半导体材料的分类及应用
半导体原材料有哪些种类
半导体原材料种类解析
在半导体产业中，原材料的选择至关重要，不同种类的半导体原材料在半导体
制造过程中起着不同的作用。
本文将介绍几种常见的半导体原材料种类及其特点。
硅(Silicon)
硅是半导体行业中最为常见的原材料之一，被广泛用于制造半导体器件。
硅具
有良好的半导体特性和稳定性，常用于制造晶体管、集成电路等半导体器件。
硼(Boron)
硼是另一种常见的半导体原材料，通常与硅混合使用，形成p型半导体材料。
硼掺杂的硅材料在半导体器件中具有重要作用，可用于调控半导体器件的电子性能。
砷(Arsenic)
砷是一种常用的n型掺杂剂，可用于制备n型半导体材料。
砷掺杂的硅材料通常用于制造光电器件、太阳能电池等。
氮(Nitrogen)
氮是另一种常见的半导体原材料，通常用于制造氮化镓等宽禁带半导体材料。
氮化镓具有较高的载流子迁移率和热导率，被广泛应用于微波器件、通信器件等领域。
磷(Phosphorus)
磷是一种常见的n型掺杂剂，可用于制备n型半导体材料。
磷掺杂的硅材料在制造光电器件、太阳能电池等方面具有重要应用。
以上是几种常见的半导体原材料种类，当然还有许多其他原材料在半导体行业
中也扮演着重要角色。
不同种类的半导体原材料在半导体器件制造过程中发挥着各自独特的作用，共同推动半导体产业的发展。
希望通过本文的介绍，读者能对半导体原材料的种类有更加深入的了解，进一
步认识半导体产业的多元发展。
半导体材料分类
半导体材料分类
半导体材料是一种特殊的材料，它在电学和光学特性上介于导体和绝缘体之间。
根据材料的性质和用途，半导体材料可以分为以下几类：
1. 硅基半导体材料：硅是最常用的半导体材料之一，它在电子学和光电子学中都有广泛的应用。
硅基半导体材料可以分为单晶硅、多晶硅和非晶硅等。
2. III-V族半导体材料：III-V族半导体材料具有较高的电子迁移率和较低的禁带宽度，适用于高速电子器件和光电器件的制造。
常见的III-V族材料包括氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)等。
3. II-VI族半导体材料：II-VI族半导体材料的禁带宽度较窄，适用于制造发光二极管(LED)和半导体激光器等光电器件。
常见的
II-VI族材料包括氧化锌(ZnO)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)等。
4. IV-VI族半导体材料：IV-VI族半导体材料的禁带宽度较宽，适用于太阳能电池等的制造。
常见的IV-VI族材料包括硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)等。
5. 化合物半导体材料：化合物半导体材料是由两种或多种元素组成的化合物，具有特殊的电学和光学特性。
常见的化合物材料包括氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、磷化铝(AlP)等。
不同的半导体材料具有不同的特性和应用领域，它们在电子学、光电子学、能源等领域都有广泛的应用。
什么叫半导体材料有哪些
什么叫半导体材料有哪些半导体材料是一类具有介于导体和绝缘体之间的电学性质的材料。
它们在电力分配、发光二极管（LED）等领域中发挥着重要作用。
半导体在当今的数字电子设备和信息技术领域中扮演了关键角色。
半导体材料的分类1.硅(Si)：硅是最常用的半导体材料之一，广泛应用于电子器件制造。
其原子结构稳定，制备成本相对较低，且具有良好的半导体性能。
2.锗(Ge)：锗也是一种常见的半导体材料，通常在高温下运行，用于特定领域的应用，如红外检测。
3.砷化镓(GaAs)：砷化镓属于III-V族化合物半导体，具有较高的电子迁移率和较高的截止频率，适用于射频和微波器件。
4.氮化镓(GaN)：氮化镓是一种宽禁带半导体，用于制造高功率、高频率的微波和光电子器件。
5.磷化铟(InP)：磷化铟是一种重要的III-V族化合物半导体材料，适用于光电子器件制造。
6.硒化锌(ZnSe)：硒化锌是一种II-VI族化合物半导体，用于制造光学器件和蓝光LED。
半导体材料的特性半导体材料具有以下特性：1.导电性可控：通过掺杂和半导体材料的特殊结构，可以调控其导电性质，从而制造出各种类型的电子器件。
2.光电性能：部分半导体材料具有光电转换特性，可用于制造太阳能电池、LED等光电子器件。
