二维六角氮化硼光学性质的应变调控
氮化硼转移二维材料

氮化硼转移二维材料是指通过转移技术将单层或多层氮化硼材料从生长或合成的基底上转移到另一个基底上,形成可独立操作的二维材料片层。
氮化硼(BN)是一种由氮原子和硼原子组成的化合物,具有六方晶体结构。
类似于石墨烯,单层氮化硼材料也具有二维结构,被视为一种具有许多优异性能的二维材料。
它具有良好的热稳定性、电绝缘性、高导热性以及在制造电子器件和光电器件方面的潜在应用。
转移技术是将原始氮化硼材料从其生长基底上剥离,并转移到其他基底上的一种技术。
这种技术可以使用机械剥离、化学剥离或热剥离等方法来实现。
通过转移技术,可以将氮化硼材料片层精确地定位到所需的目标基底上,实现对其性质和应用的研究和开发。
氮化硼转移二维材料在电子学、光电子学和能源等领域具有广泛的应用前景。
例如,它可以用作柔性电子器件的基底材料,用于制造高性能的晶体管、光电二极管、光电探测器等器件。
此外,由于其高导热性质,氮化硼转移二维材料还可以应用于热管理、散热材料、高效能电子封装等领域。
然而,氮化硼转移二维材料的制备和应用仍面临一些挑战。
比如,转移过程中可能会导致材料的损伤或变形;对转移后的材料层的控制也需要进一步的改进。
因此,相关研究仍在进行中,以实现更稳定、可重复、高效的氮化硼转移二维材料的制备技术。
二维材料中的超导现象研究

二维材料中的超导现象研究随着科技的不断进步和发展,二维材料的应用越来越广泛,二维材料中的超导现象研究也备受关注。
二维材料是一种厚度只有一层原子或几层原子的材料,其具有优异的电子输运性质和独特的电学和光学性质,因此被广泛应用于电子器件、能源转换等领域。
超导现象是指材料在低温下电阻为零的现象。
二维材料中的超导现象相对比较复杂,其超导性质会受到多种因素的影响,如晶格畸变、掺杂、激发、外界磁场等。
因此,在二维材料中实现高温超导较为困难,但是科学家们已经取得了一定的进展。
目前,已有一些二维材料被发现具有超导性质,如钼硫属化合物MoS2、硫化钛TiS2、硫化钼MoS、硫化铝AlS、氮化硼BN等。
这些材料中的超导现象差异非常大,在不同材料中的超导临界温度(Tc)也有很大的差异。
其中,钼硫属化合物MoS2的超导临界温度最高,达到了10K以上。
除了已知的二维材料,科学家们还在积极寻找新的二维超导材料。
其中,石墨烯也是被广泛研究的超导材料之一。
虽然石墨烯本身并不具备超导性质,但是通过对其进行掺杂、应变或在其表面覆盖其他材料等方式,都可以使其展现出超导性质。
在二维材料中实现高温超导的关键在于寻找新的超导机制和提高材料的超导性能。
目前,已经有一些研究表明,在某些二维材料中,超导可能是由于弱电子对相互作用所引起的。
这种相互作用可以在二维材料中形成布洛赫波和库伦介电子耦合,从而导致超导现象的出现。
为了实现二维材料中的高温超导,科学家们还使用了新的技术和方法。
例如,他们使用了高压技术,将材料置于高压下,可以改变晶体结构,从而使超导临界温度得到提高。
此外,他们还尝试了通过叠加和交错不同材料的方式来创建新的复合二维材料,以期在其中发现高温超导。
总之,二维材料中的超导现象研究正在不断深入,尽管目前还面临着许多困难和挑战,但随着科研技术的不断提高和完善,相信很快会有更多的新发现和突破。
这些研究成果将为实现更高效的电子器件和能源转换技术提供强有力的支撑和保障。
二维层状氮化硼纳米材料的制备与应用研究进展

二维层状氮化硼纳米材料的制备与应用研究进展摘要:氮化硼二维纳米材料作为类石墨烯二维纳米材料的一种,在某些方面具有与石墨烯互补的性质,如较宽的带隙,更优良的化学稳定性、热稳定性,独特的紫外发光性能等,是制备电子器件绝缘膜、高温功率器件、紫外发光元件等元器件的理想材料。
氮化硼-石墨烯二维复合纳米材料极大提高了石墨烯的电导率和导热性,在超微型计算机,微电子机器人等方面具有广阔应用。
但由于其特殊的分子间作用力,氮化硼二维纳米材料的制备还存在许多问题。
近年来,氮化硼二维纳米材料制备技术的研究成为材料科学界的研究热点之一。
关键词:二维层状氮化硼纳米材料;制备应用;人们日常生活的物质基础是材料,纳米材料是众多材料中的一种,纳米材料可归分为两种,纳米超微粒子材料和纳米固体材料,得益于科学技术的飞速进步,纳米材料也有了很大的发展,当某些化学物质被制备成纳米级别的材料时,那么它就同时具有了本体和纳米材料的双重特性。
