11B2 H11B3 H11B255 Isolation resistance Input-output Capacitance H11B1 H11B2 H11B3 H11B255 4N29 4N30 4N31 4N32 4N33 TIL113 H11B1 H11B2 H11B3 H11B255 4N32 4N33 TIL113 4N29 4N30 4N31 RIO CIO VCE(sat) Symbol Min Typ. Max. Unit Condition
*2
Symbol IF IFP VR PD
Rating 60 1 6 120 3.8 150
Unit mA A V mW mW/° C mW mW/° C V V V V mW Vrms ° C ° C ° C
PC VCEO VCBO VECO VEBO PTOT VISO TOPR TSTG TSOL
-
25
-
Turn-on time
Ton 5
VCC = 10V, IC = 50mA, IF=200mA
-
18
-
VCC = 10V, IF = 10mA, RL = 100Ω µs VCC = 10V, IC = 50mA, IF=200mA
Turn-off time
Toff
-
-
100
-
-
40
* Typical values at Ta =DATASHEET 6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER TIL113, 4NXX, H11BX Series
VCC IF
Input Pulse
IC
RL Output
Input RIN
10% Output Pulse 90% tr ton tf toff
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DATASHEET 6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER TIL113, 4NXX, H11BX Series
Order Information
Part Number
or or
4NXXY(Z)-V H11BXY(Z)-V TIL113Y(Z)-V
Applications
Low power logic circuits Telecommunications equipment Portable electronics Interfacing coupling systems of different potentials and impedances
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DATASHEET 6 PIN DIP PHOTODARLINGTON PHOTOCOUPLER TIL113, 4NXX, H11BX Series
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) Standard DIP-6
Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
Parameter Input Forward current Peak forward current (1us, pulse) Reverse voltage Power dissipation No derating required up to Ta = 100°C Output Power dissipation Derating factor (above Ta = 80° C) Collector-Emitter voltage Collector-Base voltage Emitter-Collector voltage Emitter-Base voltage Total power dissipation Isolation voltage Operating temperature Storage temperature Soldering temperature
6.5 55 55 7 7 200 5000 -55~+100 -55~+125 260
Notes: *1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 & 3 are shorted together, and pins 4, 5 & 6 are shorted together. *2 For 10 seconds
Figure 7. Switching Time Test Circuit & Waveforms
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Typical Electro-Optical Characteristics Curves
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-
-
1.0
IF = 8mA ,Ic = 2mA
-
-
1.2
V
IF = 8mA ,Ic = 2mA
10 11
0.8
1.0 1.0 Ω pF
IF = 1mA ,Ic = 1mA IF = 50mA ,Ic = 50mA VIO = 500Vdc VIO = 0, f = 1MHz VCC = 10V, IF = 10mA, RL = 100Ω µs
亿光一级代理商超毅电子
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