最新光敏电阻、光敏二极管的特性研究
光敏电阻、光敏二极管的特性研究
实验十一、十二【实验目的】见讲义【实验仪器】见讲义【实验原理】1、光电效应光敏传感器的物理基础是光电效应，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射称为外光电效应，或光电子发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。
光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。
即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。
光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类，几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。
（1）光电导效应若光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。
它是一种内光电效应。
光电导效应可分为本征型和杂质型两类。
前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。
杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。
杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。
（2）光生伏特效应 在无光照时，半导体PN 结内部自建电场。
当光照射在PN 结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。
载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E 的作用，电子漂移到N 区，空穴漂移到P 区。
结果使N 区带负电荷，P 区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。
2、实验原理（1）光敏电阻利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。
目前，光敏电阻应用的极为广泛，可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻。
利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见。
7光电二极管和光敏电阻的特性研究
7光电二极管和光敏电阻的特性研究光电二极管和光敏电阻是光电转换器件中常见的两种，可以将光信号转换为电信号，并且在不同的光照条件下表现出不同的特性。
本篇文章将深入研究这两种器件的特性。
光电二极管是一种将光能转化为电能的电子元件，其工作原理基于内照射效应，也就是当光线照射到PN结的一个极化面上时，光激发了电子从价带跃迁到导带，从而产生了电流。
光电二极管具有高灵敏度、快速响应、线性传输、宽动态范围等特点，广泛应用于光通信、测量和光功率控制等领域。
光电二极管的主要特性包括光电流、响应时间和谱响应特性。
其中，光电流是指当光照射到光电二极管上时，从结的外部产生的电流。
光电流与光强之间呈线性关系，即光强越大，光电流越大。
响应时间是指光电二极管从光刺激到输出电流达到稳定的时间，这个时间一般较短，可以达到纳秒甚至亚纳秒级别。
谱响应特性是指光电二极管对不同波长光的响应情况，它可以由光电二极管的材料特性和结构参数决定。
与光电二极管相比，光敏电阻是一种将光信号转化为电阻信号的器件。
光敏电阻的工作原理是光照射到其表面时，导致其电阻发生变化，光照强度越大，电阻值越小。
光敏电阻具有简单、成本低、响应时间短等优点，在光控制、光测量等领域有广泛应用。
光敏电阻的主要特性包括光敏电阻特性曲线、光敏电阻的光照饱和特性、响应时间和稳定性。
光敏电阻特性曲线是指光敏电阻的电阻值与入射光照强度之间的关系，一般为非线性特性。
光敏电阻的光照饱和特性是指当光照强度足够大时，光敏电阻的电阻值不再发生变化，达到饱和状态。
响应时间是指光敏电阻由无光状态切换到有光状态，并且电阻值达到稳定的时间，一般较短。
稳定性是指光敏电阻的电阻值在长时间使用过程中是否稳定，不发生明显的漂移。
在实际应用中，可以根据具体的需求选择光电二极管或光敏电阻。
如果需要高灵敏度、快速响应和线性传输特性时，可以选择光电二极管；如果对成本、响应时间和简单性要求较高时，可以选择光敏电阻。
无论选择哪种器件，都需要根据具体的应用需求来设计和搭配其他电路元件。
光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性剖析
光敏传感器的光电特性研究(FB815型光敏传感器光电特性实验仪)凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量，如光强、光照度等；也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。
光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。
