电力电子技术习题集
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术习题
一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为____ 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为______。
3、逆变电路的负载如果接到电源，则称为____ __逆变，如果接到负载，则称为______ 逆变。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是______，属于电流驱动的器件是______。
5、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
10、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。
（要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。
（GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 、MOSFET 、GTR 。
）5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
电力电子技术题库及答案整理版
电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。
3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。
电力电子技术复习习题
电⼒电⼦技术复习习题第1章电⼒电⼦器件填空题：1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在__开关__状态。
电⼦技术包括信息电⼦技术和电⼒电⼦技术两⼤类。
2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗__，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为__开关损耗___。
3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由__控制电路__、__驱动电路_、__主电路__三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路___。
4.按内部电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电的情况，电⼒电⼦器件可分为_单极型_、_双极型__、_复合型_三类。
5.电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为_单向导电性_。
6.电⼒⼆极管的主要类型有_普通⼆极管_、_快恢复⼆极管_、_肖特基⼆极管_。
晶闸管派⽣器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管。
7.肖特基⼆极管的开关损耗_⼩于_快恢复⼆极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本⼯作特性可概括为 _门极_ 正向有触发则导通、反向截⽌ ___关断_ 。
9.对同⼀晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值⼤⼩上有I L_=(2~4)_IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值⼤⼩上应为，UDRM_<_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_⼆极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同⼀管芯上的功率集成器件。
12.GTO的_GTO元的阴极和门极并联_结构是为了便于实现门极控制关断⽽设计的。
13.功率晶体管GTR从⾼电压⼩电流向低电压⼤电流跃变的现象称为_击穿_。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截⽌区对应后者的_截⽌区_、前者的饱和区对应后者的_放⼤区_、前者的⾮饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电⼒MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数，对器件并联时均流有利。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升⾼⽽_下降_，开关速度_⼩于_电⼒MOSFET 。
电力电子技术习题及答案 第1章
8、试说明 IGBT 、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT 、GTR 、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力 冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高， MOSFET ，电压，电流容 为电压驱动，驱动功率小 量不及 GTO 开关速度低，为电流驱动， 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强 ， 所需驱动功率大，驱动电 饱和压降低 路复杂，存在二次击穿问 题 电流关断增益很小，关断 时门及负脉冲电流大，开 关速度 低， 驱动 功率 大， 驱动电路复杂，开关频率 低 电流容量小，耐压低，一 般中 适 用 于 功 率 不 超 过 10kw 的电力电子装置
