半导体量子点中的线性热电效应：电子自旋的作用
半导体器件中的热电效应分析
半导体器件中的热电效应分析热电效应是指当两个不同温度的接触点间存在一种电压差，即热电压，这一现象被称为热电效应。
而半导体器件中的热电效应，则是指在半导体材料中，由于温度差异而产生的电压现象。
在半导体器件中，热电效应主要由Seebeck效应和Peltier效应构成。
Seebeck效应是指当半导体材料的两个接点温度不同时，将产生一个由温度差异引起的电压现象。
而Peltier效应则是指当电流通过半导体材料时，会产生热量的变化。
这种热电效应在半导体器件中具有广泛的应用。
首先，它可以用于能量转换。
通过将热能转化为电能，热电材料可以用来制造热电发电机，从而实现能量的捕获和利用。
其次，热电效应还可以用于温度测量。
通过测量半导体器件两个接点之间的电压差，可以推测出所测物体的温度。
此外，热电效应还被广泛用于冷却和制冷技术。
通过利用Peltier效应，在半导体材料中产生热流的变化，可以实现对物体的冷却或制冷。
这种技术在电子器件中的应用十分重要，能够帮助维持器件的工作温度，提高其性能和寿命。
然而，半导体器件中的热电效应也存在一些挑战和问题。
首先，热电材料的效率问题是一个关键的挑战。
热电效应的效率通常由热电转换效率来衡量，而目前大多数热电材料的效率较低，远远不能满足实际应用需求。
因此，提高热电材料的效率是当前研究的重点之一。
其次，热电效应还受到热电子迁移效应的限制。
由于热电材料中电子的迁移速率有限，导致热电效应的响应时间较长。
为了克服这一问题，需要在热电材料设计和制备过程中充分考虑电子迁移效应的影响。
此外，半导体材料的热稳定性也是一个重要的问题。
由于热电效应的产生需要半导体材料的电子能带结构发生变化，如果材料在高温下发生相变或失去稳定性，将会影响热电效应的产生和稳定性。
为了解决上述问题，研究人员们正在不断探索新的热电材料和热电器件的设计。
一方面，他们通过调节材料的组分和结构，以及通过材料的纳米化处理等手段，提高材料的热电转换效率。
半导体器件中的量子点光子学
半导体器件中的量子点光子学随着现代科技的不断发展，半导体器件在各个领域中扮演着重要的角色。
而在半导体器件中，量子点光子学作为一门新兴的科学，正逐渐受到人们的关注。
本文将探讨半导体器件中的量子点光子学的原理、应用以及未来的发展方向。
一、量子点光子学的原理量子点光子学是指利用半导体量子点作为光子尺度的材料处理和光子器件的研究。
量子点是一种纳米级别的半导体结构，其尺寸在纳米级别，具有量子效应。
在量子点中，电子和空穴受到限制，形成局域态。
当外界电磁场作用于量子点材料时，会引起量子点发光现象。
量子点光子学的基本原理是激子的形成与辐射。
激子是指在量子点中，电子和空穴的结合态。
当外界电磁场作用于量子点时，电子和空穴会发生能量转移，形成激子。
当激子重新分离时，会发出特定的光子能量。
这种特定的光子能量可以通过调控量子点的结构和尺寸来实现。
二、量子点光子学的应用1. 显示技术量子点光子学在显示技术中具有广泛的应用。
由于量子点发出的光子能量可以通过调控量子点的结构和尺寸来实现，因此可以根据需要调整显示屏的颜色和亮度。
相比传统的液晶显示技术，量子点显示技术具有更高的色彩饱和度和更好的亮度控制，使得图像更加细腻逼真。
2. 光通信在光通信领域，量子点光子学也有着重要的应用。
量子点可以作为光源，产生高质量的单光子。
由于光量子态的稳定性以及量子点光子之间的高度相干性，量子点光子在量子通信和量子计算方面有着巨大的潜力。
量子点光子学的发展可以促进光通信技术的创新和进步。
3. 生物医学成像量子点光子学在生物医学成像中也被广泛应用。
由于量子点可以发出可见光和近红外光，具有较高的荧光效率和长寿命，在生物荧光成像中有着独特的优势。
