专升本《模拟电子技术》考试答案
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)
模拟电子技术单选考试模拟题（含答案）一、单选题（共100题，每题1分，共100分）1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（）A、对 :B、错正确答案：A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。
A、仍为正弦波。
B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案：A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（）A、错B、对 :正确答案：A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：B8、N型半导体中的多数载流子是（）A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案：C9、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案：C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。
A、共模B、模拟C、差模正确答案：A11、理想集成运放的输出电阻为（）。
A、不定。
B、∞；C、0；正确答案：C12、PN结两端加正向偏置电压时，其正向电流是由（）而成。
A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案：D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、 (共61题,共150分)1、当PN给外加正向电压时,扩散电流漂移电流。
此时耗尽层 ( )。
(2分)A、大于变宽。
B、小于变窄。
C、等于不变。
D、大于变窄。
标准答案:D2、场效应管电流完全由组成,而晶体管的电流由组成。
因此,场效应管电流受温度的影响比晶体管( )。
(2分)A、多子少子大。
B、多子两种载流子小。
C、少子多子小。
D、多子多子差不多。
标准答案:B3、图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因就是:( )。
(2分)A、交流信号不能输入。
B、没有交流信号输出。
C、没有合适的静态工作点。
D、发射结与集电结的偏置不正确。
标准答案:B4、当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz,可采用( )的方式实现。
(2分)A、高通滤波器B、带阻滤波器C、带通滤波器D、低通滤波器标准答案:D5、 NPN型与PNP型晶体管的区别就是 ( )。
(2分)A、由两种不同材料的硅与锗制成。
B、掺入的杂质元素不同。
C、P区与N区的位置不同。
D、载流子的浓度不同。
标准答案:C6、某NPN型硅管,当其工作在放大状态时,电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？( ) (2分)A、U1=3、5V,U2=2、8V, U3=12V。
B、U1=3V,U2=2、8V, U3=12V。
C、U1=6V,U2=11、3V,U3=12V。
D、U1=6V,U2=11、8V,U3=12V。
标准答案:A 7、图示的电路中,稳压管的反向击穿电压分别为6V与7V,正向导通电压均为0、6V,则输出电压为:( )。
(2分)A、6VB、7VC、6、6VD、5、4V标准答案:D8、如图所示的静态工作点及其放大电路,当输入的正弦信号逐渐增加时,放大电路的工作情况就是:( )。
(2分)A、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。
B、先出现截止失真,为避免上述现象的发生,应增大偏置电阻R b。
C、先出现饱与失真,为避免上述现象的发生,应减小偏置电阻R b。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
山东电气自动化专升本电子技术复习-电子技术8套模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
（）3、PN结具有单向导电特性。
（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。
（每题10分，共20分）R(a )(b )t图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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[ 试题分类 ]: 专升本《模拟电子技术》 _08001250[ 题型 ]: 单选[ 分数 ]:21. 理想的功率放大电路应工作于 ( ) 状态。
A. 丙类互补B. 甲类互补C. 乙类互补D. 甲乙类互补答案 :D2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 ( ) 。
