COG-制程原理及流程
COG Bonding 制程介绍及管理
NA
10 190-230 5
NA
10 190-230 5
Mpa
30-80
TFT 低溫低壓 有離型膜
40-120
40-120
30-80
TFT
一般 NA
一般 NA
低溫低壓 無離型膜
8
Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
Part2:COG物料介紹＆管控
規格 製造商 管理標準
COG站首件記錄表 COG站首件記錄表 （三星和CPT代工 ）
設定壓力（Kgf）
依産品型號
14
Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
10 Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
11
Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
A 溫度 1 2 3 4 5 6 7 8 9 水準一 水準二 水準三 效應 B 壓力 C 時間 Y1 12 20 19 18 20 13 19 15 16 S/N 比
C水 準 一 C水 準 二 C水 準 三
反應率分析
供應商協助分析
推力分析 斷面分析
最佳制程條件： -？-℃/-？-Mpa/-？-S
12 Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
13
Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
專案 設定時間（sec） 設定值 0.8~2.4
3
Giant Vision Plus Your Life.
Giantplus
COG工艺
COG制造工艺至今已有近十年的发展历史，它的发展与IC的小型化、超薄化以及LCD显示屏光刻精度的精细化是密不可分的。
1、COG工艺流程如下所示。
LCD显示屏->将ACF邦贴到屏上->将裸芯片从芯片拖盘中取出->检查裸芯片的对位标记->检查LCD屏上对位标记->芯片与LCD屏对位->热压头将芯片与LCD屏邦贴到一起->整个邦贴过程完成2、工艺要点（1）邦定IC时要求IC对位标志与LCD屏上的对位标志吻合；（2）需用无尘布沾溶剂清除液晶屏上压着区的异物，使用UV灯清除液晶屏上压着区的有机物；（3） ACF贴附精度为+100μM；（4）要注意ACF的储存条件和控制好ACF邦定的时间、热压温度和压头的压力。
ACF反应率要求达到80%以上。
例如使用日立（HITACHI）公司的AC-8304Y的ACF，其保存条件为：在室温约25℃和湿度70%RH情况下，有效期1个月；在温度-10℃~5℃时有效期为6个月。
ACF使用工艺条件：贴ACF温度100±10℃（ACF的实际温度），压强约1Mpa，时间1~5秒，主压压强约50~150Mpa（指每个IC BUMP上的压强，根据ACF中导电球的受压效果决定压力的大小）。
ACF 温度220±20℃（ACF的实际温度），时间7~10秒。
所有ＡＣＦ从冰箱中取出后需在室温条件下放置１小时后方可打开包装；（5）必须确保前工序光刻工艺的成品率，严格控制断笔和连笔（主要在IC接口处）；（6） LCD屏需经严格测试，防止废品漏测，造成材料浪费及品质不良；（7）显微镜下全检防止断笔流出，要求IC电极上的导电粒子压痕至少5个,相邻BUMP之间不能互相接触；（8） COG成品必须100%检测；（9） COG-LCD产品一般多为高密度产品，制造时要求光刻段的分辨率较高，PI定向膜与摩擦均匀性较好，在线间隙小于15μM时要求增加TOP（涂覆绝缘层）工艺，以避免短断路、显示不均、串扰和功耗电流大等现象的出现；（10） COG常见不良品包括：IC异物、IC压痕不良、ACF贴附不良、IC对位偏移、IC厚度不均、IC电遇不良、IC破裂/刮伤、IC BUMP不良等。
micro led cog 常规制程
Micro LED是一种新型的显示技术，它采用微小的LED芯片作为显示单元，具有高亮度、高对比度、高刷新率和低功耗等优点。
