Flash Player 本地设置管理器存储

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本地存储设置

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使用“存储”面板上的设置可以控制网站使用Flash Player 在您的计算机上存储数据的方式或者是否在您的计算机上存储数据。

本地存储设置使用本地存储设置可以指定网站是否可以使用Flash Player 存储信息。网站可使用本地存储来保存查看历史记录、游戏进度、首选项或有关计算机的信息。网站只能访问其以前保存的本地存储信息（不能访问由其他网站存储的数据）。您可以允许所有网站、仅允许您指定的某些

网站或者阻止所有网站使用Flash Player 在您的计算机上保存信息。

允许站点在此计算机上保存信息

如果您希望允许任何网站在不提示您的情况下在您的计算

机上保存信息，请选择此选项。

在允许新站点在此计算机上保存信息之前询问我

如果希望让某些网站在您的计算机上保存信息，并希望逐个网站地确定是否允许其保存，请选择此选项。

阻止所有站点在此计算机上存储信息

如果不希望让任何网站使用Flash Player 在您的计算机上保存任何信息，并且不希望得到任何提示，请选择此选项。注：选择此选项还会删除您计算机上所有现有本地存储。这将提示您确认是否希望删除现有本地存储并阻止网站在

未来保存信息。

站点的本地存储设置...显示使用此计算机上的本地存储或阻止使用本地存储的网站列表。您可以允许或阻止列表中的网站使用本地存储。还可以要求网站在使用本地存储之前提示您进行授权。您还可以选择从此列表中删除网站。删除网站

将删除在Flash Player 中为该网站存储的所有设置和数据。要为您尚未访问的网站指定本地存储设置，请将该网站添加到此列表，然后指定其本地存储设置。

注：使用“站点的本地存储设置”选项卡添加或删除的网站还会添加到所有其他设置管理器选项卡上显示的列表中或者

从中删除。例如，如果将网站添加到“站点的本地存储设置”

列表并为其指定本地存储设置，然后转到“站点的摄像头和麦克风设置”选项卡并删除这一网站，也会从该列表中删除此网站及其所有Flash Player 设置。

全部删除...注：使用这些选项可以删除网站在您的计算机上存储的所有Flash Player 数据。要删除您计算机上的所有

浏览历史记录，请清除您使用的任何浏览器中的浏览历史记录。

显示一个面板，通过该面板可以选择删除Flash Player 为

此计算机上使用的所有浏览器存储的网站数据。您可以：删除所有站点数据和设置

如果选中此框，则在单击面板底部的“删除数据”时，将删除

所有本地存储、摄像头、麦克风和对等协助网络设置。

注：选中此框并单击“删除数据”将删除所有网站的数据。要保存某些网站的数据但删除其他网站的数据，请返回“存储”

选项卡，单击“站点的本地存储设置”，然后仅删除您希望删

除其数据的那些网站。

删除所有音频和视频许可证文件

选中此框将删除受保护内容（例如，您已租借或购买的影片和音乐）的所有许可证文件。如果您要销售或赠送您的计算机并且不希望他人播放此内容，请删除许可证文件。您必须从内容提供商获取新的许可证文件才能再次播放此内容。

了解有关隐私浏览的详细信息使用隐私浏览可以浏览网络

且不在您的计算机上存储任何历史记录。Flash Player 与您的Web 浏览器集成在一起，可以根据浏览器的隐私浏览设置自动清除存储的数据。

什么是隐私浏览？Web 浏览器通常会保存您访问的网站的历史记录，以帮助快速追踪您的在线步骤。有时您不想让他人看到您的历史记录，因此许多浏览器提供了“隐私浏览”模式。在打开隐私浏览时，浏览器不会存储任何历史记录，这可让您隐藏您的活动，而不会被共享同一计算机的其他用户看到。

在使用隐私浏览模式时，您的Web 浏览器仅临时存储若干类型的信息。一旦离开隐私浏览模式，浏览器就会立即删除这些数据，包括您在浏览器历史记录中的访问记录、Cookie 和缓存的图像文件。在正常浏览模式中，即使在您关闭并重

