RC吸收电路
rc吸收电路原理
rc吸收电路原理
1 RC吸收电路原理
RC吸收电路（也即串联电容电阻电路）是一种电力电子装置，用
来对瞬变信号和快速信号进行吸收，使其幅度、波形成完美稳定和接
近传统直流电压而不造成破坏。
RC吸收电路是一种多用途电子电路，
它可以用来抑制和吸收各种瞬变信号，尤其是脉冲信号；同时还可以
用来抑制和吸收反射信号、滤波、稳压等等。
RC吸收电路主要由电容器和电阻器组成，当瞬变信号通过RC吸收电路时，电容器会储存能量，而电阻器会通过加热作用将能量转化为
热量而消耗掉，所以瞬变信号的能量会逐渐减少直到消失，从而实现
了信号吸收。
RC吸收电路的重要参数有电容器和电阻器的容量参数以及吸收特
性参数，其中容量参数用来描述实际电路的能量储存，而特性参数表
示实际电路在不同振幅、频率和时间条件下的吸收能力。
通过调节这
些参数，可以改变RC吸收电路的吸收特性和效果。
影响电路的另一个
重要参数是电容器的类型，常见的电路有固定电容器、可变电容器和
滤波电容器，根据实际应用来选择适当的电容器。
正是由于RC吸收电路具有高效实用、调整灵活、价格低廉等优点，使得其能够承担起许多微电子系统中的核心任务。
RC吸收电路用来抑
制和吸收脉冲信号和反射信号的能力极强，它的应用广泛，如电池电
源、汽车电子系统和工业控制系统等等，也是电源线电磁兼容性设备的重要组成部分。
RC吸收电路的应用越来越广泛，它所实现的吸收技术可以在微电子系统中得到更加优秀的效果。
通过科学技术的发展和改进，RC吸收电路也会越来越好地满足各种系统应用的需求。
固态继电器rc吸收电路
固态继电器rc吸收电路固态继电器RC吸收电路是一种通用的电路，它通常用于控制大功率载荷，以保护到达继电器的电压波形和电路。
它是通过将电容（C）和电阻（R）串联在继电器的并联电容端口上，以实现对峰值电压和保护过电压的限制。
接下来，让我们深入了解固态继电器RC吸收电路的工作原理、性能特征和典型应用。
工作原理固态继电器RC吸收电路的工作原理基于电容和电阻的典型RC滤波器电路。
当控制端关闭时，继电器将沿着继电器的串联电路通电，这时继电器的并联电容充电到电源电压。
当控制器打开时，继电器的串联电路在继电器内部变成短路，继电器并联电容的电荷无处可去，同时电荷被电容电压电位和并联电阻中的电压分压器来放电。
响应的电压拍打跨越继电器，在RC电路中产生阻尼和减速效应，可使峰值电压低于继电器特定的工作电压，从而实现了继电器的保护。
性能特征固态继电器RC吸收电路具有以下性能特征：1.保护功效强：RC电路中的电容和电阻对过电压保护非常有效，它们能够缓解峰值电压并保护继电器。
2.低成本：固态继电器RC吸收电路由简单的电阻和电容构成，这使它成为一种具有低成本的保护方式。
3.普适性强：固态继电器RC吸收电路适用于绝大部分的继电器，具有良好的通用性。
典型应用固态继电器RC吸收电路广泛应用于机械加工、电力电子和电器控制等领域，以保护继电器和大功率载荷。
例如，在控制机床时，RC吸收电路可有效保护继电器，使其不受电压浪涌和过电压的影响。
结论固态继电器RC吸收电路是一种简单、易实现、经济有效的保护继电器过电压的方法。
它的性能特征使其适用于绝大部分的继电器，具有广泛的应用前景。
在实际应用中，需要仔细设计安装，以确保RC电路的阻尼、电容和电阻大小的准确匹配，以最大程度地发挥其保护作用。
开关电源rc吸收电路
开关电源rc吸收电路摘要：一、开关电源RC 吸收电路概述1.开关电源的工作原理2.RC 吸收电路的作用二、RC 吸收电路的组成及工作原理1.电容和电阻的特性2.RC 吸收电路的组成3.电路的工作原理三、RC 吸收电路在开关电源中的应用1.电压波动的抑制2.电磁干扰的减小3.开关电源的稳定性提高四、RC 吸收电路的设计与优化1.电容和电阻的选择2.电路参数的计算与分析3.优化方法与技巧正文：一、开关电源RC 吸收电路概述开关电源是一种利用现代电力电子技术，通过开关器件的开通和关断，实现输入电压和输出电压之间能量传递的电源。
然而，在开关电源的工作过程中，由于开关器件的开通和关断，会产生高频电流尖峰，这不仅会引起电磁干扰，还会导致输出电压的波动。
为了抑制这些不良影响，开关电源中通常会加入RC 吸收电路。
二、RC 吸收电路的组成及工作原理1.电容和电阻的特性RC 吸收电路主要由一个电容和一个电阻组成。
电容具有储存电能的特性，而电阻则限制电流的流动。
当开关器件开通时，电容开始充电；当开关器件关断时，电容通过电阻放电。
2.RC 吸收电路的组成RC 吸收电路通常由一个电容和一个电阻组成。
电容可以是单个电容，也可以是多个电容的串联或并联；电阻也可以是单个电阻，也可以是多个电阻的串联或并联。
电容和电阻的数值大小要根据实际应用场景进行选择。
3.电路的工作原理当开关电源的输出电压出现波动时，RC 吸收电路中的电容会储存一部分能量，然后在电阻的作用下释放，从而减小输出电压的波动。
同时，由于电容和电阻对电流的限制作用，可以有效地减小电磁干扰。
三、RC 吸收电路在开关电源中的应用1.电压波动的抑制开关电源的输出电压受到很多因素的影响，如输入电压的波动、负载的变动等，通过加入RC 吸收电路，可以有效地抑制这些因素引起的输出电压波动。