量子点标记物可以用于检测细胞和组织的形态、分子表达和功能等，并可以实现更高的图像分辨率和更深层次的成像。
三、量子点光子学的发展方向虽然量子点光子学已经在多个领域中取得了重要的突破和应用，但仍然存在一些挑战和待解决的问题。
半导体物理考研知识点归纳
半导体物理考研知识点归纳半导体物理是研究半导体材料的物理性质及其在电子器件中的应用的学科。
在考研中，半导体物理的知识点主要包括以下几个方面：1. 半导体的基本性质- 半导体材料的分类，包括元素半导体和化合物半导体。
- 半导体的能带结构，包括导带、价带以及禁带的概念。
- 半导体的载流子类型，即电子和空穴。
2. 半导体的掺杂- 掺杂原理，包括n型和p型掺杂。
- 掺杂对半导体电导率的影响。
- 杂质能级和费米能级的移动。
3. 半导体的载流子运动- 载流子的漂移和扩散运动。
- 载流子的迁移率和扩散常数。
- 霍尔效应及其在半导体中的应用。
4. pn结和半导体器件- pn结的形成原理和特性。
- 正向和反向偏置下的pn结特性。
- 金属-半导体接触和肖特基势垒。
5. 半导体的光电效应- 本征吸收和杂质吸收。
- 光生载流子的产生和复合。
- 光电二极管和光电晶体管的工作原理。
6. 半导体的热电效应- 塞贝克效应和皮尔逊效应。
- 热电材料的热电性能。
7. 半导体的量子效应- 量子阱、量子线和量子点的概念。
- 量子效应对半导体器件性能的影响。
8. 半导体的物理量测量技术- 电阻率、载流子浓度和迁移率的测量方法。
- 光致发光和电致发光技术。
9. 半导体器件的制造工艺- 晶体生长技术，如Czochralski法和布里奇曼法。
- 光刻、蚀刻和掺杂工艺。
结束语半导体物理是一门综合性很强的学科，它不仅涉及到材料科学、固体物理，还与电子工程和微电子技术紧密相关。
掌握这些基础知识点对于深入理解半导体器件的工作原理和优化设计至关重要。
希望以上的归纳能够帮助考研学子们更好地复习和掌握半导体物理的相关知识。
半导体材料中的自旋电子学研究
半导体材料中的自旋电子学研究自旋电子学是一种新兴的物理学领域，它利用自旋作为信息传输的载体，在构建新型电子器件和磁存储技术方面具有广泛应用前景。
半导体材料是自旋电子学研究的重要领域之一，自旋电子学的研究需要在半导体材料中探索自旋-电荷耦合的作用，进而设计和制备高效的自旋电子器件和磁储技术。
一、半导体中的自旋电子学研究背景自旋电子学是在传统的电子学研究的基础上发展而来的新型领域，其研究对象是电子自旋和自旋携带信息的传输和控制。
半导体材料是自旋电子学研究的重要研究领域之一，因为半导体材料具有良好的电子传输性质和可控制造性质，从而使其在自旋电子学研究中有广泛的应用。
传统的自旋电子学研究主要集中在金属材料中，但金属材料的自旋-轨道耦合很小，很难实现高效的自旋电子器件的制备。
而随着半导体复合材料的研究逐渐成熟，半导体中的自旋电子学研究日益受到人们的重视。
半导体中的自旋电子学研究可以在普通的半导体材料中实现强自旋电荷耦合，可用于许多自旋电子器件，如自旋输运、自旋逻辑门和自旋激发等器件的制备。
二、半导体中的自旋电子学实验半导体材料中的自旋电子学研究需要通过实验探讨自旋-电荷耦合的机制和特性。
实验的一般流程可分为三个部分：半导体样品的制备、自旋压电效应的测量和自旋输运的研究。
以下分别阐述这三个部分。
半导体样品的制备：实验中制作半导体样品采用的通常是Molecular Beam Epitaxy（MBE）技术，这种技术可实现单晶半导体薄膜的制备。
通过MBE技术可使半导体薄膜在砷化镓（GaAs）基底或氮化镓（GaN）基底上生长。
在合适的实验条件下，利用MBE技术可以得到生长良好的半导体薄膜。
自旋压电效应的测量：利用压电效应可以实现电子自旋和晶格的耦合，将压电效应引入半导体中可以探索自旋电子学的研究。
