电容器规格型号的标注

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电容大小规格定义

电容大小规格定义

电容器标称电容值E24 E12 E6 E24 E12 E61.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.31.1 3.61.2 1.2 3.9 3.91.3 4.31.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.71.6 5.11.8 1.8 5.6 5.62.0 6.22.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.82.4 7.52.7 2.7 8.2 8.23.0 9.1注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。

主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。

他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。

现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法,前两位数字表示乘系数,后一位表示乘指数,单位为pF。

其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列,后一位数字表示乘指数10 n。

当Y= 9时,对应前述n = -1;当Y= 8时,对应前述n = -2;当Y= 0,1,2,3,4,5,6,7时,Y就等于n。

示例如下:0.5pF容值代码表示为508; 68pF容值代码表示为680;1 pF容值代码表示为109; 120pF容值代码表示为121;4.7pF容值代码表示为479;2200pF容值代码表示为222;10pF容值代码表示为100;100000pF容值代码表示为104(0.1μF);47μF容值代码表示为476; 330μF容值代码表示为337//--------------------------------------------------【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P470 P 560 P 620 P680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 3339 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2贴片电容,SMD贴片电容,无铅贴片电容的如何命名?SMT: Surface Mounting Technology表面贴装技术SMT包括表面贴装技术.表面贴装设备,表面元器件.及SMT管理摘自南山半导体有限公司网站贴片电容的命名,国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。

电容器规格详细介绍

电容器规格详细介绍

电容器规格详细介绍电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容,电解质芯片电容,塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1.电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2.电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 4.陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型,Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5.陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF 以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.(Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中,电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异,即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围:需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制:传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值:较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.D. 低漏电流量特性:用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性:用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性:用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性:用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器,而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL 无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C.需注意100 pF-680 pF范围内,Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4.以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性,可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C.聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D.金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性,可适用于一般脉波电路工作.代号MEF者,亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.//**************************************************************//认清电容显卡选购完全手册之电容篇作者:火乌鸦转贴自:ZOL希望对那些还不了解电容的会员们有用电容爆裂事件的背后最近2年来电容爆裂、漏液、失效这样的事件在主板、显卡领域时有发生,不过正因为这样的事件,促进消费者对显卡上电容的认识度。

电容器主要参数的标注方法

电容器主要参数的标注方法

色标电容器各种颜色所对应的数值及含义
1n表示1 000 pF; 2μ2表示 2.2 μF; 9999 ≥有效数字 ≥1时, 容量单位为pF ; 有效数字<1 时容量单位为μF。
如: 1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF 0.1、 0.22、0.47、0.01、 0.022、0.047等容量单位均为μF 允许偏差: 普通电容:±5%(I,J)、±10%(II,k)、 ±20%(III,M) 精密电容:±2%(G)、±1%(F)、±0.5%(D)、±0.25%(C)、 ±0.1%(B)、±0.05%(W)
色标法
色标法:在电容器上标注色环或色点来表示电容量及允许偏差。
四环色标法:第一、二环表示有效数值,第三环表示倍乘数, 第四环表示允许偏差(普通电容器)。
五环色标法:第一、二、三环表示有效数值,第四环表示倍乘数, 第五环表示允许偏差(精密电容器)。
如: 棕、黑、橙、金 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏差为±5% 棕、黑、黑、红、棕 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏为±1%
102 103 104 223 474 159 表示:10 ×101 = 100 pF 表示:10 ×102 = 1 000 pF 表示:10 ×103 = 0. 01μF 表示:10 ×104 = 0.1μF 表示:22 ×103 = 0. 022μF 表示:47 ×104 = 0. 47μF 表示:15 ×10–1 = 1. 5 pF
额定电压: 6.3V、10V、16V、25V、32V、50V、63V、 100V、160V、250V、400V、 450V、500V、630V、1000V、1200V、1500V、1600V、1800V、2000V等。

