基于MEMS技术的三维氧化钌微电极准电容特性_文春明

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纳米氧化镍的制备及其超级电容性能研究的开题报告

纳米氧化镍的制备及其超级电容性能研究的开题报告

纳米氧化镍的制备及其超级电容性能研究的开题报告1. 研究目的随着电子设备的不断发展,对电池的需求量也越来越大。

传统的电池存在容量小、充电时间长、寿命短等缺点,因此超级电容器作为一种新型电池已经备受关注。

作为超级电容器的重要组成部分,超级电容器电极材料的研究具有重要意义。

本研究以纳米氧化镍为研究对象,旨在探讨其在超级电容器中的应用及其制备方法,为超级电容器研究提供理论和实验基础。

2. 研究方法本研究将采用化学沉淀法制备纳米氧化镍,结合场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)等多种材料分析技术对其结构和性能进行表征。

在此基础上,采用电化学方法研究纳米氧化镍电极的电容性能,在不同电位条件下测量其电容器的电化学性能,并比较其与其他电极材料的性能差异。

3. 研究意义本研究旨在探究纳米氧化镍在超级电容器中的应用及其制备方法,对于超级电容器材料的研究具有重要意义。

同时,该研究还可以为其他电池领域提供参考,如锂离子电池、锂硫电池等。

此外,研究纳米氧化镍的制备方法,对于纳米材料的制备技术也有一定的参考意义。

4. 研究进程安排第一阶段:文献综述,熟悉超级电容器及材料相关的研究现状和规律,收集并整理相关文献资料。

第二阶段:纳米氧化镍的制备,通过化学沉淀法制备纳米氧化镍,并进行材料分析表征。

第三阶段:电容性能测试,采用电化学方法测试纳米氧化镍电极的电容性能,并与其他电极材料进行性能比较。

第四阶段:总结分析,对实验结果分析,总结得出结论,编写论文并撰写攻博报告。

5. 参考文献[1] 关增松. 新型超级电容器财产业化应用及产品细分化发展策略[J]. 电源技术, 2019, 43(1): 91-93.[2] Chmiola J, Yushin G, Gogotsi Y, et al. Anomalous Increase in Carbon Capacitance at Pore Sizes Less Than 1 Nanometer[J]. Science, 2006, 313(5794): 1760-1763.[3] Gao Hongbin, Li Yachun, and Li Jianhui. Preparation and Capacitance Property of Ni(OH)2 Nanosheets with a Mesoporous Structure for Supercapacitors[J]. Electrochemistry Communications, 2012, 19(9): 86-90.[4] Hu J, Chen C, Wang X, et al. Hierarchically structured graphene/nickel oxide/cobalt oxide ternary composite for high performance supercapacitors[J]. Nano Energy, 2016, 19: 162-172.。

一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法[发明专利]

一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法[发明专利]

专利名称:一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法
专利类型:发明专利
发明人:姜杰,刘文燕,周益春,廖敏
申请号:CN201811131091.7
申请日:20180927
公开号:CN109256420A
公开日:
20190122
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法,其中,该晶体管包括柔性衬底、底栅电极、氧化铪基铁电薄膜层、氧化物半导体有源层和均设置于顶层的源电极和漏电极,该制备方法包括:制备柔性衬底且由下至上依次在柔性衬底上制备底栅电极、铁电薄膜层、氧化物半导体有源层、源电极和漏电极,得到柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管。

这种晶体管结构简单,多次弯曲后依然可以正常工作,其制备方法工艺简单,成本低廉,可用于电子平板显示领域及可延展性柔性器件领域,具有良好的应用前景。

申请人:湘潭大学
地址:411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
国籍:CN
代理机构:北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人:陈超
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超级电容器氧化钌电极材料的研究进展

