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模拟电子技术题库 答案资料
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
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一、填空题1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。
当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。
3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。
4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：和 。
5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。
6、直流稳压电源由 、 、及 组成。
7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。
二、选择题1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ）A 、掺杂浓度B 、工艺C 、温度D 、晶体缺陷2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ）A ． A 是基极，B 是发射极，C 是集电极，是NPN 管B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）A、UGS＞0，UDS＞0B、UGS＜0，UDS＜0C、UGS＞0，UDS＜0D、UGS＜0，UDS＞04、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。
A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（）A、提高RiB、提高AvdC、提高K CMRD、提高Avc6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模电考研题库
模电考研题库模拟电子技术是电子工程领域中的一个重要分支，它涉及到模拟信号的处理和放大。
考研题库的建立可以帮助学生更好地准备考试，以下是一些模拟电子技术的考研题目，供参考：一、选择题1. 在模拟电路中，最基本的放大器是：A. 差分放大器B. 运算放大器C. 共射放大器D. 共基放大器2. 以下哪个不是运算放大器的主要特性？A. 高输入阻抗B. 低输出阻抗C. 低增益D. 差分输入3. 差分放大器的主要优点是：A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 提高增益D. 降低输入阻抗4. 在模拟电路设计中，通常使用哪种类型的反馈来提高放大器的稳定性？A. 正反馈B. 负反馈C. 直流反馈D. 交流反馈5. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 非线性二、简答题1. 解释什么是共模抑制比（CMRR）以及它在模拟电路设计中的重要性。
2. 描述运算放大器的基本组成及其工作原理。
3. 简述负反馈在模拟放大器设计中的作用和优点。
三、计算题1. 给定一个共射放大器的电路图，其中晶体管的β值为100，基极电流为10μA，求集电极电流和电压增益。
2. 假设有一个差分放大器，其差模输入电压为1mV，共模输入电压为10mV，求差分放大器的差模增益和共模抑制比。
四、分析题1. 分析下列电路图，说明电路的工作原理，并计算输出信号与输入信号的关系。
2. 给出一个实际的模拟电路设计问题，要求学生提出解决方案，并解释其设计思路。
五、论述题1. 论述模拟电路与数字电路在信号处理上的主要区别，并讨论各自的优缺点。
2. 讨论模拟电路设计中噪声的来源及其对电路性能的影响。
请注意，以上题目仅作为示例，实际的考研题库应包含更广泛的题目类型和难度级别，以适应不同考生的需求。
同时，考生在准备考研时应注重理论知识与实践技能的结合，以提高解题能力。
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模拟电子技术-题库1、半导体材料制作电子器件的原因是半导体材料具有热敏性、光敏性和掺杂性。
答案：正确2、本征半导体是纯净的半导体单晶答案：正确3、在T=0K时，本征半导体中有自由电子答案：错误4、在T>0或者有光照时，本征半导体产生本征激发答案：正确5、本征激发要释放能量答案：错误6、复合是本征激发的逆过程，复合要释放能量。
答案：正确7、在半导体内部，复合和本征激发同时存在。
答案：正确8.半导体中的载流子为空穴和（）。
A、负离子B、自由电子C、价电子答案： B9、N型半导体是由本征半导体掺杂制成的，掺入的是三价的杂质。
答案：错误10、N型半导体的多数载流子是自由电子，所以N型半导体显示负电性。
答案：错误11、N型半导体的内部掺杂了（）。
B、 Be元素答案： A12、P型半导体的内部掺杂了（）。
A、 P元素B、 Be元素答案： B13、漂移是由于（）在内电场的作用下形成的。
A、少数载流子B、多数载流子C、正离子D、负离子答案： A14、PN结正向导通时电压所加的方向为( ）A、 P正N负B、 P负N正答案： A15、当PN结加反向电压时，PN结（）A、变宽B、变窄C、不变D、无法确定答案： A16、PN结外加正向电压时，扩散电路（）漂移电流A、大于B、小于C、等于答案： A17、二极管的反向击穿时的电压被称为（）A、击穿电压B、死区电压答案： A18、Si二极管的正向导通压降为（）A、 0.6V~0.8V，工程上习惯取0.7答案： A19、二极管反向击穿后便不能正常使用。
答案：错误20、下列说法正确的是（）。
A、 PN结正偏导通，反偏导通B、 PN结正偏截止，反偏导通C、 PN结正偏导通，反偏截止D、 PN结正偏截止，反偏截止答案： C21、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
A、增大B、不变C、减小D、不确定答案： A22、二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术题库-答案分解
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
模拟电子技术机考题库
模拟电子技术机考题库1.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须大于它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于截至状态。
