模电练习题1

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模电考试题及答案

模电考试题及答案

模电考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,三极管工作在放大区的条件是()。

A. 基极电流小于集电极电流B. 发射结正向偏置,集电结反向偏置C. 发射结反向偏置,集电结正向偏置D. 发射结和集电结都反向偏置答案:B2. 理想运算放大器的输入电阻是()。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C3. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。

A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案:B4. 差分放大器的主要优点是()。

A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 放大共模信号D. 放大差模信号和抑制共模信号答案:D5. 场效应管的控制量是()。

A. 漏极电流B. 栅源电压C. 漏源电压D. 栅漏电流答案:B6. 集成运放的输出电压范围主要取决于()。

A. 电源电压B. 输入信号C. 反馈电阻D. 负载电阻答案:A7. 负反馈可以()。

A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加输入电阻D. 减少输出电阻答案:B8. 直流稳压电源中的滤波电路是()。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A9. 正弦波振荡器的振荡条件是()。

A. 相位平衡条件B. 幅度平衡条件C. 相位平衡条件和幅度平衡条件D. 只有幅度平衡条件答案:C10. 调制的目的是()。

A. 放大信号B. 改变信号的频率C. 使信号便于传输D. 改变信号的相位答案:C二、填空题(每题2分,共20分)1. 在共基极放大电路中,输入阻抗与输出阻抗相比,输入阻抗________输出阻抗。

答案:小2. 理想运算放大器的差模输入电阻为________,共模抑制比为________。

答案:无穷大,无穷大3. 差分放大器的差模电压增益是共模电压增益的________倍。

答案:1+2Rf/R4. 场效应管的漏极电流与栅源电压的关系是________。

答案:非线性5. 负反馈可以提高放大电路的________。

模电第一章练习习题

模电第一章练习习题

模电第一章练习习题(总14页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。

(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×)(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。

(√)(6)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。

(×)解:二、选择正确答案填入空内。

(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)B (4)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U≈-2V。

O6四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图解:(a)图能击穿稳压,U O1=6V ;(b)图不能击穿,靠电阻分压,U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,β=100,U BE =。

试问: (1)R b =50k Ω时,u O = (2)若T 临界饱和,则R b ≈解:(1)R b =50k Ω时,基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBE BB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O =U CE =2V 。

模电练习1选填分类连答(全部)

模电练习1选填分类连答(全部)

《模拟电子技术》练习1:选填分类连答(全部)(前1、2位是卷号,后1、2是填空题号)一半导体材料201.半导体中有___ __载流子。

(a.一种 b.两种)(b)191. 半导体中的空穴是__ __。

(a.带正电的离子 b.电子挣脱共价键后留下的空位)(b)11.本征半导体掺入五价元素后为。

N型半导体中的多数载流子是______。

P型半导体中的多数载流子是______。

(a. N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子)(a,b,c)131. 本征半导体掺入三价元素后成为__ ___。

P型半导体中的多数载流子是__c___。

(a. N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子)(b,c)141.本征半导体掺入五价元素后成为__ ___。

P型半导体中的多数载流子是__ ___。

(a.N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子)(a,c)151半导体掺入三价元素后成为___ __。

N型半导体中的多数载流子是__ ___。

(a.N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子) (b,d)21.一种纯净的、结构完整的半导体晶体是__ _,在本征半导体中掺入微量杂质的半导体是____。

(a.本征半导体 b.杂质半导体)(a,b)181.N型半导体是纯净半导体中加入___ __后形成的半导体。

(a.电子 b.三价硼元素 c.五价磷元素)(c)31.N型半导体中的多数载流子是,少数载流子是。

(a.正离子 b.负离子 c.电子 d.空穴)(c,d)51 P型半导体中的多数载流子是,少数载流子是。

(a.正离子 b.负离子 c.电子 d.空穴)(d,c)61. N型半导体 _____,P型半导体_____。

(a.带正电 b.带负电 c.呈中性)(c,c)71.N型半导体中的多数载流子是,P型半导体中的多数载流子是。

( a.自由电子 b.空穴)(a,b)81.P型半导体是纯净半导体中加入__ ___后形成的半导体。

模电练习题(1)

模电练习题(1)

