电子集成工艺试卷
集成电路制造考核试卷
B. 大电流
C. 高效率
D. 小尺寸
( )
18. 以下哪些是集成电路测试的主要方法？
A. 功能测试
B. 参数测试
C. 热测试
D. 机械测试ຫໍສະໝຸດ ( )19. 以下哪些应用领域对集成电路的功耗要求较高？
A. 移动通信
B. 服务器
C. 智能家居
D. 可穿戴设备
( )
20. 以下哪些技术可用于提高集成电路的频率性能？
2. 在CMOS技术中，P型MOSFET和N型MOSFET的尺寸应该是相同的。（ ）
3. 集成电路的封装类型不会影响其性能。（ ）
4. 介电常数越高的材料，其电容值越小。（ ）
5. 在集成电路设计中，信号的频率越高，对电路的热性能影响越大。（ ）
6. 散热设计是提高集成电路可靠性的重要因素之一。（ ）
B. 铜Cu
C. 铝Al
D. 钨W
( )
2. 在集成电路制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？
A. 去除多余杂质
B. 形成电路图案
C. 进行蚀刻
D. 提高电子迁移率
( )
3. 以下哪个不属于集成电路的制造工艺？
A. 光刻
B.蚀刻
C. 射频
D. 化学气相沉积
( )
4. CMOS技术中，P型MOSFET与N型MOSFET的比例通常为：
A. 驱动能力
B. 传输速率
C. 功耗
D. 所有上述选项
( )
8. 以下哪种技术常用于减少集成电路中的电源噪声？
A. 电源去耦
B. 射频干扰抑制
C. 差分信号传输
D. 所有上述选项
( )
9. 在集成电路设计中，以下哪个因素对信号完整性影响最大？
集成电路设计原理考核试卷
4.描述模拟集成电路与数字集成电路在设计原则和实现技术上的主要区别，并给出一个实际应用中模拟集成电路的例子。
标准答案
一、单项选择题
1. B
2. B
3. D
4. D
5. B
6. D
7. C
8. C
9. B
10. D
17.在集成电路设计中，以下哪些方法可以提高电路的抗干扰能力？( )
A.采用差分信号传输
B.使用屏蔽技术
C.增加电源滤波器
D.提高工作频率
18.以下哪些类型的触发器在数字电路中常见？( )
A. D触发器
B. JK触发器
C. T触发器
D. SR触发器
19.以下哪些技术可以用于提高集成电路的数据处理速度？( )
3.以下哪些是数字集成电路的基本组成部分？( )
A.逻辑门
B.触发器
C.寄生电容
D.晶体管
4.以下哪些技术可以用于提高集成电路的频率？( )
A.减小晶体管尺寸
B.采用高介电常数材料
C.增加电源电压
D.优化互连线设计
5.在CMOS工艺中，以下哪些结构可以用来实现反相器？( )
A. PMOS晶体管
B. NMOS晶体管
11. C
12A
16. B
17. A
18. A
19. C
20. B
二、多选题
1. ABD
2. AB
3. AD
4. AB
5. AB
6. AB
7. ABCD
8. AB
9. ABCD
10. AC
11. ABC
电子工艺试卷A-B
电子工艺试卷A-B《电子整装配工艺》模拟试卷A2010年1月一：填空题（每空1分，共25分）1. 表面安装技术SMT又称表面贴装技术或表面组装技术，它是一种无须对PCB(印制电路板)钻插装孔而直接将表面贴装元器件（无引脚或短引脚的元器件）贴焊到PCB表面规定位置上的装联技术。
2. 锡膏是由合金焊料粉（又称焊粉）和糊状助焊剂均匀搅拌而成的膏状体，是SMT工艺中不可缺少的焊接材料，是再流焊工艺的基本要素，提供清洁表面所必须的焊剂和最终形成焊点的焊料。
3. 覆铜板是用减成法制造印刷电路板的主要材料。
所谓覆铜板，全称为覆铜箔层压板，就是经过粘接、热挤压工艺，使一定厚度的铜箔牢固地附着在绝缘基板上的板材。
铜箔覆在基板一面的，叫做单面覆铜板；覆在基板两面的称为双面覆铜板。
4. 贴片胶是应用于表面组装的特种胶黏剂，又称为表面组装用胶黏剂。
其作用是把表面安装元器件固定在PCB上，以使其在装配线上传送、波峰焊的过程中避免脱落或移位。
5. 在SMT中使用贴片胶时，一般是将片式元器件采用贴片胶粘合在PCB表面，并在PCB另一面上插装通孔元件，然后通过波峰焊就能顺利地完成装配工作。
这种工艺又称为“混装工艺”。
6. 表面安装元器件俗称无引脚元器件，问世于20世纪60年代。
习惯上人们把表面安装无源器件（如片式电阻、电容、电感）称之为SMC(Surface Mounted Componets),而将有源器件（如小型晶体管SOT及四方扁平组件QFP等）称之为SMD(Surface Mounted Devices).7. 电容器的标称容量和允许误差的表示方法有直标法、文字符号法、色标法和数码表示法等。
8. 变压器一般由铁心和线包（线圈）两部分组成。
变压器的主要特性参数有变压比、额定功率和温升、效率、空载电流、绝缘电阻等。
9. 单列直插式(SIP) 集成电路引脚识别：以正面（印有型号商标的一面）朝自己，引脚朝下，引脚编号顺序从左到右排列。
光电子集成电路设计与制造考核试卷
B.封装材料填充
C.真空封装
D.表面贴装
A.所有光电子集成电路都使用同一种材料
B.光电子集成电路可以使用多种不同的半导体材料
C.硅材料不适合用于光电子集成电路
D.只有砷化镓可以用于高速光电子集成电路
13.光电子集成电路设计中，以下哪项设计考虑的是减少信号损耗？( )
A.增加波导长度
B.减小波导宽度
C.优化波导弯曲半径
D.提高波导材料损耗
14.光电子集成电路制造过程中，以下哪种工艺主要用于形成光波导？( )