鉴于层状纳米材料具备较好的吸附能力,二维层状氮化硼纳米材料在催化和吸附方面的应用被人们广泛研究,因此,制备单层或多层氮化硼纳米材料显得尤为重要。
一、氮化硼纳米材料的制备氮化硼纳米材料的合成一般包含: “自下而上”和“自上而下”两种方法,自下而上法就是通过一种化学手段制备产物的方式,自上而下法就是剥离法,结合二维层状氮化硼纳米材料自身的特性和优点,对于合成方法的选择上,通常选用以下几种方法:1.机械剥离法。
将纳米银颗粒的溶液加入到二维层状氮化硼薄膜的分散液中,超声加热2h可以得到均匀负载纳米银颗粒的二维层状氮化硼薄膜溶液。
此时超声加热的时间也很重要,超声时间过长,则会破坏薄膜,时间过短的话,银颗粒则无法均匀负载。
在反应后,通过离心、清洗、干燥可以得到负载纳米银颗粒二维层状氮化硼薄膜,一种稳定的固体粉末。
然后将它与标准导热胶离心混合得到胶体。
将氮化硼与尿素放置于球磨机中研磨,取出后置于有机溶剂中,超声处理氮化硼使大切片变为小切片,分散液经过离心后处理得到二维纳米片,将纳米片放入数显恒温水浴锅,去除尿素得到氮化硼纳米材料。
六方氮化硼薄膜光学透反射性质研究

非对角元素分别为:
代生=0,
(13)
S =爲 cosa,
J = (叭 一 )sinacosa
(4)
=一 gjsina
(5)
在公式(2) ~ (5)中的 ^xx,和 £巧'是在 ”'y'z'
坐标系下的矩阵元素,它们分别等于
£*=E -fgEy + (£ + K;-
feJE, = 0.
(14)
色散方程中的E是天然双曲材料晶体内部的电
对于正常光部分,利用V -D = 0和公式
(14),得到薄膜内部x方向和y方向的场强与z 方向场强的关系:
T s偏振光入射时,六方氮化硼薄膜剩余频率带内的透反射性质.研究表明,在两
个剩余频率带内,反射率和透射率各自存在一个明显的反射谷和透射谷,且两者对 应的频率位置相同.通过改变主光轴与薄膜表面之间的夹角可以进一步调控反射 谷和透射谷对应的频率位置以及反射率与透射率的强度.另一方面,在两个剩余频 率带内,反射与透射存在非倒易性.
【关键词】天然双曲材料;六方氮化硼;透射率;反射率 中图分类号:0436 文献标识码:A文章编号:1000 - 5617(2019)06 - 0046 - 07
0引言
双曲材料是一种各向异性晶体,当入射光是 线偏振光时候,各向异性晶体内部可能会发生双 折射现象,其中一条折射光遵守普通的折射定 律,称作寻常光(或。光);另一条折射光不遵守 普通的折射定律,称作非常光(或e光),在晶体 表面的反射光也为线偏振光A3双曲材料因其 独特的光学性质,在许多领域都有广泛的应 用⑶,如纳米成像“旳、表面声子激化、光学 传感[,1-12].在主轴坐标系下,双曲材料的介电函 数张量是对角矩阵,沿着光轴方向的介电常数用 6表示,垂直于光轴方向的介电常数6表示.双 曲材料存在两个剩余频率带,在剩余频率带内 £冋< 0.因勺与£<的正负号不同,双曲材料可分 成两种类型:类型I是指沿着光轴方向的介电 常数可是负数,垂于光轴方向的介电常数6是正 数3 < o,6 > 0);类型n是指沿着光轴方向的
二维六方氮化硼基单光子源的有效产生方法及应用

二维六方氮化硼基单光子源的有效产生方法及应用固态单光子源在量子通讯、光子量子信息处理及量子计算等领域具有重要应用前景。
二维材料基单光子源可以实现高的光子提取率,且更容易集成到光子电路中,是单光子源领域的研究热点。
二维六方氮化硼(2D-hBN)是目前唯一可以在室温下发射单光子的二维宿主材料,且2D-hBN基单光子源的发射波长几乎覆盖整个可见光波长范围(380nm-780nm),是高性能单光子源的重要候选材料。
然而,目前2D-hBN基单光子源研究面临着各种挑战:(1)还未掌握有效产生2D-hBN单光子源的可靠方法;(2)2D-hBN单光子源的相关应用还处于探索中;(3)还未实现电驱动2D-hBN单光子发射结构。
针对以上问题,本文做了如下研究:(1)采用重离子(Ge~+、Ta~+)辐照的方法,用不同剂量的重离子束流辐照2D-hBN样品。
