元件TLP127
直流固态继电器
文献利用大功率场效应管构成互补型MOS管对，从而形成具有3个输出端的电子开关电路，模拟单刀双掷功能，构成大功率单刀双掷固态继电器。
文献公开了一种多功能限流保护式固态继电器，包括低压控制部分和高压开关部分，设置了高低压组合指示和限流带复位保护部分。
文献设计了一种20 A的1 500 V的大功率高速直流固态继电器，具有良好的开关特性。
目前广泛应用的直流固态继电器的导通电压与截止电压近似相等，当输入在临界值附近时，继电器会出现抖动，无法正常动作。
本文提出一种新的设计方法，将继电器导通电压与截止电压分离。
为了验证所设计电路的有效性与正确性，对其进行了数值仿真，并对实际电路运行参数进行测试。
1 硬件电路设计本文直流固态继电器采用四端设计方式，电路原理如图1所示。
1.1 输入电路输入回路主要由电阻R1，R2、R3，稳压管D1，D2，开关管T1，T2组成。
其中NPN型开关管T1和PNP型开关管T2构成正反馈回路，使光电耦合器导通电压和截止电压分离。
1.1.1 导通与截止过程如图1所示，输入电压范围为0～24 V，初始值为0 V。
此时光耦合器处于关断状态，电路不导通。
电阻R2与电阻R1构成开关管输入分压回路，③点电压为稳压管D2上电压，基本恒定不变。
逐渐增大输入电压，当②点电压超过③点电压时(忽略开关管压降)，三极管T1导通，继而三极管T2导通。
接着光耦中的发光二极管被触发导通，光耦合器将发光二极管发出的光由光敏三极管转换成光电流，光耦导通，从而将电路导通。
继电器返回时，逐渐降低输入电压，此时D2两端电压等于T2、D1以及光耦中二极管三个元件的电压的总和。
随着电压的降低，③点电压比②点电压略高0.7 V时，此时电压为临界电压。
当电压降到临界值以下时，三极管T1就会截止，三极管T1截止后，光耦合器中发光二极管也随之截止，从而使整个电路处于截止状态。
1.1.2 动作值、返回值和返回系数的计算由图1列出电路导通和关断时的数学表达式：式中：Uin为导通(关断)时电路输入电压(动作电压与返回电压);U1为二极管D2两端电压;U3为二极管D1和三极管T2两端电压;假定设计电路的相对动作值达到75%，相对返回值达到40%，因而R1和R2的阻值分别选取为1 kΩ和1.5 kΩ。
常用光耦简介及常见型号
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。
TLP621四光耦
TIL113达林顿输出
TIL117 TTL逻辑输出
PC814单光耦
PC817单光耦
H11A2晶体管输出
H11D1高压晶体管输出
H11G2电阻达林顿输
10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
4N30达林顿输出
4N31达林顿输出
4N32达林顿输出
4N33达林顿输出
4N33MC达林顿输出
4N35达林顿输出
4N36晶体管输出
4N37晶体管输出
tlp127光耦参数
tlp127光耦参数
光耦参数TLP127是指TLP127型号的光耦器的参数。
TLP127光耦器是具有高速开关速度和高耐压性能的光电转换器，一般用于电气隔离和信号传输等领域。
以下是常见的TLP127光耦器的参数：
1. 光电耦合特性：
- 高共模阻抗：通常大于10^13Ω
- 高串模阻抗：通常大于10^13Ω
- 光耦电流传递比：通常在100%~600%之间
- 光响应时间：通常在2微秒以下
2. 输电电气特性：
- 最大隔离电压：通常为5000Vrms
- 设计电流：通常为50mA
- 最小工作电流：通常为2mA
3. 光耦器对环境的要求：
- 工作温度范围：通常为-40℃至+100℃
- 存储温度范围：通常为-55℃至+125℃
请注意，上述参数只是给出了TLP127光耦器的一般参数范围，具体参数可能会根据不同的厂家和型号有所变化。
如果需要详细的参数信息，建议查阅产品规格书或与相关厂家联系。
PESSRAE PESSRAL型式试验与现场检验(上海交大 胡晖)
产品概念
产品设计
验证与确认
功 能 安 全 管 理
型式试验内容——产品概念
安全要求规范（SRS） 安全确认计划 （V-V）
产品概念——安全要求规范
安全功能和 安全完整性等级 工作模式 故障响应时间 工作环境 电磁抗干扰
产品概念——安全功能
自动扶梯和自动人行道电气安全装置（或功能）
PESSRAE所检查的装置 检查超速并在速度超过名义速度1.2倍之前起作 用；向上运行时，检查非操纵逆转 最低安全完整性 等级（SIL） 2
产品设计—— FMEDA
元器件的失效率计算
元器 件 元器 件号 失效模式 失效模式 开路 C* 104 短路 数值随机变化 Tanα变化 开路 R* 1K 短路 数值随机变化 百分比 40 40 10 10 80 10 10 λTotal 诊断 状态 λS λSD 0 0 0 0 0 0 0 λsu 0.24 0 0.06 0.06 0.14 0 0.02 λDD 0 0.24 0 0 0 0.02 0 λD λDU 0 0 0 0 0 0 SN29500 0 SN29500 失效数 据来源
产品概念——软件安全要求规范 可编程电子硬件故障诊断 指令、传感器、执行器故障诊断 电源故障诊断 软件故障诊断
传感器 子系统
逻辑 子系统
输出 子系统
