模拟电子技术2

+4 +3 +4 +4
+4 +4 +4
返回
N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴； P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。 例：纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级，
10 在室稳下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级，
掺入百万分之一的杂质（1/10-6），即杂质浓度 为1022*（1/106）=1016数量级，
(1) 稳定电压VZ
在规定的稳压管反向工作电流IZ下， 所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ
rZ =VZ /IZ， rZ愈小，反映稳压 管的击穿特性愈陡。
(3) 最大耗散功率 PZM
最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工
作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。
(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin
半导体二极管及基本电路
半导体的基本知识
PN结的形成及特性 半导体二极管
★二极管基本电路分析
特殊二极管
半导体的基本知识 半导体的基本知识
根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘 体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 cm。典型的半导体有硅 Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特点：1）导电能力不同于导体、绝缘体； 2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化——光敏元件、 热敏元件； 3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——半导体。
3. 折线模型（实际模型）
rD
VD Vth 0.7V 0.5V 200 iD 1mA
4. 小信号模型
VD Vth i D rD
rD
vD
iD
Q
26 (mV ) I D (mA)
二极管电路分析
1.静态分析 例1：求VDD=10V时，二极 管的 电流ID、电压VD 值。 正向偏置时： 当iD≥1mA时， VD 0V I VDD 10V 1mA 管压降为0，电阻也为0。 D R 10 K vD=0.7V。 反向偏置时： 2. 恒压降模型 电流为0，电阻为∞。 解： 理想模型 1.
本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 载流子——可以自由移动的带电粒子。
电导率——与材料单位体积中所含载流子数 有关，载流子浓度越高，电导率越高。
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电子空穴对
当T=0K和无外界激发时，导体中没有栽流子，不导电。当 温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子 可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子——本 证激发。
3. 实际模型
VD 0.7V I D VDD VD 10V 0.7V 0.93mA R 10 K
VDD Vth 10V 0.5V ID 0.931mA R rD 10 K 0.2 K
VD Vth 0.7V 0.5V VD 0.5V I D rD 0.5V 0.931mA 0.2K 0.69V rD 200 iD 1mA
硅二极管的死区电压Vth=0.5~0.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2~0.3 V左右。
(2) 反向特性 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时， 反向电流很小，且基 本不随反向电压的变 化而变化，此时的反 向电流也称反向饱和 电流IS 。 当V≥VBR时，反向 电流急剧增加，VBR称 为反向击穿电压 。
(3) 反向击穿特性
硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反 向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比 较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。
若|VBR|≥7V时, 主要是雪崩击穿；若 |VBR|≤4V时, 则主要 是齐纳击穿。
半导体二极管的参数
(1) 最大整流电流IF
二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。
C
+ vi(t) R 1K E 1.5V 解： + VD －
I DQ
1.5 VD 0.9mA 1K
－
0.6 R直 0.67 (k) 0.9
VT 26 r交 28 .89 () I Q 0.9
例3： 二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 v i ,二
极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。
动画
（2）PN结加反向电压
外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强 了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散 电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下 形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN 结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反 向电压，简称反偏。
在一定的温度条件下，由本 征激发决定的少子浓度是一定 的，故少子形成的漂移电流是 恒定的，基本上与所加反向电 压的大小无关，这个电流也称 为反向饱和电流。
本征激发
+4
空穴
+4 +4
+4 +4 +4
+4 +4 +4
动画1-1
+4 +4 +4
自由电子
自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位， 这个空位为空穴。 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电 返回 子空穴对。
杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导 体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元 素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
(2) 反向击穿电压VBR
二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击 穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电 压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。
(3) 反向电流IR
在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向 电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极 管在微安(A)级。
动画
总之：PN结正向电阻小，反向电阻 大——单向导电性。
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半导体二极管 半导体二极管
二极管 ：一个PN结就是一个二极管。 单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负 极时电流可以通过。反之电流不能通过。 符号：
半导体二极管的伏安特性曲线
第一象限的是正 向伏安特性曲线， 第三象限的是反向 伏安特性曲线。
N型半导体（电子型半导体）
在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑 ) 多余电子， 成为自由电子 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +5 +4 +4 返回 +4 +4
P型半导体（空穴型半导体）
在本征半导体中掺入三价的元素（硼）
空穴 空穴
+4 +4 +4
+4 +3 +4 +4
解：
Vi> 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。 Vi< 3.6V时，二极管截止， vo=Vi。
特殊二极管 特殊二极管
稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压 二极管的伏安特性曲线与硅二极管 的伏安特性曲线完全一样。
稳压二极管在工作时应反接，
并串入一只电阻。
电阻起限流作用，保护稳压管； 其次是当输入电压或负载电流变化 时，通过该电阻上电压降的变化， 取出误差信号以调节稳压管的工作 电流，从而起到稳压作用。
产生多余电子
动画
因浓度差
多子的扩散运动
由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
内电场阻止多子扩散
PN结的单向导电性
(1) PN结加正向电压
外加的正向电压，方 向与PN结内电场方向相反， 削弱了内电场。于是,内 电场对多子扩散运动的阻 碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流， 可忽略漂移电流的影响， PN结呈现低阻性。P区的 电位高于N区的电位，称 为加正向电压，简称正偏。
Vi 3V时，D截止，vo vi
Vi 3V时，D导通，vo 3V
例6： 理想二极管电路中 vi=V m sinω t V，求输出波形v0。
vi
Vm
V1
0 V2
t
Vi>V1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。
Vi<V2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。
V2<Vi<V1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。
(4) 正向压Leabharlann VF在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约 0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。
二极管基本电路分析
二极管基本电路分析
二极管模型
1. 理想模型
正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。
2. 恒压降模型
当iD≥1mA时，
vD=0.7V。
2.限幅电路 例2：理想二极管电路中 vi= Vm sinω t V，求输出波形v0。
vi
Vm VR
解： Vi> VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi< VR时，二极管截止， vo=VR。
0
t
3.开关电路
利用二极管的 单向导电性可 作为电子开关 例11：求vI1和
vI2不同值组合 解： 时的v0值（二极 vI1 管为理想模型）。
例7：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。
VO=25V
解：① VI<25V，D1、D2均截止。
② VI >25V ，D1导通，D2截止。
2 25 VO VI 3 3
③VI>137.5V，D1、D2 均导通。
VO=100V
VO