辐照后样品表征的数据显示:重离子辐照(Ge~+和Ta~+)可以在2D-hBN的中心区域(非褶皱或边缘)有效地产生单光子源,Ge~+和Ta~+辐照的最佳离子束流分别为3×10~94)9)/(88)~2·和1×10~84)9)/(88)~2·。
辐照区域中的2D-hBN本体晶体原子获得足够能量脱离正常格点的位置而产生空位缺陷,单个电子—空穴对在该缺陷中复合发射出一个光子。
当辐照束流小于最佳剂量时,由于其对2D-hBN损伤能力的减弱,不能有效地产生单光子相关的缺陷;而当辐照束流大于最佳剂量时,由于损伤能力较大,会使2D-hBN产生一些非单光子缺陷,因此会引入很大的背景发射,甚至淹没了单光子发射,从而使单光子的纯度降低。
此外,Ta~+辐照后的样品产生的单光子数量和纯度大都高于Ge~+辐照后的样品,主要是由于同一量级剂量下Ta~+的损伤能力(LET值为60)高于Ge~+的损伤能力(LET值为36)。
这一方法使2D-hBN可以有效地产生单光子。
氮化硼薄膜的微结构及光学性能研究

摘要氮化硼属于人工合成的III-V族半导体材料,而六方氮化硼作为良好的热导体和绝缘体的同时,与石墨烯的晶格也十分匹配,使其可以作为石墨烯器件的衬底或绝缘栅材料,在深紫外光电器件与大功率微电子器件领域有很广阔的应用前景。
因此,近年来,高质量六方氮化硼薄膜的生长与制备成为了研究热点,但是由于生长条件苛刻,较难获得表面平整,且高纯度、高结晶质量的厚六方氮化硼薄膜。
此外,目前对物理气相沉积法制备的六方氮化硼薄膜稳定性和微结构的研究较少。
本文通过射频磁控溅射的方法,在Si (100)基片上制备六方氮化硼薄膜,分别改变溅射时间、衬底温度、溅射功率、衬底负偏压和溅射气体中的氮氩比,利用傅里叶红外光谱仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪和X射线衍射仪等设备仪器对六方氮化硼薄膜样品的光学性质、结晶质量、形貌特点、元素组分等进行测试表征,得到不同工艺参数对六方氮化硼薄膜相关性能可能产生的影响。
制备得到了高质量六方氮化硼薄膜,主要工作包括以下几个部分:1.对比不同制备工艺对六方氮化硼薄膜稳定性的影响:(1)在制备薄膜之前通过提前高温烘烤真空腔体可以有效提高薄膜样品的稳定性,样品在空气中暴露72h 后依然为较纯的六方氮化硼;(2)通过此方法制备出的样品都具有高度c轴择优取向性,特征峰峰值位于26.8°。
2. 改变靶材进行溅射的时间(30 min~120 min),随着溅射时间的增加:(1)薄膜样品红外特征峰的强度越来越大,晶化质量越来越好,且在溅射初期,主要形成了c轴垂直于衬底的六方氮化硼薄膜;(2)薄膜样品的表面粗糙度越来越大,120 min时柱状颗粒的高度起伏最大,为8.3 nm;(3)薄膜样品的厚度呈线性增长,沉积速率在6 nm/min左右。
3. 改变衬底的沉积温度(100 ℃~400 ℃),随着衬底温度的上升:(1)薄膜样品红外特征峰的半高宽越来越小,晶化质量增强;(2)表面粗糙度越来越大,400 ℃时RMS值为3.265 nm,柱状颗粒的高度起伏达到最大值10.46 nm。
hbn调节层间激子发光_概述说明以及概述

hbn调节层间激子发光概述说明以及概述1. 引言1.1 概述本文旨在探讨HBN调节层间激子发光的机制和应用。
HBN(氮化硼)是一种具有优良电学、光学性质的二维材料,近年来引起了广泛研究兴趣。
它的独特结构和性质使得HBN成为一种潜在的层间激子发光调节材料。
本篇文章将深入探讨HBN如何通过调节层间激子发光来实现对其光电性能的调控。
1.2 文章结构本文将分为五个部分进行阐述。
首先是引言部分,其中对文章的主要内容和目的进行简单介绍。
接下来将详细解释HBN调节层间激子发光的原理与机制,并在第三部分进行概述说明,对这一技术在实际应用中的潜力进行论述。
随后进入正文部分,详细论述HBN调节层间激子发光过程中的要点一、要点二和要点三。
最后,在结论中总结全文观点,并提出未来可能的研究方向以及该技术可能带来的影响。
1.3 目的本文的主要目的是探究HBN调节层间激子发光的原理和机制,并概述其在光电领域中的应用前景。
通过对相关研究成果的综述,希望能够加深对HBN调节层间激子发光技术的理解,为相关领域的科研人员提供思路和启示,同时为该技术的实际应用提供参考依据。