新启动浏览器后，浏览器也会记住您的历史记录。Flash Player 还会自动清除其在隐私浏览期间存储的任何数据，帮助保护您的历史记录的隐私。

注：一些期望使用本地存储保存数据的网站在隐私浏览会话期间可能会显示意外行为。

支持Flash Player 隐私浏览的浏览器以下浏览器的当前版本支持隐私浏览与Flash Player 10.1 和更高版本的集成：Google Chrome

Mozilla Firefox

Microsoft Internet Explorer

Apple Safari隐私浏览的工作原理是什么？在Flash Player 10.1 之前，无论浏览器是否使用隐私浏览，Flash Player 的行为都是相同的。浏览器可以清除在隐私浏览会话期间临时存储的数据，但它们并不知道在Flash Player 本地存储（也称为本地共享对象，即LSO）中存储的任何数据。Flash Player 本地存储中的信息按网站存储，因此一个网站绝不会看到另一网站的信息。不过，按网站存储信息仍可能留下使

用本地存储的以前访问的网站的历史记录。

从Flash Player 10.1 开始，Flash Player 主动支持浏览器的隐私浏览模式，管理本地存储中的数据，使其与隐私浏览保持一致。当隐私浏览会话结束时，Flash Player 会自动清除本地存储中的任何对应数据。

此外，Flash Player 还将正常浏览中使用的本地存储与隐私浏览期间使用的本地存储区分开。在进入隐私浏览模式时，您以前访问的网站将无法访问其在正常浏览期间保存在计

算机上的信息。例如，如果您在正常浏览期间将密码保存在支持Flash 的Web 应用程序中，则在使用隐私浏览访问该网站时，该网站不会记住此密码。

了解有关隐私控制的详细信息Flash Player 本地存储Flash Player 本地存储是指在您访问特定网站时可以在您的计算机上创建该存储信息的文件。有时它们被不正确地称为“Flash Cookie”，因为它们可以像浏览器Cookie 那样用来存储信息，例如登录数据或您访问的网页。许多网站使用此功能记住如下信息：使用Flash Player 在内容中输入的表单信息、您的在线游戏进度或高分、设置（如您最喜欢的播放音量）或在观看视频时上次离开的位置。存储在本地存储中的信息在关闭Flash Player 之后会保留在计算机上（即

使清除浏览器缓存也会保留），并且仅对存储该信息的网站可用。下次您访问该网站时，该网站可以在本地存储中检索此信息。您可以使用Flash Player 设置管理器随时清除此信息。有关本地存储的更多信息，请参见

https://www.360docs.net/doc/116835452.html,/products/flashplayer/articles/lso。

什么是潜在的隐私问题？据报告，一些公司可能在使用Flash Player 本地存储取代HTTP Cookie 来跟踪用户在

线信息。有的公司还可能将HTTP Cookie 的备份副本放在本地存储，以备用户删除其Cookie 时使用（这种情况有时也称为“重生”）。Adobe 已经公开谴责以违背用户明示意图的方式使用本地存储，但为开放平台提供工具这一性质客观上造成我们无法控制开发人员和内容制作者使用我们产品

的方式。

您的选项有关您选择的每个设置如何影响您的Flash 体验的详细信息，请参见设置管理器中每个选项卡的帮助页面。还在线提供了这些内容：

帮助页面

URL存储

https://www.360docs.net/doc/116835452.html,/go/flash-player-settings-storage_cn

摄像头和麦克风

https://www.360docs.net/doc/116835452.html,/go/flash-player-settings-camera-and-mic _cn

