1篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案说课材料
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案第三章 反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈；动态、 静态反馈(交、直流反馈)；电压、电流反馈；串、并联反馈?解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大， 则为正反馈；反之为负反馈。
在静态条件下(v i =0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。
当v i 加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后，使输出电压为零，若反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈；若加到同一输入端上，则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同?解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析：(1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流，还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈，试画出电路图(不增减元件)。
解：(1)，(2) : (a)电压并联负反馈，稳定υo 。
(b)电流串联负反馈，稳定i o 。
(c)电流并联负反馈，稳定i o 。
(d)电压串联负反馈，稳定υo 。
(e)电压并联负反馈，稳定υo 。
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案
第三章 反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈；动态、 静态反馈(交、直流反馈)；电压、电流反馈；串、并联反馈?解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大， 则为正反馈；反之为负反馈。
在静态条件下(v i =0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。
当v i 加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后，使输出电压为零，若反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈；若加到同一输入端上，则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同?解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析：(1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流，还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈，试画出电路图(不增减元件)。
解：(1)，(2) : (a)电压并联负反馈，稳定υo 。
(b)电流串联负反馈，稳定i o 。
(c)电流并联负反馈，稳定i o 。
(d)电压串联负反馈，稳定υo 。
(e)电压并联负反馈，稳定υo 。
(f)电压串联负反馈，稳定υo 。
浙大模电1篇1章习题解答
第一篇 第1章习题题1.1.1 有一电流控制电流源电路如图题1.1.1所示，图中i sI I β=，50=β，Ω=k R L 2。
当mA I i 1.0=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.1解：负载电阻R L 两端电压为：V k R I R I V L i L S O 1021.050=⨯⨯===β负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.2 有一电压控制电流源电路如图题1.1.2所示，图中i m s V g I =，V mA g m 5=，Ω=k R L 2。
当V V i 0.1=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.2解：电阻阻端的电压为：V V mA R V g R I V L i m L S O 1021/5=⨯⨯===负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.3 电路如图题1.1.3所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。
设二极管D 的导通压降V D =0.7 V ，求出D 导通时电流I D 的大小。
（1）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 2 k Ω，R 2= 3 k Ω； （2）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1=R 2= 3 k Ω； （3）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 3 k Ω，R 2= 2 k Ω。
