白玻半导体材料
基础化工行业半导体材料专题报告
基础化工行业半导体材料专题报告国内半导体材料产业链全面盘点半导体产业链可以大致分为设备、材料、设计等上游环节、中游晶圆制造，以及下游封装测试等三个主要环节。
半导体材料是产业链上游环节中非常重要的一环，在芯片的生产制造中起到关键性的作用。
根据半导体芯片制造过程，一般可以把半导体材料分为基体、制造、封装等三大材料，其中基体材料主要是用来制造硅晶圆半导体或者化合物半导体，制造材料则主要是将硅晶圆或者化合物半导体加工成芯片的过程中所需的各类材料，封装材料则是将制得的芯片封装切割过程中所用到的材料。
各个环节的材料基本都有国内企业参与供应基体材料根据芯片材质不同，分为硅晶圆片和化合物半导体，其中硅晶圆片的使用范围最广，是集成电路IC 制造过程中最为重要的原材料。
硅晶圆片全部采用单晶硅片，对硅料的纯度要求较高，一般要求硅片纯度在99.9999999%（9N）以上，远高于光伏级硅片纯度。
先从硅料制备单晶硅柱，切割后得到单晶硅片，一般可以按照尺寸不同分为6-18 英寸，目前主流的尺寸是8 英寸（200mm）和12英寸（300mm），18 英寸（450mm）预计至少要到2020 年之后才会逐渐增加市场占比。
全球龙头企业主要是信越化工、SUMCO、环球晶圆、Silitronic、LG等企业。
化合物半导体主要指砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半导体，相比第一代单质半导体（如硅（Si）、锗(Ge）等所形成的半导体），在高频性能、高温性能方面优异很多。
三大化合物半导体材料中，GaAs占大头，主要用在通讯领域，全球市场容量接近百亿美元；GaN 的大功率和高频性能更出色，主要应用于军事领域，目前市场容量不到10 亿美元，随着成本下降有望迎来广泛应用；SiC 主要作为高功率半导体材料，通常应用于汽车以及工业电力电子，在大功率转换领域应用较为广泛。
相关公司主要有：三安光电、海威华芯制造材料抛光材料半导体中的抛光材料一般是指CMP 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）过程中用到的材料，CMP 抛光是实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。
半导体 化学原料
半导体化学原料半导体是一种重要的电子材料，它被广泛应用于微电子、光电子、信息技术等领域。
半导体的制备过程中，需要用到各种化学原料。
本文将介绍一些常用的半导体化学原料。
1. 硅（Si）硅是半导体制备中最重要的原料之一。
它是一种广泛存在于地壳的化学元素，占地球壳中总质量的27.7％。
在半导体工业中，硅的纯度要达到99.9999％以上，通常使用化学气相淀积（CVD）、分子束外延（MBE）等技术制备高纯度晶体硅和硅薄膜。
2. 氨（NH3）氨是一种无色气体，具有较强的还原性，易于与氧化物反应生成亚硝基和氮氧化物。
在半导体制备中，氨通常用作化学气相淀积的氮源，也用于制备硝酸铝等其它化学物品。
3. 氧化铝（Al2O3）氧化铝是一种重要的半导体化学原料，它具有良好的绝缘能力、化学稳定性和耐高温性。
在半导体制备中，氧化铝通常用于制备氮化铝（AlN）薄膜。
此外，氧化铝还可以用于制备铝电解电容器、玻璃陶瓷、陶瓷填料等。
5. 氯（Cl2）氯是一种有毒气体，具有强烈的腐蚀性。
在半导体制备中，氯主要用于刻蚀、清洗和沉积等过程。
例如，高纯度的氧化硅可以通过氯化硅封口法得到。
氯还可以用于制备氯离子等其它化学物品。
6. 磷（P）磷是一种重要的半导体化学原料，它可以用于掺杂硅获得n型半导体。
在半导体制备中，掺杂磷的方法通常是将气相的磷化氢（PH3）注入石英管中，在高温下进行化学气相淀积。
除此之外，磷还可以用于制备荧光剂、农药等。
7. 硼（B）硼是一种轻金属，通常用于掺杂硅获得p型半导体。
在半导体制备中，掺杂硼的方法通常是将三氯化硼（BCl3）气体和氢气反应，或使用卤化物还原法将硼挥发物分别与氢气或异丙醇反应。
除此之外，硼还可以用于制备陶瓷、热水瓶涂层、马蹄铁等材料。
半导体材料有哪些
半导体材料有哪些半导体材料按应用环节划分，可分为前端晶圆制造材料和后端封装材料两大类。
主要的晶圆制造材料包括：硅片、电子特气、光刻胶及配套试剂、湿电子化学品、抛光材料、靶材、光掩膜版等；主要的封装材料包括：引线框架、封装基板、陶瓷材料、键合金丝、切割材料等。
根据SEMI数据，2020年全球晶圆制造材料中，硅片占比最高，为35%；电子气体排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻胶占比6%；光刻胶配套材料占比8% ；湿电子化学品占比7%；CMP抛光材料占比6%；靶材占比2%。
封装材料中，封装基板占比最高，为48%；引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料分列第2-6 名，占比分别为15%、15%、10%、6%和3%。
1 半导体硅片：根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。
单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。
抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。
按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2 英寸）、75mm（3 英寸）、100mm（4 英寸）、125mm（5 英寸）、150mm（6 英寸）、200mm（8 英寸）与300mm （12 英寸）等规格。