光电子集成电路设计与制造考核试卷
考生姓名：__________答题日期：_______得分：_________判卷人：_________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.光电子集成电路中，以下哪种材料最适合用于光发射？( )
A.材料纯度
B.哪些是光电子集成电路的常见应用？( )
A.光纤通信
B.光网络
C.光计算
D.传统电子设备
13.光电子集成电路中的光探测器主要有以下哪些类型？( )
A.硅光电池
B.雪崩光电二极管(APD)
C.光电晶体管
D.热探测器
14.光电子集成电路制造过程中的光刻工艺包括以下哪些步骤？( )
D.铜(Cu)
6.光电子集成电路中的光波导可以由以下哪些材料制成？( )
A.硅(Si)
B.砷化镓(GaAs)
C.聚合物
D.玻璃
7.以下哪些技术可以用于光电子集成电路的测试？( )
A.光谱分析
B.时域反射测量
C.电流-电压特性分析
D.扫描电子显微镜
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试试题(题库版)
电子与通信技术：集成电路工艺原理考试试题（题库版）1、判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
正确答案：错2、判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作p（江南博哥）n结，取而代之的是离子注入。
正确答案：对3、判断题人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。
正确答案：对4、问答题倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？正确答案：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。
先整体形成UBM层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。
电镀形成了厚的凸点。
印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。
印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。
可用Au丝线或者Pb基的丝线。
化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。
5、问答题简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。
正确答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。
A.关于ECMP（电化学机械研磨方法），其工作步骤如下：首先，用电能使Cu氧化，再用络合剂使之生成Cu的络合物，最终研磨掉Cu络合物。
从对加工面进行研磨加工的原理观察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同样的，而且加工面获得的平坦度性能也是同等水平。
但是，ECMP的必要条件是底座盘应具备导电性。
B.关于电解研磨ECP方法，利用电镀的逆反应。
从电场集中之处开始进行刻蚀，可获得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蚀平坦的区域只限于突起部分。
C.关于化学蚀刻CE构成的平坦化技术，它是把Si的精细加工等领域里使用的各向异性刻蚀用湿式刻蚀法实现的。
电子专用设备的多功能集成技术考核试卷
C.生产效率
D.设备维护成本
10.以下哪些技术可以被集成到电子专用设备中？（）
A.智能视觉检测
B.机器人控制
C.云计算服务
D.物联网通信
11.电子专用设备多功能集成技术的推广需要以下哪些支持？（）
A.技术人才
B.资金投入
C.市场需求
D.法规标准
12.以下哪些设备可能采用电子专用设备多功能集成技术？（）
A.电子制造
B.汽车制造
C.医疗器械
D.新能源
16.以下哪些条件是电子专用设备多功能集成技术成功实施的基础？（）
A.清晰的市场定位
B.高效的技术团队
C.充足的资金支持
D.稳定的供应链ห้องสมุดไป่ตู้
17.以下哪些技术趋势对电子专用设备多功能集成技术有重要影响？（）
A. 5G通信
B.大数据
C.人工智能
D.物联网
18.电子专用设备多功能集成技术在提升企业竞争力方面的作用包括以下哪些？（）
8.为了确保电子专用设备多功能集成技术的顺利实施，企业需要具备一定的______和技术储备。
9.在电子专用设备的多功能集成中，硬件的______和软件的兼容性是设计时需要考虑的关键因素。
10.电子专用设备多功能集成技术的发展，将推动相关产业向更加______和高效的方向发展。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
A.技术水平
B.设备投资成本
C.市场需求
D.操作人员素质
5.多功能集成技术在电子专用设备中的实现依赖于以下哪些条件？（）
A.高性能的硬件
B.高效率的软件
C.精准的传感器
电力电子器件的多功能集成设计考核试卷
四、判断题
1. √
2. ×
3. ×
4. ×
5. ×
6. ×
7. √
8. ×
9. √
10. ×
五、主观题（参考）