播放

https://www.360docs.net/doc/116835452.html,/go/flash-player-settings-playback_cn

高级

https://www.360docs.net/doc/116835452.html,/go/flash-player-settings-advanced_cn

用铁电存储器(FRAM)存储数据

一个完美的电表数据存储系统华胄科技陈其龙电表作为一个计量用电量的仪器电表的精度不但与检测芯片的精度有关更重要与其存储方式有很大的关系如果检测到的电量数据不能写入存储器或者写入存储器过程出错电表的精度就大大降低以前电表数据的存储方式有2种选择1用存储EEPROM数据2用NVRAM存储数据现在有了第三种选择用铁电存储器FRAM存储数据在以前在设计电表电量的存储方案过程中工程师在怎样把数据准确无误的写入存储绞尽脑汁主要的原因是以前的EEPROM速度慢,有10MS写的周期擦写次数少为了解决存储器的问题工程师必须在控制电路增加很多电路见图一由于EEPROM的擦写次数为10万次所以不能来一个脉冲就写入EEPROM只能将脉冲暂存MCU的SRAM内等脉冲计录到一定的值1度电或到了一定的时间1小时再把数据写入EEPROM正是由于电数据不能实时写入EEPROM引起一个问题如果停电怎么办在停电时MCU内存储的平均电量为0.5度,如果系统不管掉电情况,那么电表的精度很低(以10万家用户计算,每停一次电,供电局将有5万度电因存储器的原因而丢掉),这供电局当然不能接受为了解决这问题在电路上必需增加掉电检测电路在检测到掉电后把MCU中存储不到1度电的数据写入EEPROM 由于EEPROM写入数据时有10MS写的周期这也引起了一个问题在停电后必需有足够长的电压维持EEPROM写的时间设计者的一般思路是利用滤波电路的大电容由于电容内部是电解液随着时间的推移电容的容量将变小因此为了使电表能使用10年必须把增大滤波的电容的容量和提前检测到掉电 EEPROM写入数据时数据先是写入EEPROM的缓冲区当数据写入缓冲区后EEPROM 自动把数据写入EEPROM的具体地址其过程需要10MS由于EEPROM内部写入时间长所以容易受到干扰EEPROM一旦受到干扰写入的数据容易出错此时出错MCU 没有办法知道为了解决这一问题设计者必须把同一个数据写入三个不同的地址然后再把数据读出来校正图5

Adobe Flash Player 11.6 Beta最新版官方下载 - Flash Player,Flash Player11.6,Adobe Flash Player

Adobe Flash Player 11.6 Beta最新版官方下载- Flash Player,Flash Player11.6,Adobe Flash Player : Download of government of latest edition of Adobe Flash Player 11.6 Beta is soft yesterday intermediary is small make up just released Adobe Flash Player 11.5.502.135 newlier formal edition, tighten the government gives off test version of Adobe Flash Player 11.6 now latest edition after therewith, version date is 11.6.602.108, the friend that 11.6 set had installed in computer can undertake updating. The major attribute of Adobe Flash Player 11.6: 1. The user interface that gets a dialog box is able to improve (reflect in the among position of screen) . Still improved user experience, when entering full screen mode, joined “ cancel “ pushbutton. 2. Graphical data inquires: Developer aux will be able to reads the structure that takes indication target and vector data when move quite. 3. Many SWF support: This function falls to bale on IOS for AOT mode with to load many SWF provided support, the user can apply in AIR IOS many SWF are used in the program. 4. Allow to develop personnel to describe in applied process implement in the ExcludeDevices attribute in use RequestedDisplayResolution label is on equipment of one or more IOS ban with specific screen resolution notices: This version offerred a function of patulous configuration file that is used at previewed Stage3D to be used at test and feedback. The patulous configuration file of Stage3D raised advanced desktop platform (Mac / Win) the apply colours to a drawing of Stage3D technology. This function will not support the Flash Player 11.6/ Adobe AIR 3.6Adobe of Released edition not to suggest developer releases content on functional foundation here. Use this function to let you, you download need the AGALMiniAssembler that replaces edition. Friendship clew: The IE edition of the Flash Player 11.6 of alone download cannot compatible Windows8 (can undertake upgrading through Update of the buy inside Win8) , version of IE of and rather than is to be able to support compatible Windows8, can explain with installing ~ government alone documentation downloads newlier (PDF format) : Click here to support moving environment: Government of Windows XP/Vista/Win7Adobe Flash Player 11.6.602.108 downloads: For Internet Explorer Only(EXE of –of Download Active-x For Windows, for All Other Browsers(EXE of –of 15.1 MB)Download Plug-in For Windows, 15.7 MB) reserves bale download: Visit (30.6MB) recommend read: Government of Adobe Flash Player 11.5.502.135 downloads (formal edition) the home that more image sound broadcasts software to welcome to click IT -- image sound broadcasts channel to share: https://www.360docs.net/doc/116835452.html, FM2013|PES2013|FIFA13