自旋压电效应是借助电场调节半导体材料中的导带和价带自旋矩阵元，从而实现电子自旋和晶格的耦合。
实验中通常采用示波器和磁场强度计来测量样品在不同电场下的自旋压电信号。
半导体物理学 第一章__半导体中的电子状态
The End of Preface
第一章 半导体中的电子状态
主要内容：
1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子运动－－有效质量 1.4 本征半导体的导电机构－－空穴 1.5 常见半导体的能带结构 （共计八学时）
本章重点：
*重 点 之 一:Ge、Si 和GaAs的晶体结构
晶体结构周期性的函数 uk (x) 的乘积。
分布几率是晶格的周期函数，但对每个原胞的
相应位置，电子的分布几率一样的。 波矢k描述晶体中电子的共有化运动状态。
它是按照晶格的周期 a 调幅的行波。
这在物理上反映了晶体中的电子既有共有化的 倾向，又有受到周期地排列的离子的束缚的特点。
只有在 uk (x) 等于常数时，在周期场中运动的 电子的波函数才完全变为自由电子的波函数。
硅基应变异质结构材料一维量子线零维量子点基于量子尺寸效应量子干涉效应量子隧穿效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造通过能带工程实施的新型半导体材料是新一代量子器件的基宽带隙半导体材料宽带隙半导体材料主要指的是金刚石iii族氮化物碳化硅立方氮化硼以及iivi族硫锡碲化物氧化物zno等及固溶体等特别是sicgan和金刚石薄膜等材料因具有高热导率高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点成为研制高频大功率耐高温抗辐射半导体微电子器件和电路的理想材料在通信汽车航空航天石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景
(1)元素半导体晶体
Si、Ge、Se 等元素
(2)化合物半导体及固溶体半导体
SiC
AsSe3、AsTe3、 AsS3、SbS3
Ⅳ-Ⅳ族
Ⅴ-Ⅵ族
化合物 半导体
InP、GaN、 GaAs、InSb、
半导体物理学名词解释 2
半导体物理学名词解释1、直接复合：电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合。
2、间接复合：指的是非平衡载流子通过复合中心的复合。
3、俄歇复合：载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时，把多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回到低能级时，多余的能量常以声子的形式放出，这种复合称为俄歇复合，显然这是一种非辐射复合。
4、施主杂质：V族杂质在硅、锗中电离时，能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
5、受主杂质：Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负点中心，所以称它们为受主杂质或p型杂质。
6、多数载流子：半导体材料中有电子和空穴两种载流子。
在N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
7、能谷间散射：8、本征半导体：本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。
9、准费米能级：半导体中的非平衡载流子，可以认为它们都处于准平衡状态（即导带所有的电子和价带所有的空穴分别处于准平衡状态）。
对于处于准平衡状态的非平衡载流子，可以近似地引入与Fermi能级相类似的物理量——准Fermi能级来分析其统计分布；当然，采用准Fermi能级这个概念，是一种近似，但确是一种较好的近似。