目前全球半导体硅片以12英寸为主，2020 年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。
根据头豹研究院数据，12英寸对应3-90nm制程，产品包括手机SoC、CPU、GPU、存储、通信、FPGA、MCU、WiFi/蓝牙等；8英寸对应90nm-0.25μm制程，产品包括汽车MCU、射频、指纹识别、电源管理、功率、LED驱动等；6 英寸对应0.35μm -1.2μm制程，产品包括MOSFET、IGBT、MEMS等。
（1）半导体硅片竞争格局2020年，全球前五大半导体硅片企业信越化学、SUMCO、Siltronic、环球晶圆、SKSiltron合计销售额109.16亿美元，占全球半导体硅片行业销售额比重高达89.45%。
半导体主要材料有哪些
半导体主要材料介绍
半导体作为一种重要的材料，在电子行业中扮演着至关重要的角色。
它的特性使得半导体在电子学、光电子学、计算机科学等领域中有着广泛的应用。
本文将介绍半导体的主要材料种类，以便更好地了解半导体材料的特性和应用。
硅（Silicon）
硅是最常见且应用最广泛的半导体材料之一。
它具有良好的半导体特性，化学稳定性高，且价格相对较低。
硅半导体广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
硒化镉（Cadmium Selenide）
硒化镉是一种II-VI族半导体材料，具有优良的光电特性。
它在红外探测、半导体激光器等领域有着重要的应用。
砷化镓（Gallium Arsenide）
砷化镓是一种III-V族半导体材料，其电子迁移率高，适用于高频器件和微波器件。
砷化镓在通信领域和光电子领域中具有广泛的应用。
硒化铟（Indium Selenide）
硒化铟是一种III-VI族半导体材料，具有光电性能优异的特点。
硒化铟在太阳能电池、红外探测等领域有着重要的应用。
氧化锌（Zinc Oxide）
氧化锌是一种广泛应用的半导体材料，具有优良的透明导电性能，适用于透明电子器件、柔性显示屏等领域。
以上介绍了几种常见的半导体材料，每种材料都具有独特的性能和应用特点。
随着科学技术的不断发展，半导体材料的研究和应用也将不断深化，为现代电子科技的发展提供有力支撑。
半导体材料分类,1,2,3,4代半导体材料
半导体材料分类,1,2,3,4代半导体材料下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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PECVD氧化硅薄膜
PECVD 氧化硅薄膜简介PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种基于等离子体增强的化学气相沉积技术。
PECVD 涉及在低压和高温条件下将化学气体中的前体分子转化为固态材料。
氧化硅（SiO2）是一种重要的半导体材料，具有优秀的电学性能和化学稳定性。
PECVD 氧化硅薄膜在集成电路制造、太阳能电池、平板显示器等领域有广泛的应用。
在本文档中，我们将介绍 PECVD 氧化硅薄膜的制备方法、特性及其应用。
制备方法PECVD 氧化硅薄膜的制备过程可以分为以下几个步骤：1.基片清洗：将基片进行溶剂清洗和酸碱清洗，以去除表面的杂质和有机物。
2.进料：将预先准备好的前体气体（例如二甲基硅醇、三甲基硅烷等）与载气（通常为氢气或氮气）混合，并通过进料系统输入反应室。
3.产生等离子体：通过加入高频电场或微波，将反应室中的气体激发为等离子体。
4.反应：等离子体中的激发态气体与基片表面反应，并沉积成氧化硅薄膜。
5.退火处理：薄膜表面的有机物残留和内部应力可以通过热退火来去除和缓解。
6.冷却：待薄膜制备完成后，关闭进料系统，并冷却基片。
特性PECVD 氧化硅薄膜具有以下几个主要特性：1.良好的绝缘性能：氧化硅具有较高的介电常数和低的电导率，使其成为优秀的绝缘材料。
2.较低的表面态密度：PECVD 氧化硅薄膜具有低的表面态密度，减少了表面缺陷对器件性能的影响。
3.可调控的薄膜厚度：通过控制前体气体和反应条件，可以实现不同厚度的氧化硅薄膜的制备。
4.良好的化学稳定性：氧化硅对常见的化学物质（如酸碱）具有较高的化学稳定性，使其适用于各种环境条件下的应用。
5.较低的制备成本：相对于其他制备氧化硅薄膜的技术，PECVD 具有较低的制备成本和较高的生产效率。
应用PECVD 氧化硅薄膜在多个领域有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：1.集成电路制造：氧化硅薄膜作为绝缘层广泛应用于集成电路制造过程中，起到隔离和保护作用。
白光LED封装的基础知识
白光LED封装的基础知识白光LED (Light-Emitting Diode) 是一种能够发射出白光的半导体光源。
它是一种高效能、长寿命、无污染、低电压操作和小尺寸的光源，因此在照明、显示、室内和室外装饰等领域得到了广泛应用。
下面是关于白光LED封装的基础知识。
1.白光LED的构成：2.LED芯片：3.封装材料：封装材料是保护LED芯片并对光进行聚焦和散射的重要组成部分。
通常使用的材料有环氧树脂、硅胶、聚合物等，其中环氧树脂是最常见的一种。
封装材料的选择可以影响到LED的耐热性、耐湿性和耐光性等特性。
4.封装类型：常见的白光LED封装类型包括：二氧化硅模制封装(DIP)、瓷制封装、表面贴装(SMT)封装等。