lm电容命名规则

lm电容命名规则

lm电容命名规则
LM电容的命名规则主要取决于其制造厂商和规格参数。

电容器的命名一般由四部分组成,例如艾华Aishi LM系列 450v120uf 22×30。

1. 第一部分是制造厂商名称或者是注册商标。

2. 第二部分是电容器材料,如铝电解电容器的“A”表示铝电解电容器,无极性电容器的“C”表示无极性电容器。

3. 第三部分是容量,如120uf表示容量为120μF。

4. 第四部分是尺寸和封装形式,如22×30表示长度为22mm,宽度为
30mm。

此外,还有一部分是电容器的额定电压,如450v表示额定电压为450V。

以上信息仅供参考,如需了解更多信息,建议咨询电容行业专业人士。

电容规格的详细介绍

电容规格的详细介绍

电容器规格详细介绍电容器种类:依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容,及陶瓷芯片电容等大类别.1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度),迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型,迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜,及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C.Type)半导体型等.5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性.电容器主要电气规格:1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF,测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF,测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF,测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF,测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%,塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即 +/-0.5pF(10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即+80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定,为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下.陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/Ctype其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数) )4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值,一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm,UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type(Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为+20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格,一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Lowleakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压,需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃,特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃.陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为-25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器:1. 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件.尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大,虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm,超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型+/-20%.D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时.(相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路,需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路,需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路,用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型(例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型(例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路,不需考虑温度影响).4+4-/B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低,但耐压规格较低.C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与 Class2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用.其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS 材质为1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高,适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C. 聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号.D. 金MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 安规电容器X Cap及 Y Cap 附加说明:1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 forAC wall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF.small to limit AC leakage current. Y1 for doubleinsulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basicinsulation impulsed tested at 5KV.3. Capacitor Discharge: The capacitor dischargetest ensures that if an ac plug is abruptlyremoved from its receptacle, the voltage acrossthe line and neutral terminals will not exceed asafe level. Per UL 1950, voltage across acapacitance greater than 0.1 μF must decay to 37%of the ac-input peak voltage in 1 second for typeA equipment and 10 seconds for typeB equipment.IEC 61010-1 requires that the pins not behazardous (live) at 5 seconds after disconnectionfrom the supply.各类电容器参考规格:电解质电容 Electrolytic Capacitor种类 (Mini) >=11mm (Super-Mini) 7mm(Ultra-Mini) 5mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf0.1-220uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA<=0.03 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.16--0.20 <=0.1--0.24<=0.1--0.24种类 (High Temp.) >=11mm (Low leakage) >=11mm(Mini / Low leakage) 7mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf0.47-100uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃-40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA<=0.002CV或0.4uA <=0.002CV或0.4uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.15--0.24 <=0.1--0.24<=0.1--0.24种类 (Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm(Low ESR)额定电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V容值范围 (120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf4.7-3300uf 3.3-330uf容值误差 (120Hz) M M M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃-40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或 4 uA <=0.03 CV 或3 uA损失角 (120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12--0.24Ripple Current 6-8 Amp电解质芯片电容 Electrolytic Chip Capacitor种类 Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.)Electrolytic (Non-polar) Tantalun Chip电容值范围 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf额定电压范围 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V容值误差范围 M M M K / M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃漏电流 <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或3 uA 0.01 CV 或 5 uA损失角 <=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.塑料薄膜电容器 Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯种类 Polyester 聚乙烯 Metallized PolyesterPolystrene 聚乙脂电容值范围 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf额定电压范围 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V50/100/125/250/500V容值误差范围 J, K, M. J, K, M. G, J, K.温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.Inductive / 代号 No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No /MPE (Red) No / PS金属化聚丙烯种类 Polypropylene 聚丙烯 Metallized PolypropyleneMetallized Polypropylene 金属化聚丙烯电容值范围 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf额定电压范围 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V250/275VAC容值误差范围 J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf), M(<0.01uf)温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V /1Sec. DC 2000V / 1Sec.Inductive / 代号 No, PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MPNo / MPX (X2 Cap.)Across the line cap.陶瓷芯片电容 (MLCC)Multi-layer Ceramic Chip型号 0402 0603 0805 1206尺寸 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W0.12L*0.06W额定电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V25/50/100/200/500V温度系数 COG (NPO) X7R Y5V容值范围 <=220pf温度范围 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃容值误差 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 MD值 (1KHz) <=0.0015 <=0.025 <=0.05陶瓷电容 Ceramic Disc ChipClass-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120)SL (+350/_1000)容值范围 <=680pf <=680pf <=680pf温度范围 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃容值误差 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/KQ值 (1MHz) <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C<=30pf Q>=400+20C>30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55%F(Z5V) +30/-80%容值范围 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf温度范围 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 50/63/100/500/630/1KVD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55%F(Y5V) +30/-80%容值范围 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf温度范围 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 16/25/50/63VD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05钽电解电容器作为电解电容器中的一类。

