各类电子元件简介
各类电子元器件简介
一、可控硅可控硅又称晶闸管（Silicon Controlled Rectifier,SCR）。
它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶可控硅闸管、快速晶闸管等等。
可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和大电流的控制。
可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。
可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。
结构：大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
用途：普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。
额定电流：IA小于2A。
2：大中功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。
像可调压输出直流电源等等。
主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，EUPEC，IR等。
二、晶体管晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管输出信号的功率可以大于输入信号的功率，因此晶体管可以作为电子放大器，有许多市售的分立晶体管，但集成电路中的晶体管数量远大于分立晶体管的数量。
例如超大规模集成电路（VLSI）其中至少有一万个晶体管。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
常用电子元器件大全
常用电子元器件大全一、电阻器1. 固定电阻器：阻值固定，常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等。
2. 可变电阻器：阻值可调，如电位器、滑动变阻器等。
3. 熔断电阻器：具有过载保护功能，当电流超过一定值时，电阻器会自动断开。
二、电容器1. 无极性电容器：如陶瓷电容器、聚脂电容器等。
2. 有极性电容器：如电解电容器、钽电容器等。
3. 可变电容器：如空气可变电容器、真空可变电容器等。
三、电感器电感器是一种能产生电磁感应的电子元件，主要用于滤波、振荡、扼流等电路。
常见电感器类型如下：1. 固定电感器：线圈绕制在磁性材料上，如空心电感、磁芯电感等。
2. 可变电感器：线圈匝数可调，如空气可变电感、磁芯可变电感等。
3. 螺线管电感器：具有线性或非线性特性，如线性螺线管、非线性螺线管等。
四、二极管1. 整流二极管：如硅整流二极管、肖特基二极管等。
2. 稳压二极管：如硅稳压二极管、锗稳压二极管等。
3. 发光二极管：如普通LED、红外LED等。
五、晶体管晶体管是一种具有放大功能的半导体器件，是电子电路中的核心元件。
常见晶体管类型如下：1. 双极型晶体管（BJT）：如NPN型、PNP型等。
2. 场效应晶体管（MOSFET）：如N沟道、P沟道等。
3. 达林顿晶体管：具有高放大倍数的晶体管。
六、集成电路（IC）1. 运算放大器（OpAmp）：用于放大、滤波、比较等电路。
2. 逻辑门电路：如与门、或门、非门等，是数字电路的基础。
3. 微控制器（MCU）：集成CPU、内存、输入输出接口等，用于控制应用。
七、传感器传感器是一种能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件，它们是电子设备感知外界环境的关键部件。
1. 温度传感器：如热敏电阻、热电偶等，用于测量温度变化。
2. 光电传感器：如光敏电阻、光电二极管等，用于检测光强变化。
3. 压力传感器：用于测量气体或液体的压力。
八、继电器继电器是一种电控制器件，它具有控制系统（输入回路）和被控制系统（输出回路），通常用于实现电路的自动控制。
常用电子元器件大全
常用电子元器件大全电子元器件指的是电子设备中所使用的各种电子部件，也是电子产品的核心组成部分。
随着科技的不断发展，电子元器件的种类也日益增多，覆盖了各个领域。
本文将介绍一些常见的电子元器件，以帮助读者更好地了解和应用电子技术。
一、半导体器件1. 二极管（Diode）：具有单向导电性质的半导体器件，广泛应用于整流、开关、稳压等电路中。
2. 晶体三极管（Transistor）：是一种具有放大、开关等功能的半导体器件，被广泛用于集成电路、放大电路等领域。
3. 场效应晶体管（FET）：也是一种常见的半导体器件，适用于高频放大、开关等电路。
4. 可变电容二极管（Varactor Diode）：具有可变电容的二极管，常用于无线电频率调谐电路。
二、电容器1. 固定电容器：用于存储电荷和稳定电压的电子元件，常见的有电解电容器、陶瓷电容器等。
2. 可变电容器：具有可调节电容值的电子元件，可用于调谐电路、滤波电路等。