第13章 Flash存储器

第13章Flash存储器 Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度高、低功耗、成本较低等特点，这使得Flash存储器在嵌入式系统中的使用迅速增长。本章主要以HC08系列中的GP32为例阐述Flash存储器的在线编程方法，也简要阐述了HCS08系列中GB60的在线编程方法。本章首先概述了Flash存储器的基本特点，并介绍其编程模式，随后给出M68HC908GP32的Flash存储器编程的基本操作及汇编语言和C语言的在线编程实例。最后讨论MC9S08GB60的Flash存储器编程方法。 Flash存储器编程方法有写入器模式与在线模式两种，本章讨论的是在线模式。有的芯片内部ROM中，包含了Flash擦除与写入子程序，在本章的进一步讨论中给出了调用方法，使Flash编程相对方便。有的芯片内部ROM中没有固化Flash擦除与写入子程序，只能自己编写Flash擦除与写入子程序。而编写Flash擦除与写入子程序需要较严格的规范，所以这是比较细致的工作，读者应仔细分析本章的例程，并参照例程编程。掌握了GP32芯片的Flash编程方法后，可以把此方法应用于整个系列的Flash编程。Flash在线编程对初学者有一定难度，希望通过实例分析学习。本章给出Flash在线编程的C语言实例，对于训练C语言与汇编联合编程技巧很有帮助。 13.1 Flash存储器概述与编程模式理想的存储器应该具备存取速度快、不易失、存储密度高(单位体积存储容量大)、价格低等特点，但一般的存储器只具有这些特点中的一个或几个。近几年Flash存储器(有的译为：闪速存储器或快擦型存储器)技术趋于成熟，它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度高、低功耗、成本较低等特点。这些特点使得Flash存储器在嵌入式系统中获得广泛使用。从软件角度来看，Flash和EEPROM技术十分相似，主要的差别是Flash存储器一次只能擦除一个扇区，而不是EEPROM存储器的1个字节1个字节地擦除，典型的扇区大小是128B~16KB。尽管如此，因为Flash存储器的总体性价比，它还是比EEPROM更加流行，并且迅速取代了很多ROM器件。嵌入式系统中使用Flash存储器有两种形式：一种是嵌入式处理器上集成了Flash，另一种是片外扩展Flash。目前，许多MCU内部都集成了Flash存储器。Freescale公司在Flash存储器技术相当成熟的时候，在HC08系列单片机内集成了Flash存储器。该系列内部的Flash存储器不但可用编程器对其编程，而且可以由内部程序在线写入(编程)，给嵌入式系统设计与编程提供了方便。存储器是MCU的重要组成部分，存储器技术的发展对MCU的发展起到了极大的推动作用。对于Freescale公司新推出的HCS08系列MCU采用第三

铁电存储器原理及应用比较

铁电存储器原理及应用比较摘要：介绍铁电存储器（FRAM）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口，着重分析与使用一般SRAM的不同之处。关键词：铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出，直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品，目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，采用了0.35μm工艺，推出了3V产品，开发出“单管单容”存储单元的FRAM，最大密度可在256Kb。2 FRAM原理FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。2．1 FRAM 存储单元结构FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图2（a）所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的“单管单容”（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构（未画出公共参考位）如图2（b）所示。2.2 FRAM的读/写操作FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的。实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场（即对电容充电），如果原来晶体中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个类峰。把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。[!--empirenews.page--]无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个“预充”（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上“预充”时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。图2 写操作和读操作十分类似，只要施加所要的方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个“预充”时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。2.3 FRAM的读写时序在FRAM读操作后必须有个“预充电”过程，来恢复数据位。增加预充电时间后，FRAM一个完整的读操作周期为130ns，如图3（a）所示。这是与SRAM和E2PROM不同的地方。图3（b）为写时序。3 FRAM与其它存储技术比较目前Ramtron公司的FRAM主要包括两大类：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM 又分I2C两线方式的FM24××系列和SPI三线方式的FM25xx系列。串行FRAM与传统的24xx、25xx型的E2PROM引脚及时序兼容，可以直接替换，如Microchip、Xicor公司的同型号产品；并行FRAM价格较高但速度快，由于存在“预充”问题，在时序上有所不同，不能和传统的

flash存储原理.

