模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础习题及答案

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
模拟电子技术基础试题(附答案)

(120)1.纯净的半导体叫()。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。
A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。
A.扩散B.漂移C.小D.大3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。
A.双极B.空穴C.单极D.自由电子4.负反馈放大电路的含义是()。
A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路之外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。
A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。
A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。
A.带阻B.带通C.低通D.有源11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。
A.比较B.滤波C.调整(210)1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。
()3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
()4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
()5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
模拟电子技能技术总结基础试题汇总附有答案

精心整理模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将(A)。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2.某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管(D)3.A.4.5.生(B)6.(B)。
A :B :C :D 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q 2点移动到Q 3点可能的原因是 。
A :集电极电源+V CC 电压变高B :集电极负载电阻RC 变高C :基极电源+V BB 电压变高D :基极回路电阻R b 变高。
8.直流负反馈是指(C)A.存在于RC耦合电路中的负反馈B.放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中的负反馈D.只存在于直接耦合电路中的负反馈9.负反馈所能抑制的干扰和噪声是(B)A输入信号所包含的干扰和噪声B.反馈环内的干扰和噪声C.反馈环外的干扰和噪声D.输出信号中的干扰和噪声10.在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为(A)A.-2.5VB.-5VC.-6.5VD.-7.5V11.在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV,△υS2=60mV,则差模输12.(C)。
13.14.15.多级负反馈放大电路在(A)情况下容易引起自激。
A.回路增益F A 大B反馈系数太小C.闭环放大倍数很大D.放大器的级数少16.LC正弦波振荡电路如图1-9所示,该电路(D)。
A.由于无选频网络不能产生正弦波振荡B.由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡C.满足振荡条件能产生正弦波振荡D.由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡图1-9图1-1017.图1-10所示电路出现故障,经测量得知V E =0,V C =V CC ,故障的可能原因为(D)。
A.R c 开路B.R c 短路C.R e 短路D.R b1开路(C)。
19.20.21.差模o V A.125mVB.1000mVC.250mVD.500mV22.对于图所示的复合管,假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为(D)。
模拟电子技术基础试题及答案