图题1.1.3解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求出流过二极管的电流。
二极管开路后流过R 1和R 2的电流：mA R R V V I CC CC 4.25122121==++=，则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=，由于二极管两端开路电压大于0.7V ，所以二极管导电,导电后，二极管二端压降为0.7V 。
1篇1章习题解答浙大版集成电路课后答案
第一章半导体二极管及其电路分析题1.1.1已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1（a）所示。
（1）若将其按正向接法直接与1.5V电池相连，估计会出现什么问题？（2）若将其按反向接法直接与30V电源相连，又会出现什么问题？（3）分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。
（4）画出两只2AP9二极管[图题1.1.1（a）]在：同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。
图题1.1.1解：(1)烧杯二极管；(2)反向击穿；(3)串联电阻可以限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值，使二极管或稳压管安全；(4)同相串联：其正反相的电压分别增加反相串联略去正向压降后都是反向特性；同相并联时：其特性如同一只管子特性反相并联时：两边都是正向特性。
题1.1.2当用万用表电阻档测量二极管[参见图题1.1.1（b）]，分析：（1）所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态（微变）电阻？（2）设万用表内电池电压为1.5V，R×10Ω档的内阻R iˊ为240Ω，R×100Ω档的内阻R iˊ=2.4kΩ。
试用图解分析法估算：a）用R×10Ω档测得的正向电阻值；b）用R×100Ω档测得的正向电阻值。
从概念上说明，为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊？解：(1) 是二极管的直流电阻。
(2) 在二极管的特性曲线坐标上，作出两条负载线，负载线和特性曲线的交点求得V D和I D，然后求出这二档的电阻。
负载线方程分别为：V D=1.5-0.24I D(R×10Ω档)V D=1.5-2.4I D(R×100Ω档)所以用R×10Ω档测得的二极管正向电阻值为Ω===76mA 7.4V 36.0DDD I V R 用R ×100Ω档测得的二极管正向电阻值为 Ω===500mA 5.0V 25.0D DD I V R由于万用表不同档的内阻不同，使流过二极管的电流相差较大，从而不同档时，测得二极管的正向电阻相差悬珠。
半导体集成电路习题及答案
第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。
第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2所示。
提示：先求截锥体的高度up BL epi m c jc epi T x x T T -----= 然后利用公式： ba ab WL Tr c -∙=/ln 1ρ ，212∙∙=--BL C E BL S C W L R r ba ab WLTr c -∙=/ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++=注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。
2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。
2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。
给出设计条件如下： 答： 解题思路⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ；⑵由设计条件画图①先画发射区引线孔；②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔； ③由A D 先画出基区扩散孔的三边； ④由B E D -画出基区引线孔； ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；⑥由A D 先画出外延岛的三边； ⑦由C B D -画出集电极接触孔； ⑧由A D 画出外延岛的另一边； ⑨由I d 画出隔离槽的四周；⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V O L 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足V V O L 4.0≤的条件。
（CS C O L r I V V 00ES += 及己知V V C 05.00ES =）第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。
集成电路设计基础 课后答案
班级：通信二班姓名：赵庆超学号：200712012977，版图设计中整体布局有哪些注意事项？答：1版图设计最基本满足版图设计准则，以提高电路的匹配性能，抗干扰性能和高频工作性能。