COG（Chip on Glass）是一种常规制程，用于将芯片直接封装在玻璃基板上。
Micro LED的制程过程通常包括以下几个步骤：
1. 原材料准备：准备LED芯片所需的原材料，包括LED芯片、基板、封装材料等。
2. 芯片制备：将LED芯片制备成微小的尺寸，通常采用半导体工艺，包括晶圆制备、薄膜生长、光刻、蚀刻等步骤。
3. 基板准备：准备玻璃基板，通常采用特殊的玻璃材料，具有良好的光透过性和机械强度。
4. COG封装：将制备好的LED芯片直接封装在玻璃基板上，通常采用COG技术，将芯片粘贴在基板上，并使用导线连接芯片和基板。
5. 封装材料：在COG封装完成后，使用封装材料对LED芯片进行保护，以提高其稳定性和可靠性。
6. 测试和调试：对封装好的Micro LED进行测试和调试，确保其正常工作。
需要注意的是，Micro LED的制程相对复杂，需要高精度的设备和工艺控制，目前仍处于发展阶段，尚未实现大规模商业化生产。
COG流程
17
LCM構裝方式及比較
構裝 方式 Pitch 低阻抗 ITO 玻璃 不需要 不需要 需要 不需要 附加 成本 體積 零件 能 不能 低 高 大 中 小 小
μ COB ＞200μm TAB μ ＞70μm
μ COG ＞50μm COF μ ＞70μm
不能 中等 能 高
18
COG v.s. COF
3
COG 接合原理
溫度、 壓力 、時間
LSI
Bump
IC ACF
導通
玻璃基板
ITO Pattern
LCD
4
COG Driver IC 構裝流程
ACF
ACF 貼付 on Panel
COG假壓 與本壓著
IC
5
ACF結構示意圖 結構示意圖
異方性導電膜 (Anisotropic Conductive Film)
LCD上料
LCD Loading
ILB ACF貼付
ILB ACF Attaching
Chip假壓著
Chip Pre-bonding
Chip本壓著
Chip Main-bonding
LCD下料
LCD Unloading
功能測試
Function Test
貼偏光片
Polarizer Attaching
OLB清潔
Particle type :
Particle size :
3µm 4µm 5µm
3µm 4µm 5µm
Thickness :
25 µm
2 3µm
7
Appearance of Deformed Particles
TEG TCP: lead(Au-plated) Glass substrate : ITO electrode Bonding condition(Final-bonding) : 220°C、25~250Mpa、5sec 25 Mpa
COG流程范文
COG流程范文COG流程（COG Process）是一种流程管理方法，以COG作为缩写，分别代表了四个阶段：Capture（捕捉）, Organize（组织）, Gamify（游戏化）和绩效（Performance）。
COG流程旨在帮助个人和团队更好地管理和优化工作流程，并提高工作效率。
下面将详细介绍COG流程的每个阶段。
第一阶段：捕捉（Capture）捕捉阶段目的在于收集和整理工作流程中的各项任务和活动。
这一阶段需要详细记录每个任务的具体细节，例如任务名称、任务描述、期限等。
捕捉可以通过各种方式进行，如写在纸张上、使用任务管理工具（如ToDoist、Trello等）或电子邮件等。
重点是将所有任务都记录下来，以确保没有任何遗漏。
在捕捉阶段，团队成员需要明确任务的优先级，并及时更新任务的状态。
每个成员都可以为任务添加注释或备注，以确保每个人都对任务有一个清晰的了解。
捕捉阶段还包括进行任务分解，将大任务分解为小任务并分配给相应的团队成员。
在这个阶段，跟进和监督任务的进展也是非常重要的。
第二阶段：组织（Organize）组织阶段是在捕捉阶段收集到的任务和活动的基础上，将它们进行有效的分类和排序。
这一阶段的目的是确保团队成员可以清晰地了解任务的关系和优先级，以便在工作过程中更好地规划和分配各项任务。
组织可以根据任务的相关性、紧急性、重要性和优先级进行。
任务可以按照功能、部门、项目或其他一些逻辑进行分类和排序。