过流
二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V ，反向重复峰值电压为 700V ，则该晶闸管的 额定电压是 700V 。 （ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、 在晶闸管的电流上升至其维护电流后， 去掉门极触发信号， 晶闸管级能维护导通。 （×
） ）
1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3 。
解：a ） I d1
1 2
m 4
I sin td (t )
1m 2 ( 1) 0.2717I m 2 2
2 220 311.13V ；取晶闸管的安全裕量为 2 ，则晶闸管额定电压不低于 2× 311.13 ≈
电力电子技术 第6-8章 习题集答案
第6-8章一、简答题1、试说明PWM控制的基本原理。
答：PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术，即退过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
在采样控制理论中一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同，上述原理称为面积等效原理。
以正弦PWM控制为例。
把正弦半波分成N等份，就可把其看成N个彼此相连的脉冲列所组的波形。
这些脉冲宽度相等，都等于π/N，但幅值不等且脉冲顶部不是水平直线而是曲线，各脉冲幅值按正弦规律变化。
如果把上述脉冲列利用相同数量的等幅而不等宽的矩形脉冲代替，使矩形脉冲的中点和相应弦波部分的中点重合，且使矩形脉冲和相应的正弦波部分面积（冲量）相等，就得到PWM波形。
各PWM脉冲的幅值相等而宽度是按正弦规律变化的。
根据面积等效原理，PWM波形和正弦半波是等效的。
对于正弦波的负半周，也可以用同样的方法得到PWM波形。
可见，所得到的PWM波形和期望得到的正弦波等效。
2、什么是异步调制？什么是同步调制？两者各有何特点？分段同步调制有什么优点？答：载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。
在异步调制方式中，通常保持载波频率f c固定不变，因而当信号波频率f r变化时，载波比N是变化的。
异步调制的主要特点是：在信号波的半个周期内，PWM波的脉冲个数不固定，相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称，半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。
这样，当信号波频率较低时，载波比N较大，一周期内的脉冲数较多，正负半周期脉冲不对称和半周期内前后1/4周期脉冲不对称产生的不利影响都较小，PWM波形接近正弦波。
而当信号波频率增高时，载波比N减小，一周期内的脉冲数减少，PWM脉冲不对称的影响就变大，有时信号波的微小变化还会产生PWM脉冲的跳动。
这就使得输出PWM波和正弦波的差异变大。
电力电子技术试题（一）
电⼒电⼦技术试题（⼀）电⼒电⼦技术试题（⼀）第1章绪论习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦技术是使⽤________器件对电能进⾏________的技术。
2. 电能变换的含义是在输⼊与输出之间，将________、________、________、________、________中的⼀项以上加以改变。
3. 电⼒变换的四⼤类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提⾼电能变换的效率，所以器件只能⼯作在________状态，这样才能降低________。
5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成_____________电路和对其进⾏控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电⼒电⼦技术是应⽤在________领域的电⼦技术。
9.电⼒电⼦技术是⼀门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
第2部分:简答题1. 什么是电⼒电⼦技术,2. 电能变换电路的有什么特点,机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关,3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类,第2章电⼒电⼦器件概述习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担的电路。
3.处理信息的电⼦器件⼀般⼯作于放⼤状态，⽽电⼒电⼦器件⼀般⼯作在状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由、、、四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类: 、和。
6(按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类:和。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
