OLED生产主要工艺设备清单
oled工艺流程
oled工艺流程OLED显示技术（Organic Light Emitting Diode）是一种新型的平面显示技术，其工艺流程主要包括基板准备、有机发光材料的蒸镀、电极制备、封装和测试等步骤。
首先是基板准备。
在OLED显示器的制程中，选择适合的基板材料非常重要，常用的基板材料有玻璃和聚酯薄膜。
基板表面需要进行清洗和涂覆防护层等处理，以确保有机发光材料的附着和性能。
接下来是有机发光材料的蒸镀。
有机发光材料是OLED显示器的核心，通过蒸镀技术将有机分子层层堆积在基板上。
在蒸镀过程中，需要精确控制温度和蒸发速率，以实现红、绿、蓝三原色的有机分子的均匀堆积。
然后是电极制备。
在OLED显示器中，使用透明导电材料作为电极，通常采用氧化铟锡（ITO）薄膜作为阳极，铝或镁银合金作为阴极。
制备电极的方法一般有物理蒸镀和喷墨等技术，这些电极需要具备透明性和导电性。
接下来是封装。
封装是保护OLED显示器的重要步骤，它可以防止水汽和氧气进入显示屏，减少有机发光物质的寿命衰减。
常用的封装方法有真空封装和大气封装两种。
真空封装要求高，但能够有效延长显示器的使用寿命，而大气封装成本较低，但对显示器的使用寿命有一定的影响。
最后是测试。
在OLED显示器的生产过程中，需要对制造的显示器进行严格的测试。
测试内容包括电流-亮度特性、均匀度、色彩均匀度、灰阶等，并对其中的不良品进行剔除。
合格的显示器将进入最终组装和包装环节。
总的来说，OLED显示器的工艺流程包括基板准备、有机发光材料的蒸镀、电极制备、封装和测试等步骤。
这些步骤都需要精确控制各个工艺参数，以确保制造出高质量的OLED显示器。
OLED显示技术的应用前景广阔，未来可望实现更薄、更轻、更柔性的显示设备。
OLED生产线设备的封装工艺及相关设备介绍
OLED生产线设备的封装工艺及相关设备介绍随着消费电子产品市场的不断发展，有机发光二极管（OLED）作为一种新型的显示技术，逐渐成为主流。
OLED显示屏具有轻薄、柔性、高对比度和快速响应等优势，因此被广泛应用于智能手机、电视、可穿戴设备及汽车显示屏等领域。
本文将介绍OLED生产线设备的封装工艺及相关设备。
一、OLED封装工艺简介OLED封装工艺是指将薄膜基板上的OLED器件封装成最终产品的过程。
它包括以下几个主要步骤：基板清洗、电极制备、有机发光层的蒸发或印刷、封装和封装测试。
其中，封装是整个过程的关键环节，它决定了OLED显示屏的可靠性、寿命和品质。
二、OLED封装设备介绍1. 清洗设备清洗设备用于清洗薄膜基板，确保其表面干净。
清洗过程主要包括物理清洗和化学清洗两个步骤。
物理清洗使用超声波或气体流等方法去除基板表面的杂质；化学清洗则采用化学溶液去除残留物。
2. 电极制备设备电极制备设备用于在薄膜基板上添加电极。
一般使用ITO（导电氧化铟锡）材料作为电极材料。
电极制备设备先将ITO材料涂刷或喷涂在基板上，然后通过高温处理将ITO与基板牢固结合。
3. 蒸发设备蒸发设备用于在电极上蒸发有机发光材料，形成有机发光层。
蒸发设备通过加热有机发光材料，使其蒸发并沉积在基板上。
这个过程需要在真空环境下进行，以确保沉积的材料质量。
4. 印刷设备印刷设备用于大规模生产OLED显示屏。
该设备通过将有机发光材料印刷到基板上，并通过卷转式加工方式实现连续生产。
印刷设备通常具有高精度的印刷头和控制系统，以确保印刷质量。
5. 封装设备封装设备用于将蒸发或印刷完成的OLED器件进行封装，以保护其免受外部环境的影响。
封装设备主要包括封装材料的加工、封装头的固定和封装过程的控制。
封装材料通常为有机硅或环氧树脂。
6. 封装测试设备封装测试设备用于对封装完成的OLED器件进行质量检验。
该设备可以检测OLED器件的亮度、均匀性、亮度衰减等参数，以确保产品的品质达到标准。
OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备介绍
OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备介绍光刻工艺是OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）生产线中关键的设备及工艺之一。
光刻技术是一种重要的微影制造技术，广泛应用于半导体、光电子、平板显示等领域。
本文将介绍OLED生产线设备中的光刻工艺及其关键设备。
光刻工艺在OLED生产线中的作用非常重要。
它用于将电子器件图案化到基板上，即在基板上形成所需的电子器件结构。
光刻工艺主要包括光源、掩膜、光刻胶、显影、刻蚀和清洗等步骤。
其中，掩膜是光刻工艺中的核心部分，它由根据设计需求制作成的透明玻璃或石英片，上面有所需的具体器件图形。
在光刻工艺中，关键设备主要包括光刻机、曝光机、开发机和显影机等。
光刻机是光刻工艺中的核心设备，它用于对掩膜和基板进行对位和曝光。
曝光机则是光刻机的一个组成部分，它用于将掩膜上的图案投射到基板上。
开发机是用来去除未曝光部分光刻胶的设备，显影机则是用来去除曝光后的光刻胶的设备。
光刻工艺中的关键设备还包括光源和光刻胶。
光源是提供光刻工艺所需的光的设备，目前常用的光源有汞灯和氙灯。
光刻胶是用来将电子器件的图形转移到基板上的关键材料，它是一种光敏性的聚合物材料，可以在曝光后发生物理和化学的变化。
在光刻工艺中，光刻胶的特性和性能对制程影响很大。
具备良好的分辨率、较高的耐溶剂性和优异的显影性能是优良的光刻胶的重要特点。
因此，选择适合的光刻胶对于OLED生产线中的光刻工艺至关重要。
光刻工艺中还有一些特殊的设备需求，例如掩膜对位设备和控制系统。
掩膜对位设备用于实现掩膜与基板之间的精确对位，确保所需图案的准确显影。
控制系统则用于调节和控制光源、曝光机和开发机等设备的操作。
这些设备和系统的稳定性和精确性对于光刻工艺的成功实施起着至关重要的作用。
除了关键设备和工艺，光刻工艺中还有一些常见的问题需要注意。
例如，光刻工艺中的曝光和显影过程中可能会出现边角效应，即图案在边缘出现拉伸或压缩的现象。
oled偏光板生产流程
oled偏光板生产流程
一、偏光板基材制备
1. 准备原材料：包括光学级聚酯薄膜（PET）、光学级胶水、增光膜（Triplex）、遮光膜（Black Ox）等。
2. 涂布工艺：在PET膜表面涂布一层光学级胶水，胶水涂布厚度需严格控制，以获得最佳的光学性能。
3. 烘烤工艺：将涂布胶水的PET膜进行烘烤，使胶水固化，提高基材的稳定性。
4. 表面处理：对PET膜进行表面处理，提高其表面能，以便于后续的贴合工艺。
二、涂布工艺
1. 准备OLED发光材料和封装材料，并将其溶解在有机溶剂中制成浆料。
2. 将上述浆料均匀地涂布在上述偏光板基材上，并通过干燥设备干燥。
3. 重复以上步骤，直到达到所需的OLED层数。
4. 对涂布好的基材进行高温处理，以蒸发有机溶剂并使OLED发光材料和封装材料固化。
三、曝光工艺
1. 利用计算机控制系统，将要刻画的线路路径转化成图形数据并存储起来。
2. 在OLED层上覆盖一层感光材料（PR），并利用激光刻印机将图形
数据照射到PR上，使得被照射部分的PR发生化学变化而形成图案。
3. 利用显影剂将未被照射部分的PR溶解掉，形成所需图案的线路。
4. 进行硬化处理，以增加线路的耐久性。
四、显影工艺
1. 将曝光后的偏光板放入显影液中，使未固化的胶水溶解掉。
2. 显影完成后，用清水冲洗干净并烘干。
3. 对烘干后的偏光板进行贴合工艺。
4. 将贴合后的偏光板进行切割工艺。
5. 对切割后的偏光板进行检验和包装。
OLED CELL制程及设备介绍
Array
5.5G Array基板4分切 割以便投入蒸镀