组织阶段还包括制订时间表和计划。
团队成员可以使用Gantt图、甘特图或其他项目管理工具来可视化工作计划，并确保任务能够按时完成。
此外，团队成员之间的协作和沟通也是组织阶段的重要内容。
在这个阶段，团队成员应该明确各自的任务和角色，并确保团队协同合作。
第三阶段：游戏化（Gamify）游戏化阶段是将工作流程转化为一种有趣和有吸引力的方式，以激发团队成员更高的工作动力和积极性。
这一阶段的目的是通过设定目标、奖励机制和竞争机制等来鼓励团队成员参与并完成任务。
micro led cog 常规制程
Micro LED COG常规制程1. 引言Micro LED是一种新兴的显示技术，具有高亮度、高对比度、超薄、低功耗等特点。
而COG（Chip-on-Glass）常规制程是一种常用的Micro LED制程方法。
本文将详细介绍Micro LED COG常规制程的工艺流程、关键步骤和优势。
2. 工艺流程Micro LED COG常规制程的工艺流程主要包括以下几个步骤：2.1. 衬底准备首先，需要准备一块透明玻璃衬底，作为Micro LED的基底。
衬底表面需要进行清洗和平整处理，以确保后续工艺的顺利进行。
2.2. 图案制作接下来，使用光刻技术在衬底上制作出Micro LED的图案。
光刻技术是一种将光线通过掩模进行投影，形成所需图案的方法。
通过光刻技术可以实现高精度的图案制作。
2.3. 光刻胶涂覆在图案制作完成后，需要将光刻胶涂覆在衬底上。
光刻胶是一种光敏感的材料，可以通过光刻曝光形成所需图案。
光刻胶的涂覆应该均匀且厚度适中，以保证后续步骤的正常进行。
2.4. 光刻曝光在光刻胶涂覆完成后，需要进行光刻曝光。
将掩模与衬底进行对位，然后通过曝光机将光刻胶上的图案进行曝光。
曝光后，光刻胶会发生化学反应，形成所需的图案。
2.5. 背面薄化完成光刻曝光后，需要对衬底进行背面薄化处理。
通过薄化，可以减少衬底的厚度，使Micro LED显示屏更加轻薄。
背面薄化可以使用化学腐蚀、机械抛光等方法进行。
2.6. 背面金属化背面薄化完成后，需要对背面进行金属化处理。
金属化可以提高背面的导电性，以便后续的电路连接。
常用的金属化方法包括真空蒸镀、溅射等。
2.7. 颗粒分选接下来，需要对Micro LED颗粒进行分选。
将制作好的Micro LED颗粒进行测试，筛选出亮度、颜色等参数符合要求的颗粒。
分选可以使用显微镜、光电测试仪等设备进行。
2.8. 粘合完成颗粒分选后，需要将Micro LED颗粒粘合到衬底上。
粘合可以使用粘合剂或者微压技术进行。
cog封装工艺
cog封装工艺COG封装工艺是一种常用于集成电路封装的先进封装工艺。
COG 是Chip-On-Glass的缩写，意为芯片贴装在玻璃基板上。
本文将介绍COG封装工艺的基本原理、工艺流程以及应用领域。
一、COG封装工艺的基本原理COG封装工艺主要通过将芯片直接贴装在玻璃基板上，实现芯片和显示器的直接连接。
这种封装方式具有尺寸小、重量轻、功耗低等优点，适用于要求高分辨率、高亮度的显示设备，如手机、平板电脑等。
COG封装工艺的基本原理是将芯片的引脚通过微细线路连接到玻璃基板上的驱动芯片。
这些微细线路通常采用微电子制程技术制备，具有较高的精度和可靠性。
通过COG封装工艺，可以实现芯片和显示器之间的高速信号传输和稳定可靠的电气连接。
二、COG封装工艺的流程COG封装工艺的流程通常包括以下几个步骤：1. 玻璃基板准备：选择适合的玻璃基板，并进行清洗和去除杂质等预处理工作。
2. 芯片准备：将芯片进行切割和打磨，使其尺寸和形状符合要求。
同时，对芯片进行测试和筛选，确保其质量和性能符合要求。
3. 粘接：将芯片粘接在玻璃基板上。
这一步通常使用特殊的粘合剂，通过热压或紫外光固化等方式实现芯片和基板的粘接。
4. 电气连接：将芯片的引脚通过微细线路连接到玻璃基板上的驱动芯片。
这一步通常使用微焊或电镀等工艺实现。
5. 封装：将芯片和连接线路进行封装，以保护芯片免受外界环境的影响。
这一步通常使用环氧树脂或高分子材料进行封装。
6. 测试和包装：对封装好的芯片进行功能测试和可靠性测试，确保其质量和性能符合要求。