1.二极管电路如图(a)所示,设二极管为理想的。

(1)试求电路的传输特性(v o~v i特性),画出v o~v i波形;
(2)假定输入电压如图(b)所示,试画出相应的v o波形。

2.测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图所示。

(1)判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极;
(2)估算(b)图晶体管的 值。

3. 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

3.在图2.8所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得
输出波形如图 2.7(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。

图 2.7
图2.8
三、计算题
r=100Ω。

电路如下图所示,晶体管的 =100,
'
bb
(1)求解电路的Q点;
A 、输入电阻R i和输出电阻R o;
(2) 求电压放大倍数
u
(3) 若R b2和R b1分别断开时,问电路能否正常工作?简述理由。

(4)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?。

模电习题1

模电习题1

1.N型半导体的电子浓度空穴浓度;PN结加反向电压时,空间电荷区将。

2.稳压管的稳压区是其工作在。

3.当温度升高时,三极管的发射结导通压降将。

4.集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

5.航天、空间技术中的电路多采用类型的运放。

6.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。

7.欲将正弦波电压转换成二倍频电压,应选用运算电路。

8.正弦波振荡电路的起振条件是。

9.在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有。

10.单相桥式整流电容滤波电路中,若U2=10V,则U O= V,若负载流过电流I O,则每只整流管中电流I D为。

11. 利用半导体材料的某种敏感特性,如特性和特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。

12. 双极型三极管的电流放大作用是较小的电流控制较大的电流,所以双极型三极管是一种电流控制元件。

13. 画放大器交流通路时,耦合电容、旁路电容和直流电压视为。

14. 多级放大器的极间耦合方式有______,______,______,。

15. 理想运放的输出电阻是_____,输入电阻是______。

16. 正弦波振荡器相位平衡条件是_______,幅度平衡条件是______。

17. 功率管工作在甲乙类状态的目的是______。

18. 在常温下,硅二极管的开启电压是____V,导通后在较大电流下时正向压降约____V。

19. RC桥式振荡电路中,ω0=1/RC时,Fu=____。

20. 石英晶体有____个谐振频率,当电路的工作频率大于fs而小于fp时,晶体呈____。

21. 如右图所示为一晶体三极管外形,则其1、2、3脚分别是极。

22. 测得三极管各管脚对地压分别为U C=0.4V,U B=1.0V,U E=0.3V,则其工作于状态。

23. 为了有效地抑制零点漂移,常采用电路作为集成运放的前置级。

24. 复合管的电流放大倍数β是。

25. 集成运放运用于时电压放大倍数趋于无穷大。

26. 对三极管的引脚进行判别时,把万用表置于R 100Ω,把黑表笔与假定的基极引连,红表笔分别与另外两个极相连,测得其电阻值均很小,说明该管的类型为。

《模电》练习题

《模电》练习题

练习题一1. 填空题1.1贴片电阻多用数码法标示,如512标示Ω。

(5.1k)1.2色环电阻,红+红+橙+金+棕,表示阻值和误差为。

(22.3Ω±1%)1.3 某采样电阻标注为R005,表示该电阻的阻值为Ω。

(0.005)1.4 一瓷片电容其标示为104J,表示其容量为uF、误差为±5%。

(0.1)1.5 电容具有通,阻的电气特性。

(交流,直流)1.6 电感在电路中常用“L”表示,电感的特性是通直流阻交流,频率越,线圈阻抗越大。

(高)1.7 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路,其作用是阻止电流通过。

(低频交流)1.8 P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。

(空穴,电子)1.9 温度增加时,二极管的正向电阻将会变。

(小)1.10 PN结最大的特点是。

(单向导电性)1.11 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为A,最高反向工作电压为V。

(1,50)1.12 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻,在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的极。

(正)1.13 三极管有三个引脚,基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。

(B,发射)1.14 三极管是部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。

它分为型和型两种。

(NPN,PNP)1.15指针式万用表的黑表笔接三极管基极,红表笔接触另外两极中的任一电极,若指针偏转角度很大,说明被测管子是型。

(NPN)1.16 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。

(源极,漏极)1.17 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值,比标称阻抗值要,这是正常现象。

(直流,小)1.18压电瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。

(电声)1.19电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。

(热式,外热式)1.20 焊接电子元件时,一般来说最恰当的时间是在s完成。

(1.5~4)1.21 用数字万用表测试二极管的反向电阻,应显示为。

(1)2. 选择题2.1 有几位同学拿来一个滑动变阻器,看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样,这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解,你认为正确的是()。

模电试题及答案(大学期末考试题)