flash存储原理一、半导体存储设备的原理目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的。采用半导体存储介质,可以把体积变的很小,便于携带;与硬盘之类的存储设备不同,它没有机械结构,所以也不怕碰撞;没有机械噪声;与其它存储设备相比,耗电量很小;读写速度也非常快。半导体存储设备的主要缺点就是价格和容量。现在的半导体存储设备普遍采用了一种叫做“FLASH MEMORY”的技术。从字面上可理解为闪速存储器,它的擦写速度快是相对于EPROM而言的。FLASH MEMORY是一种非易失型存储器,因为掉电后,芯片内的数据不会丢失,所以很适合用来作电脑的外部存储设备。它采用电擦写方式、可10万次重复擦写、擦写速度快、耗电量小。 1.NOR型FLASH芯片我们知道三极管具备导通和不导通两种状态,这两种状态可以用来表示数据0和数据1,因此利用三极管作为存储单元的三极管阵列就可作为存储设备。FLASH 技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。它具有两个栅极,一个如普通场管栅极一样,用导线引出,称为“选择栅”;另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连,这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下,浮栅不带电荷,则场效应管处于不导通状态,场效应管的漏极电平为高,则表示数据1。编程时,场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压,源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极,形成相当大的电流,产生大量热电子,并从衬底的二氧化硅层俘获电子,由于电子的密度大,有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层,这时由于选择栅加有高电压,在电场作用下,这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅,并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下,仍然会存留在浮栅上,所以信息能够长期保存(通常来说,这个时间可达10年。由于浮栅为负,所以选择栅为正,在存储器电路中,源极接地,所以相当于场效应管导通,漏极电平为低,即数据0被写入。擦除时,源极加上较高的编程电压,选择栅接地,漏极开

存储器的分类

说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。 RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRAM(dynamic RAM：动态RAM)。 ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(Programmable ROM：可编程ROM，特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可编程的ROM，擦除时用紫外线)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：电可擦除可编程ROM)。以上是大家在各种教材上看到的存储器的分类。问题是，ROM明明叫只读存储器，也就是不可写的存储器，现实是除了掩膜ROM是不可写的外，PROM、EPROM、EEPROM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM这几种存储器的共同特点其实是掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。 SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失，所以也可称为易失性存储器(V olatile memory)。于是，存储器从大类来分，可以分为易失性存储器和非易失性存储器。后来出现的Flash Memory(快闪存储，简称闪存)，掉电后数据也不容易丢失，所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了，但是传统的分类方法中，还是把Flash Memory归类为ROM类，事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。把存储器分为易失性存储器和非易失性存储器就万事大吉了么？令人纠结的是，有一种新的存储器，它既是非易失的，同时又是能够高速随时读写数据的，也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：铁电随机存取存储器，简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以，但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近，它也是一种RAM。于是，存储器的分类令人纠结。传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果分成RAM与非易失性存储器这两大类，也不科学，因为这个分类本身就不是按同一个标准分的，导致FRAM即属于RAM，又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器，又导致FRAM与SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，凭什么分开是吧。我的建议是，存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较合适。于是，存储器的分类如下(按存取速度分类)： 1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM； 2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)： 1、易失性存储器：SRAM、DRAM； 2、非易失性存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。