然后，将芯片进行包装，以便在后续的生产和使用中方便携带和安装。
三、COG封装工艺的应用领域COG封装工艺广泛应用于各种显示设备和电子产品中。
其中，最典型的应用是在手机和平板电脑的显示屏上。
COG封装工艺可以实现显示设备的高分辨率、高亮度和高对比度，提供更好的视觉效果和用户体验。
COG封装工艺还广泛应用于汽车电子、医疗器械、工业控制等领域。
cog工艺流程
cog工艺流程COG（Chip on Glass）工艺是一种将驱动芯片直接封装在玻璃基板上的一种封装技术，广泛应用于手机显示屏等领域。
以下是COG工艺的详细流程。
首先，准备玻璃基板。
选择高质量的玻璃基板，经过清洁和处理，使其表面光滑且无杂质。
接下来，将IC芯片粘贴在玻璃基板上。
将IC芯片以正确的位置倒置放在基板上，并使用UV胶水将其固定。
确保芯片与基板之间没有空隙。
然后，进行金线连接。
将金线通过微焊机连接到芯片和玻璃基板上的导线。
这些导线将作为信号和电源的传输通道。
接下来是针对电路的测试。
使用测试仪器对连接线路进行测试，确保芯片正常工作。
这些测试包括检查电阻、电容和电流等参数。
然后进行屏幕的调试。
连接芯片和驱动电路，调整显示屏的亮度、对比度和分辨率等参数，以确保屏幕正常显示。
接下来是封装工艺。
使用精密设备将COG驱动芯片和显示屏组装在一起，通过封装胶水固定。
确保封装的质量和可靠性。
然后进行最后的测试。
通过对封装好的显示屏进行测试，确保屏幕的正常显示和触摸功能等。
最后，进行灯光调试。
调整显示屏的背光灯光亮度和颜色，以确保屏幕的亮度和色彩表现优秀。
此外，COG工艺还包括质量检验。
对封装好的显示屏进行严格的质量检验，包括外观检查、屏幕显示检查和机械性能检查等。
确保COG显示屏符合相关的质量标准。
最后，进行包装和交付。
将封装好的COG显示屏进行包装，然后发货给客户。
确保产品的安全运输和准时交付。
以上就是COG工艺流程的主要步骤。
通过这一流程，可以生产出高质量、高可靠性的COG显示屏产品，满足各种应用的需求。
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AACCFF AAttttaacchh
IC Prebond
IICC mmaaiinnbboonndd
CCeellll uunnllooaaddeerr
VViissuuaall IInnssppeeccttiioonn
9水0目工制目工制滴0目工制m的具程的具程角：：参J温的具程目：：参</将数L度c3o的清数U目：：参•m：ca0加工目eVd目：度无工工l除：的2le清无数热传具的•ru的将<将具/具C:AT送n：除尘：照：r：CIea：iIC：至：tCFyl检A射制制U压将布尚C8l/,机将上C预ICA0使工制Cn制查着ea台-累程程A±C8未/ls将压压A目l溶o6具程内P于s程CIl积参参C05CFe上a的C着r量着1FAtF：参剂e参ad压t照数数eeC预进：bt区压e于化lt显数F数着(lor行度a：：贴传/丙/有ACn着cT微：：硬是<e于hdCr送机酮la1A化镜无l区uu无否8F上CyC6至0nn物反/)-/0C合e±异8Cit机t0i应6leol2m乎5l物3台nl上J标v外/ec准ym2
PCB
PCB test SLC
JBO
COG Process
COG: Chip On Glass
Purpose: Bonding Driver with Cell
Key Components:
• Cell • ACF • Driver IC (LSI)
Cell
Cell Pad
Bonding area
ACF Introduction
COG Process ACF 反应率需达 80 % 以上
ACF Introduction
为何使用 AC-8623 (低温)
解决 Tool Mura 问题
COG Process Flowchart
CCeellll llooaaddeerr Wweettcleleaann
AC-8623
Conductive
8 ± 1 um
1.5 ± 0.1 mm 50 m
ห้องสมุดไป่ตู้
