电子科技大学模拟电路考试题及答案
(完整版)模拟电路考试题及答案
自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。
（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。
A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。
A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。
(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。
A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。
（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。
A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。
A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。
A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。
A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。
（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
电子科技大学2010年模拟电路基础期末考试卷及答案A
2010-2011 第一学期期末试卷一、（30分）问答题（共30分，共6小题，每小题5分）1.求解放大电路静态工作点有哪三种方法，在模拟电路课程中以哪种方法为主？2.在计算放大电路中场效应管的静态工作点时，为什么没有输入特性曲线（或方程）可用？而可以用什么特性曲线（或方程）？3.为什么BJT比FET的输出特性曲线更容易受温度影响？4.放大电路中，你认为稳定静态工作点的措施有哪些？5.放大电路中，负载电容会影响上转折频率还是下转折频率？6.与甲类功放相比较，从效率和失真两方面给出乙类功放的特点？它有哪些方面需要改进？改进后的功放电路称为什么类型功放？二、放大电路如图1所示。
已知R c=1kΩ，R1=R f1=R f2=20kΩ，R s=10 kΩ，r be=1kΩ，β=100。
下转折频率f L=100Hz。
（共15分）1．确定电容C D的值；（8分）2．求源电压增益A vs=V o/V s（7分）三、电路如图2所示。
已知R c=100kΩ，R3=50 kΩ，R z=1.8 kΩ，V CC=V EE=12V，所有三极管均为硅管，且β=50，V BE=0.7V，r ce3=200 kΩ，二极管稳定电压V z=6.8V，r z很小。
（共15分）1．求Q1的静态工作点；（4分）2．求差模电压增益A vd=v od/v id和共模电压增益A vc=v oc/v ic (式中v id=v1-v2，v ic=(v1+v2)/2)；（8分）3．求共模抑制比CMRR。
（3分）四、负反馈放大器如图3所示。
已知β=50，r be=1 kΩ。
（共25分）1．判断交流反馈类型；（3分）2．画出A电路和B电路；（5分）3．求基本放大器的增益A和反馈系数B；(8分)4．计算输入电阻R in和输出电阻R out；（4分）5．计算闭环源电压增益A vsf=v o/v s；（3分）6．若假定该负反馈为深度负反馈，估算闭环源电压增益A vsf=v o/v s。
电子科大模电期末真题10~11.doc
电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题（共30分，共 15个空格，每个空格2 分）1、共发射极放大器（NPN管），若静态工作点设置偏高，可能产生_饱和__失真，此时集电极电流会出现__上___（上、下）削峰失真。
2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW，I CM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压U CE为10 V，则工作电流不得超过20 mA；若工作电流I C = 1 mA，则工作电压不得超过30 V。
4、电路及直流测试结果如图1所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。
得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。
5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。
已知W7805的输出电压为5V ，I Q ＝10 mA ，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.7 V ，电路的输入电压U I ＝16 V ，三极管处于放大 （放大，饱和，截止）状态， R 1上的电压为 5.7 V ，输出电压U o 为 9 V 。
图26、设图3中A 均为理想运放，请求出各电路的输出电压值。
U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。
电子科技大学“机械设计制造及其自动化”《模拟电路基础》23秋期末试题库含答案
电子科技大学“机械设计制造及其自动化”《模拟电路基础》23秋期末试题库含答案第1卷一.综合考核(共20题)1.三极管的击穿电流ICEO是()。
A.基极开路时的集电极电流B.发射极开路时的集电极电流C.基极短路时的集电极电流D.发射极短路时的集电极电流2.差动放大电路依靠电路的对称性以及共模负反馈来抑制零点漂移。
()A.正确B.错误3.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入()。
A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈4.电流求和负反馈使输人电阻减少；电压求和负反馈使输人电阻()。
A.增加B.不变C.减少5.6.功率放大器的效率是()。
A.平均输出功率与平均输入功率之比B.平均输出功率与晶体管平均消耗的功率比C.最大不失真平均输出功率与电源提供的平均功率总功率之比D.晶体管上平均消耗的功率与电源提供的平均功率总功率之比8.向放大器输入正弦电压。