A. 不易制作大阻值的电阻B. 不易制作大容量电容C. 放大交流信号D .便于设计答案 :B3. 当有用信号的频率介于 1500Hz 与 2000Hz 之间时，应采用的最佳滤波电路是( ) A. 高通B. 低通C. 带阻D. 带通答案 :DB. P 区自由电子向C. P 区自由电子向D. N 区自由电子向 答案 :D5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的 ( )A. 差模输入电阻增大B .差模放大倍数数值增大 4.半导体中PN 结的形成主要是由于( )生产的A. N 区自由电子向 P 区的漂移运动N 区的漂移运动N 区的扩散运动P 区的扩散运动C.差模输岀电阻增大D .抑制共模信号能力增强答案:D6. NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
A. 放大区B. 截止区C. 击穿区D. 饱和区答案:B7. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为( ) 。
A. 饱和状态B. 截止状态C .微导通状态D. 放大状态答案:A8. 差动放大电路的特点是抑制( ) 信号，放大( ) 信号。
A. 差模差模B. 共模共模C. 差模共模D. 共模差模答案:D9. 稳压二极管的有效工作区是( ) 。
A. 反向截止区B. 正向导通区C. 反向击穿区D. 死区答案:C10. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( ) 。
A. 晶体管参数受温度影响B .晶体管参数的分散性C.电阻阻值有误差D .晶体管结电容不确定性答案:A[ 试题分类]: 专升本《模拟电子技术》_08001250[ 题型]: 单选[ 分数]:21. 根据反馈的极性，反馈可分为反馈。
()A. 直流和交流B. 正和负C. 电压和电流D .串联和并联答案:B2. 双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才工作于放大状态。
()A. 正偏-- 正偏B. 反偏-- 正偏C. 正偏--反偏D. 反偏--反偏答案:C3. 本征半导体温度升高后。
()A. 自由电子与空穴数量不变B. 空穴数量增多C. 自由电子与空穴同时增多，且数量相同D•自由电子数量增多答案:C4. 锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。
()A . 0.1VB. 0.3VC . 0.7VD . 0.5V答案:B5. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流，此时耗尽层()A. 等于-- 不变B. 大于-- 变宽C. 小于--变窄D. 小于--变宽答案:C6. 正反馈多用于。
()A. 产生振荡B. 提高电压增益C .改善放大器的性能D. 提高输岀电压答案:A7. 当有用信号的频率高于3500Hz 时，应采用的滤波电路是。
()A. 带阻B. 带通C. 高通D. 低通答案:C8. 共集电极放大电路的输岀电压与输入电压的相位是: 。
()A. 不确定，需要通过实际计算才得到B. 同相C. 反相D. 相差90答案:B9. RC桥式振荡电路的选频网络中，C=680pF, R可在23k到47 k间进行调节，则振荡频率的变化范围为: 。
()A. 4.98kHz X 103〜10.1kHz X 103B. 4.98Hz~10.1HzC. 4.98Hz X 10 -3〜10.1 X 10 -3HzD. 4.98kHz〜10.1kHz答案:D10. 场效应管是通过改变来改变漏极电流的（）A. 漏源极电压B. 栅极电流C. 栅源极电压D. 源极电流答案:C11. 模拟信号是指的信号。
（）A. 数值连续B. 时间连续C. 时间和数值都不连续D. 时间和数值都连续答案:D12. 共射极放大电路的输岀电压与输入电压的相位是：。
（）A. 相差90B. 反相C. 不确定，需要通过实际计算才得到D侗相答案:B13. 如图所示电路中，当二极管的输入电压Ua=Ub=5V 寸，输岀Uo的值为()A. 5.3VD. -5V答案:B14. 当一个三极管的IB=10A时，其IC=lmA，那么它的交流电流放大系数为：。
（）A. 不确定B. 1C. 10D. 100答案:A15. 效率与成本俱佳的整流方式是：。
（）A. 全波整流B. 桥式整流C. 半波整流D. 谐波整流答案:BB.uC二—D()M〉 答案:A17.N 型半导体中多数载流子是少数载流子是 ：()答案：C18.给乙类互补对称功率放大电路加一合适的静态工作点，可消除A.相位失真答案:C19.整流的主要目的是： _____ ()A.将高频信号变成低频A.空穴--自由电子B.自由电子--自由电子C.自由电子--空穴D.空穴--空穴B.线性失真C.交越失真D.频率失真B.将交流变直流C.将正弦波变成方波D. 将直流变交流答案:B20. 有两个三极管，A管的=200, I CEO=200A, B管的=50, 1 CEO=10A,其他参数大致相同，则相比之下。
()A. A管的性能优于B管B. 条件不足,无法判断C. A管和B管的性能相当D. B管的性能优于A管答案:D21. 如图所示,设二极管是理想二极管,该电路。
()A. UAO= -12V , D1反偏截止D2正偏导通B. UAO= -6V , D1正偏导通D2反偏截止C. UAO= -12V , D1正偏导通D2反偏截止D. UAO= -6V , D1反偏截止D2正偏导通答案:D22. fH 称为放大电路的。
