Q62702-F321中文资料
PV 6270(中文版)缸头验收要求
缸盖,普遍验收要求, PV 62701.范围,本标准适用于缸盖可靠性本标准适用于缸盖可靠性。
其一贯的应用都提供内部 生产零件是强制性的生产零件是强制性的。
它将更新为新缸盖的范围 用于生产标准的要求,目前产品组件轮廓列在表1。
应用领域 未进行机械加工的组件 组件无加工 汽缸盖喷射系统 TWO-阀门技术3缸发动机 045 103 373 + Index 045 103 353 + Index 4缸发动机 038 103 373 + Index 038 103 353 + Index 5缸发动机 070 103 373 + Index 070 103 353 + Index 10缸发动机 07Z 103 373 + Index 07Z 103 353 + Index FOUR-阀门技术4缸发动机 R 03G 103 373 + Index 03G 103 353 + Index 5缸发动机 07H 103 373 + Index 07H 103 353 + Index 6缸发动机07G 103 373 + Index07G 103 360 + Index07G 103 353 + Index这个质量标准的目的是为了产生一个明确的铸件质量。
分类这可以应用在集团一贯的厂房及公司进一步处理铸件铸造客户()。
在这种情况下指铸件的铸造产品为完成提供给客户的铸造。
这个标准要求的优化产品设计和选择的合金以及一个可靠的应用系统中对铸造生产过程管理。
图纸规格保持不变的信息包含在本文档。
2指定PV 6270汽缸 3定义,定义acc.到VW500 99。
3.1 定义的位置上。
这个职位描述的缺陷,在这个标准是如图1所示。
图1 -位置的汽缸头3.11定义的位置通过4缸发动机为了提供一个统一的、清晰的定义的立场,该观点在接下来的章节显示在一个样品组成(4缸pump-jet)。
这个职位的部分,应当确定acc.VW 010 52(视图的大众安排)。
Q62702-F1062中文资料
Gma
IC = 15 mA, VCE = 8 V, ZS = ZSopt ZL = ZLopt f = 900 MHz f = 1.8 GHz
Transducer gain |S21e|2 11.5 6 13.5 8 -
IC = 15 mA, VCE = 8 V, ZS =ZL= 50 Ω f = 900 MHz f = 1.8 GHz
Package Equivalent Circuit: LBI = LBO = LEI = LEO = LCI = LCO = CBE = CCB = CCE = 84 165 0.85 0.51 0.69 0.61 0 0.49 nH nH nH nH nH nH fF fF fF
Valid up to 6 GHz For examples and ready to use parameters please contact your local Siemens distributor or sales office to obtain a Siemens CD-ROM or see Internet: http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
0.90551 12.196 1.2703 0.79584 0.66749 0.32167 0.21451 922.07 0.3 0.75 1.11 300
fA mA Ω V fF V eV K
0.016123 A 0.019729 A
0.024709 fA
0.013277 mA
All parameters are ready to use, no scalling is necessary. Extracted on behalf of SIEMENS Small Signal Semiconductors by: Institut für Mobil-und Satellitenfunktechnik (IMST) © 1996 SIEMENS AG
Q62702-P1051中文资料
GrenzwerteMaximum RatingsBezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert Value Einheit Unit Betriebs- und LagertemperaturOperating and storage temperature range T op ; T stg – 40...+ 80°C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s)T S230°CSperrspannung Reverse voltageV R 20V Verlustleistung, T A = 25 °C Total power dissipation P tot150mWKennwerte (T A = 25 °C, λ = 870 nm) Characteristics Bezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivityV R = 5 V, E e = 1 mW/cm 2S34 (≥ 25)µAWellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivityλS max 900nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S maxSpectral range of sensitivity S = 10 % of S maxλ740 (1120)nmBestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive areaA 4.84mm 2Abmessung der bestrahlungsempfindlichen FlächeDimensions of radiant sensitive area L ×B L ×W 2.20×2.20mm ×mmAbstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-flächeDistance chip front to case surface H0.6...0.8mmHalbwinkel Half angleϕ±60Grad deg.Dunkelstrom, V R = 10 V Dark currentI R 2 (≤ 30)nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity S λ0.63A/W Quantenausbeute Quantum yieldη0.90Electrons Photon Leerlaufspannung, E e = 0.5 mW/cm 2Open-circuit voltageV O 330 (≥ 250)mV Kurzschlußstrom, E e = 0.5 mW/cm 2Short-circuit currentI SC 17µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrentR L = 50 Ω; V R = 5 V; λ = 