超级电容器氧化钌电极材料的研究进展

水合
RuO2
水合氧化钌具有微孔或纳米孔表面结构、高度的无定形氧化态、高度的 氢氧基和含水等特征, 局部结构具有质子、电子迁移的畅通路径, 电解液 容易进入活性物质内部, 以它为电极材料组成超级电容器, 不仅在电极活 性物质表面, 而且在体相界面上均能发生高度可逆的快速氧化还原反应, 因此所储存的比能量、比容量大大提高。
一般低于150 ℃煅烧时, RuO2·x H2O的X射线衍射光谱 (XRD)图上没有可辨别的峰,为无 序结构。热处理温度高于200℃, 即能看到尖锐的衍射峰,无定形 结构转变成了晶体结构。当然结 构转变温度会因溶胶凝胶过程中 的具体方式而偏高或偏低。
氧化钌复合电极材料的研究
氧化钌 与碳基材 料的复合 氧化钌与 其它过渡 金属氧化物 的复合
氧化钌形态结构及荷电机理
在酸性溶液中, 氧化钌的氧化还原反应一般可简单地表示为: RuOa(OH)b+бH++бe+=RuOa-б(OH)b+б 由于溶胶凝胶法所制备的水合氧化钌准电容大,因此目前以该方法制备超级 电容器用氧化钌材料的居多。溶胶凝胶法制备的氧化钌前驱体后期一般要 进行热处理, 产物的形态结构对热处理温度很敏感(图二)。
超级电容器氧化钌电极材料的研究进展
Contents
超级电容器简介 超级电容 器氧化钌 电极材料 氧化钌的化学制备方法 氧化钌形态结构及荷电机理 氧化钌复合电极材料的研究 氧化钌复合电极材料的发展方向
超级电容器简介
超级电容器

采用RuO2的超电容器 概念: 的电容是在氧化物电 超级电容器是一种新型电化学储能装置, 是指采用高比表面积碳材料或 RuO2等贵 极表面及体相发生的 采用碳材料的超 金属氧化物作电极 倍的电化学电容器,以其数十倍 Faraday 双电层 ,容量为传统电容器的20-200 氧化还原反应而产生 电容器的储能机 于蓄电池的比功率, 以及数百倍于物理电容器的比能量而引起电源界的广泛重视 电容 准电容 的吸附电容,由于该 。 理是基于碳电极 类电容的产生机制与 /电解液界面上 双电层电容不同并伴 电荷分离所产生 随电荷传递过程的发 的双电层电容 生,这种电容被称为 (double layer Faraday准电容 ( capacitance) Faradaicpseudocapacitance)。

超级电容器氧化钌电极材料的研究进展

超级电容器氧化钌电极材料的研究进展

超级电容器氧化钌电极材料的研究进展
尹斌传;郭丽
【期刊名称】《电源技术》
【年(卷),期】2006(30)6
【摘要】长久以来,在生产氧气、氯气和氢气的电化学反应中,氧化钌一直是最佳的电催化材料之一,它既能用作阳极来生成氯气和氧气,也能用作阴极来生成氢气。

通过热处理方法于钛基上制备RuO2.在氯气生产工业中已有数十年的历史。

【总页数】3页(P436-438)
【作者】尹斌传;郭丽
【作者单位】华中科技大学;中船重工集团公司第712研究所,湖北,武汉,430064【正文语种】中文
【中图分类】TM5
【相关文献】
1.导电剂对氧化钌基超级电容器电极材料性能的影响∗ [J], 卢云;元杰;宫岩坤;胡永达;杨春
2.基于氧化钌微电极的MEMS微型超级电容器的设计与制作 [J], 周扬;王晓峰
3.超级电容器用氧化钌及其复合材料的研究进展 [J], 徐艳;王本根;王清华;刘宏宇
4.二氧化硅/氧化钌超级电容器电极材料的制备 [J], 霍玉秋;闫玉涛;翟玉春;李明东
5.氧化钌/活性炭超级电容器电极材料的研制 [J], 王晓峰;王大志;梁吉
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独特形貌氧化锰纳米电极材料的可控制备及其电容性质研究