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。
(1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( )(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( )(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( )(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( )(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( )(6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( )(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
( )【解答】(1)×。
放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。
(2) √。
放大的特征就是功率的放大。
(3)×。
应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。
(4)×。
.(5) √。
设置合适的静态工作点。
(6)×。
任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。
(7)×。
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电对交流信号均可视为短路。
,【解答1 (a)不能。
因为输人信号被VBB所影响。
(a)例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。
‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能用测晶体管的办法来检测。
对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。
最新模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。
( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。
A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。
C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。
D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
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模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将( )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。
( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( )失真。
( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( )。
A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。
B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。
C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。
D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( )A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( )A. -B. -5VC. -D. -11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( )。
A. 共射电路B. 共基电路C. 共集电路D. 共集-共基串联电路13. 在考虑放大电路的频率失真时,若i υ为正弦波,则o υ( )A. 有可能产生相位失真B. 有可能产生幅度失真和相位失真C. 一定会产生非线性失真D. 不会产生线性失真14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在( )。
A. 开环或正反馈状态B. 深度负反馈状态C. 放大状态D. 线性工作状态15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。
A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小C. 闭环放大倍数很大D. 放大器的级数少16. LC 正弦波振荡电路如图1-9所示,该电路( )。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡B. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡C. 满足振荡条件能产生正弦波振荡D. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡图1-9 图1-1017. 图1-10所示电路出现故障,经测量得知V E =0,V C =V CC ,故障的可能原因为( )。
A. R c 开路B. R c 短路C. R e 短路D. R b1开路18. 与甲类功率放大方式比较,乙类OCL 互补对称功率放大方式的主要优点是( )。
A. 不用输出变压器B. 不用输出端大电容C. 效率高D. 无交越失真19. 共模抑制比K CMR 越大,表明电路( )。
A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 抑制温漂能力越强D. 输入信号中的差模成分越大20. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带( )。
A. 变宽B. 变窄C. 不变D. 与各单级放大电路无关21. 双端输入.双端输出差分放大电路如图所示。
已知静态时,V o =V c1-V c 2=0,设差模电压增益100vd =A &,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。
A. 125mVB. 1000 mVC. 250 mVD. 500 mV22. 对于图所示的复合管,假设1CEO I 和2CEO I 分别表示单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。
A.2CEO CEO I I =B. 21CEO CEO CEO I I I +=C. 1CEO CEO I I =D. 21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β23. 某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈24. 多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带( )。
( A)变宽 ( B)变窄 ( C)不变 ( D)与单级放大电路无关25. 电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻( )。
( A)等于零 ( B)比直流等效电阻小( C)等于直流等效电阻 ( D)远远大于直流等效电阻26. 放大电路产生零点漂移的主要原因是( )。
( A)采用了直接耦合方式 ( B)采用了阻容耦合方式( C)采用了正.负双电源供电 ( D)增益太大27. 二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为( )。
( A)20dB/十倍频程 ( B)-20dB/十倍频程( C)40dB 十倍频程 ( D)-40dB/十倍频程28. 当有用信号的频率低于100Hz 时,应采用( )滤波电路。
( A)低通 ( B)高通 ( C)带通 ( D)带阻29. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是正反馈。
A 输入电阻增大 B 输出电阻增大C 净输入量增大 D 净输入量减小30.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且输出电压基本不随负载变化而变化,在放大电路中应引入的负反馈类型为( )。
A 电流串联B 电压串联C 电流并联D 电压并联31.如果把一个二极管直接同一个电动势为、内阻为0的电池正向连接,则该管( )。
A 、击穿B 、电流为0C 、电流过大使管子烧坏D 、正常导通32. 差分放大器左管输入电压+100mV ,右管输入-300mV ,其共模输入 ( )。
A 、100mVB 、-100mVC 、200mVD 、-200mV33. 电流串联负反馈电路的放大参量为 ( )。
A 、电压放大倍数B 、电流放大倍数C 、转移电阻D 、转移电导34. 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ( )。
A 恒流区B 可变电阻区C 夹断区D 击穿区35. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ( )。
A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响36. 差动放大电路的主要特点是 ( )。
A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
37. 互补输出级采用射极输出方式是为了使 ( )。
A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强38. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( )。
A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻39. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的是负反馈。
A 输入电阻增大B 净输入量减小C 净输入量增大D 输出量增大40. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足( )才能起振。
A A V = 1B A V = 3C A V < 3D A V >341.滞回比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,其输出状态将发生( )次跃变。
A 1B 2C 3D 042.利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是 ( )A . f =fs 时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器B . f =fs 时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器C . fs<f<fp 时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器D . fs<f<fp 时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器二.填空题1.当温度升高时,三极管的下列参数变化趋势为:电流放大系数β ,反向 饱和电流I CBO ,I B 不变时,发射结正向电压V BE 。
2.某差动放大电路的输入信号,10,2021mV v mV v i i -== 则该差动放大电路的差模信号=id v mV , =ic v mV 如果该差动放大电路的差模增益为100倍,共模增益为10倍,则输出电压为 mV 。
3. 某放大电路的对数幅频特性如图所示。
由图可知,该电路的中频电压增益Vm A =倍。
上限截止频率f H = Hz ,下限截止频率f L = Hz 。
4. 按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 、 、三种基本类型。
5. 在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是电容,影响高频信号放大的是电容。
6. 三极管的三个工作区域是,,。
集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。
7. 三极管实现放大作用的外部条件是:、。
某放大电路中的三极管,测得管脚电压V a = -1V,V b =, V c =, 这是管(硅、锗),型,集电极管脚是。
8. 在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,组态有电压放大作用,组态有电流放大作用,组态有倒相作用;组态带负载能力强,组态向信号源索取的电流小,组态的频率响应好。
9. 场效应管从结构上分成和两大类型,它属于控制型器件。
10. 场效应管属于型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是型器件。
11. 在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为。
12. 乙类功放的主要优点是,但出现交越失真,克服交越失真的方法是。
13. 差动放大电路中的长尾电阻R e或恒流管的作用是引人一个反馈。
14. 已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB,则其AC= 。
集成电路运算放大器一般由、中间级、输出级、四部分组成。
15. 差分式放大电路能放大直流和交流信号,它对具有放大能力,它对具有抑制能力。
16. 串联负反馈只有在信号源内阻时,其反馈效果才显着,并联负反馈只有在信号源内阻时,其反馈效果才显着。
17. 图中各电路的交流反馈类型和极性( 反馈组态)分别为:图( a)为反馈,图( b)为反馈,图( c)为反馈。
18. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。