1.电力电子器件多功能集成设计意味着将多种功能集成在一个器件中，提高了功率密度，降低了成本和体积。例如，在电动汽车中，集成了电机控制、电池管理和能量回收功能的电力电子器件。
2.开关损耗主要由器件在导通和断开过程中产生的热量造成。减少损耗的方法包括使用软开关技术、优化器件设计、提高开关频率等。
1.电力电子器件的多功能集成设计可以提高系统的稳定性和可靠性。（）
2.在电力电子器件中，MOSFET的开关速度低于IGBT。（）
3.电力电子器件的并联可以提高其电压处理能力。（）
4.热设计在电力电子器件的多功能集成设计中不是很重要。（）
5.电力电子器件的驱动电路对器件的性能没有影响。（）
6.在电力电子器件中，硬开关技术可以减小开关损耗。（）
A.二极管
B.晶体管
C. IGBT
D. SCR
2.多功能集成设计电力电子器件的目的是什么？（）
A.提高效率
B.降低成本
C.减小体积
D.所有以上选项
3.以下哪个不是电力电子器件的主要功能？（）
A.整流
B.逆变
C.驱动
D.显示
4.在电力电子器件中，MOSFET的英文全称是什么？（）
A. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
B.充电设施
C.电机控制器
D.能量回收系统
17.以下哪些技术可以用于提高电力电子器件的抗干扰能力？（）
集成电路工艺原理（考试题目与答案_广工版）
集成电路工艺原理（考试题目与答案_广工版）1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？答：包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
2、切片可决定晶片的哪四个参数/答：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。
3、硅单晶研磨清洗的重要性。
答：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率45、什么是低K材料？答：低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料46、与Al 布线相比，Cu 布线有何优点？答：铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。
4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？清洗顺序？答：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀，腐蚀的方法有哪些？答：工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染腐蚀方式：喷淋及浸泡6、CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？答：包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。
表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光7、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？答：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。
8、何谓掺杂？答：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。
9、何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？答：连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。
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淮海工学院
10 - 11 学年第 1 学期科学计算与仿真上机试卷(B)
1．创建四行三列的１矩阵，变量名自定。
(5分)
2．求解算术表达式（20-2e2）÷34 的值，并给出过程。
(5分)
3．求方程6+5x-2x2+x4=0的根，并给出过程。
(5分)
答案：
4．解线性方程组：（10分）
⎪
⎩
⎪
⎨
⎧
=
+
=
+
=
3
6y
7x
6
2z
6y
8
3z
-
2y
-
4x
5．求x
x
e
f x)
(2+
=，x＝2时的值。
（10分）
１
２
6．求微分方程0222=++y dx
dy
dx y d 在满足y(0)=0, y ’ (0)=1的解。
（5分）
二、函数与绘图题（本大题共2小题，共计20分）
1．采用图形窗口分割方法，在不同窗口进行绘图，要求写出Matlab 绘图语句。
0≤t ≤2π，y1=sin(2t); y2=cos(t); y3= sin(2t)cos(t+π/2); y4= cos(t)cos(t+π); (10分)
2．用plot(w,q)命令绘制矩阵w 与q 的曲线如图所示，试确定w 和q 的值。
(10分
)
三、综合应用题（本大题共4小题，计40分，每小题10分）
1．给定系统
(1) 利用matlab建立控制系统的数学模型。
（10分）
(2) 计算上述系统的传递函数。
（10分）
(3) 绘制系统的单位跃响响应曲线。
（10分）
(4) 在Simulink中建立上述闭环系统的模型。
（10分）
３。