电力电子器件wo
电力电子器件大全及使用方法详解
电力电子器件大全及使用方法详解一、二极管二极管是一种常见的电力电子器件，它可以实现电流的整流功能。
二极管具有单向导电性，即只有当正向电压施加在二极管上时，电流才能够流过二极管。
二极管常用于交流电转直流电的整流电路中。
使用方法：将二极管的正极连接到正电压，负极连接到负电压即可。
需要注意的是，二极管具有正向电压降(Vf)，在正向导通状态下会有一定的电压降，需要根据实际需求选择合适的二极管。
二、晶闸管晶闸管是一种可控硅器件，具有正向导通和反向封锁两种状态。
晶闸管通过控制门极电流来实现正向导通状态，控制门极电流为零时处于反向封锁状态。
晶闸管常用于高功率电流的开关和整流电路中。
使用方法：将晶闸管的端子正确连接，再通过控制晶闸管的门极电流来控制其导通和封锁状态。
在选择晶闸管时，需要考虑其额定电压和额定电流是否满足实际需求。
三、功率场效应管(MOSFET)功率场效应管是一种电压控制的开关器件，具有低导通电阻、快速开关速度和高电压容忍等优点。
功率MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、交流-直流变换器和电源开关等电力电子领域。
使用方法：将功率MOSFET的源极与负极连接，漏极与负载连接，控制其栅极电压来控制其导通和截止状态。
在选择功率MOSFET时，需要考虑其额定电压、额定电流和导通电阻等参数是否满足实际需求。
四、IGBTIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种中压、大功率的开关器件，它具有MOSFET和晶闸管的优点。
IGBT可以实现高压和高电流的控制，广泛应用于电力电子变换器、交流调速器和逆变器等领域。
使用方法：将IGBT的集电极与源极连接，发射极与负载连接，通过控制栅极电压来控制IGBT的导通和截止状态。
在选择IGBT时，需要考虑其额定电压、额定电流和导通电阻等参数是否满足实际需求。
总结：电力电子器件包括二极管、晶闸管、功率MOSFET和IGBT等，它们在电力电子领域中具有重要的应用。
第1章 电力电子器件概述(第一部分)(2)
1.1.2 应用电力电子器件的系统组成
1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点
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1.1.1 电力电子器件的概念和特征
电力电子器件
1）概念:
电力电子器件（Power Electronic Device）
——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电 子器件。
主电路（Main Power Circuit）
和控制电 路中附加 一些电路， 以保证电 力电子器 件和整个 系统正常 可靠运行
V1 L R
V2
主电路
电气隔离 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
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注重对器件的保护：通常采用吸收（缓冲） 保护电路（ Snubber ）来限制器件的 du/dt 和di/dt，减小由于大电流跃变在引线（寄 生）电感上形成的反电势尖峰，以防器件 过压击穿。 需要驱动与隔离：强、弱电系统之间电气 隔离，不共地，消除相互影响，减小干扰， 提高可靠性。
通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损 耗的主要因素。
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1.1.2 应用电力电子器件系统组成
电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 在主电路
控 制 控制电路 电 路 检测 电路 保护 电路 驱动 电路
额定电流 —— 在指定的管壳温度和散热条件下， 其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应 按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留 有一定的裕量。 在工频正弦半波的情况下：
平均值 IF(AV) 有效值 1.57 IF(AV)
电力电子器件的工作原理与应用
电力电子器件的工作原理与应用电力电子器件是电气工程领域中的重要组成部分，它们在电力系统的运行和控制中发挥着关键作用。
本文将介绍一些常见的电力电子器件的工作原理和应用。
一、整流器整流器是将交流电转换为直流电的装置。
它的主要原理是利用电子器件的导通和截止特性，将交流电的负半周或正半周转换为直流电。
整流器广泛应用于电力系统中的电源供应、电动机驱动和电力变换等领域。
二、逆变器逆变器是将直流电转换为交流电的装置。
它的主要原理是利用电子器件的开关特性，将直流电通过高频开关转换为交流电。
逆变器在可再生能源发电系统、电动车辆、UPS电源等领域中具有重要的应用。
三、功率半导体器件功率半导体器件是电力电子器件的核心组成部分，它们能够承受高电压和大电流，并具有良好的开关特性。
常见的功率半导体器件包括晶闸管、二极管、MOSFET和IGBT等。
