抗辐射技术调研
辐射调研报告
辐射调研报告调查目的：了解辐射对人类健康的影响以及应对措施。
调查方法：采用问卷调查和参观实地考察的方式进行调研。
调查对象：本次调查对象为城市居民，涵盖不同年龄段和职业背景的人群。
调查结果：1. 对辐射的认识程度大多数受访者表示听说过辐射的概念，但对于辐射的具体性质和危害了解有限。
只有少数人能够正确解释辐射的定义和来源。
2. 对于辐射的担忧程度约70%的受访者对辐射问题表示担忧，主要担心辐射对人体健康的影响。
其中，孕妇和年轻父母对辐射的担忧程度更高。
3. 对于辐射防护措施的了解程度大部分受访者对辐射防护措施了解缺乏，甚至不知道如何避免辐射。
只有少数人通过媒体报道或专家建议了解到一些防护方法，如减少电子设备使用时间、使用防辐射设备等。
4. 个人辐射防护行为受访者中约有40%的人称自己采取过一些辐射防护措施，如低频率使用手机、选择低辐射电器等。
然而，大多数人表示没有意识到自身防护行为的重要性，或者觉得现有防护措施无法完全避免辐射。
5. 政府与媒体的辐射宣传超过80%的受访者认为政府和媒体在辐射宣传方面应该加大力度，提供更多权威、准确的信息，以帮助公众正确认识辐射问题并采取相应的防护措施。
结论与建议：1. 提高公众对辐射的认知水平加强对辐射知识的宣传和普及，提供准确的科学信息，帮助公众正确理解辐射的性质和危害。
可以通过媒体、社区宣传和教育机构合作等方式进行。
2. 加强个人辐射防护意识教育公众采取适当的辐射防护措施，如减少电子设备使用时间、使用防辐射设备等。
提醒公众注意辐射防护，并普及防护措施的正确使用方法。
3. 政府和媒体的角色政府和媒体应积极履行其责任，在辐射宣传方面提供权威、准确的信息，避免夸大辐射问题的同时，也要加强提示和引导公众采取适当的防护措施。
4. 加强科学研究和监测加大对辐射影响的科学研究力度，持续监测辐射水平和辐射源，并及时公布监测结果，以保障公众的权益和安全。
5. 制定相关政策和法规建立统一的辐射防护标准，制定相应的政策和法规，加强对辐射防护工作的监管力度。
辐射防护材料的研究
SCIENCE &TECHNOLOGY INFORMATION科技资讯辐射防护材料的研究付春亮(武汉第二船舶设计研究所湖北武汉430205)摘要：随着科学技术的高速发展，我国在辐射防护材料的研究逐渐深入，由于具有防辐射能力的材料质量、体积比较大，对于辐射防护材料的大面积推广使用产生了制约。
因此，有关部门应该不断提升研究辐射防护材料的力度，增加研发资金，争取研究出更为优质的辐射防护材料。
该文首先分析辐射防护材料的分类，其次探讨具体的辐射防护屏蔽材料，以期对相关研究具有一定的参考价值。
关键词：辐射防护材料研究中图分类号：TB332文献标识码：A文章编号：1672-3791(2022)07(a)-0058-03Research on Radiation Protection MaterialsFU Chunliang(Wuhan Second Ship Design Institute,Wuhan,Hubei Province,430205China)Abstract:With the rapid development of science and technology,the research of radiation protection materials in China is gradually deepened.Due to the large mass and volume of materials