光刻胶前期调研报告
光刻胶项目可行性研究报告
光刻胶项目可行性研究报告光刻胶在现代半导体制造中扮演着重要角色。
它通过对于光的敏感性和可塑性，被用于制作微细图案，完成照相与沉积等工序。
本可行性研究报告将对光刻胶项目进行分析，包括市场需求、竞争优势、技术可行性和经济可行性等方面。
一、市场需求分析：光刻胶是半导体制造中必需的材料之一，其市场需求与半导体行业的发展密切相关。
目前全球半导体市场规模不断扩大，特别是高集成电路的需求不断增长。
光刻胶作为半导体制造过程中的必备材料之一，市场需求潜力巨大。
同时，在其他领域如平面显示、光学器件等也有较大的应用空间。
二、竞争优势分析：在光刻胶项目中，竞争优势是确保项目成功的关键之一、首先，我们的项目团队具备丰富的研发经验和技术实力，能够不断创新和提升光刻胶的质量和性能。
其次，我们具备完善的供应链和生产管理体系，能够确保产品的稳定供应和高效运营。
此外，与其他竞争对手相比，我们的项目还具备成本优势，使得产品价格更具竞争力。
三、技术可行性分析：光刻胶项目的技术可行性主要包括材料研发和生产工艺两个方面。
材料研发方面，我们的项目团队具备丰富的材料科学背景和研发经验，能够根据市场需求进行定制化研发，满足不同客户的需求。
生产工艺方面，我们将引入先进的设备和生产线，结合自身的生产管理经验，能够确保产品质量和生产效率。
四、经济可行性分析：光刻胶项目的经济可行性是项目投资和盈利能力的重要指标。
首先，项目投资主要包括研发费用、设备采购和生产线建设等方面。
通过市场需求和竞争优势的分析，我们预计项目投资将能够获得良好的投资回报率。
其次，由于光刻胶市场需求潜力巨大，项目的盈利能力也较高。
通过市场营销和供应链管理的优化，我们预计能够实现可观的利润。
综上所述，光刻胶项目具备较高的可行性。
基于市场需求和竞争优势的分析，光刻胶项目具有良好的发展前景。
同时，技术可行性和经济可行性的分析也支撑了项目的可行性。
为了确保项目的成功，我们将推进研发工作、加强供应链管理，并与客户建立紧密的合作关系。
光刻胶可行性研究报告范文
光刻胶可行性研究报告范文摘要：光刻胶是半导体和光电子行业制造工艺中的关键材料之一、本报告通过对光刻胶的主要特性和应用领域进行分析，研究了光刻胶的可行性。
通过实验证明，光刻胶具有较好的光刻性能，可以在高分辨率的条件下制造微细结构，同时满足行业产品对精度和可靠性的要求。
1.引言光刻胶作为一种常用的半导体制造工艺中的光刻材料，具有许多优越的特性，如良好的光刻性能、高分辨率和较低的成本。
然而，在实际应用中，还需要对光刻胶的可行性进行科学研究，以评估其在不同应用领域的适用性。
2.光刻胶的主要特性光刻胶具有以下主要特性：2.1光刻性能：光刻胶能够在紫外光的照射下，形成图案化结构，符合多种不同应用领域的需求。
2.2分辨率：光刻胶具有较高的分辨率，可以制造出微细结构，满足高精度制造的需求。
2.3成本：光刻胶的成本相对较低，可以在大规模应用中降低制造成本。
3.光刻胶的应用领域光刻胶在以下领域有广泛的应用：3.1半导体制造：光刻胶是制造集成电路芯片的重要材料，可以实现电路图案的精确制造。
3.2光电显示：光刻胶可以应用于液晶显示器和有机发光二极管等光电显示器件的制造中。
3.3光学元件制造：光刻胶可以制造光学元件，如微透镜、微棱镜和光栅等。
4.光刻胶的可行性研究本研究通过实验对光刻胶的可行性进行了研究。
实验结果表明，光刻胶能够在高分辨率的条件下实现微细结构的制造，并且具有良好的重现性和可靠性。
此外，光刻胶的制造工艺简单，可以适应大规模生产的需求。
因此，光刻胶在半导体和光电子行业具有广阔的应用前景。
5.结论光刻胶作为一种重要的制造工艺材料，在半导体和光电子行业有着广泛的应用。
通过对光刻胶的可行性研究，我们发现光刻胶具有良好的光刻性能、高分辨率和较低的成本，适用于多种应用领域。
因此，光刻胶具有良好的可行性，并且具有广阔的市场前景。
光刻胶研究报告
光刻胶研究报告
光刻胶是一种在微电子制造中广泛使用的材料，它可以通过光刻技术将图案转移到硅片上，从而制造出微小的电子元件。
在现代电子工业中，光刻胶已经成为了不可或缺的材料之一。
光刻胶的制备过程非常复杂，需要经过多个步骤才能得到高质量的光刻胶。
首先，需要选择合适的原材料，如聚合物、溶剂、光敏剂等。
然后，将这些原材料混合在一起，并进行搅拌、过滤等处理，最终得到光刻胶。
在使用光刻胶进行微电子制造时，需要将光刻胶涂覆在硅片表面，并通过光刻机将图案转移到光刻胶上。
这个过程需要非常精确的控制，以确保图案的精度和质量。
除了在微电子制造中的应用外，光刻胶还可以用于其他领域，如生物医学、光学等。
在生物医学中，光刻胶可以用于制造微流控芯片、生物芯片等；在光学中，光刻胶可以用于制造光学元件、光学波导等。
总的来说，光刻胶是一种非常重要的材料，它在微电子制造、生物医学、光学等领域都有广泛的应用。
随着科技的不断发展，光刻胶的制备和应用也将不断地得到改进和完善，为人类的生产和生活带来更多的便利和创新。
光刻胶可行性研究报告范文
光刻胶可行性研究报告范文
一、研究背景
光刻胶是印刷行业中用于制作印刷版的一种有机烯类系列材料。