基于这种近似，对于导带中的非平衡电子，即可引入电子的准Fermi能级；对于价带中的非平衡空穴，即可引入空穴的准Fermi能级。
10、禁带：能带结构中能态密度为零的能量区间。
11、价带：半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
12、导带：导带是自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
13、束缚激子：等电子陷阱俘获载流子后成为带电中心，这一中心由于库仑作用又能俘获另一种带电符号相反的载流子从而成为定域激子，称为束缚激子。
14、浅能级杂质：在半导体中、其价电子受到束缚较弱的那些杂质原子，往往就是能够提供载流子（电子或空穴）的施主、受主杂质，它们在半导体中形成的能级都比较靠近价带顶或导带底，因此称其为浅能级杂质。
电子自旋共振技术的应用研究
电子自旋共振技术的应用研究电子自旋共振技术是一种用于研究材料中电子结构的高精度技术，近年来在材料科学领域中被广泛应用。
本文将介绍电子自旋共振技术的基本原理及其应用研究。
一、电子自旋共振基本原理在物理学领域中，自旋是用来描述电子自身旋转的物理量。
自旋可以用角动量量子数s来表示，常见的有s=1/2、s=1等。
当电子在一定的外场作用下，其自旋将会发生共振，这就是电子自旋共振现象。
电子自旋共振实验中，需要将样品置于磁场中，将电子自旋磁矩与外磁场耦合，利用微波的辐射将电子自旋从基态激发到激发态，测量样品在不同磁场强度下的共振信号，进而得到样品中电子自旋的信息。
这种技术可以用来研究材料的电子结构以及局域电子态等信息。
二、电子自旋共振的应用研究1. 材料物理学研究电子自旋共振技术在材料物理学研究中被广泛应用，可以用来研究材料中的自由基、缺陷、氧化物、磁性材料等。
例如，研究晶体管中的氧空位缺陷可以利用电子自旋共振技术来确定其位置、数量及类型；分析材料的电子结构和能带结构时，可以通过探究其电子自旋共振谱来获取局域电子态信息，进而研究材料内部的电子结构。
2. 生命科学研究电子自旋共振技术在生命科学研究中也有较为广泛的应用，可以用来研究生物分子的结构、作用原理等。
例如，利用电子自旋共振技术可以研究蛋白质的结构变化、疾病诱导的构象变化等；可以分析药物与受体结合时的分子级动态过程。
3. 环境科学研究电子自旋共振技术对于环境科学研究也有很大的应用，可以用来研究环境中的自由基、磁性物质等。
例如，可以通过电子自旋共振技术研究大气中自由基的分布、来源和化学反应过程；还可以用来研究土壤中磁性粒子的来源、大小和组成等。
4. 化学研究电子自旋共振技术在化学研究领域中的应用主要集中在分析化学和有机化学等。
例如，可以利用电子自旋共振技术来分析各式各样的化合物的性质、组成和有机金属反应机理等问题；可以研究分子之间的相互作用以及反应原理。
结语作为一种研究材料中电子结构的高精度技术，电子自旋共振技术在材料科学、生命科学、环境科学和化学等领域中都有广泛应用。
电子学中的量子效应原理
电子学中的量子效应原理随着现代科技的不断发展，计算技术已经从二进制世界的经典物理理论中发展到了量子力学的世界。
在这个领域中，重要的一步就是发现了量子效应原理。
量子效应原理是指当物体的尺寸达到了电子波长的一个量级时，它们的物理性质就会从经典力学中的周期性行为向量子力学中的一些非周期性现象转化。
量子效应原理在电子学中的应用十分广泛，对于电子学的研究和应用都有着十分重要的意义。
下面我们就来探讨一下在电子学中的量子效应原理。
1. 纳米电子学纳米电子学是电子学中一个研究微纳米尺度下电子行为和电子器件特性的领域。
在纳米尺度下，量子效应更加明显。