with radiation protection ability,the popularization and use of radiation protection materials have been restricted.Therefore,relevant departments should constantly improve the research on radiation protection materials,increase R &D funds,and strive to develop higher quality radiation protection materials.This paper first analyzes the classification of radiation protection mate‐rials,and then discusses the specific radiation protection shielding materials,in order to have a certain reference value for relevant research.Key Words:Radiation;Protection;Material;Research1辐射防护材料的分类因为α射线以及β射线的质量比较大，穿透能力比较差，在空气中产生的射程比较短，普通衣物即能够预防，除了保证不造成内污染的情况下，因此并不需要做出特殊防护。
SOI技术的抗辐照能力报告
SOI技术的抗辐照能力报告目录SOI技术的定义： (3)SOI技术的特点： (3)空间辐射问题： (5)电子元器件所受到的辐射效应分类 (7)常用的四种抗辐射材料： (7)SOI抗辐照技术 (8)SOI技术的抗辐射指标 (8)SOI技术和体硅CMOS技术两种技术抗辐射效应的对比 (8)SOI器件实例： (9)SOI技术的应用： (10)SOI技术国际主流公司： (10)SOI产业联盟： (11)国内SOI技术研究： (11)SOI技术的市场份额： (12)SOI技术的定义：SOI技术是指：在硅衬底上嵌入绝缘体埋层，再在埋层上生长单晶硅薄膜的材料制备技术。
SOI是英文Silicon On Insulator的缩写，指的是绝缘层上的硅。
SOI技术是指在绝缘层上形成一层具有一定厚度的单晶半导体硅薄膜的材料制备技术。
SOI材料可实现完全的介质隔离，与由PN结隔离的体硅相比，具有无闩锁、高速率、低功耗、集成度高、耐高温等特点，在便携式电子产品、航天、卫星通讯等领域均受到普遍重视，被称为“21世纪的微电子技术”。
SOI(Silicon-On-Insulator)字面意思是绝缘体上硅，可以理解为一种特殊结构的硅材料。
而SOI技术却包含非常丰富的内容。
SOI 技术也包括材料、器件和集成电路制造技术。
SOI技术的特点：SOI技术作为一种全介质隔离技术，有着许多体硅技术不可比拟的优越性。
在SOI技术中，器件仅制造于表面很薄的硅膜中，器件与衬底之间由一层隐埋氧化层隔开，正是这种独特的结构使得SOI技术具有了体硅器件所无法比拟的优点。
SOI CMOS器件具有功耗低、抗干扰能力强、集成密度高（隔离面积小）、速度高（寄生电容小）、工艺简单、抗辐照能力强，并彻底消除了体硅CMOS器件的寄生闩锁效应等优点。
随着SOI顶层硅膜厚度减薄到全耗尽工作状态（硅膜厚度小于有效耗尽区宽度）时，全耗尽的SOI 器件将比传统SOI 器件具有更优越的特性，这种全耗尽SOI 结构更适合于高性能ULSI 和VHSI 电路。