每种封装类型都有不同的优缺点，适用于不同的应用场景。
5.色温和色彩指数：白光LED的发光颜色可以通过不同的荧光或磷光材料来调节，以满足不同的照明需求。
色温是用来描述白光颜色的参数，单位为开尔文(K)。
常见的色温有暖白色(2700-3500K)、自然白色(4000-5000K)、冷白色(5500-6000K)等。
色彩指数(CRI)则用来评估光源显示颜色的准确程度，数值越大代表颜色越自然。
6.光通量和光效：光通量是描述光源总发光量的参数，单位为流明 (lm)。
光效是指光源单位功率所产生的光输出效果，单位为流明/瓦特 (lm/W)。
光通量和光效是评价白光LED性能的重要指标，对于照明应用来说尤为重要。
7.热管理：由于LED的工作过程会产生热量，良好的热管理是确保LED长寿命和稳定性能的关键。
常用的热管理方式包括散热片、散热胶和金属基板等。
8.应用领域：白光LED在照明、显示、室内和室外装饰等领域有广泛应用。
在照明方面，它可以代替传统的白炽灯、荧光灯等光源，用于家庭照明、商业照明、道路照明等；在显示方面，它被广泛应用于电视、显示屏、手机、平板电脑等产品；在室内和室外装饰方面，它被用于灯带、灯泡、车辆装饰等。
半导体常用材料
半导体常用材料半导体材料是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分。
它们的特殊性质使得半导体材料成为了我们日常生活中各种电子设备的基础。
本文将介绍一些常见的半导体材料，并探讨它们在电子领域中的应用。
1. 硅(Si)硅是最常见的半导体材料之一。
由于其丰富的资源和良好的电学性能，硅在电子技术中得到了广泛的应用。
硅片是制造集成电路的基础，它的高纯度和晶体结构决定了集成电路的性能。
硅材料还可以用于制造光电器件、太阳能电池等。
2. 砷化镓(GaAs)砷化镓是另一种常用的半导体材料。
它具有较高的电子迁移率和较小的能带间隙，使得它在高频电子器件和光电器件中有着广泛的应用。
砷化镓可以用于制造高速场效应晶体管、激光二极管等。
3. 砷化锗(Ge)砷化锗是一种具有较高迁移率的半导体材料。
它在红外光电探测器、光纤通信等领域有着广泛的应用。
砷化锗的高迁移率使得它在高速电子器件中有着独特的优势。
4. 氮化镓(GaN)氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有较高的电子饱和迁移率和较大的能带间隙。
它在高功率电子器件、蓝光发光二极管等方面有着重要的应用。
氮化镓的特殊性质使得它在节能环保领域中具有巨大的潜力。
5. 磷化铟(InP)磷化铟是一种常用的III-V族半导体材料。
它在光电器件和微波器件中有着广泛的应用。
磷化铟的优异电学性能使得它在光通信、雷达等领域中发挥着重要作用。
6. 碳化硅(SiC)碳化硅是一种宽禁带半导体材料，具有较高的热稳定性和较大的击穿电场强度。
它在高温高压电子器件和功率电子器件中有着广泛的应用。
碳化硅的特殊性质使得它在新能源领域中具有重要的地位。
总结起来，半导体材料在电子技术中发挥着重要的作用。
硅、砷化镓、砷化锗、氮化镓、磷化铟和碳化硅等材料在不同领域中有着各自的应用优势。
随着科学技术的不断发展，人们对于半导体材料的研究和应用也将不断取得新的突破。
相信在不久的将来，半导体材料将继续推动电子技术的发展，为我们的生活带来更多的便利和创新。
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一.半导体材料的简介及种类自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体、和绝缘体三大类。
半导体的电导率在10-3～109欧·厘米范围。
在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰半导体材料好相反,凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。
反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。
构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。
半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。
作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。
由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。
硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。
元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。
中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999%～99.9999999%) 的锗开始的。
采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。
以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。
按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
元素半导体在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。