2.电磁干扰的减小开关电源的高频开关过程中会产生大量的高频电流尖峰，这些尖峰会产生很强的电磁干扰。
可控硅rc吸收电路
可控硅rc吸收电路可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种半导体器件，具有双向导通的特性，广泛应用于电子控制领域。
在电力控制和电力转换方面，可控硅的吸收电路起到了重要的作用。
本文将详细介绍可控硅RC吸收电路的原理、特点以及应用。
一、可控硅RC吸收电路的原理可控硅RC吸收电路是通过可控硅和电容器构成的电路，主要用于吸收和消耗电路中的感性负载电流。
其原理是通过控制可控硅的触发脉冲，使其导通，从而实现对电路中电流的吸收和消耗。
可控硅作为一种双向导通的器件，可以控制电流的方向，具有非常好的电流控制特性。
二、可控硅RC吸收电路的特点1. 能够实现对感性负载电流的吸收和消耗，保护其他电路元件不受过电流的侵害。
2. 可控硅具有双向导通的特性，能够适应不同的电流方向需求。
3. 可控硅的触发脉冲可以通过外部控制，实现对电流的精确控制。
4. 可控硅具有较高的耐压能力和耐电流能力，能够适应较大电流的吸收需求。
三、可控硅RC吸收电路的应用1. 电力电子领域：可控硅RC吸收电路常用于电力电子设备中，用于吸收感性负载电流，保护其他元件。
2. 交流电机控制：可控硅RC吸收电路可以用于交流电机的启动和制动，通过控制电流的方向和大小，实现对电机的控制。
3. 电力系统中的过电流保护：可控硅RC吸收电路可以作为过电流保护装置使用，在电力系统中对过电流进行吸收和消耗，保护系统的安全运行。
4. 电力变换器：可控硅RC吸收电路可以用于电力变换器中，对电流进行吸收和消耗，实现电力的转换和调节。
总结：可控硅RC吸收电路是一种通过可控硅和电容器构成的电路，用于吸收和消耗电路中的感性负载电流。
它具有双向导通的特性，可以控制电流的方向，并且具有较好的电流控制特性。
可控硅RC吸收电路广泛应用于电力电子领域，用于保护其他电路元件、交流电机控制、电力系统过电流保护以及电力变换器等方面。
通过对可控硅RC吸收电路的研究和应用，可以提高电力系统的稳定性和可靠性，实现对电流的精确控制。
开关电源rc吸收电路
开关电源rc吸收电路
（最新版）
目录
1.开关电源 rc 吸收电路的概述
2.开关电源 rc 吸收电路的工作原理
3.开关电源 rc 吸收电路的优缺点
4.开关电源 rc 吸收电路的应用领域
5.开关电源 rc 吸收电路的发展前景
正文
一、开关电源 rc 吸收电路的概述
开关电源 rc 吸收电路，是一种在电子设备中常见的电源电路，主要用于将输入电压转换为所需的输出电压，以供给设备正常运行。
该电路具有效率高、响应速度快、体积小等优点，广泛应用于各种电子设备中。
二、开关电源 rc 吸收电路的工作原理
开关电源 rc 吸收电路的工作原理主要基于开关管的开通和关断，通过改变开关管的占空比，使输入电压的平均值等于所需的输出电压。
当开关管导通时，输入电压通过开关管、电感、二极管等元件进行整流，得到一个脉动的直流电压；当开关管关断时，电感中的电流开始流经二极管，形成一个负反馈回路，使输出电压稳定。
三、开关电源 rc 吸收电路的优缺点
1.优点：效率高、响应速度快、体积小、输出电压稳定等。
2.缺点：存在较大的电磁干扰，可能影响其他电子设备的正常运行；此外，电路中元器件较多，一旦出现故障，维修难度较大。
四、开关电源 rc 吸收电路的应用领域
开关电源 rc 吸收电路广泛应用于各种电子设备中，如计算机、通信设备、家电产品、工业控制等领域。
五、开关电源 rc 吸收电路的发展前景
随着科技的发展，对电子设备的要求越来越高，开关电源 rc 吸收电路也在不断地进行优化和改进，以满足更高的性能要求。
吸收电路
LC吸收电路它由Ls、Cs、VDs1和VDs2构成。若开关断开，蓄积在漏磁或励磁等寄生电感中能量通过VDs1经电容Cs放电，吸收电容Cs电压反向，变压器由电容电压消磁。这期间，输入电压与吸收电容电压加到开关上。若开关接通，Cs与Ls振荡，吸收电容电压的极性再次反向。LC吸收电路不消耗能量。
LC吸收电路
4．开关吸收电路
开关吸收电路它是由电容Cs与开关Ss所构成，并与交换器的主开关并联连接。吸收电路开关与主开关交互通断工作。若主开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过吸收开关内二极管对吸收电容充电。其电流变为零后，反方向通过吸收开关继续流通，电容中充电能量回授到输入电源。主开关电压被吸收电容的电压所嵌位。如果提供停滞时间，使两开关同时断开，也可以为零电压开关，抑制开关接通时电流浪涌。这时吸收电路原理上无损耗，变压器去磁也由开关吸收电路进行。
采用RC、RCD吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC小。
RC吸收电路
2．RCD吸收电路
RCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成。电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。