3. 互感器：由两个或多个线圈绕制而成，能够在不同线圈之间传递电能和信号。
三、电阻器1. 固定电阻器：具有恒定电阻值的电子元件，被广泛应用于电路中的限流、限压、分压等功能。
2. 可变电阻器：通常由可调节的滑动活塞或转轴来改变电阻值，用于调节电路中的信号或电流。
四、集成电路集成电路（Integrated Circuit，IC）是在一块半导体材料上集成了数百至数百万个电子元件的微小电路。
常见的集成电路有以下几种类型：1. 数字集成电路（Digital IC）：用于数字信号处理和逻辑运算等。
2. 模拟集成电路（Analog IC）：用于处理模拟信号，如放大、滤波、调制等。
3. 混合集成电路（Mixed Signal IC）：结合数字和模拟电路的功能，常用于通信、控制等应用。
五、传感器传感器是将感知信号（如光、温度、压力等）转换为可用电信号的装置。
常见传感器有以下几种：1. 温度传感器：用于测量温度变化的元件，广泛应用于工业自动化、环境监测等领域。
常见电子元件知识介绍
碳电阻的值随电阻温度的升高而 减小。 金属膜电阻的值随电阻温度的升 高而增大。
（3）线绕电阻
大功率绕线电阻
1、绕线电阻是用镍铬线或锰铜线、 康铜线绕在瓷管上制成的。
2、绕线电阻的特点： 阻值精度极高，工作时噪声小、
稳定可靠，能承受高温，在环境温 度170℃下仍能正常工作。但它体积 大、阻值较低，大多在100KΩ以下。
在负载短路的情况下，可迅速在电阻丝 同焊脚引线之间熔断，对电路有保护功能。 额定功率一般在1瓦以上。
缺点:有电感，体积大，不宜作阻值较 大的电阻。
（5）排线电阻器（排阻）代码 ：RN、RP、RB。
一种在小集成大规模集成电路种常用的电阻。是一种按照一定规律 排列的分立电阻器的组合电阻器，其体积小,安装方便。
常用电子元件基础知识
电子电路中常用的器件包括：电阻、电容、电感、二极管、 三极管、可控硅、集成电路IC、轻触开关、液晶、发光二极管、蜂 鸣器、各种传感器、继电器、变压器、保险丝、光耦、滤波器、接 插件、电机、天线等等。
1、电阻 2、电容 3、电感 4、二极管 5、三极管 6、场效应管 7、可控硅 8、集成电子元件IC
4、电阻的型号命名方法
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
序号（用数字表示） 分类（用数字、字母表示） 材料（用字母表示） 主称（用字母R或W表示）
第一部分：主称 第二部分：材料
第三部分：特征分类
第四部分：序号
符号 意义 符
意义
符
意义
号
号
电阻器
电位器
R 电阻器 T
碳膜
1
W 电位器 H 合成膜 2
（3）允许误差：实际阻值对于标称阻值的最大 允许偏差范围 ，它表示了产品的精度。
最全电子元器件介绍
最全电子元器件介绍电子元器件是电子技术中最基本的组成部分，广泛应用于电子设备和电子系统中。
下面是对常见的电子元器件进行介绍。
1.电阻器：用来提供电阻，限制电流流过的元器件。
常见的有固定电阻器（通过改变电阻的材料和尺寸来决定电阻值）和变阻器（通过机械或电子方式改变电阻值）。
2.电容器：用来存储电荷并产生电场的元器件。
常见的有固定电容器（电容值固定）和可变电容器（电容值可调节）。
3.电感器：用来储存磁场和产生电压的元器件。
常见的有铁芯电感器（通过铁芯增强磁感应强度）和空芯电感器（无铁芯）。
4.二极管：由PN结组成，用来控制电流的流向。
具有正向导通和反向截止的特性。
常见的有普通二极管、肖特基二极管和发光二极管等。
5.三极管：由三个PN结组成，用来放大电流和控制电流的元器件。
可以分为NPN型和PNP型。
常见的有普通三极管、场效应晶体管和双极型晶体管等。
6.MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，利用电场控制电流。
主要分为N沟道型和P沟道型。
常见的有增强型MOSFET和耗尽型MOSFET等。
7.电压稳压器：用来稳定电压输出的元器件。
常见的有线性稳压器和开关稳压器。
8.发光二极管（LED）：能够将电能转化为光能的元器件。
常见的有红、绿、蓝等多种颜色。
9.操作放大器（OP-AMP）：用来放大电压和信号的元器件。
是一种差分放大器。
10.半导体存储器：用来存储数字信息的元器件。
常见的有EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM等。
11.传感器：用来感知环境信息并将其转化为电信号的元器件。
常见的有温度传感器、压力传感器、光传感器等。
12.集成电路（IC）：在一个芯片上集成了多个电子元器件，并通过内部连接实现相应功能。
有大规模集成电路（LSI）、中小规模集成电路（MSI）和小规模集成电路（SSI）等。
13.光电器件：利用光电效应将光信号转化为电信号或将电信号转化为光信号的元器件。
常见的有光敏电阻、光电二极管和激光二极管等。
电子元件型号及用途
电子元件型号及用途电子元件是电子电路中的基本构成部分，它们担负着不同的功能和任务。