CELL
Cell 切 割
Cell Aging
测试
Gap sealing
1/4中片切割成Panel 前制程&本制程不良检出 完成Aging/Gap seal/偏光 片贴附后output to MOD
偏光片贴附
OLED CELL工艺流程简介
1/4切割
磨边 (Grinding)
清洗(Clean)
外观检 查
OLED蒸镀/封 装
【清洗目的】：利用毛刷、2流体喷淋去离子水等冲洗干净Glass，并风刀风干，避免 Particle污染后制程。
毛刷
2流体喷淋
纯水洗净
Air Knife风干
OLED CELL工艺流程及设备介绍
LTPS/Cove r Input
外观检 查
OLED蒸镀/封 装
【切割原理】：利用高硬度的聚合金刚石刀轮，在玻璃表面形成沿着刀轮行进方向，垂直 于玻璃表面的纵向裂纹，从而使玻璃能沿切割方向断开。
以产生Median Crack为主,其它Crack越小越好。
OLED CELL工艺流程及设备介绍
LTPS/Cove r Input
1/4切割
Output
Align System
Pogo Pin 最小Pitch: 300um
Aging Chamber System
Unloading System
FPCB 最小Pitch: 180um
Blade 最小Pitch: 85um
OLED CELL工艺流程及设备介绍
Cell input
清洗覆膜
Cell切割
2流体喷淋
纯水洗净
OLED生产线设备的工艺流程及关键设备介绍
OLED生产线设备的工艺流程及关键设备介绍概述：有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode, OLED）作为一种新型的显示技术，具有超薄、高对比度、快速响应、自发光等特点，广泛应用于各种电子设备的显示屏幕中。
OLED生产线在制造OLED显示屏时起到至关重要的作用。
本文将介绍OLED生产线的工艺流程及其关键设备。
一、OLED生产线工艺流程1. 基板准备：OLED显示屏的制造过程通常从基板准备开始。
基板可以是玻璃、塑料薄膜或金属，选择的基板材料将直接影响到显示屏的性能和质量。
2. 洁净处理：洁净处理是为了去除基板表面的污垢和杂质，以提供干净的基板用于后续的处理工序。
洁净处理通常包括去除粉尘和有机物质的清洗，采用超声波清洗、离子束清洗、氧等离子体清洗等技术。
3. 透明导电层的制备：透明导电层是OLED显示屏的关键组成部分之一，用于在显示过程中提供电子流的路径。
常用的透明导电材料有氧化锌（ZnO）和氧化铟锡（ITO）。
制备透明导电层进程通常采用物理气相沉积、磁控溅射、电子束蒸发等技术。
4. 有机发光材料的制备：有机发光材料是OLED显示屏的关键组成部分之一，用于产生发光。
有机发光材料可以是有机小分子材料或有机聚合物材料。
常见的有机小分子材料有三联苯（Tris(8-羟基喹啉)铝）和荧光染料。
有机聚合物材料则是将其溶解在溶剂中，通过印刷或涂敷技术在基板上形成薄膜。
5. 发光层的制备：发光层是OLED显示屏的关键组成部分之一，用于发射冷光或暖光。
发光材料依据其发光颜色的不同而有所区别。
常见的有机发光材料有苯并咪唑苯（PBD）、二苯亚乙烷（TPD）等。
发光层制备通常采用真空热升华等技术。
6. 封装：OLED显示屏的封装是将前面制造好的OLED芯片与后盖玻璃（或塑料）等材料封装在一起，形成一个完整的显示模组。
封装通常包括黏合、贴合、封装和封口等工艺，同时也需要进行清洗和测试，确保封装的完整性和可靠性。
oled生产工序流程及生产设备
oled生产工序流程及生产设备OLED（Organic Light Emitting Diode）是一种新型的显示技术，其生产工序流程及生产设备如下：1. 基板准备：首先需要准备玻璃或塑料基板作为OLED显示屏的底部支撑材料。