光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和内光电效应两大类，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，则称为外光电效应或光电子发射效应。
基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
另一种现象是电子并不逸出材料表面的，则称为是内光电效应。
光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。
好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。
因此也是属于内光电效应范畴，本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。
通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管的光电传感特性及在某些领域中的应用。
【实验原理】1．光电效应：（1）光电导效应：当光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。
它是一种内光电效应。
光电导效应可分为本征型和杂质型两类。
前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。
杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。
杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。
（2）光生伏特效应：在无光照时，半导体PN结内部有自建电场。
当光照射在PN结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。
光敏电阻特性研究
光敏电阻特性研究【实验目的】１．了解和掌握光敏电阻的特性２．掌握产生和检验偏振光的原理和方法。
３．进一步学习和掌握调节复杂光路的方法；【实验仪器与装置】1000）、光敏电阻、导轨、检偏器、凸透镜（mmf60=）、光源（光通量lx磁性滑块、稳压电源、万用电表、导线等 【实验原理】一、光电效应与光电器件1.1 光电效应光电效应可以分为以下三种类型： （1）外光电效应 在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象叫外光电效应。
只有当光子能量大于逸出功时，即时，才有电子发射出来，即有光电效应，当光子的能量等于逸出功时，即时，逸出的电子初速度为0， 此时光子的频率为该物质产生外光电效应的最低频率，称为红限频率。
利用外光电效应制成的光电器件有真空光电管、充气光电管和光电倍增管。
（2）光电导效应 在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为光电导效应。
由于这里没有电子自物体向外发射，仅改变物体内部的电阻或电导，有时也称为内光电效应。
与外光电效应一样，要产生光电导效应，也要受到红限频率限制。
利用光电导效应可制成半导体光敏电阻。
（3）光生伏特效应 在光的作用下，能够使物体内部产生一定方向的电动势的现象叫光生伏特效应。
利用光生伏特效应制成的光电器件有光敏二极管、光敏三极管和光电池等。
各种光电器件都有下述特性：（1）光电流光敏元件的两端加一定偏置电压后，在某种光源的特定照度下产生或增加的电流称为光电流。
（2）暗电流光敏元件在无光照时，两端加电压后产生的电流称为暗电流。
（3）光照特性当光敏元件加一定电压时，光电流I与光敏元件上光照度E之间的关系，称为光照特性。
一般可表示为。
（4）光谱特性当光敏元件加一定电压时，如果照射在光敏元件上的是一单色光，当入射光功率不变时，光电流随入射光波长变化而变化的关系，称为光谱特性。
光谱特性对选择光电器件和光源有重要意义，当光电器件的光谱特性与光源的光谱分布协调一致时，光电传感器的性能较好，效率也高。
光敏电阻和光敏管的特点
一、光敏电阻的特点
光敏电阻是一种可以通过光线照射来改变电阻值的元器件，具有以下特点：
1. 对光线敏感：光敏电阻对光线敏感，即在光照强度发生变化时，其电阻值也会发生相应的变化。
2. 可调性较差：由于光敏电阻的电阻值变化范围较小，因此其可调性相对较差。
在实际应用中，通常需要与其他电路元件组合使用，才能发挥出更好的效果。
3. 价格便宜：相比于其他光敏元件，如光敏二极管、光敏三极管等，光敏电阻的价格较为便宜，因此在一些成本要求不高的应用中得到广泛应用。
4. 应用范围广：光敏电阻在光控开关、光控电子器、光控电动玩具、照度计和光敏测距仪等领域都有广泛的应用。
5. 可靠性低：由于光敏电阻本身存在一定的温度漂移和光谱响应差异，因此其稳定性和可靠性较低，需要在实际应用中加以注意。
二、光敏管的特点
光敏管是一种利用光电效应来控制电流的元件，具有以下特点：
1. 灵敏度高：光敏管对光线非常敏感，可以检测到非常微弱的光信号，并将其转化为电信号输出。
在低光条件下，其检测能力明显优于其他光敏元件。
2. 可调性好：光敏管的灵敏度可以通过调整其工作电压、阳极电阻等参数进行调节，因此其可调性比光敏电阻要好很多。