()A. 上限频率B .特征频率C. 截止频率D .下限频率答案:A23. PN 结具有一个显著的特点是，正是利用该特点，所以将其制作成普通的二极管。
()A. 击穿特性B. 掺杂特性C. 单向导电性D. 频率特性答案:C24. 本征激发是指现象。
()A. 价电子在电场作用下获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的B. 价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C. 价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的D. 价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的答案:B25. 稳压型二极管的有效工作区在其伏安特性的。
（）A. 死区B. 正向导通区C. 反向区D. 反向击穿区答案:D26. 电路如图所示。
若V1 V3管正负极同时接反了，则输岀()A. 无波形且变压器或整流管可能烧毁B. 全波整流波形，但V2管承受2倍的电压C. 全波整流波形D. 只有半周波形答案:B27. 晶体管工作在饱和区时， b —e极间为，b—c极间为。
（）A. 反向偏置--反向偏置B. 正向偏置--正向偏置C. 正向偏置--反向偏置D. 反向偏置--正向偏置答案:B28. 互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为。
（）A.30%B.60%C.85%D. 78.5%答案:D29.差分放大电路共模抑制比的大小反映了 ()A. 差模增益的大小B. 抑制零漂的能力C. 共模增益的大小D. 带负载能力答案:B30.工作在甲乙类互补对称功率放大电路的 BJT ,当负载电阻为理想值，且忽略 UCES 时的效率约为。
（）A. 85%B. 100%C. 60%D. 78.5%答案:D31. 场效应管放大电路的共漏极接法，与双极晶体管放大电路相比较，双极晶体管放大电路对应 的是接法。
（）A. 共集电极B. 共基极C. 共栅极D. 共射极答案:D32. 电路如图所示。
若正常工作时每个二极管上的电流为:()A. 4I0B. lo/4C. Io/2D.2lo答案:C阳磅° 〉33. 当有用信号的频率高于5000Hz时，应采用的滤波电路是。
（）A. 带阻B. 带通C. 低通D. 高通答案：D34. 可利用实现信号的滤波（）。
A. 二极管开关电路B. RC电路C. 振荡电路D. 放大电路答案:B35. 若开环放大倍数A增加一倍，则闭环放大倍数将。
（）A.不确定B. 减少一半C. 基本不变D. 增加一倍答案:C36. 共源极场效应管放大电路其放大效果近似等价于双结晶体管放大电路。
（）A. 共射极B. 共集电极C. 共基极D. 共栅极答案:B37.晶体三极管放大作用的实质是。
A. 把微弱的电信号加以放大B. 以弱电流控制强电流C. 以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能D. 以强电流控制弱电流答案:C38.根据反馈信号的采样方式，反馈可分为反馈。
()A. 电压和电流B. 直流和交流C. 串联和并联D. 正和负答案:A［试题分类］：专升本《模拟电子技术》_08001250［题型］:问答［分数］：51.电路如图所示，已知Ui5Sint(V)，二极管导通电压UD=0.7V。
试画岀Ui与U。
的波形图，并标岀幅值。
答案：波形如图所示w/V2.电路的静态是指输入交流信号为零时的状态。
()答案： 如图所示放大倍数分别为a 1mA/10 A 100和 b 5mA/100 A 50［试题分类］：专升本《模拟电子技术》 _08001250 ［题型］:判断 ［分数］：41.半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，此时扩散电流小于漂移电流。
答案：错误2.现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。
在圆圈中画岀管子，且分别求岀它们的电流放大分别求另一电极的电流， 标岀其方向，并B 。
mA()答案：正确3.既然是放大电路，因此电压放大倍数与电流放大倍数都应大于 1。
（）答案:错误4. 微变等效电路分析法可以用于分析功率放大电路。
（）答案：错误。
5.由于P 型半导体中含有大量空穴载流子， N 型半导体中含有大量电子载流子，所以 P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（） 答案：错误。
6. 微变等效电路分析法可以用于分析任意放大电路。
（）答案：错误。
［试题分类］：专升本《模拟电子技术》 _08001250 ［题型］:计算 ［分数］：201.电路如图（a ）所示，图（b ）是晶体管的输岀特性，静态时U BEQ0.7V。
利用图解法分别求岀R L 3k时的静态工作点和最大不失真输岀电压U om （有效值）。
!；(b)R L和2.电路的静态是指输入交流信号为零时的状态。
()答案:空载时：IBQ20 A, ICQ2mA,U cEQ 6V ；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V，有效值约为3.75V带载时：IBQ20 A, ICQ2mA,U cEQ 3V ；如图所示。