2. 清洗和涂布：基板经过清洗和涂布工序，以去除表面的杂质并涂上适当的材料。
清洗可以使用超声波或化学方法进行，涂布可以使用旋涂或喷涂等方式。
3. 蒸镀：在蒸镀工序中，将有机分子、金属和其他材料依次蒸发到基板上，形成不同层次的结构。
这些材料在真空环境中加热蒸发，沉积在基板上。
4. 电极制备：通过光刻技术，在基板上制作出导电电极的图案，通常使用ITO（Indium Tin Oxide）等材料。
5. 有机分子沉积：在有机分子沉积工序中，将有机材料以分子形式沉积到基板上。
这些有机材料具有发光特性，是OLED显示屏的关键组成部分。
6. 封装：在封装工序中，将OLED显示屏封装在透明的封装材料中，以保护其免受湿气和外界环境的影响。
同时，封装过程中还需要加入适当的保护层和滤光层。
常用的OLED生产设备包括：1. 清洗设备：用于清洗基板表面，去除杂质。
2. 旋涂机：用于将涂料均匀地涂布在基板上。
3. 蒸镀设备：包括真空蒸发设备和磁控溅射设备，用于将材料蒸发到基板上。
4. 光刻机：用于在基板上制作出电极和其他图案。
5. 有机分子沉积设备：包括热蒸发设备和有机分子沉积设备，用于将有机物质沉积到基板上。
6. 封装设备：用于将OLED显示屏封装在透明的封装材料中。
以上是一般OLED生产工序流程及生产设备的简要介绍，实际生产线可能会根据不同厂家和产品的要求而略有差异。
AMOLED与LCD都需要的核心工艺设备曝光机，有几个了解这么多……
AMOLED与LCD都需要的核心工艺设备曝光机，有几个了解这么多……一般光刻在显示领域主要在TFT和CF制程上，光刻的流程分为：上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测。
而在整个流程中，今天OLEDindustry 重心来讲讲曝光这段核心工艺及其设备。
曝光，简单点说，就是通过光照射光阻，使其感光。
然后通过显影工艺将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
而整个光刻工艺，则是将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
曝光机的原理谈到曝光，那必不可少就要谈到曝光机。
目前大部分曝光设备采用的是非接触式曝光。
原理是紫外光经过MASK对涂有光刻胶的ITO 玻璃曝光，曝光后的玻璃经显影产生与mask板相同的图案。
在曝光显影时, 其曝光系统有一个基本的关系:其中R为最小特征值, 即分辨率的最小距离。
k1 为常熟(瑞利常数)。
λ为曝光光源波长。
NA为透镜的数值孔径, 是光罩对透镜张开的角度的正玹值。
该值最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ~ 0.85之间。
可见为了减小最小特征尺寸, 则必须减小曝光光源波长和提高NA值。
ASML最新推出的EUV光刻胶, 可以把波长虽短到13.5 nm。
但是整个光刻活动都在真空环境, 则生产速率较低。
如果采取x-ray。
虽然x-ray波长只有4 ~ 50 , 但是因为其能穿透大部分掩模版切对应光刻胶开发难度较大, 该技术一直没有被采用。
为了在不改变曝光系统的前提下提高NA而改善R值, 可采取的方法有:（1）改变接近式曝光机中镜头和光刻胶的介质, 将其从空气换成其他材料。
通过该方式改变NA值可以是的193 nm技术在满足45 nm工艺节点制程要求的同时, 进一步提高到28 nm制程。
（2）如果将接近式配合二重曝光相想结合, 可以进一步将制程节点缩小到22 nm, 且工艺节点缩小到10 nm。
显示制造中的曝光技术在TFT-LCD的生产中, 根据制作原件的不同其采取的曝光方式也不相同:CF: 主要采取接近式曝光, 其掩模板与基板间距为10 μm左右。