2 整体力求层次化设计，即按功能将版图划分为若干子单元，每个子单元又可能包含若干子单元，从最小的子单元进行设计，这些子单元又被调用完成较大单元的设计，这种方法大大减少了设计和修改的工作量，且结构严谨，层次清晰。
3 图形应尽量简洁，避免不必要的多边形，对连接在一起的同一层应尽量合并，这不仅可减小版图的数据存储量，而且版图一模了然。
4 在构思版图结构时，除要考虑版图所占的面积，输入和输出的合理分布，较小不必要的寄生效应外，还应力求版图与电路原理框图保持一致（必要时修改框图画法），并力求版图美观大方。
8，版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项？答：1 各不同布线层的性能各不相同，晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。
高速电路，电荷的分配效应会引起很多问题。
2 随器件尺寸的减小，线宽和线间距也在减小，多层布线层之间的介质层也在变薄，这将大大增加布线电阻和分布电阻。
3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线，特别是通过较大电流的那部分电源线和地线。
因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线，避免交叉，或者用多层金属工艺，提高设计布线的灵活性。
4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。
因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容，一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声，使电路不能正常工作。
、5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um，以避免芯片键和时，因应力而造成电路损坏。
集成电子技术基础教程浙大第三版上册答案
集成电子技术基础教程浙大第三版上册答案第一章线性电路基本理论1.1 电路分析方法1.节点电流法（KCL）2.超节点法3.网孔电流法（KVL）4.超网孔法5.节点电压法（KVL）1.2 基本电路元件1.电阻–定义：电流和电压成正比关系–特性：无记忆、无方向性、无频率依赖2.电容–定义：电压和电流成正比关系–特性：记忆性、有方向性、频率依赖3.电感–定义：磁场中储存能量–特性：记忆性、有方向性、频率依赖第二章二极管与其应用2.1 二极管的结构和特性1.P-N 结构–P型半导体：多数载流子为空穴–N型半导体：多数载流子为电子2.二极管的特性–正向偏置：导通状态，低电阻–反向偏置：截止状态，高电阻2.2 二极管的应用1.整流电路–单相半波整流电路–单相全波整流电路–三相整流电路2.限幅电路–正向限幅电路–反向限幅电路3.齐乳二极管–齐乳二极管的应用场景4.LED（发光二极管）–LED的特性和应用第三章功率放大电路3.1 小信号放大设计基本思路1.小信号模型2.低频二极管放大电路设计3.常用的小信号放大电路配置–共射放大电路–共集放大电路–共基放大电路–差模放大电路3.2 大信号放大电路设计1.类A放大器2.类AB放大器3.类B放大器4.类C放大器第四章 MOS场效应管及其应用4.1 MOSFET概述1.MOSFET的结构和工作原理2.MOSFET的I-V 特性曲线4.2 MOSFET的应用1.放大电路–CS放大电路–CD放大电路–CG放大电路2.开关电路–NMOS开关电路–PMOS开关电路第五章双极型及其应用5.1 双极型晶体管概述1.双极型晶体管的结构和工作原理2.双极型晶体管的I-V 特性曲线5.2 双极型晶体管的应用1.放大电路–CE放大电路–CB放大电路–CC放大电路2.开关电路–NPN开关电路–PNP开关电路以上是《集成电子技术基础教程浙大第三版上册》的答案总结，希望对您的学习有所帮助。
四篇-1章浙大版集成电路课后答案(汇编)
第一章 信号发生电路题4.1.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为πϕ)12(+=n AF ，而正弦振荡器中的相位平衡条件是πϕn AF 2=，这里有无矛盾？题4.1.2 振荡器的幅度平衡条件为1=F A，而起振时，则要求1>F A ，这是为什么？ 题4.1.3 RC 桥式正弦振荡器如图题4.1.3所示，其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。
（1） 试在放大器框图A 内填上同相输入端（+）和反相输入端（—）的符号，若A 为μA741型运放，试注明这两个输入端子的管脚号码。
（2） 如果不用二极管，而改用下列热敏元件来实现稳幅：（a ）具有负温度系数的热敏电阻器；（b ）具有正温度系数的钨丝灯泡。
试挑选元件（a ）或（b ）来替代图中的负反馈支路电阻（R 1或R 3），并画出相应的电路图。
解：(1) RC 桥式正弦振荡器中，由于RC 串并联网络在f=f o 时，其相移φAF =0，为满足相位条件：φAF =φA +φF =0，放大器必须接成同相放大器，因此与RC 串并联网络连接的输入端为(+)，与负反馈支路连接的输入端为(-)，若A 为A741，其管脚号为：反相输入端为2，同相输入端为3。
(2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R 3； (b)正温度系数的钨丝灯泡取代R 1。
图题4.1.3题4.1.4 试用相位平衡条件判别图题4.1.4所示各振荡电路。