3. 阻抗高：光敏管的输入阻抗比其他光敏元件要高得多，可
以达到几十兆欧姆以上，因此可以直接驱动高阻抗负载。
4. 应用范围广：光敏管在光控继电器、光控开关、光控电子器等领域都有广泛的应用。
5. 价格高：相对于光敏电阻等其他光敏元件，光敏管的价格较为昂贵，因此在成本敏感的应用中使用较少。
综上所述，光敏电阻和光敏管都有各自的优点和缺点，应根据具体的应用需求来选择合适的光敏元件。
光敏电阻特性实验报告.doc
光敏电阻特性实验报告.doc一、实验目的通过光敏电阻特性实验掌握光敏电阻的基本性质和特性。
二、实验仪器数字万用表、光源、光敏电阻、稳压电源、电阻箱等。
三、实验原理1、光敏电阻的原理及特性：光敏电阻即是光敏电阻器，是一种光感受元件。
光敏电阻是将半导体材料做成的电阻器，当光照射在半导体上时、光子就会激发半导体内产生的载流子，从而填充其价带和导带，形成电子空穴对。
这些电子空穴对导致了电阻值的变化。
光敏电阻的特点：具有灵敏度高、响应速度快、能量浅等优点。
具有宽波长响应范围，以及随着光照强度的提高，光敏电阻阻值会减小，这种特性称为“阻值下降”。
2、该实验中使用的光敏电阻为CdS电阻，其特点是响应范围为400-800nm波长，特别是在寒冷气候中，其响应速度和稳定性均表现出惊人的性能和耐用性。
四、实验步骤1、连接电路：将CdS光敏电阻两端连接在电阻箱上的白色断路口的3号和5号针脚处；在电路与电源之间串联一块2.5KΩ稳压电源，并将其与外部电源连接。
2、测量电路状态：测量电源电压为9.0V，万用表选择电阻档位并相应选择电流档位，测量此时光敏电阻的阻值。
3、测量光敏电阻特性：用光源照射光敏电阻，测量此时的电压和电阻。
4、更换稳压电源，重复以上步骤。
五、实验数据记录以下实验数据基于步骤3和4中所获得的测量数据。
SerialNo. | E (V) | I (mA) | R (Ω) | U1 (V) | U2 (V) | R (Ω)1 | 9.0 | 5.5 | 1636 | 2.447 | 2.743 | 902 | 12.0 | 7.3 | 1644 | 4.320 | 4.796 | 1043 | 6.0 | 3.68 | 1630 | 1.112 | 1.284 | 32六、实验结果分析1、电源电压试验：可以看出电源电压的增加可使光敏电阻的电阻值增大，说明此时光敏电阻在该电流下的响应能力基本一直。
2、光源亮度测试：可以看出在光源发光强度越大、光照时间越长时，光敏电阻的电阻值会逐渐减小，说明在光的作用下，光敏电阻的电阻值会随光照强度的提高而下降，这种变化程度也越大。
7光电二极管和光敏电阻的特性研究
+5 R
三、实验原理(续）
Vo
1.原理与结构：
光电二极管是利用PN结单向导电性的结型 光电器件，结构与一般二极管类似。PN结安 装在管的顶部，便于接受光照。外壳上有以 透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上， 为了获得尽可能大的光生电流，PN结的面积 比一般二极管要大。为了光电转换效率高， PN结的深度比一般二极管浅。
2.光敏电阻：又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝
、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速 减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移 运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速 下降。
3.光敏电阻演示
上图为光电流信号转换电路，Vo=IpR，Ip为光电流，R是反 馈电阻。
结构：管芯是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。
光导体吸收光子而产生的光电效应，只限于光照的表面薄层，虽然产生的载 流子也有少数扩散到内部去，但扩散深度有限，因此光电导体一般都做成薄 层。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极一般采用梳状图案。
光敏传感器的物理基础是光电效应，光电效应通常分为外光电效应和内光电效应 两大类。外光电效应是指在光照射下，电子逸出物体表面的外发射的现象，也称光 电发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。内光电效应是指 入射的光强改变物质导电率的物理现象，称为光电导效应。几乎大多数光电控制应 用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电二极管等 。
+5 R
三、实验原理(续）
Vo
1.原理与结构：
大大增加，在外加反偏电压和内电场的作用下，P区的少数 载流子渡越阻挡层进入N区，N区的少数载流子渡越阻挡层进 入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，形成了光电 流，反向电流随光照强度增加而增加。另一种工作状态是在 光电二极管上不加电压，利用PN结受光照强度增加而增加。 N结受光照时产生正向电压的原理，将其作为微型光电池用 。这种工作状态一般用作光电检测。光电二极管常用的材料 有硅、锗、锑化铟、砷化铟等，使用最广泛的是硅、锗光电 二极管。光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好的 温度稳定性和低工作电压的优点，因而得到了广泛的应用。