3.带隙：半导体材料具有一定大小的能带隙，使其在特定条件下能够导电，但又不会像金属那样导电性过高。
4.热稳定性：部分半导体材料在高温下能够保持稳定性，适用于高温环境下的应用。
总的来说，半导体材料在现代电子行业中具有重要的地位，而不同种类的半导体材料具有不同的特性和应用范围。
通过不断地研究和创新，半导体材料的性能和应用领域将会不断扩大和深化。
半导体 分类
半导体分类
半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
根据半导体的具体性质和用途，可以将其分为以下几类：
1. 基础半导体：基础半导体是指具有半导体特性的单一材料。
常见的基础半导体包括硅、锗、碲等。
2. 掺杂半导体：为了调节半导体的电性能，可以向其中掺入少量的杂质。
掺入少量的五价元素（如磷）会使半导体中出现多余的电子，形成n型半导体；而掺入少量的三价元素（如硼）会使半导体中出现少量的空穴，形成p型半导体。
3. 复合半导体：复合半导体通常由两种或两种以上不同的基础半导体通过特定的工艺方法组合而成。
复合半导体的性能一般比单一的基础半导体好，可以应用在更广泛的领域中。
4. III-V族半导体：III-V族半导体是指由III族元素和V族元素组成的半导体材料。
常见的III-V族半导体有氮化镓、砷化镓等，这些材料已经广泛应用于高频电子器件、光电器件等领域。
5. II-VI族半导体：II-VI族半导体是指由II族元素和VI族元素组成的半导体材料。
常见的II-VI族半导体有硫化锌、硒化镉等，这些材料在太阳能电池、蓝绿光发光二极管等领域有广泛的应用。
总之，半导体具有广泛的应用前景，不同类型的半导体材料和器件在不同的领域中都有着独特的应用价值。
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半导体主要材料有哪些
半导体主要材料介绍
半导体作为一种重要的材料，在电子行业中扮演着至关重要的角色。
它的特性使得半导体在电子学、光电子学、计算机科学等领域中有着广泛的应用。
本文将介绍半导体的主要材料种类，以便更好地了解半导体材料的特性和应用。
硅（Silicon）
硅是最常见且应用最广泛的半导体材料之一。
它具有良好的半导体特性，化学稳定性高，且价格相对较低。
硅半导体广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
硒化镉（Cadmium Selenide）
硒化镉是一种II-VI族半导体材料，具有优良的光电特性。
它在红外探测、半导体激光器等领域有着重要的应用。
砷化镓（Gallium Arsenide）
砷化镓是一种III-V族半导体材料，其电子迁移率高，适用于高频器件和微波器件。
砷化镓在通信领域和光电子领域中具有广泛的应用。
硒化铟（Indium Selenide）
硒化铟是一种III-VI族半导体材料，具有光电性能优异的特点。
硒化铟在太阳能电池、红外探测等领域有着重要的应用。
氧化锌（Zinc Oxide）
氧化锌是一种广泛应用的半导体材料，具有优良的透明导电性能，适用于透明电子器件、柔性显示屏等领域。
以上介绍了几种常见的半导体材料，每种材料都具有独特的性能和应用特点。
随着科学技术的不断发展，半导体材料的研究和应用也将不断深化，为现代电子科技的发展提供有力支撑。
(完整版)半导体材料的分类_及其各自的性能汇总
其中晶态半导体又可以分为单晶半导体和多晶半导体。
上述材料中，锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)都是单晶，是由均一的晶粒有序堆积组成；而多晶则是由很多小晶粒杂乱地堆积而成。
对于非晶态半导体，有非晶态硅、非晶态锗等，它们没有规则的外形，也没有固定熔点，内部结构不存在长程有序，只是在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列，称作短程有序。
另外，在实际应用中，根据半导体材料中是否含有杂质，又可以将半导体材料分为本征半导体和杂质半导体。
在下面的章节中将会介绍，杂质的存在将对材料的性能产生很大的影响。
二. 半导体材料的结构及其性能1.几种半导体材料的结构1.1金刚石结构型材料Si、Ge等Ⅳ族元素有4个未配对的价电子，每个原子只能与周围4个原子共价键合，使每个原子的最外层都成为8个电子的闭合壳层，因此共价晶体的配位数(即晶体中一个原子最近邻的原子数)只能是 4。