在这篇文章中，我将介绍一些常见的电子元件型号及其用途。
1. 电阻器（Resistor）电阻器是用来限制电流流过的元件。
它们通常由导体材料制成，可以通过改变电阻值来调整电路的阻抗。
电阻器广泛应用于电流限制、分压、反馈和滤波等电路中。
2. 电容器（Capacitor）电容器用来储存电荷。
它们由两块导电板和介电层组成。
电容器可以在稳定电压、储存能量、去除噪声和滤波等方面发挥重要作用。
根据介质的不同，电容器分为电解电容器、陶瓷电容器和塑料电容器等。
3. 电感器（Inductor）电感器用于储存磁场能量。
它们由一个导体线圈组成，当电流流过时，会产生磁场。
电感器通常用于滤波、抵消电磁干扰和储能等应用。
电感器的特点是随着频率的改变，阻抗会变化。
4. 二极管（Diode）二极管是一种非线性电子元件。
它具有单向导电性，只允许电流沿着一个方向流通。
二极管通常用于整流电路、开关、保护电路等。
常见的二极管有硅二极管和肖特基二极管等。
5. 晶体管（Transistor）晶体管是一种放大和开关信号的半导体器件。
根据结构和工作原理的不同，晶体管分为三极管、场效应晶体管和双极性损耗晶体管等。
晶体管广泛应用于电子设备中，如放大器、开关电路、计算机芯片等。
6. 可变电阻器（Variable resistor）可变电阻器，也称为电位器或旋钮，是一种可以调节电阻值的元件。
它们通过改变导电材料中电阻的长度或断面积来改变阻值。
可变电阻器通常用于调节电压、电流、输出功率等。
7. 发光二极管（LED）发光二极管是一种能够转换电能为光能的半导体器件。
它们具有高亮度、低能耗和长寿命等特点。
LED广泛应用于显示屏、指示灯、照明和光通信等领域。
8. 三极管（Triode）三极管是一种放大信号和控制电流的器件。
它由一个发射极、基极和集电极组成。
三极管常用于放大器、振荡器和逻辑电路等应用。
电子行业常用电子元器件大全
电子行业常用电子元器件大全简介在电子行业中，使用各种各样的电子元器件是非常常见的。
这些电子元器件可以说是电子设备的基石，起到了连接、调节和控制的重要作用。
本文将介绍一些电子行业中常见的电子元器件，帮助读者对电子元器件有更深入的了解。
一、电阻器（Resistor）电阻器是电子电路中最基本的被动元件之一，它的主要作用是限制电流的流动。
电阻器的阻值可以根据实际需求来选择，常见的有固定电阻器和可变电阻器两种。
1. 固定电阻器固定电阻器是最常见的电子元器件之一，通常由炭陶瓷等材料制成。
它的阻值是固定的，不可调节，用于限制电路中的电流和分压。
2. 可变电阻器可变电阻器也被称为电阻器，其阻值可以根据需要进行调节。
常见的可变电阻器有旋钮式和拉线式两种，用于调节电路中的电阻值，以实现对电流的调节。
二、电容器（Capacitor）电容器是一种以两个不导电材料之间的电介质为媒介的元器件。
电容器主要用于储存和释放电荷，并在电路中充当电流的分配器。
1. 电解电容器电解电容器是常见的极性电容器，根据极性连接正负极。
电解电容器具有大容量和较高的电压稳定性，常用于电源滤波和能量存储电路。
2. 陶瓷电容器陶瓷电容器是一种非极性电容器，通常由瓷土制成。
它具有体积小、频率特性好等特点，常见于振荡电路和调谐电路中。
三、二极管（Diode）二极管是一种电子元器件，它具有单向导电性。
二极管通常由半导体材料制成，在电路中常用于整流和开关电路。
1. 整流二极管整流二极管也被称为二极管，主要用于将交流电信号转换为直流电信号。
它具有低压降和高反向击穿电压，适用于高频电路和电源供电电路。
2. 射频二极管射频二极管是一种特殊用途的二极管，主要用于射频和微波电路中。
它具有较高的频率特性和快速开关速度，适用于高频放大器和调制解调器等设备。
四、晶体管（Transistor）晶体管是一种半导体器件，可以放大和控制电流。
它是现代电子器件中最重要的组成部分之一，常用于放大、开关和振荡电路中。
十大最常用电子元器件介绍
十大最常用电子元器件介绍对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件就像人们日常进口的米饭一样，是每天都需要去接触，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。
这里列举出工程师门常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识，和大家一起温习一遍。
一、电阻作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。
它的重要性，毋庸置疑。
人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。
”电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。
电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。