国巨电容命名规则

国巨电容命名规则

国巨电容命名规则
国巨电容的命名规则通常遵循以下几个规则:
1. 电容器型号一般由字母和数字组成。

其中,字母代表电容器
的一些特性,比如温度系数、容量稳定度等;数字则表示电容量大小,单位为微法(μF)。

2. 电容器型号的第一个字母通常代表电容器的材料种类。

例如:
- C:钽电容器(tantalum capacitor)
- E:铝电解电容器(aluminum electrolytic capacitor)
- K:多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor)
- P:聚酯薄膜电容器(polyester film capacitor)
- N:聚酰亚胺薄膜电容器(polyimide film capacitor)
- S:固体电解电容器(solid electrolytic capacitor)
3. 电容器型号中的其他字母和数字则有可能代表其他一些特性,比如电压、封装规格等。

例如:
- 104:表示电容量为100nF(10的4次方)
- 25V:表示电容器的额定电压为25V
- A/B/C:表示封装规格,不同的字母代表不同的封装方式。

总之,国巨电容的型号中字母和数字的组合代表了电容器的各种
特性,可以根据需要选择合适的型号。

电容器的型号与参数

电容器的型号与参数

电容器的型号与参数电容器的型号与参数一、电容器的主要参数1、容量1.直标法:直标法是指在电容器的表面直接用数字或字母标注出标称容量、额定电压等参数的标注方法。

2. 字母与数字的混合标注法①该种标注法的具体内容是:用2~4位数字和一个字母混合后表示电容器的容量大小。

其中数字表示有效数值,字母表示数值的量级。

常用的字母有m、μ、n、p等。

字母m表示毫法,μ表示微法、n表示毫微法、p表示微微法。

如:100m表示标称容量为100mF=100000μF、10μ 表示标称容量为10μF、10n 表示标称容量为10nF=10000pF、10p 表示标称容量为10pF。

②字母有时也表示小数点如:3μ3表示标称容量为3.3μF、3F32表示标称容量为3.32F、2p2 表示标称容量为2.2pF。

③有的是在数字前面加R或P等字母时,表示零点几微法。

如:R22表示标称容量为0.22μF、P50 表示标称容量为0.5pF。

3. 三位数字的表示法三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。

如:102表示标称容量为1000pF、221表示标称容量为220pF。

在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表示时,是用有效数字乘上10-1来表示容量大小。

如:229表示标称容量为22× 10-1pF=2.2pF。

4. 四位数字的表示法四位数字的表示法也称不标单位的直接表示法。

这种标注方法是用1~4位数字表示电容器电容量,其容量单位为pF。

如用零点零几或零点几表示容量时,其单位为μF。

如:3300表示标称容量为3300pF;680表示标称容量为680pF;7表示标称容量为7pF。

在电路图中电容器容量单位的标注规则当电容器容量大于100pF,而又小于1μF时,一般不标注单位,没有小数点时其单位是pF,有小数点时其单位是μF。

电容器主要参数的标注方法

电容器主要参数的标注方法
电容器主要参数的标注方法
直标法 数码标注法 色标法
直标法
电解电容器或体积较大的无极性电容器: 标称容量、额定电压及允许偏差。
体积较小的无极性电容器: 容量单位: 标称容量、额定电压及允许偏差。
1p2表示1.2 pF ; 10n表示0.01 μF; 简略方式 (不标注容量单位):
1n表示1 000 pF; 2μ2表示 2.2 μF; 9999 ≥有效数字 ≥1时, 容量单位为pF ; 有效数字<1 时容量单位为μF。
如: 1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF 0.1、 0.22、0.47、0.01、 0.022、0.047等容量单位均为μF 允许偏差: 普通电容:±5%(I,J)、±10%(II,k)、 ±20%(III,M) 精密电容:±2%(G)、±1%(F)、±0.5%(D)、±0.25%(C)、 ±0.1%(B)、±0.05%(W)
色标法
色标法:在电容器上标注色环或色点来表示电容量及允许偏差。
四环色标法:第一、二环表示有效数值,第三环表示倍乘数, 第四环表示允许偏差(普通电容器)。
五环色标法:第一、二、三环表示有效数值,第四环表示倍乘数, 第五环表示允许偏差(精密电容器)。
如: 棕、黑、橙、金 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏差为±5% 棕、黑、黑、红、棕 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏差为±1%
额定电压: 6.3V、10V、16V、25V、32V、50V、63V、 100V、160V、250V、400V、 450V、500V、630V、1000V、1200V、1500V、1600V、1800V、2000V等。
数码标注法
数码标注法一般为三位数码表示电容器的容量,单位pF 。 其中前两位数码为电容量的有效数字,第三位为倍乘数,但 第三位倍乘数是9时表示×10 1。 如: 101
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电容器规格型号的标注1 引言电容器的型号和规格一般应按国家有关标准来标注。