（1） 哪些可能产生正弦振荡，哪些不能？（注意耦合电容C b 、C e 在交流通路中可视作短路。
）（2） 对哪些不能满足相位平衡条件的电路，如何改变接线使之满足相位平衡条件？（用电路图表示。
）解：(1) 不满足相位平衡条件。
(2) 电路(b)中，通过切环与瞬时极性法，可判断该电路不满足相位平衡条件。
而将反馈信号引入T 1基极时，即可满足相位平衡条件。
(3) 由电路(c)中的瞬时极性可知，该电路满足相位平衡条件。
图题4.1.4题4.1.5 电路如图题4.1.5所示，稳压管D z 起稳幅作用，其稳定电压±V Z =±6V 。
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第三章场效应晶体管及其电路分析题1.3.1绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1（a）~（d）所示。
（1）说明图（a）~（d）曲线对应何种类型的场效应管。
（2）根据图中曲线粗略地估计：开启电压V T、夹断电压V P和饱和漏极电流I DSS或I DO 的数值。
图题1.3.1解：图(a)：增强型N沟道MOS管，V GS(th)≈3V,I DO≈3mA；图(b)：增强型P沟道MOS管，V GS(th)≈-2V,I DO≈2mA；图(c)：耗尽型型P沟道MOS管，V GS(off)≈2V,I DSS≈2mA；图(d)：耗尽型型N沟道MOS管，V GS(off)≈-3V,I DSS≈3mA。
题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1（a）~（d）所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线i D=f（v GS）。
解：在漏极特性上某一V DS下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了V GS和I D的大小，逐点作出，连接成曲线，就是管子的转移特性了，分别如图1.3.2所示。
图1.3.2题1.3.3 图题1.3.3所示为场效应管的转移特性曲线。
试问：图题1.3.3（1）I DSS 、V P 值为多大？ （2）根据给定曲线，估算当i D =1.5mA 和i D =3.9mA 时，g m 约为多少？ （3） 根据g m 的定义：GS Dm dv di g ，计算v GS = -1V 和v GS = -3V 时相对应的g m 值。
解： (1) I DSS =5.5mA ，V GS(off)=-5V ；(2) I D =1.5mA 时，g m ≈0.88ms ，I D =3.9mA 时，g m ≈1.76ms ；(3) v GS =-1V 时，g m ≈0.88ms ，v GS =-3V 时，g m ≈1.76ms 。
题1.3.4 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.3.4的（a ）和（b ）所示的输出 特性曲线，试判断它们的类型，并粗略地估计V P 或V T 值，以及v DS =5V 时的I DSS 或 I DO 值。
图题1.3.4解： 图(a)：耗尽型PMOS 管，V GS(off)=3V ；当V DS =5V 时，I DSS =2mA ；图(b)：增强型PMOS 管，V GS(th)=-4V ；当V DS =5V 时，I DO ≈1.8mA 。
题1.3.5 某MOS 场效应的漏极特性如图题1.3.5所示。
试画出v DS =9V 时的转移特性曲线，并定性分析跨导g m 与I D 的关系。
图题1.3.5解：在V DS=9V处作一垂直线，与各V GS下的输出特性曲线相交，各交点决定了V GS和I D，从而逐点描绘转移特性曲线，如图 1.3.5所示。
从转移特性曲线的某一点作切线，可得g m 的大小。
图1.3.5题1.3.6由MOS管组成的共源电路如图题1.3.6所示，其漏极特性曲线同图题1.3.5。
（1）试分析当v I=2V、4V、8V、10V、12V时，该MOS管分别处于什么工作区。
（2）若v I=8+6sinωt（V），试画出i D和v O（v DS）的波形。
图题1.3.6解：(1) v I =2V、4V时，MOS管工作在截止区；v I =6V、8V时，MOS管工作在恒流区(放大区)；v I =10V、12V时，MOS管工作在可变电阻区。
(2) i D和v O（v DS）的波形如图1.3.6所示。
图1.3.6题1.3.7由N沟道增强型MOSFET构成的共源电路如图题1.3.7（a）所示，MOS管漏极特性曲线如图（b）所示，试求解该电路的静态工作点Q（注意图中V GS=V DS）。
图题1.3.7解：解题思路为：由V GS=V DS作出场效应管的I-V特性，将V DS=V DD-I D R d=15-1.5I d负载线方程作在I-V特性上并交于一点，就可决定IＤ，ＶDS,V GS参数。
由图1.3.7可得：I DQ≈5.8mA，V DSQ≈6.3V，V GSQ≈6.3V。
图1.3.7题1.3.8在图题1.3.8所示的电路中，设N沟道JFET的I DSS=2mA，V P= -4V。
试求I D和V DS。
图题1.3.8解：由sD GS off GS GS DSS D e d D DD DS R I V V V I I R R I V V =-=+-=2)()1()( 求得：V V mA I GS D 105.0==题1.3.9 总结各种类型FET 的偏置条件：（1） 说明场效应管处于可变电阻区，恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指v DS 、v GS和i D ）。