独特形貌氧化锰纳米电极材料的可控制备及其电容性质研究

独特形貌氧化锰纳米电极材料的可控制备及其电容性质研究氧化锰材料由于资源丰富、价格低廉、环境友好、理论比电容高等优点,被认为是最具发展潜力的超级电容器电极材料之一。

本论文采用水热法可控制备了一系列不同晶相和形貌的氧化锰纳米材料,探讨了水热制备条件对氧化锰纳米电极材料形貌和晶相的影响,系统研究了氧化锰纳米电极材料结构、比表面积、形貌及结晶性等参数对其电容性质的影响。

论文的主要内容如下:(1)以高锰酸钾为锰源、有机胺/铵和无机铵为还原剂,发展了制备大比表面积介孔Birnessite型层状氧化锰纳米材料的简易方法。

以尿素为反应还原剂,通过低温水热反应制备了片层状氧化锰。

制备材料的BET比表面积为230m2/g,反应体系中的尿素对于氧化锰粒子的生成和氧化锰结构中介孔的形成起着至关重要的作用,且水热反应温度对制备材料的晶相和形貌有显著影响。

以硫酸钱为反应还原剂时,制备得到了花状微球形氧化锰,花状微球由薄的纳米片组装而成,比表面积为280m2/g,平均孔径为3.8nm。

制备形貌规则、粒径大小分布均匀层状氧化锰的最优条件是:高锰酸钾与硫酸铵物质的量之比为1:0.5,水热反应温度为90℃,反应时间为24小时,该方法是一种制备介孔结构层状氧化锰纳米材料的绿色策略。

当CTAOH为反应还原剂原料时,成功制备了分级结构层状氧化锰纳米材料,其比表面积为105m2/g,平均孔径为7.8nm。

反应中CTAOH既是还原剂,又是表面活性剂,CTAOH的引入对于氧化锰分级结构的形成起着非常重要的作用。

水热反应温度对制备材料的晶相和形貌有显著影响,随着反应温度的升高,产物由花球状氧化锰转变为具有棒状形貌碱式氧化锰。

(2)采用两步法制备了纳米带状高结晶性Birnessite型氧化锰材料。

以高锰酸钾和乙醇反应所得碱式氧化锰为前驱物,在140℃的水热温度和10mol/L KOH 溶液中反应72小时,制备得到了比表面积为53m2/g的带状Birnessite型层状氧化锰纳米材料。

基于Sigma-Delta技术的差分电容检测电路设计

基于Sigma-Delta技术的差分电容检测电路设计

基于Sigma-Delta技术的差分电容检测电路设计万明亮;张卫平;黄晓刚;陈文元【期刊名称】《电测与仪表》【年(卷),期】2007(044)011【摘要】接口电路是悬浮转子微陀螺研制中的关键技术之一.本文对静电悬浮转子微陀螺的差分电容结构建立其简化数学模型,并结合Sigma-Delta技术的优点提出了一种新颖的闭环检测电路.该检测电路能够直接输出数字信号,系统稳定性好,对陀螺失效具有自检特性并且能够有效避免陀螺的锁住.与通常采用的调制解调方法相比,该检测电路大大节省了器件,因此非常适用于对微陀螺原型进行测试评估.对该检测电路的仿真结果表明,其灵敏度为2V/g,动态范围约为1g.【总页数】4页(P59-61,58)【作者】万明亮;张卫平;黄晓刚;陈文元【作者单位】上海交通大学,微纳科学技术研究院,薄膜与微细加工教育部重点实验室,微米/纳米加工国防实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院,薄膜与微细加工教育部重点实验室,微米/纳米加工国防实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院,薄膜与微细加工教育部重点实验室,微米/纳米加工国防实验室,上海,200030;上海交通大学,微纳科学技术研究院,薄膜与微细加工教育部重点实验室,微米/纳米加工国防实验室,上海,200030【正文语种】中文【中图分类】TM934.2【相关文献】1.电容检测技术分析及差动变频检测电路设计 [J], 许立志;陈春兰2.基于PZST材料的微电容检测及数据采集电路设计 [J], 蔡艳艳;陈贺3.微小差分电容检测电路设计 [J], 王玲;刘俊;石云波4.基于CPLD和TDC的微电容传感器信号检测电路设计 [J], 熊丽霞;江桥;杜晓松;周云;吕坚5.基于风洞的电容式加速度计检测电路设计 [J], 安文倩;朱目成;聂诗良因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