模电试题及答案(大学期末考试题)

【模拟电子技术】模拟试题一一、填空题:〔每空1分共40分〕1、PN结正偏时〔导通〕,反偏时〔截止〕,所以PN结具有〔单向〕导电性。

2、漂移电流是〔温度〕电流,它由〔少数〕载流子形成,其大小与〔温度〕有关,而与外加电压〔无关〕。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为〔0 〕,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为〔无穷〕,等效成断开;4、三极管是〔电流〕控制元件,场效应管是〔电压〕控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结〔正偏〕,集电结〔反偏〕。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic〔变小〕,发射结压降〔不变〕。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是〔共基〕、〔共射〕、〔共集〕放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用〔电压并联〕负反应,为了稳定交流输出电流采用〔串联〕负反应。

9、负反应放大电路和放大倍数AF=〔1/〔1/A+F〕〕,对于深度负反应放大电路的放大倍数AF=〔 1/ F 〕。

10、带有负反应放大电路的频带宽度BWF=〔〕BW,其中BW=〔〕,〔〕称为反应深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为〔〕信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为〔〕信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的〔〕失真,而采用〔〕类互补功率放大器。

13、OCL电路是〔〕电源互补功率放大电路;OTL电路是〔〕电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数〔〕,输入电阻〔〕,输出电阻〔〕等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制〔〕漂移,也称〔〕漂移,所以它广泛应用于〔〕电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为〔〕,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为〔〕。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=〔〕,电路符号是〔〕。

二、选择题〔每空2分共30分〕1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值Uz才有导通电流,否那么处于〔〕状态。

模电试题库和答案解析

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模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题(满分100分)1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。

()2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

()3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。

()4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。

()5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

()6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

()7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。

()8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。

()9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。

()10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。

()11.温度升高后,在纯净的半导体中()。

A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B.空穴增多,自由电子数目不变C.自由电子增多,空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。

A.阻当层不变,反向电流基本不变B.阻当层变厚,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大D.阻当层变厚,反向电流减小作业1-2一、习题(满分100分)1.N型半导体()。

A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。

A.正常B.断路C.被击穿D.短路3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。

A.正向偏置时导通,反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。

A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。

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《模拟电子期末练习题》一 填空题:1、PN 结正偏时( ),反偏时(),所以PN 结具有()导电性。

2、漂移电流是( )电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为( ),等效成断开;4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic (),发射结压降()。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数A F =(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F =()。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F =()BW ,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(),输出电阻(),常用在输入级,输出级或缓冲级。

13、差分放大电路能够抑制( )漂移,也称( )漂移,所以它广泛应用于( )电路中。

14、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称(),未被调制的高频信号是运载信息的工具称()。

15、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=( ),电路符号是( )。

16、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有()网络。

17、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是()。

18、为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。

(A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈(D )交流负反馈 19、RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。

(A )感性 (B )阻性 (C )容性20、通用型集成运放的输入级多采用 。

(A )共基接法(B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 21、两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

(A )β(B )β2(C )2β(D )1+β22、在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ;既能放大电流,又能放大电压的电路 是 。

(A )共基放大电路 (B )共集放大电路(C )共射放大电路23、当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。

(A )>(B )< (C ) =(D )≤ 24、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

(A ) 大 (B ) 小 (C )相等二、选择题1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz 才有导通电流,否则处于()状态。

A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 F 、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是()型。

A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。

A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置电阻。

A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了(C)而设置的。

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是()。

A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路R E上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ()倍。

A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强,一般引入()负反馈。

A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是()、()。

A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1三、分析计算题1、已知电路如下图示:为理想二极管,试分析:①二极管导通还是截止?②UA0=?四、1、由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示。

求:①频带内电压放大倍数Auf(取整数);②截止频率fL2、已知:电路如图:t=0时,Uc(0-)=0,Ui=0.1V。

求:①U01②t=10s时的U0?五、已知:电路如图示:Vcc=12V,RB1=40K,RB2=20K,Rc=RL=2K,RE=1.65K,UBEQ=0.7V,C1=C2=20uf,rbe=1.5K,β=100,CE=10uf。