它们在电力系统中的变流、变频和控制等方面发挥着重要作用。
四、电力电子变压器电力电子变压器是一种能够实现电能变换和控制的装置。
它利用电力电子器件和高频变压器的组合，实现电压和电流的变换。
电力电子变压器在电力系统中的交流输电、电力质量改善和电力调节等方面具有重要的应用。
五、电力电子控制系统电力电子控制系统是利用电力电子器件实现电力系统的控制和保护的系统。
它通过对电力电子器件的开关状态和工作参数进行控制，实现电力系统的稳定运行和优化控制。
电力电子控制系统在电力系统的稳定性、电力质量和能量利用效率等方面发挥着重要作用。
六、电力电子器件的发展趋势随着能源和环境问题的日益突出，电力电子器件正朝着高效、小型化、可靠性和智能化的方向发展。
新型材料和结构的应用、先进的制造工艺和封装技术的发展，以及智能控制和通信技术的应用，将进一步推动电力电子器件的发展。
总结：电力电子器件作为电气工程领域的重要组成部分，其工作原理和应用对于电力系统的稳定运行和控制至关重要。
整流器、逆变器、功率半导体器件、电力电子变压器和电力电子控制系统等都是电力电子器件的重要代表。
电力电子器件基础知识
1.电力电子器件制造技术 是电力电子技术的基础，其理论基础是半导体物理。
3.控制技术——电力电子技术的关键
电力变换分四大类 交流变直流——整流（AC-DC变换器） 直流变交流——逆变（DC-AC变换器） 直流变直流——斩波（DC-DC变换器） 交流变交流——交交变换（AC-AC变换器）
不可控器件(Power Diode)
——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。
2）根据驱动信 号的类型
电流驱动型
——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。
电压驱动型
——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。
二、晶闸管的导通和关断条件
〔简单描述〕晶闸管SCR相当于一个半可控的、可开不可关的单向开关。
图1-3 晶闸管的工作条件的试验电路
〔解释〕 当SCR的阳极和阴极电压UAK<0，即EA下正上负，无论门极G加什么电压，SCR始终处于关断状态； UAK>0时，且EGk>0，SCR才能导通。 SCR一旦导通，门极G将失去控制作用，即无论EG如何，均保持导通状态。SCR导通后的管压降为1V左右，主电路中的电流I由R和RW以及EA的大小决定； 当UAK<0时，无论SCR原来的状态，都会使R熄灭，即此时SCR关断。其实，在I逐渐降低（通过调整RW）至某一个小数值时，刚刚能够维持SCR导通。如果继续降低I，则SCR同样会关断。该小电流称为SCR的维持流。
3）根据内部导 电载流子分
单极型 ——器件内只有一种载流子（多数载流子）参与导电过程的半导体器件
双极型 ——器件内电子和空穴两种载流子都参与导电过程的半导体器件
混合型 ——是指单极型和双极型器件的集成混合
电力电子技术考试重点
1.电力电子器件是如何定义的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？定义：电力电子器件是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。
特点：具有开关特性存在功率损耗处理的电功率范围大需要散热存在安全工作区域什么叫做多相多重斩波电路？什么叫做相数？什么叫做重数？试绘制由基本升压斩波电路构成的二相二重斩波电路。
多相多重斩波电路:是对相同结构的基本斩波电路进行组合所构成。
相数：一个控制周期中电源侧的电流脉波数。
从电源侧看，不同相位的斩波回路数。
重数：一个控制周期中负载电流脉波数。
从负载侧看，不同相位的直流变换回路数。
绘制升降压斩波电路的电路图，分析其工作原理，并推导输入输出电压关系式。
简述PWM控制技术的理论基础——面积等效原理的基本内容。
面积等效原理：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同；冲量即窄脉冲的面积，所说的效果基本相同是指环节的输出波形基本相同。
在PWM控制中，什么是占空比？什么是载波比？占空比：指在一个脉冲循环内，通电时间相对于总时间所占的比例。
载波比:在PWM控制电路中，载波频率fc 与调制信号频率fr之比N=fc/fr称为载波比。
软开关技术解决了电力电子电路中的什么问题？软开关电路是通过怎样的思路解决这些问题的？软开关技术解决了开关损耗和噪声的问题。
控制开关开通前的电压为零，开关关断前的电流为零以达到目的。
电力电子器件为什么工作于开关状态？电力电子器件的损耗有哪些？因为处理的电功率较大，为了减少本身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。
电力电子器件损耗有：通态损耗、断态损耗、开关损耗（开关损耗又可分为开通损耗和关断损耗）实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？要有直流电动势，其极性需和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧平均电压。
为负值。
要求晶闸管的控制角α＞π/2，使Ud何为电流型逆变电路？其主要特点是什么？直流电源为电流源的逆变电路为电流型逆变电路。
电力电子器件的选型与参数设计