最终期待本文能够促进该领域更深入、更全面的研究和应用。
2. HBN调节层间激子发光HBN是二硼化氮(hexagonal boron nitride)的缩写,它是一种具有特殊层状结构的材料。
在过去的几年中,研究人员发现HBN可以对层间激子产生明显的调节作用,进而影响其发光行为。
本章将详细介绍HBN调节层间激子发光的相关内容。
首先,我们将探讨什么是层间激子。
在二维材料中,电子和空穴可以相互结合形成束缚在平面内运动的粒子,即所谓的激子。
而当这些激子在不同层之间存在相互作用时,则形成了层间激子。
通过引入HBN这样的辅助材料,可以改变二维材料中层间激子能级的排布,从而引发发光特性上的改变。
接下来,我们将详述HBN对于层间激子能级的调控机制。
HBN作为一种具有宽禁带宽度的材料,在与其他二维材料叠加形成异质结构时,其能带差异会导致一系列新颖现象的出现。
六方氮化硼能级位置

六方氮化硼能级位置六方氮化硼(h-BN)是一种具有广泛应用前景的二维材料,它由氮原子和硼原子组成,呈现出六方晶格结构。
由于其独特的性质和结构,六方氮化硼在电子学、光学、热学和力学等领域都有着重要的应用价值。
在研究和应用六方氮化硼时,了解其能级位置是非常关键的。
六方氮化硼的能级位置可以通过实验和理论计算来确定。
实验上,可以利用光电子能谱(XPS)和紫外-可见吸收光谱等技术来研究六方氮化硼的能级结构。
通过这些实验手段,可以确定六方氮化硼的价带和导带位置,以及禁带宽度等重要参数。
理论计算是研究六方氮化硼能级位置的另一种重要方法。
通过量子力学的理论模型和计算方法,可以预测六方氮化硼的能级结构。
例如,可以利用密度泛函理论(DFT)计算方法来计算六方氮化硼的能带结构和能级位置。
这种计算方法可以考虑到原子之间的相互作用和电子的运动规律,从而得到比较准确的能级位置信息。
根据实验和理论研究的结果,六方氮化硼的能级位置主要包括价带和导带。
在六方氮化硼中,价带是指电子能量较低的带,其中填满了电子;导带是指电子能量较高的带,其中没有或只有少量电子。
禁带是指价带和导带之间的能量间隔,也是六方氮化硼的能隙。
根据实验和理论计算的结果,六方氮化硼的能隙约为5-6电子伏特(eV),这使得它在光学和电子学领域具有广泛的应用潜力。
除了价带和导带外,六方氮化硼还具有一些特殊的能级位置。
例如,由于六方氮化硼中氮原子和硼原子之间的电负性差异,会形成一些局域态或表面态。
这些局域态或表面态的能级位置可能会影响六方氮化硼的电子输运性质和化学反应性质。
总之,了解六方氮化硼的能级位置对于研究其性质和应用具有重要意义。
通过实验和理论计算手段,可以确定六方氮化硼的能级结构,并进一步探索其在电子学、光学、热学和力学等领域的应用潜力。
随着对六方氮化硼的研究深入,相信其在科学研究和工程技术中将有更广泛的应用。
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块 体 六 角 氮 化 硼 (hexagonal boron n itrid e ,H -B N )是 类 似 于 石 墨 的 层 状 结 构 材 料 ,层内的硼原 子 和 氮 原 子 之 间 是 强 的 共 价 键 作 用 ,而 层 与 层 之 间 是 弱 的 范 德 瓦 尔 斯 相 互 作 用 .块 体 H -B N 独特 的 物 理 性 质 ,使 其 备 受 关 注 [1].2 0 0 4 年 实 验 发 现 H -B N 发 射 光 谱 在 215 n m 处 有 很 强 的 激 子 发 射 峰 ,可 以 应 用 于 深 紫 外 激 光 器 [2],引 起 了 人 们 的 极 大 兴 趣 . 2 0 0 6 年 ,又 有 实 验 报 道 ,在 形 变 下 块 体 H -B N 的 发 光 峰 从 215 n m 移 动 到 227 n m ,而 且 认 为 红 移 是 由 于 层 间 的 堆 垛 无 序 引 起 的 [3_4].由于 块 体 H -B N 的 层 与 层 之 间 的 弱 相 互 作 用 ,在 实 际 中 很 难 控 制 其 堆 垛 结 构 ,这 给 H -B N 光 学 性 质 的 调 节 带 来 了 困 难 .因 此 ,寻 找 有 效 的 方 法 调 节 H -B N 的光学性质是非常重要的.