光刻
胶是以光胶凝固技术将光烯聚合物或树脂涂层在玻璃或磁性基材上，通过
光照ed-s胶实现制版胶凝固的一种技术。
由于它的高分子聚合物体系，
具有优良的物理性能，便利的操作性，节约的胶印耗材，以及低成本的优势，被广泛应用于印刷行业。
二、研究内容
1、光刻胶的原理：
光刻胶的原理是通过激光胶凝固技术，将光烯类聚合物或树脂涂层在
玻璃或磁性基材上，实现制版胶凝固。
当激光胶凝固技术胶凝固玻璃或磁
性基材时，会形成一层厚度稳定的薄膜，薄膜的厚度可以控制在3~300微
米之间，由于技术的应用，胶凝固的温度可以控制在接近室温的环境中，
从而节约胶印耗材，节约能源。
2、光刻胶的特点：
光刻胶具有多种特点：一是耐候性好，能够耐受长时间的暴露；二是
抗腐蚀性强，可以有效抗腐蚀；三是具有良好的粘结性，可以有效抗静电，从而节省胶印耗材；四是适用于多种基材，可以应用于常见的塑料、金属、玻璃等基材，可以很好的覆盖基材表面；五是环境友好，经过胶凝固的光
刻胶不含有任何有害物质，可以节约能源。
光刻胶可行性研究报告范文
光刻胶可行性研究报告范文一、引言光刻胶是一种在半导体工艺中常用的材料，用于制作微电子器件中的图案。
它具有很高的分辨率和精度，是制作高集成度电子器件的关键材料之一、本报告旨在从理论和实验两个方面探索光刻胶的可行性。
二、光刻胶的原理光刻胶是一种聚合物材料，通过光敏反应实现图案的制作。
基本原理是在胶片的表面通过紫外线照射，使光刻胶发生化学反应，改变其物理特性，然后通过显影和固化等步骤完成。
三、实验步骤1.准备光刻胶和衬底：选择合适的光刻胶和衬底材料，并进行表面清洁处理。
2.涂覆光刻胶：将光刻胶倾倒在衬底上，并通过旋涂机将其均匀涂敷。
3.预烘烤：将涂敷后的光刻胶放入烘箱中进行预烘烤，以去除溶剂和提高胶膜的附着力。
4.掩模对准：将对应的掩模放置在光刻胶上，并通过显微镜进行对准。
5.曝光：将掩模和光刻胶置于曝光机中，通过紫外线照射使光刻胶发生化学反应。
6.显影：将曝光后的样品放入显影液中，将未曝光部分去除，形成所需的图案。
7.后处理：根据需要进行后处理，包括清洗和固化等步骤。
四、可行性分析1.光刻胶的分辨率：光刻胶的分辨率是评判其可行性的一个重要指标。
经实验测定，所使用的光刻胶具有非常高的分辨率，能够实现微米级的图案制作。
2.显影的清晰度：显影是光刻胶制作中的重要步骤之一，其清晰度直接影响到图案的准确性和精度。
经实验测定，显影过程清晰度高，并且能够清除掉未曝光的部分，保持图案的清晰度。
3.胶膜的附着力：胶膜的附着力对于光刻胶在制作过程中的稳定性和可行性很重要。
经实验测试，所使用的光刻胶具有良好的附着力，在显影和固化过程中能够保持其稳定性。
4.成本和效益：光刻胶制作过程中的成本和效益是评价其可行性的另一个重要指标。
经综合考虑，光刻胶制作具有相对低的成本，并且能够实现高度精细的图案制作，从而提高生产效率。
五、结论通过实验和分析，可以得出以下结论：1.光刻胶在制作微电子器件的图案方面具有很高的可行性。
2.光刻胶具有较高的分辨率和清晰度，能够实现细微的图案制作。
光刻胶前期初步调研
目录目录 (1)一、什么是光刻胶 (3)二、光刻胶的分类 (3)三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3)四、光刻胶的发展及应用 (6)五、国内光刻胶的现状和应用 (8)六、相关技术资料 (9)1.液态光成像阻焊油墨（供借鉴） (9)2.UV可剥性涂料（供借鉴） (9)3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质（供借鉴） (10)4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质（供借鉴） (10)5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究（供借鉴） (11)6.酚醛感光材料的研究材料（供借鉴） (12)7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13)8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13)9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14)10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14)七、市场上的产品介绍 (14)1.北京恒业中远化工有限公司 (15)聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15)双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂（环化橡胶类负型光致抗蚀剂） (15)聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15)邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15)2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16)3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16)4.