根据目前市场供应情况也有按国外型号标注的,在标注顺序上略有不同。

本公司按下述方法标注。

2 电容器规格型号的标注2.1 标注顺序电容器一般按下述顺序标注“型号 -(尺寸代号)-(温度系数或特性)- 额定电压 - 标称容量 - 允许偏差 -(其他)”其中有些项可能省略。

国外电容器的标注顺序各不相同,例如额定电压在允许偏差后面。

2.2型号国产电容器的型号命名按“GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法”规定。

例如——CC4表示1类多层(独石)瓷介电容器——CT4表示2类多层(独石)瓷介电容器——CC41表示片状1类多层(独石)瓷介电容器——CT41表示片状2类多层(独石)瓷介电容器——CA45表示片状固体钽电解电容器电容器的具体型号和技术参数可参考有关手册。

注意,不同厂家生产的同型号电容器在尺寸和性能指标略有差别。

若有影响,需加限制条件。

市场上有国外型号的电容器,若要选用需说明其所属的国家和厂家。

2.3 尺寸代号片状电容器的尺寸代号常用“0603”、“0805”、“1206”等表示,这是按英寸(0.01in)计的表示法,片状瓷介电容器用此法表示。

还有用EIA代码如“2012”、“3216”等表示,这是按毫米(0.1mm)计的表示法,片状钽电解电容器用此法表示。

绘制印制板图时应注意它们尺寸的区别。

带引出线的电容器的尺寸代号不同的厂家不统一,不好标注。

一种办法是按生产厂手册标注,但必须同时注明生产厂。

另一种办法是不标注尺寸代号,适用于对外型尺寸无严格要求场合,若有要求可以在“其他”项标注对外形尺寸的限制要求,例如限高、限引线间距等。

2.4 温度系数或特性瓷介电容器和云母电容器要标注温度系数或特性,因为瓷介电容器和云母电容器有多种的温度特性。

其他电容器的电容量不用标注温度系数或特性。

本公司基本不用云母电容器,其温度特性表示方法请参考有关手册。

瓷介电容器的温度特性有多种表示方法,目前比较多采用美国电子工业协会(EIA)标准。

其中1类瓷介电容器(高频瓷介电容器)用温度系数表示,2类瓷介电容器(中频或低频瓷介电容器)用温度特性表示。

2.4.1 电容量的温度系数1类瓷介电容器电容量的温度系数是在规定温度范围内测得的电容量随温度的变化率。

以10-6/℃为单位,比较常用的写为ppm/℃。

2.4.1.1 EIA标准用“字母—数字—字母”这种代码形式来表示1类瓷介电容器的温度系数,如下表:a b c d e f温度系数的有效数字ppm/℃a列的代码a列的乘数c列的代码误差范围ppm/℃e列的代码0.01.01.52.23.34.7 7.5 CMPRSTU-1-10-100-1000-10000+1+10+100+1000+10000123456789±30±60±120±250±500±1000±2500GHJKLMN例如用“C0G”,表示温度系数为-0ppm/℃±30ppm/℃,也就是MIL标准中的“NP0”(负—正—零)。

2.4.1.2 “代码1-代码2”代码形式,如下表:标称温度系数允许偏差代码1 温度系数ppm/℃代码2偏差ppm/℃C P S T U SL UM-0-150-330-470-750-1000~+140-1750~+140GHJK±30±60±120±250例如代码“CG”,表示温度系数为-0ppm/℃±30ppm/℃,也就是EIA的“C0G”。

2.4.1.3 下表是国内曾规定过的高频瓷介电容器电容温度系数系列和颜色标记,本公司未见使用,仅供参考。

电容温度系数10-6/℃+120 ±30+30 ±300 ±30-33 ±30-47 ±30-75 ±30-150 ±40 -220 ±?代码 A U O K Q B D N 颜色标记兰灰黑褐浅兰白橙底白色黄电容温度系数10-6/℃-330 ±?-470 ±?-750 ±?-1500±?-2200±400 -4700±800 不规定代码J I H L Z R C 颜色标记绿底黄色青红绿??橙2.4.2 电容量的温度特性二类瓷介电容器用温度特性表示在规定范围内所出现的电容量最大可逆变化。

通常以20℃或25℃为基准温度的电容量的百分比表示。

2.4.2.1 EIA标准用“字母—数字—字母”这种代码形式来表示2类瓷介电容器的温度特性如下表:a b c d e f下限工作温度℃a列的代码上限工作温度℃c列的代码最大容量变化率±%ΔCe列的代码+10 -30 -55 ZYX+45+65+85+105+125+1502456781.01.52.23.34.77.5101522+22~-23+22~-56+22~-82GHJKLMPRSTUVX7R——表示-55℃~+125℃内ΔC最大值±15%Y5V——表示-30℃~+85℃内ΔC最大值+22~-82%Z5U——表示+10℃~+85℃内ΔC最大值+22~-56%也有将X7R称为2类瓷介电容器,或称为中频瓷介电容器;将Y5V和Z5U称为3类瓷介电容器,或称为低频瓷介电容器。