没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。
不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。
在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。
导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。
不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。
电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。
电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。
电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。
1、参数识别：电阻的单位为欧姆(Ω)，倍率单位有：千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。
换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。
2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差(%)银色/x0.01±10金色/x0.1±5黑色0+0/棕色1x10±1红色2x100±2橙色3x1000/黄色4x10000/绿色5x100000±0.5蓝色6x1000000±0.2紫色7x10000000±0.1灰色8x100000000/白色9x1000000000/。
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Schottky Barrier Diode﹕肖特基勢壘二極體
Switch Diode﹕開關二極體
Zener Diode﹕齊納二極體
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER﹕肖特基勢壘二極體的整流器
Absolute Maximum Ratings﹕絕對最大的等級
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 Second﹕峰值振蕩電流脈沖寬度IF(surge)1秒
Total Power Dissipation at 25℃﹕整體消耗的功率
Theta (Rth j-a) (Note 1) From junction to ambient mounted on a ceramic substrate of 10 mm x 8 mm x 0.6 mm
Storage Temperature﹕貯藏溫度Tstg
Operating Junction Temperature﹕工作接合溫度TJ
Working Inverse Voltage﹕工作反向電壓Viv
DC Forward Current (IF)﹕正向直流電流IF
Recurrent Peak Forward Current (IFRM)﹕峰值正向直流電流If
再則是電阻的燃燒問題，部分電路因為申請安規時，要求不能有燃燒現象，則必須選則不可燃的塗裝。
4.色碼的判別：
電阻的阻值，通常可以直接從本體的顏色、條碼來得知其阻值，誤差值為2%以上者，條碼為4碼﹔誤差1%以下者，條碼為5碼﹔也有部分瓦數較大的電阻，直接用文字在本體印出其阻值。
(a).普通電阻的條碼：
顏色的代表數字：
SMD有0603、0805、1206、1812……等
(c).以外型區分………………………固定型、可變型、厚膜排阻、水泥電阻
(d).常見的材質種類…………………碳膜、金屬皮膜、金屬氧化皮膜、繞線有感、繞線無感
(e).以可燃性區分……………………一般型（可燃）、不可燃，因為表面塗裝的材料而異
(f).溫度係數區分……………………正溫度係數、負溫度係數
Resistance電阻(被動元件)
電阻的功用及結構
電阻的種類
電阻的使用
色碼的判別
標準阻值級距
1.電阻的功用及結構：
在日常生活中常接觸到的電阻器，有很多的型態，如電燈泡的燈絲，可以將電能轉成光，電鍋、烤麵包機等電氣用品，則是電阻將電能轉成熱能的典型應用；電子電路中，電阻大多是用來衰減或偵測電流、電壓，在SMPS中，有時候用來作為放電用，其功用非常多，例如：耐壓較小的電晶體，則需要靠電阻幫忙衰減電壓，使其工作的電壓不致於超高而損壞。電阻本身不會產生能量，是典型的被動元件。
(g).以誤差範圍區分…………………0.1％，0.25％，0.5％，1％，2％，5％，10％
(h).耐壓範圍來區分…………………因瓦數不同而有400V、500V、700V、1000V
(i).偵測用途來區分…………………光敏電阻（CDS）、熱敏電阻（NTC: Negative TemperatureCoefficient＆PTC: Positive Temperature Coefficient）
