半导体二极管-练习题1
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
二极管练习题
《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为（）A、0.3VB、0.5VC、1VD、0.7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（）-5.3V -6V -6V -5.3V0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2 C、1.2 U2 D、22U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60VC、72VD、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（）7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( )A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时，（1）判断二极管通断情况( )A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为( )A．8.37V B．3. 87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1）变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( )A．4.5V B．9V C．12V D．14V(2)若电容C脱焊,则V1为( )A．4.5V B．9V C．12V D．14V(3)若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则( )A．VO将升高B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。
（）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。
（）4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100分）1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。
A.阻当层不变，反向电流基本不变B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大D.阻当层变厚，反向电流减小作业1-2一、习题（满分100分）1.N型半导体（）。
A.带正电B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。
A.正常B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。
A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。
流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。
二极管练习题
一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。
2、所谓半导体是指。
半导体中存在两种载流子：和。
3、的半导体称为本征半导体。
4、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子，为少数载流子。
5、N型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子，为少数载流子。
6、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。
P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结，PN结具有性。
二、选择题：1、如果二极管的阳极电位高，阴极的电位低，二极管将会（）。
A导通 B截止 C烧坏二极管 D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。
A正偏 B反偏 C零偏 D无法确定3、半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大 C电流小电阻小 D、电流小电阻大4、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定5、（）又称为空穴型半导体。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定6、（）又称为电子型半导体。
A、本征半导体 B 、P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定7、（）内部空穴数量多于自由电子数量。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定8、（）内部自由电子是多数载流子。
A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定三、选择题：1、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。
（）2、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。
（）3、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。
（）4、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。
（）5、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。
（）。
半导体二极管-练习题1
半导体二极管 练习题1一、单选题(每题1分)1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同2. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴3. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴4. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V5. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷7. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移8. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） 。
A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I9. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D10. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pAB U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pAC U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pAD U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
二极管及整流电路习题（一）一、填空题1、把p型半导体n型半导体结合
二极管及整流电路习题(一):一、填空题1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
4、硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
5、整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
6、杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
7、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
8. PN结导通，时截止，这种特性称为二、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将（）。
A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的（）。
A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素3、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的（）。
A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素4、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、无法确定5、二极管正向电阻比反向电阻（）。
A、大B、小C、一样大D、无法确定6、二极管的导通条件（）。
A、uD>0B、uD>死区电压C、uD>击穿电压D、以上都不对7、晶体二极管内阻是（）。
A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻8、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二极管（）。
A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏9、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。
A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少10、二极管在反向截止区的反向电流（）。
A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少11、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（）。
A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路12、二极管电路如右图所示，则V1、V2的状态为（）A、V1、V2均导通B、V1导通，V2截止C、V1截止，V2导通D、V1、V2均截止13、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）。
练习1半导体和二极管(精)
练习1 半导体和二极管1.在绝对零度（0K）时，本征半导体中________ 载流子。
A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2.在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对3.半导体中的载流子为_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴4.N型半导体中的多子是________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子5.P型半导体中的多子是_________。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_________。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷7.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于________。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷8.在下列说法中只有_________说法是正确的。
A. P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
B. 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。
C. P型半导体带正电，N型半导体带负电。
D. PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
9.在下列说法中只有________说法是正确的。
A. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
B. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
C. PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
10.当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。
A. 大于B. 小于11.当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。
A. 大于B. 小于C. 等于12.在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。
若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流的值将是_________。
A. I = 2mAB. I < 2mAC. I > 2mAD. I = 0mA13.在如图所示电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V，当V1=5V、温度为20℃时，I=2μA。
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半导体二极管练习题1
一、单选题(每题1分)
1.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。
A. 直流，相同，相同
B. 交流，相同，相同
C. 直流，不同，不同
D. 交流，不同，不同
2.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子
B. 多子
C. 杂质离子
D. 空穴
3. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。
A. 电子和空穴
B. 施主离子和受主离子
C. 施主离子和电子
D. 受主离子和空穴
4.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1V
B 0.2V
C 0.5V
D 0.7V
5.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. 小于，大于
B. 大于，小于
C. 大于，大于
D. 小于，小于
6.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
7.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A. 左移，下移
B. 右移，上移
C. 左移，上移
D. 右移，下移
8.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）。
A. U
I e
S B. T U
U
I e S C. )1
e(
S
－
T
U
U
I D. 1
e
S
－
T
U
U
I
9.下列符号中表示发光二极管的为（）。
A B C D
10.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈0.5V，反向饱和电流I S≈0.1pA，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pA
B U th≈0.525V，I S≈0.2pA
C U th≈0.475V，I S≈0.05pA
D U th≈0.475V，I S≈0.2pA
11.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0
B. I D < I Z且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
12.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压
C. 反向击穿电压
D. 正向压降
二、判断题(每题1分)
1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
2. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
4.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）
5.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）
6.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）
7.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
（）
三、填空题(每题1分)
1.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
2.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
3.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
5.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子
为。
6. PN结正偏是指P区电位N区电位。
7.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.发光二极管通以就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
10. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
11.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
12.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
13.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
14.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
15. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
16.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
17.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
18.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
19.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
20. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带
负电。
四、计算分析题(每题3分)
1. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信
号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？
C
i D
2. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为
0.7V 。
R V 3k 10k 32k Ω
3. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM
=150mW 。
试求稳压管正常工作时电阻R 的取值范围。
+
－
O
4. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，
试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)
(b)
5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～
15mA 。
试问：
（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R 的取值范围是多少？
+V DD (+5V)
V
S
6. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，
试求：
（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？
U i R 22k Ω
S
7. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输
出u i 和u o 的波形。
8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压
U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
V
o
(a)
V
(b)
o
9. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为
0.7V 。
R
500Ω
R
2k V
10.电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，设二极管导通电压可忽略。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
V2u o
u I1
u I2
+5V
（a）
u I1/V
u I2/V
5
0.3
5
0.3
t
t 0
（b）
11.电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝4V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)
(b)(c)
12.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o。
设二极管的导通压降为0.7V。
o
o
(c)(d)。