3 ± 1 um
44,000 ± 12,500 pcs/mm2
5.0 Ω or less
10E8 Ω or more
80℃/ 1MPa / 3s 190℃/ 100MPa / 10s
7 month / 30 days
10E9 Ω or more
80℃/ 1MPa / 3s 150℃/ 100MPa / 10s
4.5 month / 10 days
ACF Introduction
Conductive Particle
Bump (after bonding)
Bump (before bonding)
Bump (ACF cleaned)
目的: 垂直方向电气通电 水平方向电气绝缘
主要组成: 黏着剂 导电粒子
ACF Introduction
Force
Step 1 AC
IC
Introduction
ACF
F
Cell
Step 2
Each channel Conductive independently
IC ACF Cell
ACF Introduction
工具A：C-I8C60P1rebond uAnCit-8623
温压度力
18M0 制P±a程5 参数 180M±Pa5
时压间力
1AM3CP-s8a601
1AMC3-P8sa623
时温间度 压力
190 ± 5 312s5 MPa
150 ± 5 1235 MsPa
厂商建议100 MPa 厂商建议100 MPa
三、授课时数: 3-1:COG制程原理及动作流程15 min 3-2:COG制程检验规范 10 min 3-3:COG制程之Defect Mode 5 min
TFT LCD Process
Array
Cell
Module
JI
Assemble
Test
Cell Kitting
Laser Cut
COG
S/G
时间
10 s
10 s
COG Process Criteria
外观 ACF贴附 IC压痕 IC压著精度
COG Criteria(外观)
•TFT/CF 玻璃破损 比照Cell Kitting规格 线路刮伤 比照Cell Kitting规格
•偏光板 显示区內不可有压、刺伤
•IC IC背部不可有裂痕
COG 制程原理及流程
COG课程导览
一、课程目标: 1-1:使学员了解COG制程原理 1-2:使学员了解COG制程动作流程 1-3:使学员了解COG制程之检验规范 1-4:使学员了解COG制程之Defect Mode
二、课程对象: 2-1:LCM厂制程与设备工程师 2-2:对COG制程有兴趣的同仁
Expiration time(5 ℃/RT)
23 ± 3 um
50 um 15 ± 2 um
8 ± 1 um
1.5 ± 0.1 mm 100 m
3 ± 1 um 44,000 ± 12,500 pcs/mm2
5.0 Ω or less
AC-8601
23 ± 3 um
50 um 15 ± 2 um
Adhesive
COG Criteria (ACF贴附)
Case 1
MARK1
MARK2
ACF Case 2
ACF
ACF上缘上限/ACF upper limit ACF上缘下限/ACF lower limit
Hitachi ACF
Separator
Type Thickness Separator thickness Adhesive thickness Conductive thickness Width Length Particle size Conductive Particles Connection resistance Insulation resistance Attach parameter Mainbond parameter
Driver IC
Input side(FPC/PCB)
MEC IC Output side (Cell)
IC on Tray
Gold bump
Driver IC
Gold bump profile
Au
Ti / W Passivation
Al
ACF Introduction
ACF: Anisotropic Conductive Film (异方向性导电膜)