C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge。
T e具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。
P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。
As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。
B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。
因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。
Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
有机化合物半导体已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。
非晶态与液态半导体这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
二.半导体的实际应用制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。
半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。
常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长，所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。
提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。
物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。
化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。
由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。
成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。
直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。
在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。
在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。
悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。
水平区熔法用以生产锗单晶。
水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。
用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。
外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。
工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。
金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。
非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。
三. 宽带系半导体氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可能将价带电子激发到导带。
器件的工作温度可以很高，比如说碳化硅可以工半导体材料作到600摄氏度；金刚石如果做成半导体，温度可以更高，器件可用在石油钻探头上收集相关需要的信息。
它们还在航空、航天等恶劣环境中有重要应用。
广播电台、电视台，唯一的大功率发射管还是电子管，没有被半导体器件代替。
这种电子管的寿命只有两三千小时，体积大，且非常耗电；如果用碳化硅的高功率发射器件，体积至少可以减少几十到上百倍，寿命也会大大增加，所以高温宽带隙半导体材料是非常重要的新型半导体材料。
现在的问题是这种材料非常难生长，硅上长硅，砷化镓上长GaAs，它可以长得很好。
但是这种材料大多都没有块体材料，只得用其它材料做衬底去长。
比如说氮化镓在蓝宝石衬底上生长，蓝宝石跟氮化镓的热膨胀系数和晶格常数相差很大，长出来的外延层的缺陷很多，这是最大的问题和难关。
另外这种材料的加工、刻蚀也都比较困难。
目前科学家正在着手解决这个问题。
如果这个问题一旦解决，就可以提供一个非常广阔的发现新材料的空间。
四.低维半导体材料低维半导体材料就是纳米材料，半导体材料性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，米生物传感器件等，以造福人类。
可以预料，纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式，也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。
这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。
电子在块体材料里，在三个维度的方向上都可以自由运动。