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一、 判断题
1维持晶闸管导通的条件是保证流过晶闸管的电流不小于晶闸管的擎住电
流I L 。
（ ）
2单相桥式全控整流电路，无论电流连续与否，其输出平均电压计算公式
为αcos 9.02U U d = 。
（ ）
3三相桥式可控整流电路中，为使系统可靠工作，触发脉冲应采用双脉冲
或宽脉冲。
（ ）
4三相桥式全控整流电路，同一相上触发脉冲相位相差180°。
（ ）
5单相桥式全控整流电路，反电动势电阻负载（R —E ），控制角α的移相范围
为0180≤≤αδ。
（ ）
6三相桥式全控整流电路，电流连续，考虑整流变压器漏抗B X 时，其输出 平均电压计算公式为：d B d I X U U ∙-=πα23cos 34.22 。
（ ）
7在三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向电压为l U 22；而在三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向电压为l U 222。
（ ）
8晶闸管单相交流调压电路，纯电阻负载，当控制角α≠0时，电路功率
因数cos Φ≠1。
（ ）
9晶闸管交流调压电路和交流调功电路均采用相位控制方式，而交流电力
电子开关为开关控制方式。
（ ）
10交交变频电路输出电压的频率既可高于输入电网的频率，也可低于输入
电网的频率。
（ ）
11利用PWM 控制技术，可以用一系列等幅不等宽的脉冲来等效正弦波信
号。
（ ）
12晶闸管单相交流调压电路，阻感负载下稳态时α的移相范围为0~180º。
（ ）
13用PWM 控制技术，可以用一系列等幅不等宽的脉冲来等效正弦波信号。
（ ）
14用于中频加热电源的单相桥式电流型（并联谐振式）逆变电路，其晶闸管
采用的换流方式为电容强迫换流。
（ ）
二、 填空题
1晶闸管导通的条件为(1) ；
(2) 。
导通后流过晶
闸管的电流由决定。
2额定电流I T a=100A的晶闸管，流入正弦半波电流，则允许流入额定电流有效值为。
3变流电路常用的换流方式分为：，，
，。
4在单相桥式电流型（并联谐振式）逆变电路中，晶闸管的换流方式为。
5晶闸管单相交流调压电路，阻感负载，则控制角α的移相范围为。
6斩波器的控制方式有，，。
7产生有源逆变的条件是（1），（2）。
8单相桥式整流电路，每周期内输出波头数为个；三相桥式整流电路，每周期内输出波头数为个。
9主电路对晶闸管触发电路的基本要求：（1）；
（2）；（3）。
10三相电压型逆变器一般采用180°导电型，每次换流是在
. 进行；三相电流型逆变器一般采用120°导电型，每次换流是在进行。
11晶闸管触发电路定相的关键是
. 。
12逆变电路采用多电平或多重方式，其目的是：。
13电力电子技术研究的两大分支为、。
14从能量转换角度来看，用于电能转换的四类装置分别是：、、、。
15在有源逆变电路中，βmin包括、、
三部分。
16无源逆变电路和有源逆变电路的区别在于：。
170PWM波形的生成方法主要有、、。
18电压型逆变电路的主要特征是：；电流型逆变电路的主要特征是：。
19三相串联二极管式逆变电路，其采用的换流方式为：；其换流过程可分为阶段，阶段。
20 PWM逆变电路的调制方法可分为调制法与调制法。
21通常电力电子器件的工作损耗主要包括以下三部分：损耗，损耗，损耗。
在较高频率工作情况下，损耗为主要因素。
22 在单相交交变频电路中有正组、反组两组变流器，输出电压波形一周内，
存在正组整流逆变，反组整流逆变四种工作状态。
每个阶段正组工作还是反组工作由决定；具体工作在整流还是逆变状态由决定。
23 半控桥整流电路为防止失控，通常采用。
24 列举三种晶闸管过电流保护的方法、、。
25 额定电流100A的晶闸管通以矩形波电流，周期为2π，每个周期内矩形
波的宽度为π，若考虑2倍安全裕量，最大可能流过的矩形波电流幅值为。
26 三相桥式全控整流电路大电感负载，交流侧电压为U2，晶闸管承受的最
大正向电压为，最大反向电压为。
27 晶闸管的通态平均电流指。
28 三相半控桥整流电路电阻性负载的移相范围为，阻感性负载
的移相范围为。
29 相控整流电路中，晶闸管阳极串联电感的作用是，阳阴间并联R-C
电路的作用是，抑制浪涌电流和短路保护应采用的措施是。
30 三相电压型无源逆变电路中，每个开关器件一个开关周期内导通，
连接在同一电源极性上的三个开关器件的控制信号相位为，上下桥臂开关器件控制信号相位差为。
三简答题
1.对晶闸管(SCR)、可关断晶闸管（GTO）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）和功率场
效应管（Power MOSFET）的下述性能进行比较。
（10分）
(1).用哪种信号驱动(2).开关速度(3).通过电流能力（4）控制类型
2. 简述晶闸管触发电路的要求。
3. 简述逆变电路的含义，有源逆变和无源逆变的区别。
4. 晶闸管并联使用电流不平均的原因及后果。
5. 试简述电压性逆变电路和电流型逆变电路的特点。
6.简述单极性和双极性PWM调制的区别？以单相桥式逆变电路为例，说明两种调制方式下的器件开通控制规律？
7.有源逆变的条件是什么？列举三种可能造成有源逆变失败的原因。
8.单相桥式全控整流电路带阻感负载（电感值极大）时的功率因数最高能达到多少？为什么？
9.输入为交流电、输出为交流电的变流电路有那些种类？各有什么主要的特点？
10.试汇出升压斩波电路的电路原理图，并简述其基本工作原理。
11.SPWM的含义是什么？其基本原理是什么？试绘出采用单极性调制方式、调制度为0.5、载波比为6时，调制信号一个周期的SPWM波形。
12.不采用相控方式，将交流电变为直流电的变流电路有那两大类？各有何主要特点？。