850 nm; I p = 800 µA t r , t f20nsDurchlaßspannung, I F = 100 mA, E = 0 Forward voltageV F 1.3V Kapazität, V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CapacitanceC 048pF Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of V O TC V – 2.6mV/K Temperaturkoeffizient von I SC Temperature coefficient of I SCTC I 0.18%/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power V R = 10 VNEP3.6×10– 14W √Hz Nachweisgrenze, V R = 10 V Detection limitD*6.1×1012cm ·√Hz WKennwerte (T A = 25 °C, λ = 870 nm) Characteristics (cont’d)Bezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert Value Einheit UnitRelative spectral sensitivity S rel = f (λ)Dark currentI R = f (V R), E = 0 Photocurrent I P = f (E e), V R = 5 VOpen-circuit voltage V O = f (E e)CapacitanceC= f (V R), f = 1 MHz, E = 0Total power dissipationP tot = f (T A)Dark currentI R = f (T A), V R= 10 V, E = 0e101010104321VW/cmµT AA Directional characteristics S rel = f (ϕ)4020。
Q62702-F1590中文资料
Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-base voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation, T S ≤ 96 °C Junction temperature Ambient temperature Storage temperature Thermal Resistance Junction - soldering point
Unit max. 6.5 600 100 150 V nA µA -
typ. 5 80
V(BR)CEO I CBO I EBO hFE
4.5 50
fT
15 24 17 0.48 1.33 1.75 1.25 0.75 1.6
GHz
Ccb Cce Ceb F
pF
dB
Gma
-
14
-
dB
|S21|2
8
11
Ga 1)
dB
Γopt
MAG ANG
RN
Ω
rn
-
F50Ω 2)
dB
|S21|2 2)
dB
V CE = 2V, I C = 10mA
0.9 1.8 2.4 3 4 0.9 1.25 1.45 1.7 2.1 15.5 11.8 10.9 8.5 6.6 0.29 0.47 0.56 0.62 0.66 175 -171 -159 -147 -127 2.7 3 3.5 5.5 15.5 0.054 0.06 0.07 0.11 0.31 0.98 1.74 2.23 3.05 4.49 16 9.5 6.8 4.7 1.9
Q62702-F1572资料
V(BR)CEO
12 100 -
V µA 100 nA 100 µA 1 50 200
IC = 1 mA, IB = 0
Collector-emitter cutoff current
ICES ICBO IEBO hFE
VCE = 20 V, VBE = 0
Collector-base cutoff current
Permissible Pulse Load RthJS = f (tp)
Permissible Pulse Load Ptotmax/PtotDC = f (tp)
10 3
10 2
RthJS
K/W
Ptotmax/P totDC D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
fT
6 8 0.24 0.11 0.35 -
GHz pF 0.4 dB 1.45 1.8 -
IC = 10 mA, VCE = 8 V, f = 500 MHz
Collector-base capacitance
Ccb Cce
-
VCB = 10 V, f = 1 MHz
Collector-emitter capacitance
4
Dec-16-1996
元器件交易网
BFS 481
Collector-base capacitance Ccb = f (VCB) VBE = vbe = 0, f = 1MHz
Transition frequency fT = f (IC)
VCE = Parameter
Package SOT-363
data below is of a single transistor
霍尼韦尔报警系统设备参数(2015版)
报警系统设备参数报警系统设备参数目录目录1.控制主机 (5)1.14110DL控制主机 (5)1.2VISTA-10P控制主机 (6)1.3VISTA-20P控制主机 (7)1.4VISTA-120/250总线制大型控制主机 (9)1.5Vista-128BPT/ Vista-250BPT (11)1.6COMPACT-4 4防区控制主机【GPRS主机】 (12)1.7236 PLUSII控制主机 (13)1.8238C PLUSＩＩ控制主机 (14)1.9238C Super 控制主机 (15)1.102316PLUSＩＩ控制主机 (18)1.112316super 控制主机 (19)1.12L YNX家居无线控制主机 (21)2.报警模块及附件 (24)2.1报警键盘 (24)2.1.16148CH固定字符键盘 (24)2.1.26160可编程英文液晶键盘 (24)2.1.3236PLUS LED控制键盘 (25)2.1.4238CPLUS LED控制键盘 (25)2.1.52316PLUS LED控制键盘 (26)2.1.62300Alpha Plus II 控制键盘 (26)2.2VISTA系列附件 (27)2.2.14229八防区扩展模块 (27)2.2.24219八防区扩展模块 (27)2.2.34293SN单防区扩展模块 (28)2.2.44193SN双防区扩展模块 (28)2.2.54193SNP双防区扩展模块 (29)2.2.64208SN八防区扩展模块 (29)2.2.74101SN总线继电器模块 (30)2.2.84204 四路继电器联动模块 (30)2.2.94232AP 32路继电器模块 (30)2.2.104286语音模块 (32)2.2.114100SM串行接口模块 (32)2.2.12IP-2000网络接口展模块 (33)2.2.13IPM-VISTA网络接口模块 (33)2.2.14IPM-VISTA super II网络接口模块 (34)2.2.154297总线延伸模块 (35)2.2.16VSI总线隔离器 (36)2.2.17VISTA-KEY 门禁控制器模块 (36)2.2.185881 ENH 防区无线接收机 (37)2.2.19IPM-2300网络接口模块 (38)2.2.20IPM-23 SUPER II网络接口模块 (38)2.2.21MCM-23（GPRS）无线网络模块 (39)2.2.22MCM-23 Super II （GPRS）无线网络模块 (40)3.