辐射调研报告
辐射调研报告辐射调研报告一、调研目的随着科技的发展和生活水平的提高，辐射对人体健康的影响成为了一个备受关注的问题。
本次调研旨在了解辐射对人体健康的影响程度，并提出相应的防护建议。
二、调研方法采取问卷调查和实地测量的方式进行调研。
三、调研内容1. 调研对象：包括办公环境、家庭环境及公共场所。
2. 问卷调查：我们随机选择了1000名受访者，包括学生、办公人员和家庭成员，通过问卷调查的形式收集调查数据。
3. 辐射测量：我们使用专业的辐射计仪器对办公室、家庭住宅以及公共场所进行了辐射测量。
四、调研结果1. 辐射源：调研结果显示，调查对象普遍认为手机、电视、电脑、微波炉等电子产品是最常见的辐射源。
2. 了解和关注度：大多数受访者对辐射的了解仅限于听说，对于辐射的具体影响程度缺乏认识。
3. 辐射水平：通过实地测量，我们发现办公环境和家庭环境的辐射水平较低，远低于国家安全标准。
但在一些公共场所，如商场内的微波炉区域，辐射水平偏高。
4. 健康问题：部分受访者报告了一些与辐射有关的健康问题，如头痛、失眠、乏力等。
但这些问题并未与辐射直接联系起来。
五、调研建议1. 提高辐射的科学认识：加强对辐射的科普宣传，提高公众对辐射的了解和认识。
2. 控制辐射源的使用：合理使用电子设备，减少辐射对身体的影响。
长时间使用电子设备时，应间隔休息。
3. 加强对公共场所的监管：加强对商场、餐厅等公共场所辐射水平的监测和管理，确保辐射水平不超过国家标准。
4. 根据个人情况进行辐射预防：对于容易受辐射影响的人群，如孕妇和儿童，应特别注意减少辐射暴露，避免不必要的辐射。
5. 科学研究：加强辐射的科学研究，深入了解辐射对人体健康的影响机理，为相关政策的制定提供科学依据。
六、结论辐射对人体健康的影响是一个复杂而严肃的问题。
通过本次调研，我们发现大多数办公环境和家庭环境的辐射水平较低，但公共场所的辐射水平偏高。
我们提出了一系列的防护建议，旨在减少辐射对人体健康的影响，并呼吁加强对辐射的科学研究。
核辐射防护技术的前沿发展与趋势探究
核辐射防护技术的前沿发展与趋势探究引言核辐射防护技术是保障核能安全和辐射工作人员健康的重要手段。
随着核能技术的广泛应用和核事故的频发，核辐射防护技术的研究和发展变得尤为重要。
本文将探讨核辐射防护技术的前沿发展与趋势，从材料、设备和管理三个方面进行阐述。
一、材料的研究与应用核辐射防护材料是核能领域的重要组成部分，其性能直接影响到辐射防护的效果。
目前，研究人员正在不断开发新型辐射防护材料，以提高其吸收和隔离辐射的能力。
例如，铅和混凝土等传统材料在防护效果上已经达到瓶颈，因此，研究人员开始尝试利用新材料，如碳纳米管、氧化锆等，来增强辐射防护的效果。
此外，纳米技术的应用也为核辐射防护材料的研究带来了新的机遇。
纳米材料具有较大的比表面积和特殊的物理化学性质，可以用于制备高效的辐射防护材料。
例如，研究人员利用纳米银颗粒制备出的防护服，可以有效吸收和隔离辐射，保护人体免受核辐射的伤害。
因此，纳米技术在核辐射防护材料领域的应用前景广阔。
二、设备的研发与改进核辐射防护设备是保障辐射工作人员安全的重要工具。
随着科技的发展，核辐射防护设备也在不断更新和改进。
例如，传统的辐射计仅能测量总剂量，而无法对不同能量的辐射进行区分。
而现在，研究人员已经研发出了能够实时监测不同能量辐射的多能辐射计，使得辐射工作人员能够更加精确地了解自身暴露情况。
此外，智能化技术的应用也为核辐射防护设备的研发带来了新的机遇。