型式试验内容——产品设计
硬件设计 软件设计
产品设计——硬件设计
硬件系统结构设计详细描述； 电路板的布线图和布置说明； 故障(失效)模式、影响或诊断分析(FMEA或 FMEDA)； 随机硬件失效引起的安全功能失效的概率(PFH) 和子系统安全失效分数(SFF)分析和估算说明；
产品设计——硬件结构设计要求 产品设计中硬件结构的选取 ISO22201对系统结构的规定（与IEC61508不同）
TIL117(光耦)
TIL111, TIL114, TIL116, TIL117OPTOCOUPLERSCOMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS¡ùGallium Arsenide Diode Infrared Source Optically Coupled to a Silicon N-P-N Phototransistor¡ùHigh Direct Current Transfer Ratio¡ùHigh-Voltage Electrical Isolation………1.5-kV or 2.b-kV Rating¡ùPlastic Dual-In-Line Package¡ùHigh-Speed Switching: tr = 5 µS, tf = 5 µs Typicalmechanical dataThe package consists of a gallium arsenide infrared-emitting diode and an n-P-n silicon phototransistor mounted on a 6-lead frame encapsulated within an electrically nonconductive plastic compound. The case will withstand soldering temperature with no deformation and device Performance characteristics remain stable when operated in high-humidity conditions, Unit weight is approximately 0.52 grams.absolute maximum ratings at 25¡æfree-air temperature (unless otherwise noted) Input-to-Output Voltage: TIL111………………………………………………………….…±1.5 kVTIL114,TILI16,TIL117...................................................±2.5 kV Collector-Base Voltage. (70V)Collector-Emitter Voltage (See Note 1) (30V)Emitter-Collector Voltage......................................................................................7 V Emitter-Base Voltage...........................................................................................7 V Input-Diode Reverse Voltage. (3V)Input Diode Continuous Forward Current at (or below) 25¡æFree-Air Temperature (See Note2)………………………………………………………………………….…….100 mA Continuous Power Dissipation at (or below) 25¡æFree-Air TemperatureInfrared-Emitting Diode (See Note 3)………………………………………………….150 mWPhototransistor (See Note 4)……………………………………………………………150 mWTotal, Infrared-Emitting Diode plus Phototransistor (See Note 5)………………….250 mW Storage Temperature Range………………………………………………………..