称 应 变 下 ,随 着 பைடு நூலகம் 格 常 数 的 增 大 ,原 子 层 H-B N 的 介 电 函 数 峰 都 发 生 红 移 ;在 非 对 称 应 变 下 ,由 于 对 称 性 破
坏 ,单 层 H-B N 表 现 出 各 向 异 性 的 光 学 性 质 . 这 些 结 果 表 明 ,平 面 内 应 变 可 以 有 效 地 调 节 H-B N 的光学性
[ 摘 要 ] 采 用 第 一 性 原 理 方 法 研 究 了 二 维 单 原 子 层 六 角 氮 化 硼 ( hexagonal boron nitride,H-BN)在不同 应
变 状 态 下 的 光 学 性 质 .计 算 结 果 表 明 :二 维 单 原 子 层 H-B N 光 学 性 质 对 晶 格 应 变 敏 感 ;在 平 面 对 称 和 非 对
YAN P i n g - l a n , LI J i n *
(School of Physics and Optoelectronics,Xiangtan. University, Xiangtan. 411105 China)
【Abstract】 The optical properties of two-dimensional hexagonal boron nitride under different planar strain distributions have been studied using the first principles methods. It is found that the optical properties of 2D H-BN are sensitive to the strain distributions. The peaks of dielectric functions are red shift under both symmetrical and asymmetrical strain distributions. Moreover, the optical properties exhibit anisotropic characteristics under asymmetrical strain distributions as the change of the bonds and the electrons transfer. These results indicate that the optical properties of 2D H-BN can be modulated by planar strain, offering an effective method for designing nanoscale tunable ultrathin optoelectronic devices. Key words: first principles; two-dimensional m aterial; hexagonal boron nitride;strain
二 维 (tw o-dim ensional, 2D )单 原 子 层 H -B N 的 电 子 性 质 和 块 体 H -B N 的 电 子 性 质 非 常 相 似 • 由 于 块 体 B N 层 与 层 之 间 的 相 互 作 用 极 弱 ,单 层 B N 与 块 体 B N 具 有 类 似 的 电 子 性 质 ,而且单层 B N 仅 为 一 个 原 子 层 厚 度 ,是 超 薄 的 光 电 子 材 料 ,在 超 薄 微 电 子 、光 电 子 器 件 中 有 广 阔 的 应 用 前 景 . 此 外 ,单 层 H -B N 是 理 想 的 二 维 量 子 体 系 ,没 有 层 间 的 作 用 ,而 且 结 构 简 单 ,所 以 对 单 层 B N 的调控 更 容 易 实 现 .近 年 来 ,在 实 验 上 已 经 成 功 制 备 了 单 原 子 层 H -B N ,这 为 实 现 单 原 子 层 H -B N 的微纳 光 电 子 器 件 提 供 了 可 行 的 实 验 依 据 .而 且 ,之前有理论研究表明平面应变能有效调节材料的电子性
第 38卷 第 4 期 2016年 12月
湘潭大学自然科学学报 Natural Science Journal of Xiangtan University
Vol.38 No.4 Dec. 2016
二维六角氮化硼光学性质的应变调控%
颜平兰, 李 金 *
( 湘 潭 大 学 物 理 与 光 电 工 程 学 院 ,湖 南 湘 潭 411105)
质.
关 键 词 :第 一 性 原 理 ; 二 维 材 料 ;六 角 氮 化 硼 ;应变
中 图 分 类 号 :0469
文献标识码:A
文 章 编 号 =1000 - 5900 (2016) 04 -0015 -05
Modulating the Optical Properties of Two-Dimensional Boron Nitride ^