三维析氧电极阳极材料及其制备方法和应用[发明专利]

三维析氧电极阳极材料及其制备方法和应用[发明专利]

专利名称:三维析氧电极阳极材料及其制备方法和应用专利类型:发明专利
发明人:袁伟永,赵明,李长明
申请号:CN201510296779.0
申请日:20150602
公开号:CN105047884A
公开日:
20151111
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种三维析氧电极阳极材料及其制备方法和应用,本发明通过水热反应和自组装技术,将四氧化三钴沉积在泡沫镍上,并用石墨烯进行包覆,避免了四氧化三钴活性及稳定性较差,以及泡沫镍在析氧反应条件下稳定性差,不能直接用作析氧电极的缺点,所获得的复合材料能够直接用于三维析氧电极,无需另外添加粘结剂,简化了电极的工艺,并且所述电极在作为电解水阳极时具有良好的析氧电催化活性与稳定性,在RFC和碱性电解池等方面有广泛的应用前景。

申请人:西南大学
地址:400715 重庆市北碚区天生路2号
国籍:CN
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人:赵荣之
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一种基于集成三电极体系微芯片的电化学与电化学发光检测方法[发明专利]

一种基于集成三电极体系微芯片的电化学与电化学发光检测方法[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610485926.3(22)申请日 2016.06.24(71)申请人 大连理工大学地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号(72)发明人 徐莘博 刘军山 张文珠 杨正馨 窦文堃 满运程 廖穗杨 何昊阳 (74)专利代理机构 大连理工大学专利中心21200代理人 温福雪 李宝元(51)Int.Cl.G01N 21/76(2006.01)G01N 27/48(2006.01)(54)发明名称一种基于集成三电极体系微芯片的电化学与电化学发光检测方法(57)摘要本发明涉及一种基于集成三电极体系微芯片的电化学与电化学发光的检测方法。

步骤如下:(1)制作集成三电极的聚甲基丙烯酸基片;(2)制作聚二甲基硅氧烷盖片;(3)微芯片-电化学工作站检测装置。

本发明首次将不同材料的微电极集成到了单片PMMA基片上,提高了测试装置的集成度,不需外接电极,便携性好、检测响应速度快,检测精度高,可达1×10-6M,并可以进行调整。

测试方法的重复性好,100次以上数据误差小。

同时清洗电极简单,可更换PDMS盖片,延长了测试装置的使用寿命、使用聚合物材料进行加工,生化兼容性好,基片透明,可兼容电化学与电化学发光检测,化学试剂消耗量为0.1毫升/次,显著地降低了测试成本。