Adobe Flash Player 10.1 Read Me

Adobe? Flash? Player 10.1 自述在 Adobe Flash Professional CS5 中使用 Adobe Flash Player 的调试版和发行版 Adobe? Flash? Professional CS5 软件包含一个集成的调试器。要使用此功能，您必须使用支持调试的 Adobe? Flash? Player 运行时版本。Flash Player 调试版除了包含用于与 Flash Professional CS5 进行通信的附加代码以外，在其他方面，它与不支持调试的版本（发行版）完全相同。 Flash Professional CS5 安装程序在您的浏览器中安装 ActiveX 控件和/或插件的发行版。请注意，通过Flash Player 下载中心、自动更新通知和快速安装提供的 Flash Player 版本都是发行版本；调试版本可从Adobe Flash Player 支持中心下载。Adobe Flash Player 支持中心会为用户提供适用于 Flash Player 的发行版和调试版的所有未来更新。 Flash Professional CS5 包含插件、ActiveX?控件和独立（放映文件格式）文件的经过数字签名的安装程序和播放器，便于您可在调试和发行创作模式间自由切换。数字签名可以证明这些文件是可信的，未被篡改。安装之后，Windows?操作系统上的 Players 目录 (Program Files/Adobe/Adobe Flash CS5/Players) 和Mac 操作系统上的 Players 目录 (Applications/Adobe Flash CS5/Players) 具有以下结构。这些目录包含创作工具将用来创建放映文件或查看独立内容的文件。Flash Professional CS5 安装程序在此处放置的 Adobe Flash Player 版本是调试版本。 Adobe Flash Player 10.1 自述.pdf —本自述文件。 FlashPlayer.exe、Flash Player.app —查看本地内容时（例如从桌面打开一个 SWF 时），将使用此独立的播放器应用程序。 Debug/ —此目录包含 Adobe Flash Player 调试版的备份副本。 InstallAX.exe —由Windows 上 Internet Explorer 使用的 Adobe Flash Player ActiveX 调试版本的安装程序。 InstallPlugin.exe —由基于插件的浏览器使用的 Adobe Flash Player 插件调试版本的安装程序。 Install Adobe Flash Player Debugger 10.1.dmg— Macintosh 计算机上使用的 Adobe Flash Player 调试版本的安装程序。 FlashPlayerDebugger.exe (Windows)、Flash Player Standalone Debugger.app (Macintosh)—这些文件是供用户在本地查看 Flash 内容的独立播放器的调试版本。

Flash存储器的技术和发展

湘潭大学论文题目：关于Flash存储器的技术和发展学院：材料与光电物理学院专业：微电子学学号：2010700518 姓名：李翼缚完成日期：2014.2.24

目录 1引言 (4) 2Flash 存储器的基本工作原理 (4) 3 Flash存储器的编程机制 (5) 3.1 沟道热电子注入(CHE) (5) 3.2 F-N隧穿效应(F-NTunneling) (6) 4 Flash存储器的单元结构 (6) 5 Flash存储器的可靠性 (7) 5.1 CHE编程条件下的可靠性机制 (8) 5.2 隧道氧化层高场应力下的可靠性机制 (8) 6 Flash存储器的发展现状和未来趋势 (9) 参考文献: (10)

关于Flash存储器的技术和发展摘要:Flash 存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点, 是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对F lash 存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。关键词:半导体存储器;不挥发性存储器; Flash存储器; ETOX结构 About Flash Memory Technology and Its Development Abstract: As a new non -volatile semiconductor memory introduced by Masuoka in 1984, flash memory has a number of advantages, such as simple structure, high integration density, low cost, and high reliability, and it is widely used in mobile phone, digital camer a, PCBIOS, DVD player, and soon. Its evolution, programming mechanism, cell structure, array structure, reliability are described, and its developing trend in the future is dis cussed. Key words: Semico nduct or memory; Flash memor y; Non-volatile memory ; ETOX

铁电随机存储器(FRAM)的工作原理(EN)