光敏电阻的特性研究及应用
INTELLIGENCE 科 技 天 地68光敏电阻的特性研究及应用河北定兴技术监督局 张 斌 李文启 易小月摘 要：光敏电阻是一种重要的光电转换元件，随着电子信息技术的飞速发展和对电子元器件性能要求的不断增强，我国光敏电阻的生产技术也迎头赶上世界潮流，光敏电阻生产自动化大大提高了生产效率和产品的质量。
本文介绍了光敏电阻的工作原理，工作结构，主要参数及基本特征。
通过对用光电转换测量仪所测出的光敏电阻特性的一些数据、图像的研究,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性和光谱特性。
并介绍了用光敏电阻器件所组成的在实际生活中的应用，如：路灯自动点熄电路、照相机自动爆光电路、自动照明灯、自动控制车前大灯等。
光敏电阻有灵敏度高、工作电流大（达数毫安）、光谱响应范围与所测光强范围宽、无极性使用方便的优点。
关键词：光敏电阻 伏安特性 光照特性1、概述我国是世界上光敏电阻的生产大国，光敏电阻的生产地集中在南阳和沿海地带，随着电子信息技术的飞速发展和对电子元器件性能要求的不断增强，我国光敏电阻的生产技术也必须迎头赶上世界潮流，光敏电阻的生产过程有很多工序，要求非常苛刻，比如对原材料的要求，除对原材料本身质量要求很高外，使用前的处理也极其讲究，现在光敏电阻生产的许多工序都已实现了自动化了。
生产过程的自动化大大提高了生产效率和产品的质量。
因此，对光敏电阻特性的研究具有重要的意义。
光敏电阻是利用物体的导电率会随着外加光照的影响而改变的性质而制作的一种特殊电阻。
光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。
它的电流随电压呈线性变化。
光敏电阻在无光照的时候，其暗电阻的阻值一般很大，在有光照的时候，其亮阻的阻值变得很小，两者的差距较大。
半导体光敏电阻的主要特点是灵敏度高、体积小、重量轻、电性能稳定、可以交直流两用，而且工艺简单，价格便宜等，正是由于这些优点，使光敏电阻被广泛应用于照相机日光控制、光电自动控制、光电藕合、光电自动检测、电子光控玩具、自动灯开关及各类可见光波段光电控制测量场合。
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光敏电阻、光敏二极管的特性研究
实验十一、十二
【实验目的】
见讲义
【实验仪器】
见讲义
【实验原理】
1、光电效应
光敏传感器的物理基础是光电效应，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射称为外光电效应，或光电子发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。
光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。
即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。
光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类，几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。
（1）光电导效应
若光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。
它是一种内光电效应。
光电导效应可分为本征型和杂质型两类。
前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。
杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。
杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。
（2）光生伏特效应
在无光照时，半导体PN 结内部自建电场。
当光照射在PN 结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。
载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E 的作用，电子漂移到N 区，空穴漂移到P 区。
结果使N 区带负电荷，P 区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。
2、实验原理
（1）光敏电阻
利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。
目前，光敏电阻应用的极为广泛，可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻。
利用光敏电阻制成的光控开关在我们日常生活中随处可见。
当内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为：
