新型半导体材料GaN简介

新型半导体材料GaN

GaN 的发展背景

GaN 材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被

誉为是继第一代Ge、Si 半导体材料、第二代GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

在宽禁带半导体材料中，氮化镓由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰，发展较为缓慢，但进入90 年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展，GaN 半导体及器件的发展十分迅速，目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。

GaN 的特性

具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700 C, GaN 具有高的电离度，在in—V族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN 晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有 4 个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。在室温下，GaN

不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。

NaOH、H2SO4

和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN,可用于这些质量不高的

GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n 型,最好的样品的电子浓度约为4X1016/cm3 。一般情况下所制备的P 型样品，都是高补偿的。

很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率

数据在室温和液氮温度下分别为卩n=600cm2/v和屯n=500cm2/v s,•相应的载

流子浓度为n=4 X1016/cm3和n=8 X1015/cm3。未掺杂载流子浓度可控制在

1014〜1020/cm3范围。另外，通过P 型掺杂工艺和Mg 的低能电子束辐照或热 退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011〜1020/cm3范围。人们关注的GaN 的特 性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。 Maruska 和Tietjen 首先精确地测量 了 GaN 直接隙能量为3.39eV 。几个小组研究了 GaN 带隙与温度的依赖关系，

Pankove 等人估算了一个带隙温度系数的经验公式： dE/dT= — 6.0 X I0 —

4eV/k 。

Mon emar 测定了基本的带隙为 3.503eV ±.0005eV ，在 1.6kT 为 Eg=3.503+

（5.08 X 0 — 4T2）/（T — 996） eV 。

GaN 材料的优点与长处

①禁带宽度大（3.4eV ），热导率高（1.3W/cm-K ），贝U 工作温度高，击穿电

压高，抗辐射能力强；

②导带底在r 点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散 射，

从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；

③GaN 易与AIN 、InN 等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温 下迁

移率达到105cm2/Vs 的2-DEG （因为2-DEG 面密度较高，有效地屏蔽了光 学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素）；

④晶格对称性比较低（为六方纤锌矿结构或四方亚稳的闪锌矿结构），具有 很强

的压电性（非中心对称所致）和铁电性（沿六方 c 轴自发极化）：在异质结 界面附近产生很强的压电极化（极化电场达 2MV/cm ）和自发极化（极化电场达

3MV/cm ），感生出极高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强 了对2-DEG 的二维空间限制，从而提高了 2-DEG 的面密度（在AlGaN/GaN 异质 结中可达到1013/cm2， 件工作很有意义。

总之，从整体来看， 其有效输运性能并不亚于 上）还往往要远优于现有的一切半导体材料。

GaN 器件制造中的主要问题

一方面，在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输 运性

这比AIGaAs/GaAs 异质结中的高一个数量级），这对器 GaN 的优点弥补了其缺点，特别是通过异质结的作用，

GaAs ，而制作微波功率器件的效果（微波输出功率密度

质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。

另一方面，现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作为衬底）技术生长出的

GaN单晶，还不太令人满意（这有碍于GaN器件的发展），例如位错密度达到了108~1010/cm2 （虽然蓝宝石和SiC与GaN的晶体结构相似，但仍然有比较大的晶格失配和热失配）；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017cm-3 （可能与N空位、替位式Si、替位式O等有关），并呈现出n型导电；虽然容易实现n型掺杂（掺Si可得到电子浓度1015~1020/cm3、室温迁移率＞300 cm2/ V.S的n型

GaN ），但p型掺杂水平太低（主要是掺Mg），所得空穴浓度只有

1017~1018/cm3，迁移率＜10cm2/V.s，掺杂效率只有0.1%~1% （可能是H 的补偿和Mg的自身电离能较高所致）。

GaN器件制造中的主要问题

因为GaN是宽禁带半导体，极性太大，则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触，这是GaN器件制造中的一个难题，故GaN器件性能的好坏往往与欧姆接触的制作结果有关。现在比较好的一种解决办法就是采用异质结，首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些，然后再采用高掺杂来实现欧姆接触，但这种工艺较复杂。总之，欧姆接触是GaN器件制造中需要很好解决的一个主要问题。

GaN的制备

GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，可逆的反应方程式为：Ga + NH3=GaN + 3/2H 2生长GaN需要一定的生

长温度，且需要一定的NH3分压。人们通常采用的方法有常规MOCVD（包括APMOCVD LPMOCVD）等离子体增强MOCVD （PE—MOCVD）和电子回旋共振辅助MBE等。需的温度和NH3分压依次减少。本工作采用的设备是AP—MOCVD, 反应器为卧式，并经过特殊设计改装。用国产的高纯TMGa及NH3作为源程序材料，用DeZn作为P型掺杂源，用（0001 ）蓝宝石与（111）硅作为衬底采用高频感应加热，以低阻硅作为发热体，用高纯H2作为MO源的携带气体。用高纯N2作为生长区的调节。用HALL测量、双晶衍射以及室温PL光谱作为GaN的质量表征。要想生长出完美的GaN，存在两个关键性问题，一是如何能避免NH3

和TMGa的强烈寄生反应，使两反应物比较完全地沉积于蓝宝石和Si衬底上，二是怎样生长完美的单晶。为了实现第一个目的，设计了多种气流模型和多种形式的反应器，最后终于摸索出独特的反应器结构，通过调节器TMGa管道与衬底的