（2） 为保证工作于放大区，v DS 和v GS 的极性应如何设置？[在题表1.3.9（a ）和题表1.3.9（b ）中打“√ ”]。
解：(1) 可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，V DS ＜V GS -V GS(th)，I D 随V DS 增加而较快增加。
恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，V DS ＞V GS -V GS(th)，V GS ＞V GS(th)，I D 基本不随V DS 增加而增大。
截止区：场效应管的沟道被完全夹断，V GS ＜V GS(th)，I D =0，V DS =V DD 。
(注：指增强型NMOS 管，其它类型只要注意电源极性，同样可以给出)(2)题1.3.10 图题1.3.10（a ）所示为N 沟道场效应管在可变电阻区的输出特性。
当要求将其作为压控电阻时，可接成图（b ）所示的电路形式。
若要求该电路得到1/3的分压比（V O /V I =1/3），应选择多大的V GG ？图题1.3.10解： 因31=I OV V ，所以V O =V DS =0.5V ，I D =(1.5V-0.5V)/6K ≈0.167mA ，由V DS 、I D 可从特性曲线上求得V GG ≈1.0V 。
题1.3.11 图题1.3.11所示电路中，已知FET 的I DSS =2mA ，V P = -2V 。
（1） 求I D =2mA 时R S 的取值范围；（2） 求R S =20k Ω时的I D 值。
图题1.3.11解： (1) 当考虑V DS =1V 时，R s =0～9.5k Ω(2) I D ≈1mA题1.3.12 在图题1.3.12（a ）所示的放大电路中，设输入信号v S 的波形和幅值如图中所示，JET 的特性如图题1.3.12（b ）所示，试用图解法分析：（1） 静态工作点：V GSQ 、I DQ 、V DSQ ；（2） 在同一个坐标下，画出v S 、i D 和v DS 的波形，并在波形图上标明它们的幅值。
（3） 若V GG 改为-0.5V ，其它条件不变，重画i D 、v DS 波形；（4） 为使V GG = -0.5V 时，i D 、v DS 波形不失真，重新选择R d 的数值和静态时的V DSQ 。
图题1.3.12解： (1) 图解分析如图1.3.12（a ）所示。
由图可得：V GSQ =-1V 、V DSQ =10V 、I DQ =8mA 。
(2) v s 、i D 和v DS 的波形如图1.3.12（a ）所示。
(3) 若V GG 改为-0.5V ，v s 、i D 和v DS 的波形如图1.3.12（b ）所示。
显然i D 和v DS 的波形已经出现失真。
(4) 为使V GG = -0.5V 时，i D 、v DS 波形不失真，可减小R d 以改变负载线的斜率，可取V DSQ ＝10V ，如图1.3.12（b ）中的Q ’所示。
所以Ω=-=k 83.0mA 12V10V 20d R图1.3.12（a ）图1.3.12（b ）题1.3.13 由P 沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.3.13（a ）、（b ）中。
在V I = -10V ，R=10k Ω，R d =5k Ω，V GG 分别为0 V ，1V ，2V ，3V 时，求电路输出V O 值各为多大？图题1.3.13解： 当V I = 10V ，R=10k Ω，R d =5k Ω时，场效应管工作在可变电阻区上。
当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，R DS 分别为0.83k Ω、1k Ω、1.25k Ω、1.67k Ω。
而输出电压为I d DS dDS O V R R R R R V +++=所以当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，相应的输出电压分别为3.68V 、3.75V 、3.84V 、4.0V 。
题1.3.14 试用三只电容量足够大的电容器C 1、C 2、C 3，将图题1.3.14所示放大电路分别组成CS 、CD 和CG 组态，并在图中标明各偏置电源和电解电容上的极性，以及信号的输入、输出端子。
（在电源前加正、负号，在电解电容正极性端加正号。
）图题1.3.14解：CS、CD、CG放大电路分别如图1.3.14所示。
图1.3.14题1.3.15设图题1.3.15所示电路中FET的I DSS =2mA，V P= - 4V，试计算标明在各电路中的电压或电流的大小。
图题1.3.15解：图(a)：I D≈1mA；图(b)：V D≈11.16V。
题1.3.16在图题1.3.16所示的FET基本放大电路中，设耗尽型FET的I DSS =2mA，V P= - 4V；增强型FET的V T=2V，I DO=2mA。
（1）计算各电路的静态工作点；（2）画出交流通路并说明各放大电路的组态。
图题1.3.16解：(1) 图(a)：I DQ≈0.5mA，V GSQ=-2V，V DSQ≈3.8V；图(b)：I DQ≈0.76mA，V GSQ≈-1.5V，V DSQ≈8.5V；图(c)：I DQ≈0.25mA，V GSQ=2.8V，V DSQ≈13V。
(2) 交流通路如图1.3.16所示。
图(a)为共源极放大电路(CS)；图(b)为共漏极放大电路(CD)；图(c)为共源极放大电路(CS)。
图1.3.16。