苏州锐材半导体有限公司 (17)5.国外G,H,I线光刻胶 (17)6.瑞士SU-8光刻胶 (17)八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)九、初步方案(待深入分析) (18)1.丙烯酸基光刻胶 (18)2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18)3.聚酯类类负性光刻胶 (19)4.环化橡胶类负性光刻胶 (19)5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)一、什么是光刻胶光刻胶，又称光致抗蚀剂，具有光化学敏感性，在光的照射下溶解度发生变化，一般以液态涂覆在半导体、导体等基片表面上，曝光烘烤后成固态，它可以实现从掩膜版到基片上的图形转移，在后续的处理工序中保护基片不受侵蚀，是微细加工技术中的关键材料。
2024年LCD光刻胶项目深度研究分析报告
LCD光刻胶项目深度研究分析报告目录序言 (4)一、LCD光刻胶项目可行性研究报告 (4)(一)、产品规划 (4)(二)、建设规模 (5)二、技术方案 (7)(一)、企业技术研发分析 (7)(二)、LCD光刻胶项目技术工艺分析 (9)(三)、LCD光刻胶项目技术流程 (10)(四)、设备选型方案 (11)三、土建工程方案 (14)(一)、建筑工程设计原则 (14)(二)、LCD光刻胶项目总平面设计要求 (15)(三)、土建工程设计年限及安全等级 (16)(四)、建筑工程设计总体要求 (17)(五)、土建工程建设指标 (19)四、制度建设与员工手册 (20)(一)、公司制度体系规划 (20)(二)、员工手册编制与更新 (21)(三)、制度宣导与培训 (22)(四)、制度执行与监督 (24)(五)、制度评估与改进 (25)五、LCD光刻胶项目概论 (27)(一)、LCD光刻胶项目承办单位基本情况 (27)(二)、LCD光刻胶项目概况 (27)(三)、LCD光刻胶项目评价 (28)(四)、主要经济指标 (28)六、财务管理与资金运作 (29)(一)、财务战略规划 (29)(二)、资金需求与筹措 (29)(三)、成本与费用管理 (30)(四)、投资决策与财务风险防范 (31)七、环境影响评估 (32)(一)、环境影响评估目的 (32)(二)、环境影响评估法律法规依据 (32)(三)、LCD光刻胶项目对环境的主要影响 (32)(四)、环境保护措施 (33)(五)、环境监测与管理计划 (33)(六)、环境影响评估报告编制要求 (34)八、风险评估 (34)(一)、LCD光刻胶项目风险分析 (34)(二)、LCD光刻胶项目风险对策 (35)九、社会责任与可持续发展 (36)(一)、企业社会责任理念 (36)(二)、社会责任LCD光刻胶项目与计划 (36)(三)、可持续发展战略 (37)(四)、节能减排与环保措施 (37)(五)、社会公益与慈善活动 (38)十、制度建设与员工手册 (38)(一)、公司制度建设 (38)(二)、员工手册编制 (40)(三)、制度宣导与培训 (42)(四)、制度执行与监督 (43)(五)、制度优化与更新 (44)十一、招聘与人才发展 (46)(一)、人才需求分析 (46)(二)、招聘计划与流程 (47)(三)、员工培训与发展 (48)(四)、绩效考核与激励 (49)(五)、人才流动与留存 (50)十二、团队建设与领导力发展 (51)(一)、高效团队建设原则 (51)(二)、团队文化与价值观塑造 (53)(三)、领导力发展计划 (54)(四)、团队沟通与协作机制 (56)(五)、领导力在变革中的作用 (57)十三、公司治理与法律合规 (58)(一)、公司治理结构 (58)(二)、董事会运作与决策 (59)(三)、内部控制与审计 (60)(四)、法律法规合规体系 (62)(五)、企业社会责任与道德经营 (63)十四、质量管理与持续改进 (65)(一)、质量管理体系建设 (65)(二)、生产过程控制 (66)(三)、产品质量检验与测试 (67)(四)、用户反馈与质量改进 (68)(五)、质量认证与标准化 (69)十五、供应链管理 (70)(一)、供应链战略规划 (70)(二)、供应商选择与评估 (72)(三)、物流与库存管理 (73)(四)、供应链风险管理 (75)(五)、供应链协同与信息共享 (76)序言本项目投资分析及可行性报告旨在全面介绍和规划一个创新性的LCD光刻胶项目，以满足需求。
光刻胶产业研究报告
光刻胶产业研究报告一、光刻胶：亟待国产化的半导体核心材料1、光刻胶：半导体产业自主化的关键一环光刻工艺是半导体等精密电子器件制造的核心流程，主要工艺流程包括前处理、涂胶、软烘烤、对准曝光、PEB、显影、硬烘烤和检验。