权利要求书2页 说明书4页 附图3页CN 105891192 A 2016.08.24C N 105891192A1.一种基于集成三电极体系微芯片的电化学与电化学发光检测方法,其特征在于,步骤如下:(1)制作集成三电极的聚甲基丙烯酸基片1)用激光雕刻机将聚甲基丙烯酸甲酯PMMA基片切割成预先设计的图案,再将其置于清洗液中,超声清洗;2)将清洗完的PMMA基片置于磁控溅射机中,先溅射一层15-25纳米的钛,再溅射一层150-250纳米的银;3)将溅射完钛与银的PMMA基片放到甩胶机上,以2500-2700转/分钟的转速旋涂一层BP212正性光刻胶,以50-60℃前烘30-60分钟;4)将前烘后的PMMA基片放入光刻机中,与前烘后的PMMA基片的标记点对准后放置掩膜版,进行紫外曝光25-35秒,使光刻胶图形化;5)将光刻完的PMMA基片放入质量分数为0.3-0.8%的氢氧化钠溶液显影25-35秒,去除步骤3)中被曝光的光刻胶;然后放在热板上,以50-60℃后烘30-60分钟;6)将显影后的PMMA基片放入体积比为5:2的氨水与双氧水的混合溶液3-5s,腐蚀步骤2)中溅射的银;再将腐蚀完银的PMMA基片放入体积比为1:10的氢氟酸与水混合溶液中20-30s,腐蚀步骤2)中溅射的钛;7)使用光刻机对腐蚀完钛与银的PMMA基片上的光刻胶进行全曝光,再放入质量分数0.3-0.8%的氢氧化钠显影液中25-35秒,去除步骤5)中残余的光刻胶,得到集成银参比电极的PMMA基片;8)将集成银电极的PMMA基片放到甩胶机上,以2500-2700转/分钟的转速旋涂一层BP212正性光刻胶;然后将其放入光刻机中,使用掩膜版对准位置后进行紫外曝光25-35秒,使光刻胶图,以50-60℃前烘30-60分钟,得到二次曝光完的PMMA基片;9)将步骤8)得到的二次曝光完的PMMA基片放入质量分数0.3-0.8%的氢氧化钠溶液显影,去除步骤8)中已曝光的光刻胶,再将PMMA基片放入光刻机中,使用掩膜版对准位置后进行紫外曝光25-35秒,得到全曝光完的PMMA基片;10)使用磁控溅射台在步骤9)中全曝光过的PMMA基片上先溅射15-25纳米的钛,再溅射80-150纳米的铂;11)将溅射完钛于铂的PMMA基片放入质量分数为0.3-0.8%的氢氧化钠溶液中进行剥离,3-5小时后剥离出铂工作电极与铂对电极,完成集成三电极的PMMA基片的制作;(2)制作聚二甲基硅氧烷盖片1)将体积比10:1的聚二甲基硅氧烷单体与交联剂混合,抽真空,置于聚甲基丙烯酸甲酯上,混合物在聚甲基丙烯酸甲酯上的厚度为3mm,以80℃烘干1小时,使PDMS固化;2)将固化的PDMS从聚甲基丙烯酸甲酯上取下,根据PMMA基片的尺寸,切割固化后的PDMS,其长度与PMMA基片的长度相同,宽度小于PMMA基片的宽度;在切割后的PDMS上打孔,作为反应池,即得到聚二甲基硅氧烷盖片,该聚二甲基硅氧烷盖片使PMMA基片上的每组电极完全与外界接触;3)将聚二甲基硅氧烷盖片与集成三电极的PMMA基片可逆键合,得到一种集成三电极体系电化学与电化学发光检测的微芯片;(3)微芯片-电化学工作站检测装置1)使用导电银浆连接铜线与微芯片上的焊盘;2)将导电银浆置于空气中固化12-24小时;3)将微芯片置于暗盒中并与与电化学工作站进行连接,进行电化学与电化学发光检测。