方向性是指原子间形成共价键时，电子云的重叠在空间一定方向上具有最高密度，这个方向就是共价键方向。
共价键方向是四面体对称的，即共价键是从正四面体中心原子出发指向它的四个顶角原子，共价键之间的夹角为109°28′，这种正四面体称为共价四面体，见图 1.2。
图中原子间的二条连线表示共有一对价电子，二条线的方向表示共价键方向。
共价四面体中如果把原子粗略看成圆球并且最近邻的原子彼此相切，圆球半径就称为共价四面体半径。
单纯依靠图1.2那样的一个四面体还不能表示出各个四面体之间的相互关系，为充分展示共价晶体的结构特点，图1.3(a)画出了由四个共价四面体所组成的一个Si、Ge晶体结构的晶胞，统称为金刚石结构晶胞，整个Si、Ge晶体就是由这样的晶胞周期性重复排列而成。
它是一个正立方体，立方体的八个顶角和六个面心各有一个原子，内部四条空间对角线上距顶角原子1/4对角线长度处各有一个原子，金刚石结构晶胞中共有8个原子。
金刚石结构晶胞也可以看作是两个面心立方沿空间对角线相互平移 1/4 对角线长度套构而成的。
半导体材料的应用及发展趋势
和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并 逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超 晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制 成功，彻底改变了光电器件的设计思想，
使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能 带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从 原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强 大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政
物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元 素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的 形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是
重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的 热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、
用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。 水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向 结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体 单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片
、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部 或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶 薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子 束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外
sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它 的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂 的无机化合物。3、有机化合物半导体：已知的有机半
导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一 些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。4、 非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大 区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