例如，研究人员正在开发智能防护服，该防护服能够实时监测辐射水平，并通过传感器和报警装置提醒工作人员。
这种智能防护服不仅提高了辐射工作人员的安全性，还可以收集大量的辐射数据，为核辐射防护技术的研究和改进提供有力支持。
三、管理的创新与完善核辐射防护管理是保障核能安全和辐射工作人员健康的重要环节。
随着核能技术的发展，传统的核辐射防护管理已经不能满足实际需求。
因此，研究人员正在探索新的管理模式，以提高核辐射防护管理的效率和精确性。
一方面，信息化技术的应用为核辐射防护管理带来了新的思路。
辐射防护技术的新发展与新应用
辐射防护技术的新发展与新应用首先，辐射防护技术在新发展方面取得了许多突破。
一方面，新材料的应用是辐射防护技术的一个重要的发展方向。
新材料具有高效吸收和防护辐射的能力，可以用于制造辐射防护装备和器件。
例如，以含有高铋玻璃纤维和含有重金属氧化物陶瓷纳米晶粒为基础的新型辐射防护板材，具有较高的辐射阻挡能力和抗辐射能力。
另一方面，核技术和辐射物理学的不断发展也带来了辐射防护技术的创新。
例如，利用核技术中的直线加速器和高频共振加热技术，可以实现对辐射治疗过程中的精确控制和高效防护，提高治疗效果和减少副作用。
其次，辐射防护技术在新应用方面也得到了广泛的应用。
一方面，在核电站和医疗机构等辐射工作场所中，辐射防护技术被广泛应用。
例如，核电站中使用了大量的辐射防护装备，包括辐射防护服、防辐射屏蔽墙等，以保护工作人员免受辐射的伤害。
医疗机构中的放射诊断和放射治疗也需要辐射防护技术的支持，保护病人和医护人员的安全。
另一方面，随着移动通信和卫星通信的迅速发展，人群对电磁辐射的关注和担忧也越来越多。
辐射防护技术在这个领域的应用也愈发重要。
例如，通过改善无线通信设备和基站的结构和电磁辐射功率控制，可以有效降低电磁辐射对人体的影响。
此外，辐射防护技术还在一些特殊领域得到了新的应用。
例如，航空航天领域中，飞行员和航天员暴露在辐射环境下的时间较长，需要采取有效的辐射防护措施。
因此，开发新型的航空航天辐射防护装备和技术对保护人员的健康至关重要。
此外，核工业和核废料处理等领域也需要辐射防护技术的支持，保护工作人员和环境的安全。
综上所述，辐射防护技术在新发展和新应用方面都取得了显著成果。
通过新材料的应用和核技术的创新，辐射防护技术在辐射工作场所、移动通信、航空航天等领域发挥着重要的作用。
随着社会对辐射防护需求的不断增加，相信辐射防护技术将会不断进步和完善，为人类的健康和安全保驾护航。
防辐射纤维的研究
［】 １ 刘海舟， ６ 蒋文举 ， 军． 刘成 软锰矿浆催化氧化 Ｓ Ｏ 的动力学模型研 究
Ｉ． Ｊ 辽宁城 乡环境科技 ，０ ５２ （１：６ ８ ］ ２ ０ ，５０ ） —２ ． ２
（９ ２ ） ０ ９ ０ ５ １ ／ ０： ０ ～３ １ ． ３
【】 １ 朱晓帆， ７ 蒋文举， 苏仕军等欺 锰矿浆烟 气脱硫 反应机理研 究Ⅱ 环境 】 ．
对性 腺 、 乳腺 、 血骨髓等 都会产生 伤害 ， 过剂量甚 至会 致 造 超
癌， 给人体带来严重威胁。
２ ０世纪 ８ ０年代 ， 前苏联纺织材料研究所和核研究所共 同
开 发 了腈 纶 防 Ｘ射 线 纤 维 。方 法 是 先 对 腈 纶 纤 维 进 行 改性 处
理， 然后 用醋酸铅溶液进行浸渍 ， 发生离子交换 ， 得到共价结 合 接枝铅金属的腈纶织物 。 该方法制得 的织物能明显减弱 ｘ射线 的辐射强度。 如果采用复合型添加剂如铅 、 铀和镥等 ， 还能进 一 步提高防 ｘ射线 的防护性能 。 近年 来 日本新兴人 化成公 司和奥地 利的 Ｌ ｎ ｉｇ 司分 ｅ ｚｎ 公 别将硫酸钡添加 到粘胶纤维 中， 制成 的防辐射纤维可用于制作
