电子技术复习题 2
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。
（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。
（ ）第 1 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β= ，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α= 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α= 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分）i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。
它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。
(完整版)职高《电子技术》试题二
职高《电子技术》试题二总分100班级学号桌号姓名题号一二三四总分得分一、填空题（每空1分，共30分）1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。
2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。
3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。
4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。
5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。
6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。
7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。
8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。
9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2(1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10(1110)2×(101)2=( _____ )210．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。
11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。
二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。
全打“√”或全打“×”不给分。
每小题1分，共10分）1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。
（）2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B 减小，从而使工作点下降到所需要的位置。
（）3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。
（）4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。
电子复习题2
《电子复习题》2（模拟）一、填空题：1、半导体中载流子的运动方式有扩散和漂移两种方式。
2、N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中空穴是多数载流子。
3、PN结反向偏置时，P区电位小于N区电位。
4、PN结具有单向导电特性。
5、半导体中载流子的运动方式有扩散和漂移两种运动。
6、PN结在外加正向电压下，所呈现的正向电阻较小；流过PN结的电流较大。
7、如果PN结要加上正向电压，那么P区应该接电源正极；N区应该接电源负极。
8、三极管具有两个PN结：（1）发射结，（2）集电结；还有三个区：（1）发射区，（2）基区，（3）集电区。
9、放大电路的基本性能是具有对电信号进行放大能力。
.10、二极管的主要特性是具有单向导电性。
11、锗二极管的死区电压是0.2 V，硅二极管的死区电压是0.5 V。
锗二极管导通时的电压降是0.3 V，硅二极管导通压降是0.7 V。
12、半波整流与桥式整流相比,输出电压脉动成分较小的是桥式整流电路。
13、放大电路的静态工作点偏高时，输出波形会出现饱和失真；静态工作点偏低可能会出现截止失真。
14、晶体管输出特性曲线可分为放大区、饱和、截止三个区。
15、三极管工作在饱和状态时，其发射结处于正向偏置状态；集电结处于正向偏置状态。
16、共发射极放大电路的输入电压与输出电压相位相反，共集电极放大电路的输入电压与输出电压相位相同。
17、多级放大器的电压放大倍数为各级电压放大倍数之积。
18、三极管工作在放大区时，其发射结正向偏置，集电结反向偏置。
19、场效应晶体管是一种电压控制器件，他是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流。
20反馈放大电路由基本放大电路和反馈网络两部分电路组成。
21、为了稳定静态工作点,应引入直流负反馈；为了扩展频带，减小非线性失真，应引入交流负反馈。
22、为了提高输入电阻，稳定输出电压，应引入电压串联负反馈；为了提高输入电阻，并有稳定的输出电流，应引入电流串联负反馈；23、为了减小输入电阻，提高输出电阻，应引入电流并联负反馈；为了减小输入电阻，减小输出电阻，应引入电压并联负反馈。
《电工电子技术基础》试题库2
一、填空题s49．加在二极管上的正向电压大于死区电压时，二极管导通；加反向电压时，二极管截止。
50．NPN型三极管工作在放大区时，电位最高的是集电极，电位最低的是发射极。
51．二极管最重要的特性是单向导电性。
52．半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压高（或大）。
53．半导体的导电能力随着温度的升高而增加。
54．PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止的特性。
55．晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域集电区、基区和发射区。
晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止。