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1实验
1.1 三维微电极结构的制备 三维微电极结构的制备过程如图2所示. ①将单
面 抛 光 硅 片N (100 ) 进 行 标 准 清 洗 , 以 清 除 硅 片 表 面 黏 附的杂质; 将硅片进行热氧化形成二氧化硅绝缘层 (图2(a));②将已氧化的硅片 放 置 于 涂 胶 台 上 ,设 定 转 速 和 时 间 ,滴SU-8 光 刻 胶 于 硅 片 上 , 旋 涂 SU-8 胶 ( 图 2(b));③将 已 涂 胶 的 硅 片 转 移 到 烘 胶 台 上 进 行 前 烘 , 加热至65 ℃, 保持12 min; 再升温至95 ℃, 保持35 min,去 除 胶 中 溶 剂 ,使 胶 不 再 具 有 流 动 性 , 关 闭 电 源 , 冷却至室温取出; ④将已进行 前 烘 的SU-8胶 转 移 到 MA6曝光机,仔细 调 整SU-8胶 与 掩 模 版 的 距 离 ,使 之 紧密接触后曝光,曝光时间为65 s(图2(c));⑤用烘胶 台进行后烘,促使已曝光的SU-8胶产生交联 ,加 热 至 65 ℃,保持8 min;再升温至95 ℃,保持25 min,关闭电 源,冷却至室温取出;⑥将硅片置于SU-8胶 专 用 显 影 液 中 , 轻 轻 晃 动 , 使 显 影 液 与 SU-8 胶 充 分 接 触 , 溶 解 并 带 走 未 曝 光 的SU-8 光 刻 胶 ,显 影 时 间 为 25 min ( 图 2 (d));⑦最后用烘箱对SU-8胶 进 行 坚 膜 ,去 除 胶 中 残 余的溶剂和水分子等;⑧在溅射厚度120 nm作为集流 体的金(图2(f))之前,先溅射一层厚度为40 nm钛钨合 金 作 为 中 间 层 ( 图 2 (e)), 以 增 强 集 流 体 与 SU-8 胶 结 构 的结合力. 1.2 电极功能膜的制备
(1. Key Laboratory of Fundamental Science on Micro/Nano-Device and System Technology, Chongqing University, Chongqing 400030, China; 2. National Center for International Research of Micro/Nano-System and New Material
图 1 三维微电极结构示意 Fig. 1 Schematic of 3D microelectrode structure
Pech等 [10]研 究 了 用 喷 墨 打 印 的 方 法 制 作 碳 电 极 微型超级电容器,制作的电极长度为400 μm,宽为40 μm,间距为40 μm,但高度不足2 μm,深宽比很小,其 电 极 比 容 量 在1 mV/s的 扫 描 速 率 下 为2.1 mF/cm2. 其 后Pech等 [11]又 以 硅 为 基 底 ,用1 800 ℃退 火 后 的 纳 米 金刚石粉末进行电沉积制备电容器,在100 V/s的扫描 速率下得到0.9 mF/cm2的比容量. Miller等 研 [12] 究了用 MEMS技术制作超级电容器, 但电容器的电极为二维 结构,面积较小,容量较低,在1 mA/cm2的放电密度下 其 比 容 量 为 53 mF/cm2. 2010 年 Jiang 等 [13]在 高 约 150 μm 的 碳 电 极 上 电 沉 积 电 活 性 物 质 Ni 形 成 Ni (OH)2, 利 用 真 空 助 压 和 去 离 子 水 帮 助 Ni 进 入 碳 电 极 内 部 , 提 高 电极活性物质的搭载量,从而使电容器性能有了较大 的提高,得到26.7 mF/cm2的比容量. Sun等 进 [14] 行了电
Abstract: To enhance the charge storage capacity of the electrode in unit floor area, high aspect ratio three-dimensional microelectrode structures were prepared by MEMS technology to increase the electrode surface area, and functional membranes were fabricated on the structures. The three-dimensional microelectrode structures were made by SU-8 photoresist on the silicon wafer, and gold was sputtered on the structure as a current collector. Ruthenium oxide as electroactive material was electroplated on the three-dimensional microelectrode structure surface with the square pulse