Technology Note Sept. 2007 Ramtron International Corporation 1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921 (800) 545-FRAM, (719) 481-7000, Fax (719) 481-7058 F-RAM Technology Brief Overview Established semiconductor memory technologies are divided into two categories: 1. RAMs are Random Access Memories, which simply means that the access time for reads and writes are symmetric. 2. Nonvolatile memories have traditionally been ROM (Read Only Memory) until the advent of floating gate technology, which produced electrically erasable memories such as Flash and EEPROM. These products allow for in-system programming but read and write access times are dissimilar. In fact, the write access times can be several orders of magnitude greater than the read access times. Ferroelectric Random Access Memory or F-RAM has attributes that make it the ideal nonvolatile memory. It is a true nonvolatile RAM. The write advantages and non-volatility make it quite suitable for storing data in the absence of power. Ferroelectric Property The ferroelectric property is a phenomena observed in a class of materials known as Perovskites. Figure 1 shows a Perovskite crystal. The atom in the center has two equal and stable low energy states. These states determine the position of the atom. If a field is applied in the proper plane, the atom will move in the direction of the field. Applying an electric field across the crystal causes the low energy state or position to be in the direction of the field and, conversely, the high energy state in the opposite position. The applied field will, therefore, cause the atom to move from the high energy state to the low energy state. This transition produces energy in the form of charge generally referred to as switch charge (Qs). Therefore, applying an alternating electric field across the crystal will cause the atom to move from the top of the crystal to the bottom and back again. Each transition will produce charge, Qs. Figure 1. Ferroelectric (Perovskite) Crystal A common misconception is that ferroelectric crystals are ferromagnetic or have similar properties. The term “ferroelectric” refers to similarity of the graph of charge plotted as a function of voltage (Figure 2) to the hysteresis loop (BH curve) of ferromagnetic materials. Ferroelectric materials switch in an electric field and are not affected by The ferroelectric material has two states, the atom at the top, which is referred to as up polarization, and the atom at the bottom, which is referred to as down polarization (Figure 3). Therefore, with a viable sensing scheme a binary memory can be produced. Figure 3. Crystal Polarization

Flash的基本功能

1基本功能 Flash动画设计的三大基本功能是整个Flash动画设计知识体系中最重要、也是最基础的，包括：绘图和编辑图形、补间动画和遮罩。这是三个紧密相连的逻辑功能，并且这三个功能自Flash诞生以来就存在。绘图 Flash包括多种绘图工具，它们在不同的绘制模式下工作。许多创建工作都开始于像矩形和椭圆这样的简单形状，因此能够熟练地绘制它们、修改它们的外观以及应用填充和笔触是很重要的。对于Flash提供的3种绘制模式，它们决定了“舞台”上的对象彼此之间如何交互，以及你能够怎样编辑它们。默认情况下，Flash使用合并绘制模式，但是你可以启用对象绘制模式，或者使用“基本矩形” 或“基本椭圆”工具，以使用基本绘制模式。编辑图形绘图和编辑图形不但是创作Flash动画的基本功，也是进行多媒体创作的基本功。只有基本功扎实，才能在以后的学习和创作道路上一帆风顺；使用 Flash Professional8绘图和编辑图形——这是Flash动画创作的三大基本功的第一位；在绘图的过程中要学习怎样使用元件来组织图形元素，这也是Flash 动画的一个巨大特点。Flash中的每幅图形都开始于一种形状。形状由两个部分组成：填充（fill）和笔触（stroke），前者是形状里面的部分，后者是形状的轮廓线。如果你总是可以记住这两个组成部分，就可以比较顺利地创建美观、复杂的画面。补间动画补间动画是整个Flash动画设计的核心，也是Flash动画的最大优点，它有动画补间和形状补间两种形式；用户学习Flash动画设计，最主要的就是学习“补间动画”设计；在应用影片剪辑元件和图形元件创作动画时，有一些细微的差别，你应该完整把握这些细微的差别。 Flash的补间动画有以下几种： 1.动作补间动画动作补间动画是Flash中非常重要的动画表现形式之一，在Flash中制作动作补间动画的对象必须是“元件”或“组成”对象。基本概念：在一个关键帧上放置一个元件，然后在另一个关键帧上改变该元件的大小、颜色、位置、透明度等，Flash根据两者之间帧的值自动所创建的动画，被称为动作补间动画。 2.形状补间动画

Flash做为存储器存储数据

STM32学习笔记-Flash做为存储器储存数据说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH 还可以用来装数据。自己收集了一些资料，现将这些资料总结了一下，不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。 FLASH分类根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。 FLASH的页面 STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH 的扇区。 STM32产品的分类 STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储器2KB。中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储器2KB。大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器2KB。互联型产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器18KB。对于具体一个产品属于哪类，可以查数据手册，或根据以下简单的规则进行区分： STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种，STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。关于ISP与IAP ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程序（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP （In Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。 IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用