56．三极管输入特性曲线指的是U CE为一定时，讨论I B和U BE之间的关系。
57．在定量分析放大电路的工作性能时，通常采用图解法和微变等效电路法。
58．稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
59．物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
60．本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。
61．稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。
62. 理想运放同相输入端和反相输入端的“虚短”指的是同相输入端与反相输入端两点电位相等，在没有短接的情况下出现相当于短接时的现象。
63. 放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。
64. 将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做反馈信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有并联电压负反馈、串联电压负反馈、并联电流负反馈和串联电流负反馈。
65. 射极输出器具有电压放大倍数恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
66．一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
电工电子技术复习题 (2)
电工电子技术B 复习题一、填空题1. PN 结在（ 正向电压 ）时导通，（ 反向电压 ）时截止，这种特性称为（ 单向导电性 ）。
2. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2= -6V ，U 3= -6.2V ，则电极（u3 ）为基极，（ u1 ）为集电极，（ u2 ） 为发射极，为（ PNP ）型管。
3. 三极管工作在放大区时，发射结为（ 正向 ）偏置，集电结为（ 反向 ）偏置。
4. 某放大电路中，测得三极管三个电极的电流为I A =2mA ，I B =0.04m A ，I C =2.04mA ， 则电极（ IB ）为基极，（ IA ）为集电极，（ IC ）为发射极； =β（ 50 ）。
5. 负反馈虽然使放大器的放大倍数下降，但能（ 提高 ）放大倍数的稳定性，（ 扩展 ）通频带，（ 减少 ）非线性失真，（ 变换 ）放大器的输入、输出电阻。
6. 集成运放用作电压比较器时，应工作于（ 开 ）环状态或引入（ 正 ）反馈。
7. (10001001)2=( 89 )16= ( 137 )10=( 211 )8。
8. 对十个信号进行编码，则转换成的二进制代码至少应有 （ 4 ） 位。
9. 1个触发器可以记忆 （ 1 ）位二进制信息， 1个触发器的稳定状态有( 1 ) 和 ( 0 )状态。
10. 555定时器构成的单稳态触发器有（ 1 ）个稳态、构成的多谐振荡器有（0 ）个稳态。
11. 二极管在（ 正向电压 ）时导通，（ 反向电压 ）时截止，这种特性称为（ 单向导电性 ）。
12. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=6.7V ，U 2=6V ，U 3=9V ，则电极（ U1 ）为基极，（ U3 ）为集电极，（ U2 ）为发射极，为（ NPN ）型管。
13. 三极管工作在饱和状态时，发射结为（ 正向 ）偏置，集电结为（ 正向 ）偏置。
14. 某放大电路中，测得三极管三个电极的电流为I C =2mA ，I A =0.04m A ， I B =2.04mA ，则电极（ IA ）为基极，（ IC ）为集电极，（ IB ）为发射极； =β（ 50 ）。
数字电子技术第二套复习题
数字电子技术第二套复习题一、单项选择题（5分，共 5 题，每小题 1 分）1. 主从RS触发器的触发方式是（）。
A. 是直接触发 B. 电平触发 C. 边缘触发2. 欲使JK触发器按工作，可使JK触发器的输入端 ( )。
A. J=K=1 B. J=0,K=1 C. J=0,K=0 D. J=1,K=03. 数码寄存器的功能是（）。
A. 寄存数码和清除原有数码 B. 寄存数码和实现移位 C. 清除数码和实现移位4. 下列电路中属于时序逻辑电路的是（）。
A. 编码器 B. 计数器 C. 译码器 D. 数据选择器5. 电路如图所示，当A=0，B=1时，的正脉冲来到后D触发器（）。
A. 具有计数功能B. 保持原状态C. 置“0”D. 置“1”二、填空题（5分，共 5 题，每小题 1 分）1. n位寄存器并行输入时，n位二进制代码通过 ______ 同时存入寄存器；而串行输入则是通过一条信号线 ______ 将n位二进制代码存入寄存器。
2. 在或非门基本RS触发器中，当输入信号R、S同时有效，即R=S= ______ 时，触发器的2个输出端同时为逻辑 ______ 。
3. 一位二-十进制计数器具有 ______ 状态，至少需要 ______ 触发器。
4. 按计数值的增减，计数器分为 ______ 、 ______ 和 ______ 。
5. 单稳态触发器主要用于 ______ 、 ______ 。
三、判断改错题（5分，共 5 题，每小题 1 分）1. 指出下列各种类型的触发器中哪些能组成移位寄存器，哪些不能组成移位寄存器。
（1）基本RS触发器；（2）同步RS触发器；（3）维持阻塞D触发器；（4）利用传输延迟时间的边沿触发器。
2. 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态。
3. 构成一个五进制计数器最少需要5个触发器。
4. 移位寄存器不能存放数码，只能对数据进行移位操作。
5. 用集成计数器的异步复位端组成的N进制计数器将出现过渡状态，而用同步置数端组成的N进制计数器没有过渡状态。
电子技术习题2
第二章习题一、简答题1．放大电路是怎样分类的？放大的实质是什么？放大电路有哪些性能指标？对这些指标有什么要求？答：放大电路的分类：（1）根据用途，分为信号放大和功率放大；（2）根据工作频率，分为直流放大和交流放大；（3）还有分立放大和集成放大；单级放大和多级放大等。
放大的本质是实现能量的控制，由小能量控制大能量。
放大电路的性能指标有增益，输入电阻，输出电阻，最大不失真输出幅度等；R i 越大，对信号源的衰减就越小；R O越小，输出电压越大且越稳定，带负载的能力就越强。
2．要使三极管具有放大作用，发射结和集电结的偏置电压极性如何？对于NPN和PNP两种类型的管子，应怎样连接电源？答：发射结正偏，集电结反偏。