A.正偏B.反偏C.大于D.小于答案:B2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该减小偏置电阻。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.阶跃失真答案:B3.差分放大电路是为了（）而设置的。
A.稳定AuB.放大信号C.减弱信号D.抑制零点漂移答案:D4.共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
A.压串负B.流串负C.压并负D.流并负答案:A5.差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。
A.1B.2C.3D.4答案:B6.为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A.电压B.电流C.串联D.并联答案:A7.三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
C.9VD.12V答案:D8.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A.放大差模抑制共模B.输入电阻高C.输出电阻低D.输出电阻高答案:A9.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A.0~20B.20~200C.200~1000D.1000~2000答案:B10.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A.0.45B.0.9答案:C11.振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A.基本放大器B.选频网络C.输入电流D.干扰或噪声信号答案:D12.为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（）。
A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈答案:B13.通用型集成运放的输入级多采用（）。
A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法14.集成运放的互补输出级采用（）。
A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法答案:B15.工作在线性区的运算放大器应置于（）状态。
A.深度反馈B.开环C.闭环D.半闭环答案:A16.测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使用（）。
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一、单选题1. 少数载流子是空穴的半导体是（C ）A. 本征半导体中掺入三价元素，是P型半导体B. 本征半导体中掺入三价元素，是N型半导体C. 本征半导体中掺入五价元素，是N型半导体D. 本征半导体中掺入五价元素，是P型半导体2. 当PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层（ B ）A. 变宽B. 变窄C. 不变D. 不确定3、在某种纯净的半导体中掺入以下哪种杂质可以形成P型半导体。
( C )A、含四价元素的杂质B、含空穴的杂质C、三价元素镓D、五价元素磷4、下列关于三极管的基本组态电路中正确的是________ ( )A、共集组态的电压增益最大B、共集组态的电压增益最小C、共发组态的电压增益最小D、共基组态的电压增益最小5. 放大电路中静态工作点设置得过高，会产生（）A. 截止失真B. 饱和失真C. 交越失真D. 线性失真6. 放大电路中NPN三极管的三个电极电位分别是UX=8V，UY=7.3V，UZ=12V，则e/b/c三极分别为（）A．X-C极 Y-B极 Z-E极B．X-B极 Y-C极 Z-E极C．X-E极 Y-B极 Z-C极D．X-B极 Y-E极 Z-C极7.PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。
A．多数载流子扩散而成B．多数载流子漂移而成C．少数载流子扩散而成D．少数载流子漂移而成8. 一个由NPN硅管组成的共发射极基本放大电路，若输入电压v i的波形为正弦波，而用示波器观察到输出电压的波形如图1所示，那是因为A．Q点偏高出现的饱和失真 B. Q点偏低出现的截止失真C. Q 点合适，v i 过大D. Q 点偏高出现的截止失真9. 如图2所示，三极管工作于饱和状态的是______。
A.(a)B.(b)C.(c)D.(d)图210. 放大电路中NPN 三极管的三个电极电位分别是UX=8V ，UY=7.3V ，UZ=12V ，则e/b/c 三极分别为（ ）A ．X-C 极 Y-B 极 Z-E 极B ．X-B 极 Y-C 极 Z-E 极C ．X-E 极 Y-B 极 Z-C 极D ．X-B 极 Y-E 极 Z-C 极11. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的是负反馈A ．输入电阻增大B ．输出量增大C ．净输入量增大D ．净输入量减小12. 为提高放大器的输入电阻并稳定输出电流，应该给放大电路引入（ ）A ．电流串联负反馈B ．电压串联负反馈C ．电流并联负反馈D ．电压并联负反馈13. 在本征半导体中掺入（ ），后形成N 型半导体。
A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素14. 多级放大电路的总放大倍数是各级放大倍数的（ ）。
A.和；B.差；C.积；D.商15. 图3所示的集成运放电路，电压放大倍数A V F = 。
0.3 V -12 V 0 V4 V 3.7 V 3.2 V0.7 V 5 V 0 V 2.4 V 6 V 3 VA. -f 1R RB. 1+f1R R C. -1f R R D. 1+1f R R 16．三极管内部是由 所构成。
A ．1个PN 结 B. 2个PN 结C. 3个PN 结D. 2块P 型半导体17. 运算放大电路如图所示，在该电路中反馈组态为（ ）A. 电压串联负反馈B. 电流串联负反馈C.电流并联负反馈D. 无反馈18. 差动放大电路是为了（ ）而设置的。
A. 稳定AuB. 放大信号C. 抑制零点漂移D. 引入反馈19. 带射极电阻Re 的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce ，后其电压放大倍数（ ）A.减小B.增大C.不变D.变为零20. 二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线。