电力电子器件的选型与参数设计在电力系统中，电力电子器件起到了关键的作用，它们能够实现电能的变换、调节和控制。
而在进行电力电子器件的选型和参数设计时，需要考虑多种因素，包括工作条件、性能指标、可靠性要求等。
本文将介绍电力电子器件的选型和参数设计的相关知识。
一、电力电子器件的分类电力电子器件根据其功能和工作原理的不同，可以分为多种类型，如整流器、逆变器、快速开关等。
其中，整流器用于将交流电转换为直流电，逆变器则可实现将直流电转换为交流电，而快速开关则用于实现电能的快速开关和调节。
二、选型原则在进行电力电子器件的选型时，要根据具体的应用需求，考虑以下几个方面：1. 电流和电压要求：根据电流和电压的大小来选择适当的器件，确保其能够满足实际工作条件下的电流和电压要求。
2. 效率和损耗：考虑器件的效率和损耗，选择能够在给定工作条件下具有较高效率的器件，以减少能源的浪费和器件的热损耗。
3. 可靠性要求：根据实际应用的可靠性要求，选择能够满足要求的可靠性水平的器件，以确保系统的正常运行和长寿命。
4. 成本和可获得性：考虑器件的价格和市场可获得性，选择在满足性能要求的前提下具有较低成本且易于获得的器件。
三、参数设计在电力电子器件的参数设计中，主要包括以下几个方面：1. 额定电流和电压：根据应用需求和选定器件的额定值，确定实际电流和电压的大小。
2. 开关频率：根据应用需求和器件的特性，选择适当的开关频率，确保器件能够稳定工作。
3. 开关损耗和导通损耗：根据器件的工作特性和选定开关频率，计算开关损耗和导通损耗。
4. 散热设计：根据器件的功耗和散热条件，设计散热系统，以确保器件能够在正常工作温度范围内运行。
5. 控制电路设计：根据应用需求，设计器件的控制电路，实现对电流、电压等参数的精确控制和调节。
四、案例分析以整流器的选型和参数设计为例，假设需要设计一个额定电流为100A、额定电压为220V的整流器。
首先，根据额定电流和电压的要求，选择适当的整流器型号。
电力电子半导体器件(IGBT)
c. 栅分布锁定：是因为绝缘栅旳电容效应，造成在开关过程中个别先开通或 后关断旳IGBT之中旳电流密度过大而形成局部锁定。
——采用多种工艺措施，能够提升锁定电流，克服因为锁定产生旳失效。
4．开关时间与漏极电流、门极电阻、结温等参数旳关系：
5．开关损耗与温度和漏极电流关系
（三）擎住效应
IGBT旳锁定现象又称擎住效应。IGBT复合器件内有一种 寄生晶闸管存在，它由PNP利NPN两个晶体管构成。在NPN晶 体管旳基极与发射极之间并有一种体区电阻Rbr，在该电阻上， P型体区旳横向空穴流会产生一定压降。对J3结来说相当于加 一种正偏置电压。在要求旳漏极电流范围内，这个正偏压不大， NPN晶体管不起作用。当漏极电流人到—定程度时，这个正偏 量电压足以使NPN晶体管导通，进而使寄生晶闸管开通、门极 失去控制作用、这就是所谓旳擎住效应。IGBT发生擎住效应后。 漏极电流增大造成过高旳功耗，最终造成器件损坏。
在使用中为了防止IGBT发生擎住现象:
1．设计电路时应确保IGBT中旳电流不超出IDM值； 2．用加大门极电阻RG旳方法延长IGBT旳关断时间，减小重加
dVDS/d t。 3．器件制造厂家也在IGBT旳工艺与构造上想方设法尽量提
高IDM值，尽量防止产生擎住效应。
（四）安全工作区 1．FBSOA：IGBT开通时正向偏置安全工作区。
4．开关特征：
与功率MOSFET相比，IGBT 通态压降要小得多，1000V旳 IGBT约有2~5Ｖ旳通态压降。这 是因为IGBT中N－漂移区存在电 导调制效应旳缘故。
电子行业电力电子器件及应用
电子行业电力电子器件及应用引言电子行业是一个快速发展的行业，在电子设备中，电力电子器件是不可或缺的关键组成部分。
电力电子器件是指用于调整和转换电能的器件，广泛应用于交流和直流电网、电动机驱动、电源供应等领域。
本文将介绍电子行业中常见的电力电子器件及其应用。
一、开关器件1.整流二极管 (Rectifier Diode)整流二极管是一种常见的开关器件，用于将交流电转换为直流电。
它具有正向导通和反向截止的特性，常用于交流电桥式整流器、逆变器等电路中。
2.IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT 是一种高压高频开关器件，兼具了普通晶体管和普通MOSFET的特点。
它可以控制高电压和高电流的通断，并且具有低开关损耗和快速切换速度的特点。
IGBT广泛用于工业设备、交通工具和电力传输中。
3.MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor)MOSFET 是一种常见的开关器件，可以通过调节栅极电压来控制导通和截止。
它具有低导通电阻、低开关损耗和高开关速度的特点。
MOSFET 常用于直流转换器、电机驱动和太阳能发电逆变器等应用中。
二、功率模块1.IGBT模块IGBT模块是由多个IGBT芯片、隔离驱动电路和散热器组成的集成模块。
它可以方便地实现高压高频电路的设计和构建，广泛应用于电力传输、电机驱动和可再生能源领域。
2.整流桥模块整流桥模块是由多个整流二极管组成的集成模块。
它常用于交流电源的整流和直流电源供应的设计中。
3.功率放大模块功率放大模块是用于放大低功率信号为高功率信号的模块。
它常用于音频放大器、无线电频率放大器等应用中。
三、电力电子器件的应用1.交流调速电力电子器件在交流调速中起着重要作用。