3．如何用万用表判断一个晶体管式NPN型还是PNP型？如何判断管子的三个管脚？又如何判断管子是硅管还是锗管？答：现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来。
通常我们要用R×1kΩ档，不管是NPN管还是PNP管，不管是小功率、中功率、大功率管，测其be结、cb结都应呈现与二极管完全相同的单向导电性，反向电阻无穷大，其正向电阻大约在10K左右。
若要进一步估测管子特性的好坏，还应变换电阻档位进行多次测量，方法是：置R×10Ω档测PN结正向导通电阻都在大约200Ω左右；置R×1Ω档测PN结正向导通电阻都在大约30Ω左右，（以上为47型表测得数据，其它型号表大概略有不同）如果读数偏大太多，可以断定管子的特性不好。
应该说明一点的是，这里所说的“反向”是针对PN结而言，对NPN管和PNP管方向实际上是不同的。
将万用表打在电阻挡R×1kΩ档，黑色表笔放在三极管的一个脚上. 将红色表笔依次放在三极管的另外两个脚上，如果一个阻值大一个阻值小，就将黑色表笔换三极管的另一个脚重复以上动作。
直到两个阻值都大或阻值都小，那么黑色表笔所接为b极，一般两个都小是NPN管，两个都大是PNP管。
电力电子技术复习题2
电力电子复习题一、概念题1、KP100-8元件是额定电压为800V，额定电流为100A的普通晶闸管2、已经导通的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流减小至维持电流I H以下3、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。
4、可关断晶闸管GTO，IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
5、当温度降低时，晶闸管的触发电流增加，反向漏电流减小。
6、电力场效晶体管MOSFET ，MOS控制晶闸管是SCR和MOSFET的复合管。
7、当加到单相全控桥式整流电路的电压为U2时，单相全控桥式整流电路的晶闸管所承受2U的最大反压是22U8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为219、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T为d I310、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45 U2。
11、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下两个开关之间进行的。
12、在有源逆变电路中，逆变角 的移相范围应选35º~90º为最好。
13、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是0°~90°14、三相半波相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为30度。
15、三相桥式相控整流电路中，纯电阻性负载时，输出的电压波形为连续和断续的临界状态所对应的控制角α为60度。
16、用于晶闸管的过电压保护的元件有避雷器、阻容吸收电路、压敏电阻、硒堆17、电力晶体管的正偏安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压线，集电极最大允许功耗线，集电极最大允许电流线和二次击穿功率线18、降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V，负载电压U0=8V，周期Ts=4ms，则开通时间T on为2ms19、单相桥半控整流电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的发生21、单相交流调压电路中，负载是阻感性时移相范围是φ~180º。
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一、填空题（每空1分，共22分）1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。
2、三极管处于放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。
3、在直接耦合放大电路中，抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。
4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电，固又称为单极型晶体管。
5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。
6、集成运算放大器的电路，可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部分。
7、放大电路中负反馈的四种类型为：串联电压负反馈、并联电压负反馈、串联电流负反馈、和并联电流负反馈。
8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。
9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。
10、用二进制代码表示有限对象（信号）的过程称为编码。
11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。
12、计数器按计数增减趋势分，有加法、减法和可逆计数器。
13、能将数字量转换为模拟量的装置称为D/A转换器。
14、二进制数101011转换为十进制数为43 。
二、选择题（每小题2分，共18分）1、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,2.5V,3.2V,则这三个极分别为：（C）。
A．C, B, A B．E, C, B C．C, E, B D．不确定2、在下图所示的电路中，U0为（ B ）。
3、射极输出器（ A ）。
A．有电流放大作用，没有电压放大作用。
B．有电流放大作用，也有电压放大作用。
C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。
D．没有电流放大作用，有电压放大作用。
4、集成运算放大器实现信号运算关系时，其电路的特点是：（ A ）A．电路引入负反馈B．电路引入正反馈C．电路可以引入正反馈，也可以引入负反馈D．不需要引入反馈5、在下图所示的稳压电路中，已知U Z=6V，则U O为（ D ）。
6、下图所示电路中，Y恒为0的图是（ B ）。
