静电场的边值问题
第3章 边值问题及静电场的求解

r r
Q Q
const.
若镜像位置满足
OQ ~ P OPQ
r r
R0 a
const .
由三角形相似,
b R0 R0 a
2 R0 b a Q R0 Q a
导体球外部空间的电势为
Q R 0Q 4 0 r ar 1 4 0 1 Q R a 2 Ra cos
sin d
(sin
sin
0
该方程的解有两种情况
■
1 d
2
d
2
m
2
的解
0,
当电位与方位角无关时,
2 即: m 0
( ) A
■
1 d R dr
(r
2
2
dR dr
) n ( n 1) 的解
1
(1) n 0 时, R ( r ) A0 B 0 r
n
|S f 2 ( S )
称为第二类边界条件或“诺伊曼”条件。 这类问题称为第 二类边值问题。 (3)已知场域边界面S上各点电位和电位法向导数的线性 组合值, 即给定
( N ) |S f 3 ( S )
称为第三类边界条件或“混合边界条件”。 这类问题称为 第三类边值问题。
P
Q Q 4 0 r r 1
考察空间:导体球外部空间。 镜像电荷:用位于对称轴上的等效代
替导体球面上的感应电荷。
球面上任意点P 的电势
Q Q ( P) 0 4 0 r r 1
r r
Q Q
镜像电荷不应随P 变化,
边值问题和唯一性定理(静电场)

静电场的边值问题
静电场的唯一性定律
目前可解决的静电场问题
电荷在有限区域内,电荷的分布情况已知,并 且介质为线性各向同性均匀介质中的静电场问 题。对于此类问题,一般可以先求出电位,再 计算场中各点的电场强度和电位移矢量。 电荷、介质分布具有某种对称性的问题。由于 电荷和介质的分布具有对称性,因此电位移矢 量的分布必然也具有对称性。在这种情况下, 可以先用高斯通量定理求解电位移矢量,然后 再求电场强度。 已知电场的分布求电荷分布的问题。在这种情 况下,可直接由公式计算电荷的体密度,导体 上的面电荷密度根据分界面条件确定。
2
静电场边值问题的提出
实际中对于很多电磁场的问题通常并不 知道电荷分布,如静电场中导体表面的 感应电荷分布,介质极化后极化电荷的 分布等。对于此类的问题,必须通过求 解满足给定边界条件的电位微分方程 (泊松方程或拉普拉斯方程)的电位函 数,进而再求场域中的电场强度。我们 把这种在给定边界条件下,求解泊松方 程或拉普拉斯方程的问题称为边值问题。
对于各向同性、线性的非均匀媒质,电位 满足的微分方程又是什么形式呢?
D
D E
E
( )
7
边值问题举例-直接积分法
例 设有电荷均匀分布在半径为a的介质球型区域中,电荷 体密度为 ,试用解微分方程的方法求球体内、外的电位 及电场。(同例2-4) 解:采用球坐标系,分区域建立方程
自学)
10
反设满足场的解答有两个相异的解答1和 2,则差
场u= 1 2 满足拉普拉斯方程
2 2
u 1 2 0 根据矢量恒等式
第三章 静电场的边值问题

u (1 2 ) 0
积分后 , 1 - 2 C, 该式既满足场域 , 又满足边界 , 故 C 0,1 2 ,得证
若导体边界为第二类边 界条件 , 即已知电荷面密度
1 2 , n n
即
(1 -2 ) u 0 n n
q
1 2 q 1 2
q
2 2 q 1 2
0
( y 0 ,b x a )
0
例 设有电荷均匀分布在半径为a的介质球型区域中,电荷体密度
为 ,试用解微分方程的方法求球体内、外的电位及电场。
解: 采用球坐标系,分区域建立方程 1 d d 21 2 (r 2 1 ) (0 r a ) r dr dr 0
2u 21 2 2
利用矢量恒等式
0 (uu) u2u (u) 2 ( u )2
对场域求体积分, 并利用高斯散度定理
V
(uu )dV uu dS (u ) 2 dV
s V
S为体积 V的边界面 ,即S S0 S , S S1 S2 Sn , 由于在无穷远 S0处电位为零 ,因此有
静电场的边值问题 数学物理方程定解条件通常分为初始条件和边界条件。 静电场与时间无关,因此电位所满足的泊松方程及拉普拉斯
方程的解仅决定于边界条件。根据给定的边界条件求解泊松方程
或拉普拉斯方程就是静电场的边值问题。
边值问题 微分方程
边界条件
2 2 0
场域 边界条件
分界面 衔接条件
S f1 (s)
已知场域边界 上各点电位 的法向导数
布或边界是电力线的条 件是等价的? 边值问题框图
2.6 静电场边值问题 唯一性定理