求:①ICQ ②UCEQ ③Au ④Ri ⑤R0(取小数点后1位)六、已知:R=7.9KΩ,C=0.02uF,RF=10K,求:①fo ②R1冷态电阻值;③指明R1的温度特性;七、已知:电路如图所示Vcc=12V RB1=40k RB2=20k Rc=RL=2k RE=1.65k UBEQ=0.7V C1=C2=20η F rbe=1.5K β=100 CE=10ηF (取小数点后一位)求:1)I CQ2)U CEQ3)Au 4)Ri 5)Ro八、已知:电路如图所示求:Uo=?九、分析计算题1、已知:电路如图所示 V1、V2为理想二极管。

求:1)哪只二极管导通 2)UAO=?(5分)十 已知电力如图示:Vcc=12V ,RB=300K Ω,RE=RL=2K Ω,Rs=500Ω, UBE Q ≈0,C1=C2=30uF ,rbe=1.5K ,β=100,Us=10sinwt mV 。

求:① ICQ ② UCEQ ③ Au (取小数点后2位) ④ Ri ⑤ R0(10分)十一、由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示:求:①频带内电压放大倍数Auf (取整数); ②截止频率fL ;十二、在图示电路中,已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B-E 间动态电阻为r be 。

填空: 静态时,I BQ 的表达式为 ,I CQ 的表达式为 ,U CEQ 的表达式为 ;电压放大倍数的表达式为 ,输入电阻的表达式为 ,输出电阻的表达式为 ;若减小R B ,则I CQ 将 ,r be将 ,uA 将 ,R i 将 。

十三、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ,电流放大系数为β=100,r be =1 k Ω,R B1=5 k Ω,R B2=15 k Ω,R E =2.3 k Ω,R C =R L =3 k Ω,V CC =12V 。

(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(2)估算信号源内阻为R S =1k Ω时,Sus U U A 0=的数值。

十四、(10分)在图示电路中,已知V CC =12V ,V EE =6V ,恒流源电路 I=1 mA ,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω;两只晶体管特性完全相同,且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω。

估算: (1)电路静态时T 1和T 2管的集电极电位;(2)电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0十五、设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组和的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。

十六、(6分)在图示电路中,要求R F =100 k Ω,比例系数为11,试求解R 、和R '的阻值。

十七、(6分)求解图示电路的运算关系式。

十八、(9分)在图示文氏桥振荡电路中,已知R1=10 kΩ,R和C的可调范围分别为1~100 kΩ、0.001~1μF。

(1)振荡频率的可调范围是多少?(2)R F的下限值为多少?十九、(5分)在图示电路中,已知W7806的输出电压为6V,R1=R2=R3=200 Ω,试求输出电压U0的调节范围。

答案一、填空1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF 1/F 10、1+AF fH –fL 1+AF 11、共模差模12、小于近似等于1 大小13、零点温度集成14、调幅载波信号15、KUxUy 16 正反馈17 √2U218 B、C 19 B 20 D 21 B 22 B、C 23 A、A 24 A二、选择题1、B C F 2、C D 3、B C E 4、B E 5、C 6、A 7、 B 8、A 9、 A B三、分析与计算题(共30分)二极管V截止2)UA0=-4V四、分析与计算题1、1)-100 2)160Hz 2、1)1.1V 2)1.1V 3、1)2mA 2 )4.7V 3)-66.7 4)1.4KΩ5)2KΩ4、1)1KHz 2)5Ω3)正温度导数七、1)2mA 2) 4.7V 3) -66.7 4)1.4KΩ5)2KΩ八、UO=20V九、1)V2导通2)UAO=-5V十ICQ=2.4mA UCEQ=7.2V 2)AU=0.99 3)Ri=122k 4) Ro=20Ω十一、1)-100 2)160Hz十二、BBEQCC BQR U V I -=;BQ CQI I β=;C CQ CC CEQ R I V U -=;beL ur R A '-=β ;be B i r R R //=;C R R =0;增大;减小;减小;减小十三、3V ;1mA ;10цA ;6.7V ;-150;0.79k Ω;-66.7 十四、7V ;-333;0;6 k Ω;20 k Ω十五、(a )电压并联负反馈;-R 2/R 1 (b )电压串联负反馈;1+R 2/R 1 十六、10 k Ω;9 k Ω 十七、2121120)1(I I u R Ru R R u ++-= 十八、1.6H Z —160kH Z ;20 k Ω十九、T 1 ;R 1、R 2、R 3;R 、D Z ;T 2、T 3、R E 、R C ;Z Z U R R R R U U R R R R R 3321032321++≤≤+++。

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