7、在下列电路中，属于组合逻辑电路的是（ C ）。
A ．计数器B ．移位寄存器C ．编码器D ．触发器8、同步计数器是指（ B ）的计数器。
A ．由同类型的触发器构成B ．各触发器时钟端连在一起，统一由系统时钟控制C ．可用前级的输出做后级触发器的时钟D ．可用后级的输出做前级触发器的时钟9、下图所示门电路的逻辑式为（ D ）。
六、请将下列各式化简为最简与或式。
（共8分）1、用逻辑代数运算法则进行化简Y AB B AB =++ (1)AB B A AB B A B=++=+=+八、画出直流稳压电源的方框图，并叙述各个环节的功能。
（共10分）解：方框图为：直流电源是将220V（或380V）50Hz的交流电转换为直流电的能量转换电路，主要有四个环节，分别为变压、整流、滤波和稳压。
1、电源变压器：将交流电网电压变为符合整流需要的电压。
2、整流电路: 将交流电压变为脉动的直流电压。
3、将脉动直流电压转变为平滑的直流电压。
4、清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压的稳定。
二、选择题（每小题2分，共18分）1、如果晶体三极管的（ B ），则该管工作于饱和区。
A．发射结正偏，集电结反偏B．发射结正偏，集电结正偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏2、硅二极管的截止条件是（ D ）。
A．V D > 0.5V B．V D < 0.5V C．V D > 0.7V D．V D < 0.7V 3、射极输出器（ A ）。
A．有电流放大作用，没有电压放大作用。
B．有电流放大作用，也有电压放大作用。
C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。
D．没有电流放大作用，有电压放大作用。
4、集成运算放大器实现信号运算关系时，其电路的特点是：（ B ）A．电路引入正反馈B．电路引入负反馈C．电路可以引入正反馈，也可以引入负反馈D．不需要引入反馈5、下图所示电路中，Y恒为1的图是（ C ）。
6、在下列电路中，属于时序逻辑电路的是（ B ）。
A．全加器B．移位寄存器C．编码器D．译码器7、组合逻辑电路是指（ A ）。
A．输出仅由当时输入决定的逻辑电路B．由若干单元电路组合而构成的电路C．输出仅由电路原态决定的电路D．输出由输入和电路原态共同决定的电路8、下图所示门电路的逻辑式为（C ）。
9、晶体管的控制方式为（ D ）。
A．输入电流控制输出电压B．输入电压控制输出电压C．输入电压控制输出电流D．输入电流控制输出电流六、请将下列各式化简为最简与或式。
（共8分）1、用逻辑代数运算法则进行化简=++Y ABC AB ABC()()Y AB C C ABAB ABB A A B =++=+=+=九、请判断以下电路是正反馈还是负反馈，如果是负反馈，说明反馈类型。
（共4分）R u R F L答：负反馈；反馈类型为电流串联负反馈。
二、选择题（每小题2分，共18分）1、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为-9V ,-6.2V ,-6V ,则-6.2V 的那个电极为：（ B ）。
A ．基极B ．集电极C ．发射极D ．不确定2、下图所示电路，二极管的导通电压为0.7V ，则V Y =（ A ）。
3、射极输出器（ C ）。
A ．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。
B ．有电流放大作用，也有电压放大作用。
C ．有电流放大作用，没有电压放大作用。
D ．没有电流放大作用，有电压放大作用。
4、集成运算放大器实现信号运算关系时，其电路的特点是：（ B ）A ．电路引入正反馈B ． 电路引入负反馈C．电路可以引入正反馈，也可以引入负反馈D．不需要引入反馈5、下图所示电路中，Y恒为0的图是（ C ）。
6、在下列电路中，属于时序逻辑电路的是（ D ）。
A．全加器B．译码器C．编码器D．译码器7、组合逻辑电路和时序逻辑电路的区别是（ A ）。
A．组合逻辑电路没有记忆功能，时序逻辑电路有记忆功能；B．组合逻辑电路有记忆功能，时序逻辑电路没有记忆功能；C．组合逻辑电路里触发器。
8、下图所示门电路的逻辑式为（A ）。
9、晶体管的控制方式为（ C ）。
A．输入电流控制输出电压B．输入电压控制输出电压C．输入电流控制输出电流D．输入电压控制输出电流解：(1)由逻辑图写出逻辑式，并化简Y ABC A ABC B ABC C =•+•+•()()ABC A B C ABC A B C ABC ABC=++=+++=+六、请将下列各式化简为最简与或式。
（共8分）1、用逻辑代数运算法则进行化简Y AB B AB =++ (1)AB B A AB B A B=++=+=+第1章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。
P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。
2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。
三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。
3、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。
4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。
空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN 结 形成。
6、单极型晶体管又称为 场效应（MOS ） 管。
其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。
二、判断正误：1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（错）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K 档位。
（错）4、PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。
（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM 时，该管必被击穿。
（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）三、选择题：1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。