A ．f —I D B. V D —r D C. I D —r D D. V D —I D21. 半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）A 、反向偏置击穿状态B 、反向偏置未击穿状态C 、正向偏置导通状态D 、正向偏置未导通状态22. 三极管工作于放大状态的条件是（ ）A 、发射结正偏，集电结反偏B 、发射结正偏，集电结正偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏23. 画三极管放大电路的微变等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ）A 、短路到地B 、开路C 、保留不变D 、电流源24. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的（ ）A 、输入电阻大B 、输入电阻小C 、输出电阻大D 、输出电阻小25. 测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（ ）A 、PNP 型锗三极管B 、NPN 型锗三极管C 、PNP 型硅三极管D 、NPN 型硅三极管26. 下列对集成电路运算放大器描述正确的是（ ）A 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路27. 共模抑制比KCMR 越大，表明电路（ ）A 、放大倍数越稳定B 、交流放大倍数越大C 、抑制温漂能力越强D 、输入信号中的差模成分越大28. 串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（ ）A 、1＋AF 倍B 、1/(1＋AF)倍C 、1/F 倍D 、1/AF 倍29. 为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（ ）A 、电压串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流串联负反馈D 、电流并联负反馈30. 为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（ ）A 、电流串联负反馈B 、电流并联负反馈C 、电压串联负反馈D 、电压并联负反馈31. 如图4为两级电路，接入RF 后引入了级间（ ）A 、电流并联负反馈B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈32. 某仪表放大电路，要求Ri 大，输出电流稳定，应选（ ）A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈33. 某一差动放大电路的输入信号u i1=10mV ，u i2=-5mV ，则该差放电路的共模信图4 图4图2号u c和差模信号u d分别为（）A.2.5mV，15mVB.5mV，15mVC.-7.5mV，-2.5mVD.-15mV，5mV34. 负反馈放大电路中引入电压串联负反馈措施后，放大电路的输入及输出电阻值(r i及r0)的变化情况是（）A.r i、r0均增大B.n、r0均降低C.r i增大、r0降低D.r i降低、r0增大35. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.增强差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大36. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率37. 两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为A-200mv； B -250mV； C 10V； D100V。
38. 当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。
（A）>（B）<（C）=（D）≤39. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小40. 半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大二、填空1. 某晶体管的管压降U CE 不变，基极电流为20uA 时，集电极电流等于2mA ；这时这只晶体管的β=（100）。
若基极电流增加到25uA ，集电极电流为（2.5 mA ）。
2.现测得三极管两个电极的电流如图1所示， 判断三极管是 NPN (NPN 管还是PNP 管)， =图13. 某放大电路中，晶体管三个电极电流如图所示，已测出I 1=1.5 mA ，I 2=-0.03 mA ，I 3= 1.53mA ，由此可知：（1）电极1是（集电极），电极2是（基极），电极3是（发射极）； （2）此晶体管电流放大系数β为（50）；（3）此晶体管类型是（PNP ）型。
4. PN 结正偏时 导通 ，反偏时 截止 ，所以PN 结具有 单向 导电性。
5. 多级放大器有（直接）、（变压器）、（阻容）三种耦合方式。
6. 三极管具有放大作用外部电压条件是7. 差模信号是指（大小相同、相位相反），共模信号是指（大小相同，相位也相同）。
差动放大电路的共模抑制比K CMR ＝（差模放大倍数／共模放大倍数）。
共模抑制比越小，抑制零漂的能力越（越弱）8．三极管放大电路共有三种组态分别是 射 、 集 、 基 放大电路。
I 1 I 3 I 29. 如图2所示单级共射放大电路及输出特性曲线，图中MN为直流负载线。
图2(1) 要将静态工作点由Q1点调整到Q2，应__________；(2) 要将静态工作点由Q1点调整到Q3，应__________。
A．增大RB B．减小RB C．增大RC D．减小RC E．增大UCC F．减小UCC10. 二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
11. 集成运放通常由输入级、中间级；输出级、偏置级四个部分组成。
12. P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
13. 三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
14. 三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。
15. 放大器有两种不同性质的失真，分别是饱和失真和截止失真16. 在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。
17. 差分放大电路能够抑制漂移，也称漂移，所以它广泛应用于电路中。
18. 晶体管工作在饱和区时，发射结a，集电结a；工作在放大区时，集电结b，发射结a。
（填写a正偏，b反偏，c零偏）19. 差动放大电路中的长尾电阻Ｒe或恒流管的作用是引人一个共模负反馈。
20. 差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对差模信号具有放大能力，它对共模信号具有抑制能力。