当输出是非正弦的周期电压时，该放大器一定产生了()。
A.频率失真B.相位失真C.削波失真D.非线性失真9.在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生()。
A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空六对10.要求得到一个由电流控制的电流源，应引入()负反馈。
A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联11.半导体中的载流子为()。
A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴12.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
()A.正确B.错误13.在绝对零度时，本征半导体中()载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数14.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。
A.正值B.负值C.零15.差分放大电路端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。
()A.错误B.正确16.反馈放大电路由()电路和()网络组成。
A.基本放大B.反馈C.正反馈D.负反馈17.18.集成运放中间级的作用是()。
A.提高输人电阻B.提高共模抑制比C.提高放大倍数19.20.为了抑制直流放大器的温漂输出，应该采用()。
模拟电路基础电子科技大学试卷及答案
专升本-模拟电路基础•••A、稳压管不能击穿；•B、稳压管正向导通；•C、稳压管因电流太小而内阻过大；•D、稳压管因电流过大而烧管。
•2、•••A、5. 2kΩ•B、2. 4kΩ•C、3. 6kΩ•D、6. 8kΩ•••A、1. 43kΩ•B、2. 31kΩ•C、0. 82kΩ•D、1. 96kΩ•A、能够形成导电沟道•B、漏极电流不为零•B、内电场•C、外电场••A、CE 差动放大器•B、CE 放大器•C、CS 差动放大器•D、CS 放大器•••A、•B、•C、•D、•••A、输入电阻大•B、输出电阻小•C、输出电阻大•D、输入电阻小•••A、6W•B、12W•C、15W•D、9W•••A、18•B、9•C、4.5•D、2.25•••A、-2V•B、2V•C、3V•D、-3V••A、0.7V•B、0.3V•C、5.0V•D、1.0V•••A、•B、•C、•D、•14、某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为则对应该管的管脚排列依次是（）。
••A、c,b,e•B、b,c,e•C、b,e,c•D、e,b,c••A、稳定Au•B、放大信号•C、缩小信号•D、抑制零点漂移•••A、基本镜像恒流源电路•B、微变恒流源电路•C、带共集管的高精度恒流源•D、比例恒流源电路••A、多数载流子•B、少数载流子•C、少数载流子和多数载流子共同•D、扩散••A、相位失真•B、削波失真•C、频率失真•D、非线性失真••A、ROf ＝R0／F•B、ROf＝R0 ／T•C、R0f＝F R0•D、ROf＝T R0••A、b, c, e•B、e, b, c•C、b, e, c•D、c, b, e••A、输入电阻增加•B、输出电阻增加•C、输入电阻减小•D、输出电阻减小••A、略有减小•B、几乎不变•C、略有增加•D、不定••A、输出电阻增大•B、输出电流小•C、带负载能力强•D、电压放大倍数高••A、增大•B、不变•C、不能确定•D、减少••A、产生频率失真的原因是放大器模型中的电抗元件所致；•B、频率失真可能引起输入信号各频率分量在输出口的时延不同。
电子科技大学2006年模拟电路基础期中考试卷及答案
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年11月11日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（14分）、问答题1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。
2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。
3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。
4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（8分）、电路如图1所示，已知β= 100，V BE = 0.7V，V A = ∞，r be = 5.6kΩ。
1．求输入电阻R i；2．求小信号源电压增益A vs = v o/v s；3．求输出电阻R o。
图1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……三（8分）、电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）V TN = 1V，K n = 1mA/V2，r DS = ∞。
电路参数为V DD = 8V，输入电阻R i = 300kΩ。
（1）设计电路参数R1、R2和R S，使I DQ = 2mA，V DSQ = 5V；（2）求小信号电压增益A v = v o/v i和输出电阻R o。
图2………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2006年秋季《模拟电路基础》期中考试试题参考答案及评分标准一、（14分）问答题1、从载流子的运动角度分析PN结的单向导电性：PN结正偏时，多数载流子的扩散运动形成较大的导通电流；PN结反偏时，少数载流子的漂移运动形成很小的反向饱和电流。
电子科技大学模拟电路考试题及答案
电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？二（10分）、电路如图1所示。
已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。