越大 。
ｘ射线作 为电离辐射 的一种 ， 在材料 ｘ光探伤 、 人体 ｘ光 透视 、 ｘ光分析中已取得成功应 用。 工作人员长期接触 ｘ射线 ，
无论哪种 电磁波 ， 在其造福人类 的同时 ， 都会带来危害。 一
类危 害是使生 物体 产生热效应 ， 当超过 某一界 限时 ， 生物体 因
不能释放其体 内产生的多余 热量 ，致使温度升高而受到伤害 ； 另一类危害是干扰人体固有的微弱 电磁场 ， 影响血液和淋巴运 行， 使细胞原生质发生变化 ， 引发失 眠乏力 、 免疫力下 降 、 织 组 病变 ， 进而诱发白血病 和癌症 。近 ２ Ｏ年来 ， 防辐射纤维的研 制 作为一项重要 的高功能纤 维的研究课题 ， 已受到世界各国的普 遍重视 ， 各类防辐射纤维相继问世 。
半导体器件抗辐射特性研究及其应用探究
半导体器件抗辐射特性研究及其应用探究随着半导体器件在现代电子技术中的广泛应用，面临的辐射环境也越来越严峻，尤其是在航空航天、核能、卫星等高辐射环境下，半导体器件的抗辐射特性显得极其重要。
因此，对半导体器件的抗辐射性能进行研究和探究，对于促进半导体器件的发展和应用具有重大的意义。
一、半导体器件抗辐射特性研究1. 辐射引起的半导体器件损伤半导体器件在辐射环境中会受到电离辐射和非电离辐射的影响。
电离辐射主要是指高能粒子、中子和γ射线等带电粒子的影响，它们可以激发、电离、断键甚至严重破坏半导体器件中的原子和分子结构；非电离辐射主要是指紫外线、X射线和电场辐射等电磁波的影响，它们通过热效应、绝缘层击穿等方式来影响半导体器件的性能。
辐射引起的半导体损伤主要表现为电性能参数的变化和结构损伤。
其中，电性能参数的变化如电流增大、电压漏失、增益下降等，结构损伤如空隙和缺陷的形成、管子损坏等。
2. 半导体器件抗辐射特性研究方法研究半导体器件的抗辐射特性，实验是其中最为重要的手段。
实验方法包括辐射后退火、快速载流子注入、辐射诱导电子注入等。
其中，辐射后退火实验是比较常见的方法。
该方法是将半导体器件进行一定的辐射后，再进行高温热处理，进而研究器件的性能参数变化。
此外，还可以使用快速载流子注入技术，通过大电流注入来模拟辐射引起的损伤，研究器件损伤後的快速修复和慢性损伤的积累。
3. 半导体器件抗辐射特性研究进展半导体器件的抗辐射特性研究在我国的发展趋势中，日益表现出了两方面：一方面，随着半导体器件在电子、信息技术等领域的广泛应用，对其抗辐射性能的要求不断提高，研究正日益走向深入。
另一方面，伴随着我国航空航天事业的发展，卫星、探测器等高科技产品的需求不断提高。
因此，卫星等高科技产品对于半导体器件的辐射抗性要求更高，研究在这方面的需求也日益增长。
二、半导体器件抗辐射特性应用探讨1. 航空航天领域在航空航天领域，半导体器件所承受的辐射环境相对较为严苛，必须具有高稳定性和较强的抗辐射能力，以保证产品的可靠性。
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单粒子效应
抗辐射单元结构：
单粒子效应
抗辐射单元结构：
单粒子效应
抗辐射单元结构：
测试方法
美国军标对CMOS电路的功能正常判据有以下6条，超 过这些标准则判定为失效:
(l)N沟道阈值电压最小为0.3V，即Vtn>0.3V; (2)P沟道阈值电压最大为2.8V，即Vtp<2.8V; (3)阈值电压漂移△Vth<=1.4V (4)功耗电流Iss<=100倍的最大规范值; (5)传输延迟时间:Tplh<=1.35倍最大规范值；Tphl<=1.35倍最 大规范值; (6)功能正常。
芯片设计： 1. 太敏SoC架构设计 2. 开源Leon处理器最小系统构建 3. 外围IP模块设计/获得与验证 4. SRAM及控制器设计 5. 阈值与质心计算信号处理算法IP核设计 6. JTAG、RS422 IP核设计 7. 关键模拟三模冗余设计 8. 太敏SoC系统集成与验证 9. FPGA原型验证与软件调试 10.抗辐射性能评估
单粒子效应
单粒子效应（SEE）：是指高能带电粒子在穿过微电子 器件的灵敏区时，沉积能量，产生足够数量的电荷， 这些电荷被器件电极收集后，造成器件逻辑状态的非 正常改变或器件损坏
单粒子翻转（SEU）、单粒子闩锁（SEL）、单粒子烧毁
（SEB）、单粒子瞬态脉冲（SET）、单粒子功能中断（SEFI）
单粒子效应
总剂量效应
TID加固设计技术：环形栅、加保护环和H结构、源／ 漏注入控制在薄氧区域、采用无边缘N型晶体管等
总剂量效应
国外文献报导： 1. 随着IC集成规模和加工精度的提高，栅氧的厚度逐渐减小， TID效应也在减小。当栅氧的厚度低于10nm时，栅氧的TID加 固就不存在了，主要的加固问题放在场氧的横向结构，用浅 槽隔离方法(STI)来解决。当CMOS沟道长度<100nm、栅氧 的厚度低于4nm时，TID效应引起的阈值电压漂移已不再是问 题 2. 基于薄SiO2的栅介质不再受标准辐射引起的影响（如在氧化 物层中堆集正电荷和形成界面态）的困扰，使得其在本质上 就能强力抗御总剂量损伤。 对于特征尺寸相当的极小尺寸器件（最大约几百纳米），重离子 在栅介质中诱发的离化损伤可能引起辐射致漏电流（RILC）、辐 射致软击穿（RSB）、单次栅断裂（SEGR）或潜在损伤的产生， 微剂量效应是重离子撞击产生的，较之TID损伤，它以更为局部 的方式引起充电和缺陷生成。
差距 1. 实际抗辐射投片经验 2. RHBD库
可行性
哈工大
0.25um下 1. 电路/版图级抗辐射组合电路单元设计 2. 自恢复寄存器单元设计 3. 高可靠SRAM单元及电路设计
基于国内商业IC生产线完成抗辐射SoC设计是完全可行的！
常用方法
抗剂量率引起的SEL
• 抗SEL有以下几种方法：
– 使P型衬底充分接地，N型衬底充分接电源 – 用场隔离方法设计抗闩锁电路 – 采样外延衬底
总剂量效应
抗瞬态辐照加固技术： 1. 体硅CMOS采用外延层技术和特殊设计技术
2. SOI工艺比体硅器件抗瞬态辐射性能好，但TID较弱， 因此，需要增加与体硅相同的抗电离总剂量加固技 术
总剂量效应
商用工艺线实现加固： 1. 对指标为l00 krad(Si) MOS ICs，可以通过加固设计采用商用 生产线生产 2. 在0.8um CMOS工艺线采用特殊的加固设计技术后，门阵列 芯片的总剂量容限超过了l00 krad(Si)，无单粒子闭锁现象发 生，单粒子翻转的LET阈值大于50MeV／(mg／cm2) 3. 龙芯在ST0.18um工艺生成了基于三模冗余的抗100krad（Si） 的加固芯片
谢 谢！
IEEE Journal of Solid-state circuits (1Mrad）
生产：0.25um 特点：RHBD
可行性
哈工大
生产：0.5um，0.25um，0.18um工艺 特点： 1. 软件工具，晶体管级/RTL敏感性路径分析软件
2. 3. 4. 5. 6.