半导体材料及其在电子器件中的应用
半导体材料及其在电子器件中的应用随着科技的不断发展，电子器件已经成为人们生活中不可或缺的一部分。
这些电子器件承载着人们的生活和工作，带来了瞬息万变的数字化世界。
而半导体材料则是这些电子器件中的核心材料。
半导体材料具有众多优良的物理、化学和电学性质，其应用领域广泛，不仅包括电子学、光电学、微电子学、信息技术等领域，也涉及到环保、绿色能源、新材料等方面。
本文将介绍半导体材料及其在电子器件中的应用。
一、半导体材料的种类半导体材料按照不同的研究对象和制备方法可以分为元素半导体、化合物半导体、有机半导体等类型。
元素半导体：元素半导体是由仅含有一个元素的半导体材料。
其中，硅（Si）是应用最广泛的元素半导体，还有锗（Ge）、金属铟（In）、碲（Te）等。
元素半导体的优点是价格相对较低，制备更加容易。
化合物半导体：化合物半导体是由至少两个不同种元素组成的半导体材料。
其中，III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体最为常见。
III-V族化合物半导体包括氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等；II-VI族化合物半导体包括氧化锌（ZnO）等。
化合物半导体的优点是在氧化物、硅等较差的条件下，具有很好的电学性能和光学特性。
有机半导体：有机半导体特指以有机分子为主要成分的半导体材料。
有机半导体的制备工艺相对简单，具有很高的柔性、透明度和低成本等优点。
但是，其电学性能相对较差，应用范围较窄。
二、半导体材料在电子器件中的应用半导体材料是电子器件中最重要的组成部分之一。
其应用范围涉及到光电子器件、微电子器件、传感器、能源、环保等领域。
下面将分别介绍一些典型的应用。
1. 半导体二极管半导体二极管是一种最简单的电子器件。
它由P型半导体和N型半导体构成，具有单向导电性。
半导体二极管广泛应用于电源、电视机、收音机等电器中。
由于其各项性能优异，在高频电子领域、光电子领域以及光伏发电领域都得到了广泛应用。
2. 电子器件中的微处理器微处理器是一种内置计算机内存和逻辑控制电路的电子器件，被广泛地应用于计算机、手机、家电等产品中。
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半导体材料的分类及应用————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期:ﻩ半导体材料的分类及应用能源、材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱。
材料方面, 电子材料的进展尤其引人注目。
以大规模和超大规模集成电路为核心的电脑的问世极大地推动了现代科学技术各个方面的发展,一个又一个划时代意义的半导体生产新工艺、新材料和新仪器不断涌现, 并迅速变成生产力和生产工具，极大地推动了集成电路工业的高速发展。
半导体数字集成电路、模拟集成电路、存储器、专用集成电路和微处理器，无论是在集成度和稳定可靠性的提高方面, 还是在生产成本不断降低方面都上了一个又一个新台阶,有力地促进了人类在生物工程、航空航天、工业、农业、商业、科技、教育、卫生等领域的全面发展, 也大大地方便和丰富了人们的日常生活。
半导体集成电路的发展水平, 是衡量一个国家的经济实力和科技进步的主要标志之一, 然而半导体材料又是集成电路发展的一个重要基石。
“半体体材料”作为电子材料的代表，在生产实践的客观需求刺激下, 科技工作者已经发现了数以千计的具有半导体特性的材料, 并正在卓有成效在研究、开发和利用各种具有特殊性能的材料。
1 元素半导体周期表中有12 种具有半导体性质的元素( 见下表) 。
但其中S、P、As、Sb 和I 不稳定，易发挥; 灰Sｎ在室温下转变为白Sn, 已金属；Ｂ、Ｃ的熔点太高, 不易制成单晶; T e 十分稀缺。
这样只剩下Sｅ、Ge 和Ｓi 可供实用。
半导体技术的早期( ５0 年代以前) 。
表1 具有半导体性质的元素周期ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA ⅦAＢＣＳ i P ＳGe Aｓ S eＳｎSb Te IＳe 曾广泛地用作光电池和整流器, 晶体管发明后,Ｇe 迅速地兴起, 但很快又被性能更好的Si 所取代。