electro-deposition method in two-electrode system. The microelectrode surface morphology and composition were characterized by scanning electron microscopy and energy dispersive spectroscopy. Electrochemical properties of microelectrode were tested by cyclic voltammetry. It is found that the specific capacitance of the three-dimensional microelectrode is 0.79 F/cm2. Keywords: MEMS; three-dimensional microelectrode; ruthenium oxide; SU-8 photoresist; super capacitor
收稿日期: 2012-05-02. 作者简介: 文春明(1969— ),男,副教授. 通讯作者: 文春明,cquwcm@.
2013 年 1 月
文春明等:基于 MEMS 技术的三维氧化钌微电极准电容特性
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随着信息技术的进步, 高端电子设备朝小型化、 便携式、长寿命方向发展,要求电子器件中的电容器 容量大、 功率密度高、 体积小. 传统的电容器因体积 大、容量小等原因,不能满足高端电子设备的要求.超 级电容器具有充放电速度快、效率高、功率密度高等 优点 , [1-4] 但其体积较大,因而研制体积 较 小 的 微 型 超 级电容器, 特别是用MEMS技术制备微型超级电容器 逐渐受到重视 . 5-7] 超级电容器的电荷储存能力主要取 决于电极上搭载的活性物质的量和电极结构表面积 的 大 小 [8],因 此 在 制 作 电 容 器 过 程 中 ,如 能 增 大 电 极 结 构表面积, 将会有效增加电容器的电容量. 将电极结 构 制 作 成 如 图 1 所 示 的 形 状 , 则 其 表 面 积 增 加 1+a 倍 (a 为微结构深宽比)[9], 因此增加电极结构的深宽比,将 直接增加电极结构的表面积. 法拉弟赝电容的电荷储 存量与电极活性物质的量成正比, 活性物质越多,则 电容量越大. 活性物质呈薄膜状态时其电容性能最 佳,因薄膜的厚度有限,所以单位底面积上的活性物 质数量有限,若将电极结构制备成三维形状,则在相 同的底面积上增大了电极结构表面积,能在结构表面 搭载更多的活性物质,从而增大单位底面积的比电容. 同时表面积的增大也有助于增大双电层电容的容量.
第 11 卷 第 1 期 2013 年 1 月
纳米技术与精密工程 Nanotechnology and Precision Engineering
Vol. 11 No. 1 Jan. 2013
基于MEMS技术的三维氧化钌微电极准电容特性
文春明1,2,3, 温志渝1,2,3, 尤 政4, 王晓峰4
(1.重庆大学新型微纳器件与系统技术国家重点学科实验室,重庆 400030; 2.重庆大学国家级微纳系统与新材料技术国际研发中心,重庆 400030; 3.重庆大学微系统中心,重庆 400030; 4.清华大学精密仪器与机械学系,北京 100084)
镀PPY制备三维电极工作,电容器在20 mV/s扫描速度 下得到的比容量为0.128 F/cm2. 氧化钌具有优良的赝 电容性能,Zheng和Jow[15]制备的氧化钌具有760 F/g的 比容量,是一种较好的超级电容器电极材料,而且可 以用电化学的方法沉积在不同的基体上. 目前对氧化 钌的研究多集中在材料特性上 , [16] 直接将其制备成电 极的研究较少.
摘 要:为增强电极在单位底面积上的电荷储存能力,设计利用MEMS技术制作高深宽比三维微电极结构,以增大电
极结构表面积,并在结构表面制作功能膜形成电极.以硅为基底,SU-8光刻胶为材 料 制 作 了 三 维 微 电 极 结 构 ,在 结 构
表面溅射金作为集流体,用两电极体系进行方波脉冲电沉积,在三维微电极结构表面沉积氧化钌作为活性物质,制
文 章 编 号 :1672-6030(2013)01-0074-05
Pseudo-Capacitive Behavior of Three-Dimensional Ruthenium Oxide Microelectrode Prepared by MEMS Technology
Wen Chunming1,2,3, Wen Zhiyu1,2,3, You Zheng4, Wang Xiaofeng4
备了三维微电极.用扫描电镜和能谱对微电极表面形貌和物质组成进行表征,用循环伏安法等对微电极的电化学特
性进行测试,三维微电极的比容量达0.79 F/cm2.
关 键 词 :MEMS;三 维 微 电 极 ;氧 化 钌 ;SU-8光 刻 胶 ;超 级 电 容 器
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