1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。
2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1三（10分）、电路如图2所示。
已知差模电压增益为10。
A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。
求电阻R E和R G。
图2四（10分）、电路如图3所示。
已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47k Ω，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。
1．判断反馈类型；2．画出A电路和B电路；3．求反馈系数B；4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。
图3五（10分）、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。
已知R1=1MΩ，R2=4MΩ，R3=1/3MΩ，R4= R5= R6=1MΩ，C1=C2=1μF。
图4参考答案及评分标准一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（2分）。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。
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电子科技大学
二零零七至二零零八学年第一学期期末考试
模拟电路基础课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷
课程成绩构成：平时10分，期中30分，实验0分，期末60分
一（20分）、问答题
1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？
2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？
3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？
4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？
5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？
二（10分）、电路如图1所示。
已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。
1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。
2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？
图1
三（10分）、电路如图2所示。
已知差模电压增益为10。
A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10kΩ。
求电阻R E和R G。
图2
四（10分）、电路如图3所示。
已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47k Ω，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。
1．判断反馈类型；
2．画出A电路和B电路；
3．求反馈系数B；
4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。
图3
五（10分）、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。
已知R1=1M Ω，R2=4MΩ，R3=1/3MΩ，R4=R5=R6=1MΩ，C1=C2=1μF。
图4
参考答案及评分标准
一（20分）、问答题
1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（2分）。
2．（4分）在运算放大器中，常用射极跟随器作为输出级的原因是它的输出电阻小（1分）；常用射极跟随器做缓冲级的原因是它的输入电阻大（1分）、输出电阻小（1分）、电压增益近似为1、带宽大（1分）。
3．（4分）电流源的最重要的两个参数是电流和内阻（1分），其中内阻决定了电流源在集成电路中常用做有源负载（1分）；在集成电路中采用有源负载可以获得很大的电压增益（2分）。
4．（4分）集成运算放大器常采用差动放大器作为输入级的原因是：能很好地解决双端
电压信号的放大问题（2分）；能很好地解决零点漂移（稳定静态工作点）与电压增益之间的矛盾问题（2分）。
5．（4分）因为集成运算放大器的开环带宽很小、增益不稳定，连接成负反馈的形式可以大大地扩展放大器的带宽（2分），稳定增益（2分）。
二（10分）、解：1．f L≈1/（2πr be C）（5分）C=1/（2πr be f L）=15.9μF（3分）。
2．电容C的值应减小。
（2分）
三（10分）、解：I Rc=（Vcc-V C1）/R C=（12-6）/10=0.6mA（3分）
R E=[-0.7-(-4)]/0.6=5.5kΩ（3分）
A vd≈R C/（R E∥R G/2）（3分）R G=2.44kΩ（1分）
四（10分）、解：1.电压取样电压求和负反馈；（2分）2.A电路（略）（2分）；
3．B电路（略）（1分）；反馈系数B v=R8/(R8+R7)=0.1/(0.1+4.7)=1/48；（1分）
4．F=1+A v B v=1+835/48=18.4R i=r be+（1+β）（R8∥R7）=6.1kΩ
R if=FR i=18.4×6.1=112kΩ（1分）R o=R6∥（R8+R7）=2.37kΩ
R of =R o /F=2.37/18.4=0.129k Ω（1分）A vf =A v /F=835/18.4=45.4（2分）。
五（10分）、解：由最后两级可知，第一级的输出为：d v o /dt （3分） d v o /dt=(3/'/4)'t
i o o v dv dt v dt -∞---⎰（3分） 两边求导，可得：d 2v o /dt 2+3d v o /dt+v o /4=-v i （4分）。