例如，交流调压器使用电力电子器件的开关特性来调节交流电压的大小，实现电压调节和稳定。
2.无线充电利用电力电子器件的功率转换特性，可以实现无线充电技术。
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内蒙古工业大学毕业设计（论文）题目电力电子器件浅论专业电气及其自动化班级学生姓名贾立君指导教师成人教育学院年月日摘要从上世纪六七十年代至八十年代初，功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的可关断晶闸管(GTO)等。
它们的主要用途是用于高压输电，以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等，这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。
可控硅（SCR）是可控硅整流器的简称，简称晶闸管。
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）。
可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管。
功率MOSFET是一种电压控制型单极晶体管。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管。
MCT最早由美国GE公司研制，是由MOSFET与晶闸管复合而成的新型器件。
关键词：硅整流器(SCR)，巨型晶体管(GTR)，可控硅（SCR），电力晶体管，功率MOSFET，可关断晶闸管GTOAbstractFrom the sixties and seventies of last century to the early eighties, power semiconductor devices are mainly silicon-controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR) and the subsequent turn-off thyristor (GTO) and so on. Their main use is for high-voltage transmission, as well as manufacturing will be 380V or 220V AC power grid into a variety of medium and large DC power supply and control of motor speed control devices such as motors running, these devices are almost always associated with the grid Strong electrical device.Thyristor (SCR) is a silicon-controlled rectifier short, abbreviated thyristors.Giant Transistor Power Transistor by English transliteration for the large transistor, is a kind of resistance to high voltage, high current bipolar junction transistors (Bipolar Junction Transistor-BJT).GTO GTO (Gate Turn-Off Thyristor) also known as gated thyristor.Power MOSFET is a voltage-controlled unipolar transistor.IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), insulated gate bipolar power transistor.MCT was first developed by the United States, GE is a compound formed by the MOSFET and the thyristor new device.Key words: silicon rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), Thyristor (SCR), power transistors, power MOSFET, GTO GTO目录第一章功率半导体器件的发展 (1)1.1 功率半导体的发展 (1)1.1.1 功率半导体器件的发展现状错误！未定义书签。
第二章功率半导体器件介绍及比较 (2)2.1 可控硅、晶闸管的介绍与比较 (2)2.2 电力晶体管介绍 (3)2.3 可关断晶闸管 (3)2.4 功率 (4)2.5 绝缘栅双极晶体管 (4)2.6 MOS控制晶闸管 (5)第三章基于新型材料的电力电子器件 (6)3.1 SiC（碳化硅）用途及发展前景 (6)结论电力电子器件的应用 (7)参考文献 (8)致谢……………………………………………………….. .9第一章功率半导体器件的发展1.1从上世纪六七十年代至八十年代初，功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的可关断晶闸管(GTO)等。