光刻工艺通过上述流程将具有细微几何图形结构的光刻胶留在衬底上，再通过刻蚀等工艺将该结构转移到衬底上。
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一，是电子产业的关键材料。
光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成，是一种具有光化学敏感性的混合液体。
其利用光化学反应，经曝光、显影等光刻工艺，将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
因其在半导体等电子器件制造过程中的关键作用，光刻胶成为我国重点发展的电子产业关键材料之一。
根据显影效果不同，光刻胶可分正性光刻胶和负性光刻胶。
正性光刻胶的曝光部分溶于显影剂，显影时形成的图形与掩膜版上的图形相同。
负性光刻胶的曝光部分不溶解于显影剂，显影时形成的图形与掩膜版相反。
两者的生产工艺流程基本一致。
正性胶已成为主流半导体光刻胶。
负性光刻胶最早应用在半导体光刻工艺中，但由于显影时易变形和膨胀，1970s 以后正性光刻胶成为主流。
目前，在半导体光刻胶领域，g 线、i 线、ArF 线均以正胶为主。
根据应用领域的不同，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶和半导体光刻胶。
其中，PCB 光刻胶的技术壁垒最低，半导体光刻胶的技术门槛最高。
PCB 光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨。
LCD 领域光刻胶主要包括彩色光刻胶和黑色光刻胶、触摸屏光刻胶、TFT-LCD 光刻胶。
半导体光刻胶包括普通宽普光刻胶、g 线（436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及最先进的EUV(<13.5nm)光刻胶，级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。
光刻胶处于电子产业链核心环节，是半导体国产化的关键一环。
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目录目录 (1)一、什么是光刻胶 (3)二、光刻胶的分类 (3)三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3)四、光刻胶的发展及应用 (6)五、国内光刻胶的现状和应用 (8)六、相关技术资料 (9)1.液态光成像阻焊油墨（供借鉴） (9)2.UV可剥性涂料（供借鉴） (9)3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质（供借鉴） (10)4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质（供借鉴） (10)5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究（供借鉴） (11)6.酚醛感光材料的研究材料（供借鉴） (12)7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13)8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13)9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14)10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14)七、市场上的产品介绍 (14)1.北京恒业中远化工有限公司 (15)聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15)双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂（环化橡胶类负型光致抗蚀剂） (15)聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15)邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15)2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16)3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16)4.苏州锐材半导体有限公司 (17)5.国外G,H,I线光刻胶 (17)6.瑞士SU-8光刻胶 (17)八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)九、初步方案(待深入分析) (18)1.丙烯酸基光刻胶 (18)2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18)3.聚酯类类负性光刻胶 (19)4.环化橡胶类负性光刻胶 (19)5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)一、什么是光刻胶光刻胶，又称光致抗蚀剂，具有光化学敏感性，在光的照射下溶解度发生变化，一般以液态涂覆在半导体、导体等基片表面上，曝光烘烤后成固态，它可以实现从掩膜版到基片上的图形转移，在后续的处理工序中保护基片不受侵蚀，是微细加工技术中的关键材料。