p n p e n e σμμ∆=∆⋅⋅+∆⋅⋅ （1）
在（1）式中，e 为电荷电量，p ∆为空穴浓度的改变量，n ∆为电子浓度的改变量，μ表示迁移率。
当两端加上电压U 后，光电流为：
ph A
I U d
σ=
⋅∆⋅ （2） 式中A 为与电流垂直的表面，d 为电极间的间距。
在一定的光照度下，σ∆为恒定的值，因而光电流和电压成线性关系。
光敏电阻的伏安特性如图2a 所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。
光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而且没有饱和现象。
当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。
图2a 光敏电阻的伏安特性曲线图2b 光敏电阻的光照特性曲线
光敏电阻的光照特性则如图2b所示。
不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但是在大多数的情况下，曲线的形状都与图2b的结果类似。
由于光敏电阻的光照特性是非线性的，因此不适宜作线性敏感元件，这是光敏电阻的缺点之一。
所以在自动控制中光敏电阻常用作开关量的光电传感器。
（2）光敏二极管
光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管，光敏二极管的伏安特性如图3所示。
但光敏三极管的光电流比同类型的光敏二极管大好几十倍，零偏压时，光敏二极管有光电流输出，而光敏三极管则无光电流输出。
原因是它们都能产生光生电动势，只因光电三极管的集电结在无反向偏压时没有放大作用，所以此时没有电流输出（或仅有很小的漏电流）。
图3 光敏二极管的伏安特性曲线
光敏二极管的光照特性亦呈良好线性，这是由于它的电流灵敏度一般为常数。
而光敏三极管在弱光时灵敏度低些，在强光时则有饱和现象，这是由于电流放大倍数的非线性所至，对弱信号的检测不利。
故一般在作线性检测元件时，可选择光敏二极管而不能用光敏三极管。
图4 光敏二极管的光照特性曲线
【实验内容和要求】
可见讲义
1、光敏电阻的特性测试
图5
1.1光敏电阻的伏安特性测试
（a）按实验仪面板示意图接好实验线路，光源用标准钨丝灯将检测用光敏电阻装入待测点，连结+2--+12V电源，光源电压0--24V电源（可调）。
（b ）先将可调光源调至一定的光照度， 每次在一定的光照条件下，测出加在光敏电阻上电压 为+2V ；+4V ；+6V ；+8V ；+10V ；+12V 时电阻R1两端的电压U R ，从而得到6个光电流数据
Ω
=
k U I R ph 00.1，同时算出此时光敏电阻的阻值，即Ph
R cc g I U U R -=。
以后调节相对光强重复
上述实验（要求至少在三个不同照度下重复以上实验）。
（c ）根据实验数据画出光敏电阻的一族伏安特性曲线。
表1 光敏电阻伏安特性测试数据表（照度： ）
表2 光敏电阻伏安特性测试数据表（照度： ）
表3 光敏电阻伏安特性测试数据表（照度： ）
1.2光敏电阻的光照特性测试
（a ）按实验仪面板示意图(图5)接好实验线路，光源用标准钨丝灯将检测用光敏电阻 装入待测点，连结+2--+12V 电源，光源电压0--24V 电源（可调）。
（b ）从U CC =0开始到U CC =12V ，每次在一定的外加电压下测出光敏电阻在相对光照度从“弱光”到逐步增强的光电流数据，即： 1.00R
ph U I K =
Ω
，同时算出此时光敏电阻的阻值，
即：cc R
g Ph
U U R I -=。
这里要求至少测出15个不同照度下的光电流数据，尤其要在弱光位置选择较多的数据点，以使所得到的数据点能够绘出完整的光照特性曲线。
表4 光敏电阻光照特性测试数据表（电压： ）
表5 光敏电阻光照特性测试数据表（电压： ）
表6 光敏电阻光照特性测试数据表（电压： ）
（c ）根据实验数据画出光敏电阻的一族光照特性曲线。
2、光敏二极管的特性测试实验
图6
3.1光敏二极管的伏安特性测试实验
（a ） 按仪器面板示意图（图6）连接好实验线路,光源用标准钨丝灯,将待测硅光敏二极管装入待测点,光源电源电压用+0V ～+24V(可调)。
（b ） 将可调光源调至一定的照度，每次在一定的照度下，测出加在光敏二极管上的反偏电压与产生的光电流的关系数据，其中光电流 1.00R
ph U I K =Ω
（1.00K Ω为取样电阻），以
后逐步调大相对光强（3次），重复上述实验。
表6光敏二极管伏安特性测试数据表（照度： ）
表7光敏二极管伏安特性测试数据表（照度： ）
表8 光敏二极管伏安特性测试数据表（照度： ）
（c ）根据实验数据画出光敏二极管的一族伏安曲线。
3.2光敏二极管的光照度特性测试 （a ） 实验线路同图6。
（b ）选择一定的反偏压，每次在一定的反偏压下测出光敏二极管在相对光照度为“弱光”
到逐步增强的光电流数据，其中R
Ph U I 1.00K Ω＝（1.00K Ω为取样电阻）。
这里要求至少测出3
个不同的反偏电压下的数据。
表14 光敏二极管光照特性测试数据表（电压： ）
表15 光敏二极管光照特性测试数据表（电压：）
表16 光敏二极管光照特性测试数据表（电压：）
（c）根据实验数据画出一族光敏二极管的一族光照特性曲线。