纳米电子学中的量子效应原理被广泛应用于晶体管、超导器件和磁场传感器等方面。
此外，当谈到原子力显微镜或扫描电子显微镜时，了解量子效应概念也是必不可少的。
2. 量子点量子点是当固体中的材料处于纳米尺度时产生的二维电子气的一个结构。
对于量子点而言，其尺寸趋近于电子波长而产生了一系列有趣但却独特的性质和现象。
比如，它们的电子能级是量子化的，它们的电子密度状态是凌波而上的，而它们的形状、尺寸和表面导致了它们更具有许多独特的性质。
在光电子学和纳米电子学中，量子点被广泛用作光电转换器的元件，同时也是制备高速量子计算的基础单元。
3. 半导体器件当谈到半导体器件时，量子效应在摩尔定律继续发展方面起到了十分重要的作用。
在半导体器件中，由于在精度、体积和性能方面的经常不断的追求，发现了许多种量子效应技术。
典型的量子效应技术包括量子井、量子阱和量子线，在高速光通信、太阳能利用和编码器件中发挥着重要的作用。
4. 量子电子学量子电子学是涉及到量子存储器和计算器的一个领域。
当前的研究重点包括数据传输，数据储存和能量转换。
其中，量子电子学的一个主要应用是量子计算机的设计和制造。
当涉及到计算机编程方面的时候，量子效应被用于提高精度并加强过程，并能在卡门石墨中储存量子比特。
总结在电子学中的量子效应原理是一道十分深刻而又有趣的题目。
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０ 引 言
固体 中的热电效应 （ 温差 电效应） 是温度差和电压或者 电能和热能相互转换的现象． 它包括塞贝克效
应（ Ｓ ｅ ｅ ｂ ｅ ｃ ｋ ｅ ｆ ｅ ｃ ｔ ） 、 帕 尔贴效 应 （ Ｐ ｅ ｈ ｉ ｅ ｒ ｅ ｆ ｆ ｅ ｃ ｔ ） 和汤 姆 逊效 应 （ Ｔ ｈ ｏ ｍ ｓ ｏ ｎ ｅ ｆ ｆ ｅ ｃ ｔ ） ． 塞 贝 克效 应 是 指 在 两种 不 同 金属构 成 的 回路 中 ， 如果结 点处 的温 度不 同 ， 该 回路 中就 会产 生一 个温 差 电动势 ． 与塞 贝克效 应不 同 ， 帕 尔贴 效应 可 以产生 在两 种不 同金 属 的交 界 面 ， 或 者一种 多 相材料 的不 同相 界 间 ， 也可 以产 生在 非匀质 导体
的 自旋 自由度 可以 用于调 整低 维半 导体 器件 中的热 电效 应及 器件 的工作 条件 ．
关 键词 ： 量子 点 ； 热 电效应 ； 电子 自旋
中图分 类号 ： Ｔ Ｐ ３ ９ １ ． ９ ， Ｔ Ｎ Ｔ ０ ２ 文献标 志码 ： Ａ 文章编 号 ： １ ６ ７ ３一 Ｏ ５ ６ ９ （ ２ ０ １ ３ ） ０ １ — ０ ０ ２ ５— ０ ５
第３ ４卷 第 １ 期 ２ ０ １ ３年 ３月
渤海 大学学 报 （ 自然科 学版 ）
Ｊ ｏ ｕ ｎａ ｒ ｌ ｏ ｆ Ｂ ｏ ｈ ａ ｉ Ｕ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ （ Ｎ ａ ｔ ｕ ｒ ａ ｌ Ｓ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ Ｅ ｄ ｉ ｔ ｉ ｏ ｎ ）
导 率 Ｇ的增 加也 导致 塞 贝克常 数 Ｓ的减 小． 因此在 过 去 的 几 十年 里 ， 品 质 因子 的最大 值 一 直低 于 １ ， 成 为 限 制热 电器 件应用 的关 键原 因．
近年来 ， 随着半导体能带工程和纳米微加工技术的迅速发展 ， 低维半导体材料中的各种新奇物理现象
引起 了人们的极大关注， 并被应用于许多实际的器件设计当中． 在这种材料或器件里 ， 电子在某个方 向上 的运 动受 到 了量子 限制 ， 从 而导致 能级 和 电荷 的量子 化 以及 电子态 密度 的急剧 变化 ， 可 以打破 维德 曼 一夫