它是集成电路制造的关键材料，主要应用于分立器件、集成电路（IC）、平板显示（FPD、LCD、PDP）、LED等。
随着国内芯片制造业的迅速发展，本土化需求将越来越大。
二、光刻胶的分类根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类光刻胶分为正胶和负胶，正胶即曝光显影后可溶于显影液；负胶即曝光显影后不可溶于显影液。
负性光刻胶，最早使用，一直到20世纪70年代。
其曝光区域发生交联，难溶于显影液。
特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀，所以只能用于2μm的分辨率。
正性光刻胶，正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。
特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗蚀刻能力差、高成本。
其中负胶包括环化橡胶体系负胶及化学放大型负胶（主体树脂不同，作用原理不同）；正胶包括传统正胶（DNQ-Novlac体系）和化学放大光刻胶（CAR）。
因此，根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。
传统光刻胶适用于I线（365nm）、H线（405nm）和G线（436nm），关键尺寸在0.35μm及其以上。
化学放大光刻胶（CAR）适用于深紫外线（DUV）波长的光刻胶，KrF（248nm）和ArF（193nm）。
三、光刻胶的基本组成和技术参数随着IC特征尺寸亚微米、深亚微米方向快速发展，现有的光刻机和光刻胶已无法适应新的光刻工艺要求。
光刻机的曝光波长也在由紫外谱g线(436nm) →i 线(365nm) →248nm→193nm→极紫外光(EUV)→ X射线，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），光刻胶产品的综合性能也必须随之提高，才能符合集成工艺制程的要求。
光刻胶制造中的关键技术包括：配方技术、超洁净技术、超微量分析技术及应用检测能力。
制程特性要求有：涂布均匀性、灵敏度、分辨率及制程宽容度等。
1.光刻胶的组成光刻胶主要组成如下：树脂、感光剂、溶剂。
其中树脂是一种有机聚合物，他的分子链长度决定了光刻胶的许多性质，长链能增加热稳定性，增加抗腐蚀能力，降低曝光部分的显影速度，而短链能增加光刻胶与基底间的吸附，因此一般光刻胶树脂的长度为8-20个单体。
其中感光剂，对于正性光刻胶，感光剂在曝光后发生化学反应，增加了树脂在显影液中的溶解度，从而使曝光部分在显影过程中被冲洗掉；对于负性光刻胶，感光剂在曝光后诱导树脂分子发生交联，使曝光部分不被显影液溶解。
其中溶剂保持光刻胶的流行性，因此通过甩胶能够形成非常薄的光刻胶。
传统光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶，其中负性光刻胶，树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联.从而变得不溶于显影液，负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。
正性光刻胶，树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度，在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。
这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高，正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。
化学放大光刻胶，树脂是具有化学基团保护的聚乙烯（PHS），有保护团的树脂不溶于水。
感光剂是光酸产生剂（PAG，Photo Acid Generator），光刻胶曝光后，在曝光区的PAG发生光化学反应会产生一种酸，该酸在曝光后热烘（PEB，Post Exposure Baking）时，作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走，从而使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。
2.光刻胶的主要技术参数（1）分辨率，通常用关键尺寸（CD）来衡量，CD越小，光刻胶的分辨率越高。
同时，光刻胶的厚度会影响分辨率，当CD比光刻胶的厚度小很多时，光刻胶高台会塌陷，产生光刻图形的变形。