现在Se 在非晶半导体器件领域还保留一席之地，Ge 在若干种分立元件( 低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器等) 中还被应用, 而Si 则一直是半导体工作的主导材料, 这种情况预计到下个世纪初也不会改变。
Si 能成为主角的原因是：含量极其丰富( 占地壳的2７%） , 提纯与结晶方便; 禁带宽度1. １2eV，比Ge 的0．66eＶ大, 因而Sｉ器件工作温度高; 更重要的是ＳiO２膜的纯化和掩蔽作用, 纯化作用使器件的稳定性与可靠性大为提高,掩蔽作用使器件的制和实现了平面工艺，从而实现了大规模自动化的工业生产和集成化，使半导体分立器件和集成电路以其低廉的价格和卓越的性能迅速取代了电子管，微电子学取代了真空电子学, 微电子工程成为当代产业中的一支生力军。
据报导, １995 年世界半导体器件销售额为1464 亿美元，硅片销费量约为30．０亿平方英寸, 19９6 年市场规模为１８51 亿美元, 增长了26．4%, 消费硅片则达３3. 4６亿平方英寸。
硅材料分为多晶硅, 单晶硅和非晶硅。
单晶硅分为直拉单晶硅( CZ) 、区熔单晶硅( FZ) 和外延单晶硅片（ EPI）。
其中, ＣZ 单晶硅的特点是直径大、机械强度高、电阻率低、氧含量较高, 主要用于制造集成电路、晶体管、低电压小功率二极管、传感器和太阳能电池； FZ 单晶硅的特点是电阻率高、补偿度小、少数载流子寿命长、NT D 单晶硅电阻率均匀性好，主要用于电力电子器件( SR、SCR、ＧTO 等) 高反压晶体管和射线探测器；外延单晶硅片的特点是薄膜单晶、气相生产表面, 主要用于各种类型晶体管，近年来为克服集成电路的软失效（Sｏ ft er ｒｏr ) 和锁存效应（Ｃatｃh uｐ）, 用于高速ＣＭ OS电路；浇铸多晶硅和淀积或溅射非晶硅，主要用于低成本太阳能电池。
为提高计算机的贮存容量的速度以及不断地降低成本, 要求其贮存器芯片尽量减少每个元件的面积并提高集成度, 需要大面积无缺陷的硅单晶片作保证。
目前16 兆的动态随机贮存器( ＤRＡM ）及０. 5 ｍ工艺已实现大批量生产， 64 兆位的DRAM 正在开发, 预计２０00 年将生产出IG 的DRAM。
与此相应, 硅材料制备技术已达到十分完美的程度。
５英寸和6 英寸的硅单晶片已占硅片生产总量的7０%以上, 19９４年以后世界各国都在大力扩大8 英寸片的生产能力, 1２英寸的单晶硅也已问世。
另方面，高压大功率器件的发展, 区熔硅单晶生产水平也有很大提高, 4 英寸和5 英寸区熔硅单晶已可工业化生产, 6 英寸的也已研制成功, 并投入生产。
2 化合物半导体及其固溶体人们在探索元素半导体以外的半导体材料的努力中，很自然地把目标转向化合物材料。
50 年代就开始了对化合物半导体的研究，195２年ＷelkeV 首先把Ⅲ—Ⅴ化合物半导体作为新的重要半导体族,现在已经发现了许多种具在半导体性质的化合物, 包括Ⅰ族与Ⅴ、Ⅵ、Ⅶ族; Ⅱ族与Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ、Ⅶ族；Ⅲ族与Ⅴ、Ⅵ族; Ⅳ族与Ⅳ、Ⅵ族；Ⅴ族与Ⅵ族; Ⅵ族与Ⅵ族的许多化合物。
但这当中有实用价值或工艺上目前达到实用阶段的并不多，主要集中在Ⅲ—Ⅴ及Ⅱ—Ⅵ族化合物及其多元固溶体上。
早期( 上世纪末至二战前）曾广泛使用的天然矿石检波器（方铅矿、黄铁矿、闪锌矿) 及Ｃu2O 整流器是人们最早使用的化合物半导体, 如今只有史料价值了。
2. 1 Ⅲ—Ⅴ族化合物及其固溶体半导体Ⅲ—Ⅴ族合化物指周期表中Ⅲ—A( Ｂ、Ａl、Ｇa、I n)与VA( N、P、Aｓ、Sb) 族元素构成的1６种化合物, 但B系及Ｎ系化合物由于制备困难、能源过宽以及自补偿效应等原因，只BN 及AIN 有一些研究报导。
Al 系化合物一般不稳定、易潮解, 只在三元系固溶体中作为一个组元而被使用。
因此, 研究得较多的是Ｇa、I n 与As、P和Sｂ的化合物，尤其是GaAs 和InP。
ＧaAs 的能隙为１． 4３ｅV, 因而有比Sｉ更高的使用温度( 可达40０℃) , 其载流子电子的迁移率是Ｓi 的6倍，是制作高速器件的理想材料，此外其抗辐射能力也比Si 强。
因此在高速集成电路的领域已向硅提出了强有力的挑战。