它们的主要用途是用于高压输电，以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等，这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。
因此，当时我国把这些器件的总称———Power Semi-conductor Devices 没有直译为功率半导体器件，而是译为电力电子器件，并将应用这些器件的电路技术Power Electronics没有译为功率电子学，而是译为电力电子技术。
1.1.120世纪80年代以后，功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。
功率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(Power IC，常简写为PIC)为主。
这一转变的主要原因是，这些器件或集成电路能在比以前高10倍以上的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。
尤其是集成度很高的单片片上功率系统(Power System On A Chip，简写PSOC)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能，其优越性不言而喻。
国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。
第二章功率半导体器件介绍及比较2.1 可控硅（SCR）可控硅（SCR）是可控硅整流器的简称，简称晶闸管。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
下为单向可控硅(晶闸管)结构示意及电路符号图2-1下为双向可控硅(晶闸管)结构示意及电路符号图2-2晶闸管最主要的作用之一就是稳压稳流。
晶闸管在自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
晶闸管是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通，一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过晶闸管的电流减少到某一个值以下。
晶闸管能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
可控硅优点：无触点，开断无涌流，开端速度快，可以控制过零开断。
缺点：成本高，控制相对复杂，容量小，功耗大，发热严重。
2.2 电力晶体管(GTR)电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力,产生于本世纪70年代，其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。
GTR由三层半导体材料两个PN结组成的，三层半导体材料的结构形式可以是PNP，也可以是NPN。
它既具备晶体管饱和压降低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。
在开关电源和UPS内，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。
GTR优点有：耐压高，电流大，开关特性好。
GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。
2.3可关断晶闸管(GTO)可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管。
其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。
欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流I，或施以反向电H压强近关断。
这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。
可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。
GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。
目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
2.4功率MOSFET功率MOSFET是一种电压控制型单极晶体管，它是通过栅极电压来控制漏极电流的，因而它的一个显著特点是驱动电路简单、驱动功率小；仅由多数载流子导电，无少子存储效应，高频特性好，工作频率高达100kHz以上，为所有电力电子器件中频率之最，因而最适合应用于开关电源、高频感应加热等高频场合；没有二次击穿问题，安全工作区广，耐破坏性强。
功率MOSFET的缺点是电流容量小、耐压低、通态压降大，不适宜运用于大功率装置。
目前制造水平大概是1kV/2A/2MHz和60V/200A/2MHz。
2.5绝缘栅双极晶体管(IGBT)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。