光刻胶中树脂的分子量会影响到刻线的平整度，用小分子代替聚合物会得到更高的极限分辨率。
另外，在化学放大光刻胶中，光致产酸剂的扩散会导致图形的模糊，降低分辨率。
（2）对比度，指光刻胶曝光区到非曝光区侧壁的陡峭程度，对比度越大，图形分辨率越高。
（3）敏感度，对于某一波长的光，要在光刻胶上形成图形需要的最小能量密度值成为曝光的最小剂量，单位mJ/cm，通常最小剂量的倒数就是灵敏度，它可以用来衡量光刻胶对光的敏感程度和曝光的速度，灵敏度越高，曝光完成需要的时间越少，光刻胶的敏感度对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。
如下为曝光曲线，从中可直观的看到分辨率、对比度和敏感度。
其中，上图为A、B、C三种光刻胶的曝光曲线，在曝光剂量达到一定阈值后，光刻胶的残余厚度迅速降低，这个阈值就是敏感度，敏感度越高，阈值越小。
阈值附近的曲线的陡峭程度表征了光刻胶的对比度，曝光部分和未曝光部分过渡越迅速，分辨率就越高。
（4）粘度，衡量光刻胶流动特性的参数.粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
（5）光刻胶的比重，衡量光刻胶的密度的指标。
它与光刻胶中的固体含量有关，较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。
（6）粘附性，表征光刻胶粘着于衬底的强度，光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形，光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（蚀刻、离子注入等）。
（7）抗蚀性，光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的蚀刻工序中保护衬底表面.耐热稳定性、抗蚀刻能力和抗离子轰击能力。
抗蚀刻性能主要有两个：一是耐化学腐蚀性。
光刻胶在印制各层电路图形于Si片及其他薄膜层上时，需把图形保留下来，并把印有电路图形的光刻胶连同晶片一起置入化学蚀刻液中，进行很多次的湿法腐蚀。
只有当光刻胶具有很强的抗蚀性。
二是抗离子轰击能力，对蚀刻腔中等离子态的气态分子有一定的抗蚀能力。
（8）表面张力，液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力，光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
（9）存储和传送，能量（光和热）可以激活光刻胶，应该存储在密闭、低温、不透光的盒中，同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境，一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。
通常地，负胶的灵敏度高于正胶，但正胶的对比度和分辨率较负胶高，但正胶的粘附性和耐蚀性较差。
传统的光刻波长为汞灯的g-（436nm），h-（405nm），g-（365nm），现代DUV 光源有诸如248nmKrF laser、193nmArF laser，另外EUV还在研制之中，当前市场上也存在针对各种光源的光刻胶。
一般利用短波长的光源也可以进行曝光，但曝光的灵敏度会下降，另外在曝光过程中光刻胶表面的变化可能会导致吸收系数的下降，在深紫外波段，强烈的吸收损耗会降低敏感度，此时可掺入光致产酸剂来对反应过程进行化学放大，从而提高敏感度十倍甚至更高。
四、光刻胶的发展及应用1.紫外负型光刻胶聚乙烯醇肉桂酸醋系负型光刻胶，聚乙烯醇肉桂酸醋系列紫外负型光刻胶是指通过酯化反应将肉桂酸酰氯感光基团接枝在聚乙烯醇分子链上而获得的一类光刻胶，是最早合成的感光高分子材料，其感光波长为370-470nm，是早期电子工业使用的重要光刻胶之一。
该系列光刻胶元暗反应，存贮期长，感光灵敏度高，分辨率好。
但在硅材料基片上的粘附性较差，影响了它在电子工业的广泛使用。
1958年由美国柯达公司发明了环化橡胶-双叠氮型紫外负型光刻胶。
该胶具有粘附性好，特别在电子工业中最广泛应用的硅材料上的粘附性好，感光速度快，抗湿法蚀刻能力强等优点，很快成为电子工业中应用的主导胶种。
20世纪80年代初它的用量一度占电子工业中可用光刻胶用量的90%。
近年随着电子工业微细加工线宽的缩小，该系列负胶在集成电路制作中的应用逐年缩小，但在半导体分立器件的制作中仍有较多的应用。
2.紫外正型光刻胶1950年左右开发出来的邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶，用稀碱水显影，显影时不存在胶膜溶胀问题，因此分辨率较高，且抗干法蚀刻性强，在电子工业中应用最多，是目前电子工业中使用最多的胶种。
邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶主要由①感光剂，邻重氮萘醌化合物；②成膜剂，线性酚醛树脂；③添加剂及溶剂组成。
邻重氮萘醌化合物的不同会导致光刻胶的曝光波长有所不同。