-55¡æto 150¡æLead Temperature 1.6 mm (1/16 Inch) from Case for 10 Seconds………………………..260¡æNOTES : 1. this value apples when the base-emitter diode is 0pen-circuited.2. Derate linearly to 100¡æfree-air temperature at the rate of 1.33 mA /¡æ.3. Derate linearly to 100¡æfree-air temperature at the rate of 2 mW /¡æ4. Derate linearly to 100¡æfree-air temperature at the rate of 2 mW /¡æ5. Derate linearly to 100¡æfree-air temperature at the rate of 3.33 mW /¡æelectrical characteristics at 25¡æfree-air temperatureNCTE 6: These parameters are measured between both Input diode leads shorted together and all the phototransistor leads shorted togetherswitching characteristics at 25¡æfree-air temperaturePARAMETER MEASUREMENT INFORMATIONFIGURE 1-SWITCHING TIMESTYPICAL CHARACTERISTICSl F-Forward Current-mA l F-Forward Current-mA FIGURE 2 FIGURE 3FIGURE 4 FIGURE 5FIGURE 6 FIGURE 7FIGURE 8 FIGURE 9FIGURE 10 FIGURE 11IMPORTANT NOTICETexas Instruments (T1) reserves the right to make changes to its products or to discontinue any semiconductor product or service without notice, and advises its customers to obtain the latest version of relevant infor-mation to verity, before placing orders, that the information being relied on is current.TI warrants performance of its semiconductor products and related software to the specifications applicable at the time of sale in accordance with Ti's standard warranty.Testing and other quality control techniques are utilized to the extent TI deerns necessary to support this warranty.Specific testing of all parameters of each device is not necessarily performed, except those mandated by government requirements.Certain applications using semiconductor produces may involve potential ricks of death,personal injury, or severe property or environmental damage ("Critical Applications").TI SEMICONDUCTOR PRODUCTS ARE NOT DESIGNED, INTENDED,AUTHORIZED,OR WARRANTED TO BE SUITABLE FOR USE IN LIFE-SUPPORT APPLICATIONS,DEVICES OR SYSTEMS OR OTHER CRITICAL APPLICATIONS.Inclusion of TI products in such applications is understood to be fully at the risk of the customer. Use of TI prodticts in such applications requires the written approval of an appropriate TI officer, Questions concerning potential risk applications should be directed to TI through a local SC sales office.In order to minimize risks associated with the customer's applications, adequate design and ope-rating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. TI assumes no liability for applications assistance,customer product design,software performance, or