11.8
-
17.4
17.4
-
25.5
25.5
-
37.4
37.4
-
54.9
54.9
-
80.6
80.6
-
12.0
-
12
17.6
-
-
25.8
-
-
37.9
-
-
55.6
-
-
81.6
-
-
12.1
12.1
-
17.8
17.8
-
26.1
26.1
-
38.3
38.3
-
56.2
56.2
56
82.5
82.5
82
12.3
-
-
18.0
3.電阻的使用：
(a).功率選用：
一般決定電阻應該選用幾瓦，係考量消耗在電阻上的功率所產生的熱量，因為電阻會有Derating Curve（功率衰減曲線），例如：2W的電阻，實際使用消耗在電阻上的功率，最好小於1W（ie.＜50%），下圖就是Carbon Film固定電阻隨環境溫度不同的衰減曲線：
根據歐姆定律……………V ＝ I* R
DiodeCharacteristics
二極體Diode是半導體(Semiconductors)器件﹐利用半導體的單向導電性造成﹐內部有一個PN結
由硅或鍺材料造成﹐可以用伏安特性來描述。
Smd﹕粘片Dip﹕插件PACKAGE﹕封裝形式specification﹕規格書
Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodes﹕共陰極雙個的肖特基勢壘整流二極體
-
56.9
-
-
83.5
-
-
12.4
12.4
-
18.2
18.2
-
26.7
26.7
39.2
39.2
39
57.6
57.6
-
84.5
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
10.0
10.0
10
14.7
14.7
-
21.5
21.5
-
31.6
31.6
Thermal Characteristics﹕電晶體特性
Collector-Emitter Voltage﹕VCEO
Collector-Base Voltage﹕VCBO
Emitter-Base Voltage﹕VEBO
Collector Current – Continuous﹕IC
Operating and Storage Junction Temperature Range﹕工作和貯藏接合溫度范圍Tstg
*10的幾次方
例如：紅色則為2
R = XXX *102
誤差碼：
紅色：2%
棕色：1%
綠色：0.5%
藍色：0.25 %
紫色：0.1%
灰色：0.05%
圖中的電阻值為：
1 2 2 * 102= 12200 = 12.2K
A1
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
Electrical Characteristics﹕有關電氯特性
Min﹕最小的
Max﹕最大的
Typ﹕中間的
Units﹕單位
TEST CONDITIONS﹕測試條件
Breakdown Voltage﹕擊穿電壓BV
Reverse Leakage﹕反向漏電流IR
Forward Voltage﹕正向電壓降VF
慣用的英文代碼：
K：1000= 103
M：1000K = 106
G：1000M = 109
‘m’：10-3
‘ u ‘：10-6
‘n’：10-9
‘ p‘：10-12
(b).精密電阻的條碼：
4
誤差碼用文字時：
G：2%
F：1%
D：0.5%
C：0.25 %
B：0.1%
A：0.05%
第一個數字
第二個數字
第三個數字
23.4
-
-
34.4
-
-
50.5
-
-
74.1
-
-
11.0
11.0
11
16.2
16.2
-
23.7
23.7
-
34.8
34.8
-
51.1
51.1
51
75.0
75.0
75
11.1
-
-
16.4
-
-
24.0
-
24
35.2
-
-
51.7
-
-
75.9
-
-
11.3
11.3
-
16.5
16.5
-
24.3
24.3
-
35.7
35.7
Collector Dissipation﹕消耗功率PC
Collector-Base Breakdown Voltage﹕集電極-基極擊穿電壓BVCBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage﹕集電極-發射極擊穿電壓BVCEO
Emitter-Base Breakdown Voltage﹕發射極-基極擊穿電壓BVEBO
Base Cut-off Current﹕基極關閉電流IBEV
Collector Cut-off Current﹕集電極關閉電流ICEX
DC Current Gain﹕直流電流放大倍數hFE
Collector-Emitter Saturation Voltage﹕集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)
-
-
15.4