开关吸收电路
5．有源吸收电路
有源吸收电路作为DC/DC变换器的吸收电路，它把蓄积在寄生电感中能量回授到输入侧。大功率变换器中采用这种吸收电路效果最好。若主开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过吸收二极管VDs对电容Cs充电，其能量由有源吸收电路的电容回授到输入电源侧。主开关电压被有源吸收电路的电容Cs的电压所嵌位，这时变压器去磁也由有源吸收电路进行。
可控硅rc吸收电路
可控硅rc吸收电路可控硅（SCR）是一种广泛应用于电力电子领域的电子器件，它具有可控性强、稳定可靠等特点，被广泛应用于各种吸收电路中。
本文将以可控硅RC吸收电路为主题，介绍其工作原理、特点以及应用领域。
一、可控硅RC吸收电路的工作原理可控硅RC吸收电路由可控硅和电容器组成，其工作原理是利用可控硅的导通和截止来控制电容器的充电和放电过程。
当可控硅处于导通状态时，电容器开始充电；当可控硅处于截止状态时，电容器开始放电。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对电容器充电和放电过程的控制，从而实现对吸收电路的控制。
二、可控硅RC吸收电路的特点1. 可控性强：可控硅可以通过控制电压或电流来实现导通和截止，具有较强的可控性。
2. 稳定可靠：可控硅具有较高的工作温度范围和较长的使用寿命，具有较高的稳定性和可靠性。
3. 体积小：可控硅和电容器可以集成在一起，体积小巧，便于集成和安装。
4. 节能环保：可控硅RC吸收电路可以实现对电容器充电和放电过程的精确控制，节省能源，减少能源消耗，具有较好的节能环保效果。
三、可控硅RC吸收电路的应用领域1. 电力电子领域：可控硅RC吸收电路广泛应用于电力电子领域，如电力调节、电力变换、电力传输等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对电力的精确控制和调节。
2. 电子通信领域：可控硅RC吸收电路可以应用于电子通信设备中，如调制解调器、通信接口等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对信号的精确控制和处理。
3. 工业自动化领域：可控硅RC吸收电路在工业自动化领域有着广泛的应用，如工业控制系统、自动化生产线等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对工业设备和系统的精确控制和调节。
4. 新能源领域：可控硅RC吸收电路在新能源领域中有着重要的应用，如太阳能光伏发电系统、风能发电系统等。
通过控制可控硅的导通和截止，可以实现对新能源的收集、转换和利用。
总结：可控硅RC吸收电路是一种基于可控硅和电容器的电子吸收电路，具有可控性强、稳定可靠等特点。
可控硅rc吸收电路
可控硅rc吸收电路可控硅（RC）是一种半导体器件，常用于电路中的开关控制。
在吸收电路中，可控硅起到了重要的作用。
本文将详细介绍可控硅RC 吸收电路的工作原理、应用场景以及优缺点。
我们来了解可控硅的基本原理。
可控硅是一种具有双向导电性的器件，可以在电路中实现开关控制。
它由PNPN四层结构组成，具有三个电极：阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。
当可控硅的门极施加一个触发电压时，就可以使其导通，形成通路；而当触发电压消失时，可控硅将自动断开通路。
可控硅RC吸收电路是一种常用的电源滤波电路，主要用于电源中的电磁干扰抑制。
它通过可控硅的控制，将干扰信号吸收到电路中，从而实现对电源干扰的抑制。
具体来说，可控硅RC吸收电路由一个可控硅和一个电阻（R）和电容（C）串联而成。
在正常工作状态下，可控硅处于关断状态，不导通。
而当电源中出现干扰信号时，可控硅的门极施加一个触发电压，使其导通，从而将干扰信号吸收到电容上，起到抑制的作用。
可控硅RC吸收电路在实际应用中具有广泛的用途。
首先，在电源滤波领域，它可以有效地抑制电源中的高频干扰信号，提高电源的纹波抑制能力，保证电源的稳定性和可靠性。
其次，在电力电子设备中，可控硅RC吸收电路可以用于抑制电流和电压的尖峰和谐波，提高设备的工作效率和性能。
此外，可控硅RC吸收电路还可以应用于各种电子仪器和通信设备中，提高系统的抗干扰能力，提高信号的传输质量。
然而，可控硅RC吸收电路也存在一些问题和局限性。
首先，由于可控硅本身的特性，它在导通和关断过程中会产生一定的功耗，降低了电路的效率。
其次，可控硅的触发电压需要精确控制，过高或过低的触发电压都会影响电路的正常工作。
此外，可控硅的寿命也是一个问题，长时间使用后可能会导致性能下降或失效。
因此，在设计可控硅RC吸收电路时，需要综合考虑这些因素，选择合适的组件和参数，以达到最佳的效果。
可控硅RC吸收电路是一种常用的电源滤波电路，通过控制可控硅的导通和关断，实现对电源中干扰信号的吸收和抑制。
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缓冲电路（独立运行光伏发电系统功率控制研究-----内蒙古工业大学硕士论文） 开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的，但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。