infringement of patents or services described herein. Nor does TI warrant or represent that any license, either express or implied, is granted under any patent right, copyright, mask work right, or other intellectual property right of TI covering or relating to any combination,machine,or process in which such semiconductor products or services might be or are used.Copyright © 1996, Texas lnstruments Incorporated。
集成电路课程“岗课赛证”综合育人教学改革与实践
［收稿时间］2022-12-10［基金项目］2022年桂林师范高等专科学校教学改革研究项目“电子信息技术专业群‘岗课赛证’融合育人教学改革与实践”（JGA202204）。
［作者简介］周国琼（1984—），女，广西人，本科，高级工程师，研究方向为电子信息。
2023年3University Education［摘要］“岗课赛证”综合育人是职业教育发展的需求。
集成电路课程从制订课程标准、编制特色教材、采用多样化教学方法、构建优质教学资源库、课程思政协同育人五个方面推进“岗课赛证”综合育人教学改革，满足了学生就业、考证和竞赛需求，教学质量得到了全面提升。
［关键词］“岗课赛证”；综合育人；集成电路；教学改革［中图分类号］G712［文献标识码］A ［文章编号］2095-3437（2023）05-0060-03国务院副总理孙春兰在2021年4月的全国职业教育大会中指出，要加快建设高质量职业教育体系，进一行推广“岗课赛证”相互融合这一成果，形成综合育人机制，提升人才培养质量[1]。
这对我国职业教育课程建设提出了新任务。
“岗课赛证”综合育人包含了“岗”“课”“赛”“证”四要素。
“岗”即专业面向的工作岗位要求，人才能力培养应能适应产业结构的变化和技术迭代，课程人才培养方案的制订应基于企业真实岗位能力要求，准确把握产业最新技能标准、职业能力和岗位需求，实现课程目标、课程内容与岗位要求的对接[2]。
“课”即学校课程设置和教学实施，高职院校专业课程应“从基于学科知识体系的课程设置和教学实施，逐步转向基于职业工作过程的、模块化的课程设置和项目制的教学实施”[3]。
“赛”即职业技能大赛和学科竞赛，通过技能比拼促进学生发展，引领教学改革[2]。
“证”即职业资格证书和“X ”证书，是某种专项职业技能或能力水平的证明，培养学生获取职业生涯发展所需要的相关职业知识、技能和资质，这将有利于提升学生竞争能力[2]。
实施课程教学改革，以“课”为中心要素，引“证”入课、融“赛”入课、“岗”课对接，最大限度地发挥课堂主阵地的作用，满足学生的就业、考证和竞赛需求，提高职业教育的质量，这是当前高职教育课程教学改革一个崭新而具有挑战性的课题[4]。
Linear推出高效降压
Linear 推出高效降压Linear 推出高效降压-升压型DC/DC 转换器凌力尔特公司(Linear Technology CorporaTIon) 推出效率为96% 的同步降压-升压型转换器LTC3127，该器件用高于、低于或等于输出的输入向稳定输出电压提供高达1A 的输出电流。
LTC3127 具有一个准确度达±4%的可编程平均输入电流限值(范围为200mA 至1000mA)，从而使其非常适合于从GSM 调制解调器或超级电容器充电器(具有严格输出电流限值的电源来供电)。
这使系统设计师能够最大限度地提高从受限电源吸取的电流，从而显着改善数据速率或充电时间。
LTC3127 的 1.8V 至 5.5V 输入范围和1.8V 至 5.25V 的输出范围与所有类型的PC 卡槽、USB 和单节锂离子或双节/三节碱性/镍镉/镍氢金属电池应用兼容。
LTC3127 的电流模式降压-升压型拓扑通过所有工作模式提供连续传输模式，从而简化了设计并确保卓越的性能。
LTC3127 的恒定 1.35MHz 开关频率提供低噪声工作，同时最大限度地减小所需为数不多的几个外部组件的尺寸。
纤巧外部组件结合3mm x 3mm DFN 或MSOP-12 封装为空间受限应用提供高度紧凑的占板面积解决方案。
LTC3127 含有两个N 沟道MOSFET (分别为140mΩ和160mΩ)和两个P 沟道MOSFET (分别为160mΩ和190mΩ)，以提供高达96% 的效率。
该器件的可选突发模式(Burst Mode®) 工作仅需要35uA 的静态电流，停机电流低于1uA，从而进一步延长了电池运行时间。
就需要最低噪声的应用而言，LTC3127 可以配置为以固定频率PWM 模式运行，从而降。
变频器驱动电路常用几种驱动IC
变频器驱动电路常用的几种驱动IC变频器驱动电路中常用IC，共有为数不多的几种。
可以设想一下，变频器电路的通用电路，必定是主电路〔包括三相整流电路和三相逆变电路〕和驱动电路，即便是型号的功率级别不同的变频器，驱动电路却往往采用了同一型号的驱动IC，甚至于驱动电路的结构和布局，是非常类似的和接近的。