度等等都存在温度梯度． 在能源需求 日益旺盛 、 传统化石能源逐渐枯竭的今天 ， 热电效应为寻找清洁无毒
的新能源提供了一种可能的途径． 遗憾的是 ， 当前的热电技术由于效率低下 ， 只是被应用于一些特殊场合 ， 极 大 限制 了其工 业化 和商 业化 的生 产． 在温度 差无 限小 的条 件下 ， 热 电材料 的效 率是 由无量 纲 的热 电品质
因子 （ ｔ ｈ ｅ ｒ ｍｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｉ ｃ ａ ｌ ｉ ｆ ｇ ｕ ｒ ｅ ｏ ｆ ｍ ｅ ｒ ｉ ｔ ）Ｚ Ｔ＝Ｇ Ｓ Ｔ ／ ｘ来衡 量 的 ， 其 中 Ｇ是 线 性 电导 率 ， 衡 量 载 流子 流 过导 体
而产生 电压的能力 ； ｓ 是塞贝克常数（ Ｓ ｅ ｅ ｂ ｅ ｃ ｋ ｃ ｏ ｅ ｆ ｉ ｆ ｃ ｉ ｅ ｎ ｔ ） 或热电势 （ ｔ ｈ ｅ ｒ ｍ ｏ ｐ ｏ ｗ ｅ ｒ ） ， 衡量在 电流为零的条件 下温度梯度所产生电压的大小 ； Ｋ ＝ Ｋ ＋ Ｋ ｐ ｈ 是 总热导率 ， 衡量热流通过 系统的难易程度， 它包括了来 自电 子， ｃ 和晶格振动（ 声子）Ｋ 的两部分贡献 ； Ｔ 是热电器件的操作温度． 在通常的体材料 中， 提高 ｚ 的值受 到两方面的限制 ： 一方面 ， 电子的电导率和热导率遵从维德曼 一 夫兰兹定律 （ Ｗｉ ｅ ｄ ｅ ｍ ａ ｎ ｎ— Ｆ ｒ ａ ｎ ｚ ｌ ａ ｗ ） ， 意 味着增加电导率 Ｇ的同时， 电子的热导率， ｃ 也相应 的增加了． 另一方面 ， 根据莫特关系（ Ｍ ｏ ｔ ｔ ｒ ｅ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ） ， 电
收稿 日期 ： ２ ０ １ ２ — ０ ９— １ ５ ．
基 金项 目： 国家 自然科学基金资助项 目（ Ｎ ｏ ： ６ １ ２ ７ ４ １ ０ １ ） ． 作者简介 ： 李九达 （ １ ９ ８ ７ 一） ， 男， 渤海大学硕士研究生 ， 从 事为半 导体 自 旋 电子学方面研究
渤海大学学报 （ 自然科学版 ）
的不同浓度梯度范围内． 汤姆逊效应是指 当电流通过具有温度梯 度的均匀导体时 ， 导体将吸收或放 出热 量， 这种热 流量 被称 为 汤姆逊 热 ． 热电器件具有许多诱人 的优点 ， 比如不放 出有毒气体 、 没有高速运转 的部件 、 高稳定性和低维护成 本 …． 自然 界 中温度差 的存 在是 常见 的 ， 比如 室 内外 、 不 同的地 表深 度 、 海 洋 与大 气 的界 面 、 海洋 不 同 的深
摘
要： 研 究半 导体 量子 点 中温度 差和 电压趋 近 于零条件 下 的线性 热 电效应 ， 用非 平衡格 林
函数贝克常数 和 品 质 因子． 发 现在 量 子 点 与铁磁 引 线耦 合
的器件 中， 流过 系统的电子将变得 自旋极化， 从 而对以上物理量产生非常显著的影响． 表 明电子
第３ ３卷
兰兹定律和莫特关系的限制而增大热电品质因子的值 “ ］ ． 半导体量子点是尺寸在几十到几百纳米之间
的低维量子系统， 电子在其 中的运动同时受到三个维度的限制 ， 成为研究者重点关注的热电材料． 一些前 期的理论和实验工作证明， 半导体量子点结构 中的品质 因子的极大值可以远远超过 １ ， 达到十几甚 至几 十口 Ｊ ． 另外， 随着器件尺度的变小， 电子的自旋 自由度对材料多种特性的作用变得明显而重要， 在器件设
Ｖ ｏ １ ． ３ ４， Ｎ ｏ ． １ Ｍａ ｒ ． ２ ０ ｌ ３
半导体量子点中 的线性热 电效应 ： 电子 自旋 的作 用
李九达 ， 刘 小嵩 ， 迟 锋
（ １ ． 渤海大学 数 理学 院， 辽 宁 锦州 １ ２ １ ０ １ ３； ２ ．渤海大学 工学 院， 辽宁 锦州 １ ２ １ ０ １ ３ ）