为了使IGBT 关断过程电压能够得到有效的抑制并减小关断损耗，通常都需要给IGBT 主电路设置关断缓冲电路。
通常情况下,在设计关于IGBT 的缓冲电路时要综合考虑从IGBT 应用的主电路结构、器件容量以及要满足主电路各种技术指标所要求的IGBT 开通特性、关断特性等因素。
选用RCD 缓冲电路，结构如图4-5所示。
对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快开通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。
（1）缓冲电容的计算()500.850.5184ce s r f ce I C t t uF V =+=⨯= （2）缓冲电阻的计算0.55029.4330.283on s s t us R C uF⨯===Ω⨯ （3）缓冲二极管的选择选用快速恢复二极管ERA34-10，参数为0.1A/1000V/0.15us 。
继电器RC 加吸收单元起到什么作用？接触器和继电器在断电时，线圈释放瞬间会产生一个浪涌脉冲，这个浪涌电压对某些敏感电子装置会有干扰，造成电子装置误动作或故障，因此在接触器和继电器线圈并联一个阻容吸收器来吸收这个脉冲。
一般安装吸收单元的接触器或继电器都是因为在他的同一电路中存在敏感电子电路，这些电路对浪涌脉冲比较敏感，所以这类电路中的接触器或继电器才加装吸收单元，吸收继电器线圈释放产生的脉冲和浪涌，避免电子电路的故障或误动作.RC吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位，二是抑制电路中因dV/dt对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用RC吸收回路，将这部份能量以热能的方式消耗掉。
设计RC吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况：1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由RC回路处理，开关器件关断的瞬间，RC回路的初始电流等于关断前的工作电流；2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工作电流。
虽然磁场储能也需要全部由RC回路处理，但是开关器件关断的瞬间，RC回路的初始电流远小于关断前的工作电流。
3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供能量，只有漏感部份要通过RC回路处理，以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得RC回路的初始电流值。
R的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过大，此值过大则达不到保护开关的作用；RC吸收回路设计基础RC吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位，二是抑制电路中因dV/dt对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用RC吸收回路，将这部份能量以热能的方式消耗掉。
设计RC吸收回路参数，需要先确定磁场储能的大小，这分几种情况：1、电机、继电器等，它的励磁电感与主回路串联，磁场储能需要全部由RC回路处理，开关器件关断的瞬间，RC回路的初始电流等于关断前的工作电流；2、工频变压器、正激变压器，它的励磁电感与主回路并联，励磁电流远小于工作电流。
虽然磁场储能也需要全部由RC回路处理，但是开关器件关断的瞬间，RC回路的初始电流远小于关断前的工作电流。
3、反激变压器，磁场储能由两部份辞放，其中大部份是通过互感向二次侧提供能量，只有漏感部份要通过RC回路处理，以上三种情况，需要测量励磁电感，互感及漏感值，再求得RC回路的初始电流值。
R的取值，以开关所能承受的瞬时反压，比初始电流值；此值过小则动态功耗过大，引值过大则达不到保护开关的作用；C的取值，则需要满足在钳位电平下能够储存磁能的一半，且满足一定的dV/dt开关电源的电磁兼容性设计(EMC设计)-减小干扰源干扰能量的缓冲电路在开关控制电源的输入部分加入缓冲电路（如图示），其由线性阻抗稳定网络组成，用于消除电力线干扰、电快速瞬变、电涌、电压高低变化和电力线谐波等潜在的干扰。
缓冲电路器件参数为D1为MUR460，R1=500Ω，C=6nF，L=36mH，R=150Ω。
RCD吸收电路的设计对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。
而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。
（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD 吸收回路功耗最小）在讨论前我们先做几个假设，①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算：一﹑首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。
如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．VOR＝(VF+Vo)*Np/Nsⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．VDC＝VD* 10%ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。
实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%注意：①VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．②VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）③MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤VRCD是由VRCD1和VOR组成的ⅴ，RC时间常数τ确定．τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。
再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。
在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。
如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。
（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
四﹑试验中值得注意的现象输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。
那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。
主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
五﹑RCD吸收电路中R值的功率选择R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。
实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
编后语：RCD吸收电路中的R值如果过小，就会降低开关电源的效率。
然而，如果R值如果过大，MOS 管就存在着被击穿的危险。
RCD吸收电路的设计在讨论前我们先做几个假设，①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算：一﹑首先对MOS管的VD进行分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。
如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．VOR＝(VF+Vo)*Np/Nsⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．VDC＝VD* 10%ⅳ，RCD吸收VRCD．MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。
实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%注意：①VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．②VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）③MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
⑤VRCD是由VRCD1和VOR组成的ⅴ，RC时间常数τ确定．τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
三﹑试验调整VRCD值首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。
再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。
在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。
如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。
（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。