V/m
CQU
2.6.3 唯一性定理
1、唯一性定理 在静电场中满足给定边界条件的电位微分方程 满足给定边界条件的电位微分方程( 在静电场中满足给定边界条件的电位微分方程(泊松方 程或拉普拉斯方程)的解是唯一的, 程或拉普拉斯方程)的解是唯一的,称之为静电场的唯一性定 理。 2. 唯一性定理的重要意义 可判断静电场问题的解的正确性 解的正确性: • 可判断静电场问题的解的正确性: 唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、 • 唯一性定理为静电场问题的多种解法(试探解、数值解、 解析解等)提供了思路及理论根据。 解析解等)提供了思路及理论根据。
S
第三类 边界条件
(ϕ + β ∂ϕ ) = f3 ( s) ∂n S
第四类 边界条件
ϕ S = f1 ( s)
求解边值问题注意事项: 求解边值问题注意事项:
CQU
点电荷的场
1.根据求解场域内是否有 ρ 存在,决定电位满足泊松方程还是拉氏 .根据求解场域 求解场域内是否有 存在,决定电位满足泊松方程还是拉氏 泊松方程还是 方程,然后判断场域是否具有对称性,以便选择适当的坐标系。 方程,然后判断场域是否具有对称性,以便选择适当的坐标系。 2.正确表达边界条件,并利用它们确定通解的待定常数。 正确表达边界条件,并利用它们确定通解的待定常数。 3.若所求解的场域内有两个(或以上)的均匀介质区域,应分区求 若所求解的场域内有两个(或以上)的均匀介质区域, 分区求 场域内有两个 不能用一个电位函数表达两个区域的情况。这时会出现4 解。不能用一个电位函数表达两个区域的情况。这时会出现4个积分 常数,还需考虑介质分界面上的衔接条件来确定积分常数。 分界面上的衔接条件来确定积分常数 常数,还需考虑介质分界面上的衔接条件来确定积分常数。 4.对于开域问题,还需给出无限远处的自然边界条件。 4.对于开域问题,还需给出无限远处的自然边界条件。当场域有 对于开域问题 限分布时,应有: 限分布时,应有:
第三章 静电场边值关系

电位所满足的拉普拉斯方程在圆柱坐标系
中的展开式只剩下包含变量r 的一项,即电 位微分方程为
2 1 d d r 0 r dr dr
求得
C1 ln r C 2
利用边界条件:
V r a
C1 ln a C 2 V C1 ln b C 2 0
q q 4 π r 4 π r
可见,为了保证球面上任一点电位为零,必须选择镜像电荷为
r q q r
上任一点均具有同一数值。由上图可见,若要求三角形 △OPq
r 为了使镜像电荷具有一个确定的值,必须要求比值 对于球面 r
r a 与 △ OqP 相似,则 常数。由此获知镜像电荷应为 r f
代入上述边界条ห้องสมุดไป่ตู้,求得镜像电荷如下:
q
1 2 q 1 2
q
2 2 q 1 2
例 已知同轴线的内导体半径为a,电位为V,外导体接地,其
内半径为b。试求内外导体之间的电位分布函数以及电场强度。
解
V a b
O
对于这种边值问题,镜像法不适
用,只好求解电位方程。为此,选用圆柱 坐标系。由于场量仅与坐标 r 有关,因此,
以格林函数表示的积分解。
数学物理方程是描述物理量随空间和时间的变化规律。对于某 一特定的区域和时刻,方程的解取决于物理量的初始值与边界值, 这些初始值和边界值分别称为初始条件和边界条件,两者又统称为 该方程的定解条件。静电场的场量与时间无关,因此电位所满足的 泊松方程及拉普拉斯方程的解仅决定于边界条件。根据给定的边界 条件求解空间任一点的电位就是静电场的边值问题。
q q
电场线与等位面的分布特性与第二章所述的电偶极子的上半
《静电场的边值问题》课件

用离散的差分代替微分方程中的导数项,将微分方程转化为差分方程进行求解。
有限元方法
将连续的求解区域离散化为有限个小的单元,用每个单元的中心函数近似代替该单元上的函数,从而将 微分方程转化为线性方程组进行求解。
2023
PART 03
静电场的边界条件
REPORTING
边界条件的定义
01
边界条件是指在求解静电场问题时,电场在边界处的
2023
PART 05
静电场的实际应用
REPORTING
电场在物理中的应用
静电感应
当一个带电体靠近导体时,导体因静电感应 而带电。
电容器的充放电
电容器在充电和放电过程中,电荷在电场的 作用下移动。
电子显微镜
利用电场对电子的加速和聚焦作用,实现高 分辨率的显微成像。
电场在化学中的应用
离子交换
利用电场对离子的作用力,实现离子的分离 和纯化。
VS
详细描述
有限元法是一种将连续的静电场划分为有 限个小的区域(即元),然后对每个元进 行求解的方法。这种方法能够处理复杂的 几何形状和边界条件,并且具有较高的计 算精度和稳定性。
边界元法
总结词
只对静电场的边界进行离散化,然后对边界上的离散点进行求解的方法。
详细描述
边界元法是一种只对静电场的边界进行离散化,然后对边界上的离散点进行求解的方法。这种方法能够大大减少 未知数的数量,并且适用于处理具有复杂边界条件的问题。但是,由于只对边界进行离散化,因此需要更高的计 算精度和更复杂的数学处理。
电化学反应
在电解池和原电池中,电场驱动离子在溶液 中的迁移,并参与化学反应。
电泳技术
在电场的作用下,带电粒子在介质中移动, 用于分离和纯化生物分子。
第三章作业答案