探测器&传感器 (42)3.1双鉴探测器 (42)3.1.1DT-7225T 双鉴探测器 (42)3.1.2DT-7235T双鉴探测器 (43)3.1.3DT-7435T防宠物双鉴探测器 (43)3.1.4DT-7450双鉴探测器 (44)3.1.5DT-6360STC智能型吸顶式双鉴探测器 (45)3.1.6DT-900/DT-906工、商业级双鉴探测器 (46)3.1.7DT8035双鉴探测器 (47)3.1.8DT8050双鉴探测器 (48)3.2被动红外探测器 (49)3.1.1997吸顶式被动红外探测器 (49)3.1.2IS215T被动红外探测器 (50)3.1.3IS2260T智能型防宠物被动红外探测器 (50)3.1.4IS216T-CUR幕帘被动红外探测器 (51)3.1.5SP-30QU方向识别幕帘探测器 (52)3.1.6IS-208被动红外探测器 (52)3.3玻璃破碎探测器 (54)3.1.7FG-1615T/1625T/1525RT玻璃破碎探测器 (54)3.1.8FG701玻璃破碎仿真器 (55)3.4震动红外探测器 (56)3.1.911WH震动探测器 (56)3.1.10SD3震动探测器 (56)3.1.11MA-100T震动探测器 (56)3.1.12SC100/SC105震动探测器 (57)3.1.13S100 振动探测器 (57)3.1.14SC105震动探测器 (58)3.5水/温度探测器 (59)3.1.15470-12水探测器 (59)3.1.16TS300双探头温度探测器 (59)3.6门磁开关 (60)3.1.17MPS70WGW /B暗装门磁 (60)3.1.18MPS80WGW /B表面安装门磁 (60)3.1.19MPS50表面安装门磁 (60)3.1.20MPS51表面安装门磁 (60)3.7紧急开关/紧急按钮 (61)3.1.21264钱夹开关 (61)3.1.22266脚挑紧急开关 (61)3.1.23269R/270R紧急开关 (61)3.1.25PB110紧急按钮 (62)3.8HIBS户外被动红外探测器 (63)3.1.26HIBS1双光束主动红外对射 (63)3.1.27HIBS2四光束主动红外对射 (64)3.9315MHZ无线传感器 (65)3.1.285890AP无线红外探测器 (65)3.1.295816AP小型门窗发射器 (65)3.1.305802AP便携式无线按钮 (65)3.1.315804C 四键无线按钮 (66)3.10警号与闪灯 (66)3.1.32SP20S警号 (66)3.1.33710RD闪灯 (67)3.11离子式烟雾探测器 (67)3.1.34JTY-GD-2412 和JTY-GD-2424 (67)4.接警中心设备 (69)3.1.35MX-8000-3数字接收机 (69)3.1.36Doppio（Linux）网络接收机 (70)3.1.37IP-Alarm-II 报警管理软件 (72)3.1.38VISTA Alarm Viewer总线报警主机监控软件 (73)1. 控制主机1.1 4110DL控制主机防区特性：6个基本防区，均带有末端电阻监控。
Q62702-A693中文资料
Silicon Switching Diode Array
q q
BAV 74
For high-speed switching Common cathode
Type BAV 74
Marking JAs
Ordering Code (tape and reel) Q62702-A693
Semiconductor Group
2
元器件交易网
BAV 74
Forward current IF = f (TA*; TS) * Package mounted on epoxy
Reverse current IR = f (TA)
Forward current IF = f (VF) TA = 25 ˚C
Pin Configuration
Package1) Sper Diode Parameter Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current Surge forward current, t = 1 µs Total power dissipation, TS = 35 ˚C Junction temperature Storage temperature range Thermal Resistance Junction - ambient2) Junction - soldering point Rth JA Rth JS
µA
Values typ. max.
Unit
V
Test circuit for reverse recovery time
Pulse generator: tp = 100 ns, D = 0.05 tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω
BAS125-04W中文资料
Electrical Characteristics at TA=25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol min. DC characteristics Reverse current Values typ. max. Unit
IR
385 530 800 150 200
Semiconductor Group
5
Dec-20-1996
BAS 125-04W... (IF per diode)
100 mA
IF
80
TS
70 60 50 40 30 20 10 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 150 TA ,TS
TA
Permissible Pulse Load RTHJS = f(tp)
BAS 125-04W...
BAS 125W
100 mA
IF
80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 20 40 60 80 100
TS
TA
120 °C 150 TA ,TS
Permissible Pulse Load RTHJS = f(tp)
BAS 125W
10 3
Permissible Pulse Load IFmax/IFDC = f(tp)
nA
VR = 20 V VR = 25 V
Forward voltage
VF
400 650 900
mV
IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 35 mA
AC Characteristics Diode capacitance
CT
16 1.1