目前构成砷化镓基超高速集成电路（GａＡsVHSIC）的主要器件是GaAs MESFET ( 金属半导体场效应晶体管) 、HEMT ( 高电子迁移率晶体管) 和ＨBT( 异质结双极晶体管) 。
GaＡｓＭESFET 是19７4 年研制成功的，在GaAs VHSＩC 中用得最多，也是最基本的有源器件。
HEM T 和ＨBT 分别在1980 年和19８4 年问世, 它们都是采用ＭBＥ( 分子束外延）或MOCVＤ( 金属有机化学汽相淀积) 技术制得的。
GaＡs VHSIC 的发展借鉴了Ｓi- IC 的经验，例如CAD 技术、全离子注入平面结构、干法刻蚀、难熔金属栅或替代式栅自对准工艺等。
砷化镓集成电路的制作水平已达 1０0mm 的圆片和0． 4 m 线宽，数字电路3５万门的产品已投入市场。
在固体微波器件领域, 微波频率的低端( 4ＧHｚ以下) Si双极晶体管是功率器件的主流，在4GＨz 以上, 微波固态功率源则是以ＧaAs ＭEＳFET 器件为主流产品，并且借用MBE、MOＣVD 等高质量超薄层生长技术以及亚微米微细加工技术, HEM T 及HＢT 等微波和毫米波新器件得到很大发展，基保ＧaAs、InP 及AlGaAs 等Ⅲ- Ⅴ族材料的优越性能得到了充分利用。
而IｎP 在许多方面呈现出比ＧaAｓ更好的特性, 它的主要特性是:速度高、耐辐射，可进行光化学蚀刻，频率高, 导热性好, 击穿场强高。
现业已证实, IｎP 制造的晶体管与用其它任何材料制造的器件相比其速度快50%。
IｎP 是制造高频器件、结型场效应晶体管、抗核辐射器件以及光电集成电路最有希望的基础材料。
由于电子战、雷达、通信和智能武器能军用要求, 以及移动通信、卫星通信和汽车通信等商用要求, 高频、高速、低噪、宽带大功率的小型可靠的半导体器件和电路成为发达国家竞相发展的重点, 微波毫米波单片集成电路（MＩＭＩC) 从8０年代以来得到迅速的发展，现在ＭIMＩC 电路已将微波电路本身的集成、微波与数字电路的集成以及微电子与光电子的集成结合在一起（宏单元电路） , Ｍ IMIＣ工艺已进入了3 英寸0．１ ｍ的水平。
半导体光电子器件包括半导体发光器件、光探测器件和光电子集成电路三大部分, 在这个领域，化合物半导体特别是Ⅲ- Ⅴ族材料起着十分重要的作用。
此外, 化合物半导体之间还能形成固溶体，又称混晶。
按组成元素的数目构成三元或四元固溶体。
组成多元固溶体的优点在于: 随着每种组元在固溶体中所占百分比的改变, 固溶体的许多性质会连续地改变，从而满足器件设计的需要。
由于社会的迅速信息化, 军事上对通信联络及武器装备高精度、高灵敏、小型化要求的刺激, 基于大面积超薄层外延生长( 超晶格量子陷结构）技术、微细加工技术的高性能光电子器件正迅速发展，例如高速化宽带宽光源和光电二极管、二维阵列表面光电子器件、光集成器件、大面阵高分辨率图象传感器和热成像器件等, 这些领域主要是化合物在大显身手。
下面是Sｉ、ＧaAs 和I nP 三种主要半导体材料的性质比较表2 SｉＧaAs 和I nP 基本物理性质比较Si GaＡｓ InP晶格常数 A 5. 491 ５．65３ 5. 86９密度ｋg/ ｃm3 2. 33×103 5. ３2×１03 4. 787×103 熔点℃ 1４１２12３7 1０62禁带宽度 eＶ 1. 119 1． 38 １. 2７晶体结构金刚石型闪锌矿型闪锌矿型晶系立方立方立方热导率W/ cm. K 0. ２1 0． 07 0．１0显微硬度 kg/ cm2 950 ７00±５０ 435±20熔点时的蒸汽压105Pa 6×10－６Pａs2+ Pas 4= ０. 98 ＰGa＝１０- 4 Pp2+ Ｐｐ４＝27. 5屈服应力 N/ mm2 —１. 9 1. ８堆垛层错能meV/ ａｔ om —４7 17２. 2 Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体及其固溶体Ⅱ－Ⅵ族化合物指周期表中ⅡB( Zn、Cｄ、Hｇ ) 与ⅥA( O、S、Sｅ、Tｅ ) 族元素构成的1２种化合物, 但因金属氧化物有其自身的共性, 常单独作为一类, 即氧化物半导体，故还有9 种。
它们都是直接带隙半导体, 能隙最大的是ZnＳ( 3． 6ｅV) 最小的是HgＴｅ（０． 0２eV) 。
由于Ⅱ- Ⅵ化合物的离子性质, 所以点缺陷浓度大, 这往往带来化学计量比的偏离。
点缺陷是带电的, 因此Ⅱ- Ⅵ化合物往往不需要掺杂, 就呈现出某种导电型号, 例如ZｎTｅ是p 型, CdSe 、ＺnSe、CdＳ等是n 型。