早期的和小功率的变频器机种，经常采用TLP250、A3120〔HCPL3120〕驱动IC，内部电路简单，不含IGBT保护电路；以后被大量广泛采用的是 PC923、PC929的组合驱动电路，往往上三臂IGBT 采用PC923驱动，而下三臂IGBT那么采用PC929驱动。
PC929内含IGBT检测保护电路等；智能化程度比较高的专用驱动芯片A316J，也在大量机型中被采用。
通过熟悉驱动IC的引脚功能和掌握相关的检测方法，到达对驱动电路进行故障判断与检测的能力，以及能对不同型号的驱动IC应急进行代换与修复。
一、TLP250和HCPL3120驱动IC：Nc18Vcc Nc1V18Vcc Nc18Vcc V1V1IF+27Vo IF+27Vo IF+27VoIF-36VoIF-36VoIF-36Nc V2Nc4Nc4V25GND Nc4V25GND5GND TLP250HCPL3120/J312HCNW3120图1三种驱动IC的功能电路图TLP250：输入IF电流阀值5mA，电源电压10∽35V，输出电流±，隔离电压2500V，开通/关断时间〔t PLH/t〕μs。
可直接驱动50A1200V的IGBT模块，在小功率变频器驱动电路中，和早期PHL变频器产品中被普遍采用。
HCNW3120〔A3120〕：与HCPL3120、HCPLJ312内部电路结构相同，只是因选材和工艺的不同，后者的电隔离能力低于前者。
输入IF电流阀值，电源电压15∽30V，输出电流±2A，隔离电压1414V，可直接驱动150A/1200V的IGBT模块。
ZBT-11高开综合保护器内部培训教材
Z B T-11系列高开综合保护器培训教材上海山源电子电气科技发展有限公司二零零七年一月目录1.ZB T-11综合保护器简介 (3)2.保护器特点 (3)3.硬件构成 (4)4.定值项目解释 (11)5.联络线过流保护 (22)6.大型电机过流保护 (24)7.馈线过流保护 (24)8.保护整定时的注意事项 (24)9.故障录波的原理及作用 (24)1.ZB T-11综合保护器简介ZBT-11系列高开综合保护器(以下简称保护器)，适用于煤矿井下10kV、6kV 电网中性点不接地供电系统或中性点经消弧线圈接地系统，是矿井高爆开关和矿用一般型开关专用的多功能综合保护器，可对井下高压开关进行监控和保护，还能够与我公司生产的KJF81监测分站以及调度主站一起构成KJ137煤矿电网安全监测监控系统。
能够及时准确的把井下电气设备的各种电气参数，运行参数，电量信息，设备工况以及故障信息及故障录波数据发送到地面电力调度中心,同时也能够接收地面调度主站发出的遥控、定值设定和信号复归等命令，实现远程操作和远程监控。
保护器是专为煤矿井下高压开关的监控保护研发生产的，在抗震动、防腐蚀、抗干扰有着特殊的考虑处理和优良的效果。
它可以安装在BGP系列及PBG系列等矿用隔爆型高压开关内，可替代传统的各种型号模拟保护器和数码显示电脑保护器，亦可实现老配电装臵的更新改造，是老站改造和新上开关的理想选择。
2.保护器特点◆双CPU的设计结构,采用高性能处理器作为保护CPU，选用总线不出芯片的微处理器作为人机界面管理CPU（人机界面），使保护器具备很强的保护和通讯功能；◆采用高速高精度低功耗A/D转换芯片,每周波24点的采样密度以及频率跟踪技术使保护器具有很高的保护和测量精度；◆高可靠性的高速存储器用于保存保护定值和保护器动作事件；所有数据掉电不丢失。
大容量的存储器存储故障录波数据；◆保护器的机械结构简洁紧凑，接触安全可靠。
所有芯片均采用表面贴片，同时采用四层板制造工艺。
光耦TLP127
2
2002-09-25
Individual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
LE D
Characteristic
Forward voltage Reverse current Capacitance Collector-emitter breakdown voltage Emitter-collector breakdown voltage
0.3 0.5 1
3 5 10
Forward current IF (mA)
30 50
Pulse forward current IFP (mA)
1000
500 300
IFP – VFP
100 50 30
10
5
Pulse width ≤ 10ms
3
Repetitive
Frequency = 100Hz
1
Ta = 25°C
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
Pulse forward voltage VFP (V)
5
2002-09-25
Forward voltage temperature coefficient ∆VF / ∆Ta (mV / °C)
Collector current IC (mA)
Operating temperature range
Lead soldering temperature
Total package power dissipation
Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C)