但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候，电子在这个方向上的运动会受到限制，电子的能量不再是连续的，而是量子化的，我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。
量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动，另外两个方向上受到限制；量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小，电子在三个方向上都不能自由运动，能量在三个方向上都是量子化的大规模集成电路的存储器是靠大量电子的充放电实现的。
大量电子的流动需要消耗很多能量导致芯片发热，从而限制了集成度，如果采用单个电子或几个电子做成的存储器，不但集成度可以提高，而且功耗问题也可以解决。
目前的激光器效率不高，因为激光器的波长随着温度变化，一般来说随着温度增高波长要红移，所以现在光纤通信用的激光器都要控制温度。
如果能用量子点激光器代替现有的量子阱激光器，这些问题就可迎刃而解了。
五.半导体材料工艺半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。
例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化，而载流子迁移率和非平衡载流子寿命半导体材料一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。
另一方面，半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。
对于晶体缺陷，除了在一般情况下要尽可能减少和消除外，有的情况下也希望控制在一定的水平，甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。
为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的，需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法，即所谓半导体材料工艺。
这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。
半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。
提纯方法可分化学法和物理法。
化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。
物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。
利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次后，杂质富集于锭条的两端。
去掉两端的材料，剩下的即为具有较高纯度的材料（见区熔法晶体生长）。
此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。
锗、硅是能够得到的纯度最高的半导体材料，其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。
六.半导体材料制备由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较好的单晶。
具体的制备方法有：①从熔体中拉制半导体材料体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。
②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。
③从溶液中再结晶。
④从汽相中生长单晶。
前两种方法用来生长体单晶，用提拉法已经能制备直径为200毫米,长度为1～2米的锗、硅单晶体。
后两种方法主要用来生长薄层单晶。
这种薄层单晶的生长一般称外延生长，薄层材料就生长在另一单晶材料上。
这另一单晶材料称为衬底，一方面作为薄层材料的附着体，另一方面即为单晶生长所需的籽晶。
衬底与外延层可以是同一种材料(同质外延)，也可以是不同材料（异质外延）。
采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；采用从汽相中生长单晶原理的称汽相外延。
液相外延就是将所需的外延层材料(作为溶质，例如GaAs)，溶于某一溶剂（例如液态镓）成饱和溶液，然后将衬底浸入此溶液，逐渐降低其温度，溶质从过饱和溶液中不断析出，在衬底表面结晶出单晶薄层。
汽相外延生长可以用包含所需材料为组分的某些化合物气体或蒸汽通过分解或还原等化学反应淀积于衬底上，也可以用所需材料为源材料，然后通过真空蒸发、溅射等物理过程使源材料变为气态，再在衬底上凝聚。
分子束外延是一种经过改进的真空蒸发工艺。
利用这种方法可以精确控制射向衬底的蒸气速率，能获得厚度只有几个原子厚的超薄单晶，并可得到不同材料不同厚度的互相交叠的多层外延材料。
非晶态半导体虽然没有单晶制备的问题，但制备工艺与上述方法相似，一般常用的方法是从汽相中生长薄膜非晶材料。
七.半导体中杂质和缺陷的控制硅杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。
这些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方半导体材料法本身以外，还决定于生长条件的选择。