μ0
μ0
ˆx 10 + e ˆy 20 + e ˆz 20 V / m ,试问该电场能否表示匀强电场?为什么?电场 7、已知电场 A = e ˆx 20 − e ˆy 5 − e ˆz 5 V / m , 大小是多小?方向余弦?如果有另一电场 B = e 试问这两个矢量是否
垂直?为什么?
G
G
ˆx 10 + e ˆy 20 + e ˆz 20 是匀强电场,电场的大小是 答:矢量 A = e G 1 2 2 E = 102 + 202 + 202 = 30 V / m ,方向余弦为 cos α = , cos β = , cos γ = ; 3 3 3 G G 两矢量垂直,因为 A ⋅ B = 0 。
μ0
2
c b
(
I 2 c2 − ρ 2 2 μ I2 ) ( 2 2 ) 2 πρ dρ = 0 2 πρ c − b 4π
单位长度内总的磁场能量为
Wm = Wm1 +Wm2 + Wm3
b μ0 I 2 ln + = + 16 Βιβλιοθήκη 4π a 4πμ0 I 2
μ0 I 2
15、 一个点电荷 q 与无限大接地导体平面距离为 d, 如果把它移至无穷远处, 需要做多少功? 解:由镜像法,感应电荷可以用像电荷-q 替代。当电荷 q 移至 x 时,像电荷 q 应位于-x, 则像电荷产生的电场强度
G ˆx 2 + e ˆz 4 ,求电介质中的电场? E =e
解:由在介质表面处 z = 0 , E1t = E2t 即 E1x = E2x = 2 , z = 0 时, D1n = D2 n 即 D1z = D2 z
静电场边值问题的唯一性定理

静电场边值问题的唯一性定理摘要:静电场边值问题及其唯一性定理是一重要知识点,定理的表述和证明都涉及较多的数学知识。
由于唯一性定理的概念对于许多问题(如静电屏蔽)的确切理解有很大帮助,所以我们将给此定理一个物理上的论证,期待大家能从中有所受益. 关键词:静电场;边值;唯一性;静电屏蔽1、问题的提出实际中提出的静电学问题,大多不是已知电荷分布求电场分布,而是通过一定的电极来控制或实现某种电场分布。
这里问题的出发点(已知的前提),除给定各带电体的几何形状、相互位置外,往往是在给定下列条件之一;(1) 每个导体的电势U K ; (2) 每个导体上的总能量Q K ;其中K=1,2,……为导体的编号。
寻求的答案则是在上述条件(称为边界条件)下电场的恒定分布。
这类问题称为静电场的边值问题。
这里不谈静电场边值问题如何解决,而我们要问:给定一组边界条件,空间能否存在不同的恒定电场分布?唯一性定理对此的回答是否定的,换句话说,定理宣称:边界条件可将空间里电场的恒定分布唯一地确定下来。
2、几个引理在证明唯一性定理之前,先作些准备工作——证明几个引理。
为简单起见,我们暂把研究的问题限定为一组导体,除此之外的空间里没有电荷。
(1)引理一 在无电荷的空间里电势不可能有极大值和极小值。
用反证法。
设电势U 在空间某点P 极大,则在P 点周围的所有邻近点上梯度U ∇ρ必都指向P 点,即场强U E ∇-=ρρ的方向都是背离P 点的(见图1-1a 。
)这时若我们作一个很小的闭合面S 把P 点包围起来,穿过S 的电通量为0)(>⋅=⎰S d E S E ρρϕ (1)根据高斯定理,S 面内必然包含正电荷。
然而这违背了我们的前提。
因此,U 不可能有极大值。
用同样的方法可以证明,U 不可能有极小值(参见图1-1b )。
(2)引理二 若所有导体的电势为0,则导体以外空间的电势处处为0。
因为电势在无电荷空间里的分布是连续变化的,若空间有电势大于0(或小于0)的点,而边界上又处处等于0,在空间必然出现电势的极大(或极小)值,这违背引理一。
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问题-02-7-1 静电场的边值问题可分为哪几类,是否均满足唯一性定理?
解答:静电场中的典型边值条件包括3类:(1)给定场域边界上的电位值,称为第一类边值条件;(2)给定场域边界上电位的法向导数值,称为第二类边界条件;(3)部分场域边界上给定电位、另一部分场域边界上给定电位的法向导数,称为混合边界条件。
上述三类边界条件与标量电位满足的泛定方程组合成相应的边值问题。
对于第一类边值问题,电位和电场强度的解均唯一;对于第二类边值问题,电场强度的解唯一,电位的解可以相差某一常数,若选定电位参考点,则电位的解也唯一;对于混合边值问题,电位和电场强度的解均唯一。