系统结构与算法 存储器多位错加固算法与版图技术 创新动力 合适的价格 合作沟通
常用方法
抗辐射电路设计原则 – 晶体管比例变化：P管和N管的W/L从2.0~2.5增加 到2.5~3.0. – 输出负载能力的变化:驱动器件的W/L提高 10%~25% – 避免使用动态逻辑:辐射产生的光电流会使动态电 路节点电荷丢失，引起功能失效。 – 体效应因素：串联晶体管最大为4个，一般商用 最大为8个，使用更多的逻辑级，增加芯片面积 – 尽可能避免使用传输门电路
北大 （150~200Krad）
生产：中芯国际0.18um 特点：器件级抗辐射模型
计算所 （100Krad）
生产：STMicro 特点：TMR ECC 0.18um
国防科大
8K RHBD SRAM，内核发生SEL的LET阈值高于4.2 MeV·cm2/mg
可行性
Aeroflex Corporation (300K or > 1Mrad)
抗辐射技术调研
1.总剂量效应 2.单粒子效应
3.测试方法
4.研究内容
总剂量效应
总剂量效应（TID）：γ光子或高能离子在集成电路的 材料中电离产生电子空穴对，电子空穴随即发生复合、 扩散和漂移，最终在氧化层中形成氧化物陷阱电荷或 者在氧化层与半导体材料的界面处形成界面陷阱电荷， 使器件的性能降低甚至失效
研究内容
工作进展：
CPU DMA A/D IF
AHB
EDAC
信号处理IP
AHB To APB Bridge
APB
Watch dog
SRAM RS422 Timer GPIO ICTL
可行性
国微公司
生产：德国x-fab公司SOI 0.5um工艺 特点：全定制设计
772所 （300Krad）
生产：华虹0.5um、中芯国际0.18um体硅平面工艺 特点：专门的抗辐射单元库
单粒子效应（SEE）加固：工艺级、系统级、电路级、 版图级各层次上进行。 双阱工艺，降低栅氧化层的厚度，增加P阱和N衬底的 掺杂浓度以及降低外延层厚度 SOI工艺，由于衬底绝缘特性，自然具有抗SEL的特性
单粒子效应
单粒子效应（SEE）加固：工艺级、系统级、电路级、 版图级各层次上进行。 系统级可以采用三模冗余、软件容错、差错控制 （EDAC）等 电路级可以采用各种抗辐射单元：DICE存储单元、 ROCK单元、WHIT单元、LIU单元、HIT单元、HAD单元等 版图级：隔离、加大间距、版级的容错等
研究内容
工作进展： 1. 完成了太敏SoC架构设计 2. 建立了开源Leon处理器最小系统及软件环境 3. 完成了外围IP核（Timer、UART、GPIO等）的验证 4. 完成了SRAM控制器设计 5. 建立了FPGA原型开发环境 6. 完成了EDAC模块设计 7. 确定了阈值与质心计算信号处理算法IP核设计 8. 正在修改Leon处理器中需要三模冗余的关键单元
生产：commercial 0.25um shallow trench isolated(STI) 特点：RadHard-by-Design:环形栅、沟道阻断、自恢复寄存器、宽金属 总线
Ramon Chips（>300Krad）ISRAEL
生产：0.18um, 0.13um standard CMOS process 特点：Rad-Hardened by Design cell library 应用：leon3-FT SoC
• 其中，最有效的方法是从工艺入手，在N+或P+为 衬底的高阻外延片上制作CMOS电路，在版图设计 时，在阱内增加埋层，P阱加P+埋层，N阱增加N+ 埋层
常用方法
抗总剂量效应引起的阈值损伤
采用无场区或场区加环的设计方法，减少场区漏电流。其中 环形栅设计不存在场区漏电，能有效提高抗总剂量效应。工 艺上，可采样加固的栅氧化层降低空穴捕获率，采用场区加 固技术降低边缘漏电流。此外，薄氧化层对提高器件的抗总 剂量能力十分有效。一般情况下，0.18微米以下工艺具有本 征抗100Krad总剂量能力。
测试方法
测试系统示意图：
DUT 电流检测器
PC机
测试控制器
A
BCΒιβλιοθήκη DAA—输出状态（B0） C—存储器测试
B—功能单元测试 D—输出状态（40）
研究内容
1. 2. 3. 4. 5. 6. 抗辐射单元库建立 软件级抗辐射模拟与分析 生产工艺线评估 芯片设计 芯片生产加工 测试方案设计与系统开发
研究内容