内存储器和外存储器的区别

记忆内存，也称为内存存储器，通常也称为主存储器，是计算机的主要组成部分，与外部存储器不同。存储器是计算机的重要组成部分之一，是与CPU通信的桥梁。计算机中的所有程序都在内存中运行，因此存储器的性能对计算机有很大的影响。内存，也称为内存，用于在CPU中临时存储操作数据，并与硬盘等外部存储器交换数据。只要计算机在运行，CPU就会把需要计算的数据传送到内存中进行计算，然后在计算完成后，CPU将结果传送出去，存储器的运行也决定了计算机的稳定运行。存储器由存储器芯片、电路板和金手指组成。分类一般来说，微型计算机的存储器包括磁芯存储器和半导体存储器，

微型计算机的存储器是半导体存储器。半导体存储器可分为随机存取存储器（RAM），只读存储器也称为读写存储器。 1随机存取存储器随机存取存储器随机存取存储器（RAM）是一种可以随机读/写数据的存储器，也称为读/写存储器。Ram有以下两个特点：第一，它可以读写。读出时原始存储内容不会损坏，原始存储器的内容只有在写入时才被修改。其次，RAM只能用于信息的临时存储。一旦电源关闭，就可以读取电源存储的内容会立即消失，即不稳定。 Ram通常由MOS半导体存储器组成，根据数据存储机制，可分为动态RAM和静态RAM。

DRAM是高度集成的，主要用于大容量存储。SRAM具有存取速度快的特点，主要用于高速缓冲存储器。 2只读存储器 ROM是只读存储器。顾名思义，它只能阅读原始内容，用户无法再编写新内容。原始存储内容由制造商使用掩蔽技术编写，永远保存。它通常用于存储特殊的固定程序和数据。只读存储器是一种非易失性存储器，不需要额外的电源来保存信息，并且不会因为电源故障而丢失信息。根据内容是否可以在线重写，可以分为两类：不能在线重写的ROM和可以在线重写的ROM。不能在线重写的ROM包括mask ROM、prom和EPROM；在线可擦只读存储器包括EEPROM和Flash ROM。三。CMOS存储器（互补金属氧化物半导体存储器）

非易失性铁电存储器(FRAM)芯片

16Kbit非易失性铁电存储器（FRAM）芯片FM25C160原理及其应用哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院周宝国The Principle of 16-Kbit Nonvolatile FRAM Chip FM25C160 and Its Application Zhou Baoguo 摘要：FM25C160是美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。它具有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。文中介绍了FM25C160的性能特点﹑管脚定义﹑内部结构和工作原理。给出了AT89C51单片机与FM25C160的接口电路图和对FM25C160的写操作流程图。关键词：铁电存储器(FRAM)；FM25C160；SPI总线；写保护 1．概述传统半导体存储器主要有两大体系：易失性存储器（volatile memory）和非易失性存储器（non-volatile memory）。易失性存储器主要包括静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM。非易失性存储器主要包括掩模只读存储器OTP RAM﹑可紫外线擦除可编程只读存储器EPROM﹑可电擦除可编程只读存储器EEPROM﹑可快速电擦除可现场编程的快闪存储器Flash Memory和用高能量锂电池作静态读写存储器后备电源的非易失静态读写存储器NVSRAM。 SRAM和DRAM等易失性存储器在没有电的情况下都不能保存数据。EPROM﹑EEPROM和Flash等非易失性存储器虽然在断电后仍能保存资料，但由于这类存储器均源于只读存储器（ROM）技术，因此都有不易写入的缺点。 FRAM是由美国Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。其核心技术是铁电晶体材料，这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存储器(RAM) 和非易失性存储器的特性。铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态，一个我们记作逻辑0，另一个记作逻辑1。中心原子能在常温﹑没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器(FRAM)拥有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。 FM25C160是16Kbit串行FRAM，它的主要特点如下： ●　采用2048×8位存储结构； ●　读写次数高达1百亿次； ●　在温度为55℃时，10年数据保存能力； ●　无延时写入数据； ●　先进的高可靠性铁电存储方式； ●　连接方式为高速串行接口（SPI）总线方式，且具有SPI方式0和3两种方式； ●　总线频率高达5MHz； ●　硬件上可直接取代EEPROM；

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