选择2类瓷介电容器时要考虑其工作温度和容量变化,特别是低温时的特性。

必要时可以从手册上查特性曲线后再判断。

一般情况下不要采用Z5U系列(Z5U系列工作温度+10℃~+85℃)。

2.4.2.2 “代码1-代码2”代码形式,如下表:代码1最大允许变化代码2温度范围℃不加U R加U R2C 2D 2E 2F 2R 2X±20%+20%~-30%+22%~-56%+30%~-80%±15%±15%+20%~-30%+20%~-40%+22%~-70%+30%~-90%+15%~-40%+15%~-25%12345-55~+125-55~+85-40~+85-25~+85+10~+85例如代码“2X1”,表示表示-55℃~+125℃内最大允许变化±15%,相当于EIA的“X7R”。

2.4.3 介质材料有些手册用介质材料代号代替温度特性代码。

有如下对应关系介质材料代号CG或N X或B Y或F Z或E温度特性代码C0G或NP0 X7R Y5V Z5U2.5 额定电压额定电压采用直标法。

如:16V、50V、63V、100V等。

也有采用代码法的,用字母或数字表示。

2.5.1 瓷介电容器额定电压不同表示方法。

额定电压Edc直标法三位数表示代码(日本)太阳诱电KEMET4V 4R0 0G A6.3V 6R3 0J J 910V 100 1A L 816V 160 1C E 425V 250 1E T 335V 350 1V G50V 500 1H U 5100V 101 2A H 1200V 201 2D 2250V 251 2E Q300V 301 YD500V 501 2H C630V 631 2J S1kV 102 3A D2kV 202 3D G代码法不如直标法直观,本公司采用直标法。

2.5.2 CA45片状钽电解电容器额定电压的代码CA45片状钽电解电容器上有两个主要标记:电容量代码和额定电压。

额定电压可能直标,也可能标代码。

下表供判断实物时参考。

额定电压4V 6.3V 10V 16V 20V 25V 35V 50V 代码G J A C D E V H2.6 标称值2.6.1 标称值(以pF计)表示办法有几种表示法,例如:三位数字表示法102、直标法1000pF。

本公司推荐三位数字表示法:──用三位数字表示,前两位表示有效数字,第三位表示零的个数。

──小数点用p表示。

例:1000pF,表示为“102”;100pF,表示为“101”;10pF,表示为“10p”;1pF,表示为“1p0”;0.5pF,表示为“0p5”。

2.6.2电容量有效数字的优先数系列(标称阻值系列)如下:E24 E12 E6 E24 E12 E6 E24 E12 E61.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.61.82.0 1.01.21.51.81.01.52.22.42.73.03.33.63.94.32.22.73.33.92.23.34.75.15.66.26.87.58.29.14.75.66.88.24.76.82.7 允许偏差电容量的允许偏差用字母代码表示。

还有其他的表示办法,例如直标法:±5%、±10%等。

本公司采用字母代码法。

不填写允许偏差,默认为小于或等于该产品的可能的最大偏差。

按“GB/T2691-94电阻器和电容器的标志代码4.1”,有下列规定。

2.7.1对称百分数的允许偏差电容量的允许偏差应用下列字母表示:允许偏差%字母代码允许偏差%字母代码±0.005 E±0.01L ±1 F±0.02P ±2G±0.05W ±5J±0.1 B ±10K±0.25 C ±20M±0.5 D ±30N 这些字母代码应放在电容量的后面(下同)。

注意:电容量在10pF以下的允许偏差另有规定(见2.7.3)。

2.7.2非对称百分数的允许偏差电容量的非对称允许偏差应采用下列字母:允许偏差%字母代码允许偏差%字母代码-10 +30 Q -20 +50 S-10 +50 T -20 +80 Z2.7.3 用对称固定值表示的允许偏差电容量在10pF以下的允许偏差应采用下列字母:允许偏差pF 字母代码允许偏差pF 字母代码±0.1 B ±1 F±0.25 C ±2G±0.5 D2.8 其他项若有需要可以在其他项补充。

例如:包装要求,对外形尺寸的限制要求,如限高、引线式样或引线间距等。

2009.4.21。

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